美光全球首創1αnm記憶體工藝:LPDDR5容量密度大漲40%

美光今天宣布,已經開始批量出貨基於1αnm工藝的DRAM記憶體芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能並降低功耗。不同於CPU、GPU等新品,DRAM記憶體、NAND閃存的工藝節點都不使用明確的數字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往後越先進,或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。

美光全球首創1αnm記憶體工藝:LPDDR5容量密度大漲40%

美光的1αnm DRAM工藝可適用於各種不同的記憶體芯片,尤其適用於最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比於1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%,能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續航更持久。

DDR4、LPDDR4甚至是未來的DDR5,同樣都能使用這種新工藝,並支持智能手機、筆記本、台式機、服務器、嵌入式等各種應用設備。

美光台灣晶圓廠已經開始量產並出貨1αnm DRAM記憶體芯片,首批是DDR4記憶體條,隸屬於Crucial英睿達品牌,還在試產和評估LPDDR4,後續會用於更多記憶體類型。

來源:cnBeta