Intel 10nm 60核心下代至強開蓋 四大一小整合封裝

Intel預計會在今年底發布代號Sapphire Rapids的第四代可擴展至強,擁有全新的10nm工藝、CPU架構、DDR5/PCIe 5.0原生支持等等,面貌煥然一新。

稍早些時候,我們看過了,面積龐大,更換新的LGA4677-X封裝接口。

現在,該網友又對這顆Sapphire Rapids樣品進行了開蓋,去掉了頂部的散熱頂蓋,直接露出了內部封裝設計:

Intel 10nm 60核心下代至強開蓋 四大一小整合封裝

Intel 10nm 60核心下代至強開蓋 四大一小整合封裝

可以看到,Sapphire Rapids CPU部分由四個小心模塊整合組成,彼此緊密靠在一起,異常龐大,應該是應用的2.5D封裝技術,也就是俗稱的「膠水大法」。

當然,隨着半導體工藝的不斷演進、芯片規模的不斷擴大,多重封裝、小芯片策略是必然之路,AMD的霄龍系列也是如此,只是在封裝技術上多種多樣而已。

另外,Sapphire Rapids CPU核心一側還有一顆獨立的小芯片(Die),也就是內置的HBM高帶寬記憶體,容量最大為64GB。

Intel 10nm 60核心下代至強開蓋 四大一小整合封裝

目前已知的是,Sapphire Rapids產品最多提供56個核心(112線程),每個小芯片模塊最多14個核心,但實際上這是閹割版,滿血版每個小核心15核心,總計60核心,只不過因為10nm良率問題,每個小芯片屏蔽了一個核心。

事實上,Sapphire Rapids上使用的10nm工藝,已經是多次增強後的10nm Enhanced SuperFin,可以視為10nm+++,但依然無法盡如人意。

Intel 10nm 60核心下代至強開蓋 四大一小整合封裝

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作者:上方文Q
來源:快科技