紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

8月14日,在第八屆中國電子信息博覽會(CITE 2020)上,紫光集團攜旗下各子公司展示了一系列新產品,包括西安紫光國芯的8Gb
DDR4記憶體芯片和晶圓,長江存儲的128層QLC 3D NAND,新華三半導體的EasyCore,紫光展銳的一系列智能手機和物聯網芯片等。

西安紫光國芯展示DDR4芯片及晶圓

眾所周知,長鑫存儲是國內最早成功量產DDR4/LPDD4記憶體芯片的國產DRAM廠商。不過,除了長鑫存儲之外,紫光集團也在DRAM芯片領域布局已久。

早在2015年,紫光集團就已經開始布局DRAM,延攬前南亞科總經理高啟全加入紫光集團就是布局的開始,在高啟全加入紫光集團的同時,紫光國微(原同方國芯)收購了任奇偉團隊所創辦的公司(現在的西安紫光國芯),任奇偉團隊的前身是奇夢達公司的西安研發中心,任奇偉團隊一直從事DRAM的研發工作,團隊人數約500人。也就是說,紫光集團的DRAM技術來源也是奇夢達。

2018年10月,紫光國微將西安紫光國芯100%股權以2.2億元轉讓給控股股東紫光集團的下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(「紫光存儲」)。從之前紫光國微年報披露情況看,該團隊的DRAM產品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間,其產品自行設計,在境外代工。

2019年11月,紫光國芯在接受媒體采訪時對外透露,其自主設計的DDR4記憶體顆粒預計在2020年Q1開始實現量產。

在此次的CITE 2020展會上,紫光集團展台上展示了西安紫光國芯開發的8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

據介紹,西安紫光國芯的8Gb DDR4記憶體顆粒單芯片最高帶寬為10.4GB/S,支持TSV封裝可擴展到16Gb容量,內嵌ECC自糾錯功能保護,是業界首款支持X32 IO規格並兼容JEDEC的DDR4芯片。

在展會現場,西安紫光國芯還展示了過往的一系列的記憶體芯片產品和模組產品。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

需要指出的是,目前西安紫光國芯的DDR4芯片的生產應該還是在境外代工,不過,未來西安紫光國芯的DRAM芯片生產可能會放在紫光在重慶的DRAM芯片工廠生產。

2019年6月30日,紫光集團就曾發布公告稱,決定組建紫光集團DRAM事業群,全力加速發展國產記憶體。隨後,在2019年8月底,紫光集團又跟重慶市政府簽署投資協議,宣布在重慶建設DRAM事業群總部及記憶體芯片工廠,計劃2019年底動工,2021年正式量產記憶體。

2019年11月15日,擁有着30餘年DRAM行業從業經驗的前爾必達CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)加盟紫光集團,擔任紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO,負責拓展紫光在日本市場的業務。從坂本幸雄過往的履歷來看,紫光集團引入坂本幸雄一個重要原因就是為了加速發展其DRAM業務。

幾個月前,有消息稱,紫光計劃 10 年內投資人民幣 8000 億元於 DRAM 業務,而紫光集團的重慶DRAM工廠預計 2022 年實現量產。

長江存儲展示128層QLC 3D NAND

今年4月,長江存儲正式發布了業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,型號為X2-6070。據介紹,X2-6070基於Xtacking 2.0架構,擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

同時,長江存儲還發布了128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片,型號為X2-9060,單顆容量512Gb(64GB),以滿足不同應用場景的需求。

性能方面,長江存儲此前透露,兩款產品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能,其中3D QLC單顆容量高達1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

在此次的CITE2020展會上,長江存儲首次公開展示了其最新的128層QLC 3D NAND。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

根據展會上的資料顯示,長江存儲的128層QLC閃存已經在多家控制器廠商、SSD等終端存儲產品上通過驗證。

新華三半導體展示首款高端路由器核心芯片

紫光集團旗下的新華三集團於2019年成立了半導體子公司——新華三半導體技術有限公司,聚焦於新一代高端路由器芯片的自主研發。

今年6月,新華三半導體宣布,成功研發了旗下首款高端路由核心芯片EasyCore。在此次CITE2020展會上,新華三半導體首次展示了這款芯片。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

據介紹,該芯片採用16nm工藝製造,集成了CPU core、高速SerDes、400G以太網以及高速Interlaken等核心IP,目前該芯片已完成測試驗證,將於今年內完成流片投產,預計2021年上半年面市發布搭載自研核心網絡處理器芯片的高端路由器產品。

紫光展銳

在紫光集團的展台上,紫光展銳也展示了旗下的一系列智能手機芯片、5G芯片春藤V510和多款物聯網芯片。其中,比較新的就是去年11月推出的Cat.1 bis芯片春藤8910DM。在今年Cat.1市場火爆的情況之下,春藤8910DM備受關注。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

資料顯示,紫光展銳春藤8910DM採用28nm成熟工藝,支持LTE Cat.1bis和GSM雙模,上行速率達5Mbps,下行速率達10Mbps,並擁有高集成度,同時集成了藍牙通訊和Wi-Fi室內定位,可實現更穩定的連接,支持VoLTE,同時通過系統優化設計,使得春藤8910DM可實現顯著的低功耗優勢。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

紫光集團的展台上,也展示了三款基於春藤8910DM的Cat.1模組:有方N58、廣和通L610和中國移動ML302。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

此外,還有中國聯通不久前推出了基於展銳春藤V510的5G CPE。

紫光集團展示8Gb DDR4記憶體芯片及晶圓 還有128層QLC 3D NAND

△紫光展銳手機芯片、無線連接芯片、物聯網/RFFE芯片,紫光國微的安全芯片、超級SIM卡、紫光同創的FPGA,紫光聯盛的微連接器都有在現場展示。

來源:cnBeta