中芯國際:第二代FinFET年底將小批量試產

據科創板日報報道稱,中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。科創板中芯國際在互動平台表示,公司第一代FinFET14納米已於2019年四季度量產;第二代FinFETN+1已進入客戶導入階段,可望於2020年底小批量試產。

此外,中芯國際方面還重申,目前公司營運和采購如常

其實去年11月就曾有消息稱,中芯國際已經啟動了14nm FinFET工藝芯片的量產,且計劃2019年年底前進行12nm FinFET的風險試產。

按照中芯國際當時在2019年Q3季度財報公布的情況,公司第一代FinFET已成功量產,四季度將貢獻有意義的營收;第二代FinFET研發穩步推進,客戶導入進展順利。

中芯國際:第二代FinFET年底將小批量試產

12nm工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微,功耗降低20%、性能提升10%,錯誤率降低20%。

前不久,中芯國際在互動平台上也表示,目前公司正常運營,公司和美國相關政府部門等進行了積極交流與溝通。

公司客戶需求強勁,訂單飽滿,第三季度產能利用率接近滿載。展望2020年全年,公司的收入目標上修為24%至26%的年增長。全年毛利率目標高於去年。

來源:cnBeta