2年後追上台積電 三星計劃2022年量產3nm 首發GAA工藝

在半導體晶圓代工上,台積電一家獨大,從10nm之後開始遙遙領先,然而三星的追趕一刻也沒放鬆,今年三星也量產了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內追上台積電,2022年將量產3nm工藝。

2019年開始,三星啟動了一個「半導體2030計劃」,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元稱為全球最大的半導體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上台積電。

在最近的幾代工藝上,三星的量產進度都落後於台積電,包括10nm、7nm及5nm,不過5nm算是縮短了差距,今年也量產了,此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

2年後追上台積電 三星計劃2022年量產3nm 首發GAA工藝

但三星追趕台積電的關鍵是在下一代的3nm上,因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管,是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而台積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會使用GAA工藝。

最新消息稱,三星半導體業務部門的高管日前透露說,三星計劃在2022年量產3nm工藝,而台積電的計劃是2022年下半年量產3nm工藝,如此一來三星兩年後就要趕超台積電了。

值得一提的是,台積電也似乎感受到了三星的壓力,,現在研發順利,2023年下半年就准確試產了。

2年後追上台積電 三星計劃2022年量產3nm 首發GAA工藝

作者:憲瑞
來源:快科技