誰說QLC閃存不堪大用Intel 670p SSD深度揭秘

SSD品牌眾多,Intel可以說是非常優秀的那一個,早些年的X25系列至今都是讓人津津樂道的經典,不過近些年,Intel固態存儲的主要精力轉向了企業、數據中心市場,消費級領域產品並不多。

眼下,Intel已經將NAND閃存業務賣給了韓國SK海力士,不過在交割完成前,Intel仍在全力推進技術與產品,去年12月份就全球首發了144層QLC NAND閃存,並推出了多款產品,

去年有不少筆記本都配備了Intel SSD 660p,用的也是QLC閃存,但因為寫入性能不甚理想,反響並不太好。

SSD 670p能逆轉這一形象嗎?

誰說QLC閃存不堪大用Intel 670p SSD深度揭秘

首先說說Intel QLC閃存的進展,目前可以說QLC閃存方面Intel是最積極的,也是唯一突破100層堆疊的。

Intel的第一代QLC閃存誕生於2016年,最初只有32層堆疊,一年後翻番到64層,存儲密度也增加了133%,然後是2019年的96層,存儲密度增加50%。

最後就是我們現在看到的第四代,144層堆疊,存儲密度又增加了50%,存儲密度已經是當年的超過5倍。

Intel QLC閃存使用了浮動柵極結構,擁有緊密、對稱的堆棧層,再結合CuA(陣列下CMOS)技術,沒有單元開銷,同時利用離散電荷存儲節點,具備良好的編程/擦除閾值電壓窗口,可以有效保障存儲單元之間穩定的電荷隔離,以及完整的數據保留。

Intel宣稱,這種結構的QLC具備高性能、大容量、高性能、高可靠性的優勢,使得高性價比大容量SSD成為現實。

誰說QLC閃存不堪大用Intel 670p SSD深度揭秘

SSD 670p定位於桌面、筆記本的日常計算、辦公、內容創作、主流遊戲場景,可以完美取代HDD機械硬盤,規格方面自然不算多麼高大上,但更加親民。

標準的M.2 2280接口形態,新的第三代PCIe主控和固件(慧榮方案),PCIe 3.0 x4系統接口並支持NVMe,容量可選512GB、1TB、2TB,而且都是單面設計,更輕薄。

性能方面,順序讀寫最高可達3.5GB/、2.7GB/,對比上代SSD 660p分別提升了94%、50%,QD1 4KB隨機讀寫為20K IOPS、54K IOPS,QD8 4K隨機讀寫則是31K IOPS、34K IOPS,比上代提升41%、55%,可以說各個方面都實現了均衡的飛躍,而且還有新一代動態SLS緩存的輔助。

功耗也大大降低,讀寫狀態從100mW降至80mW,待機狀態從40mW降至25mW,L1.2休眠狀態更是僅僅3mW。

至於大家最關心的壽命,512GB、1TB、2TB的最大寫入量分別是185TBW、370TBW、740TBW,五年質保,相當於每天0.2次全盤寫入。

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動態SLC緩存是TLC、QLC SSD的必備技能,標稱性能其實都來自SLC緩存的讀寫。

SSD 670p系列的SLC緩存包括靜態、動態兩種,靜態恆定不變,動態則根據總容量、可用容量而智能調整,相比上代增大了最多11%。

其中,512GB型號靜態緩存6GB、動態緩存最多64GB,合計70GB,1TB、2TB則是最多12GB+128GB=140GB、24GB+256GB=280GB。

當然了,未來保證SLC緩存有效加速,建議不要把硬盤存滿,要保留至少15%的空閒。

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我們之前說過,SSD 670p面向的是日常客戶端應用場景,在這里大約90%的應用負載都是低隊列深度(QD),並且大多數都是讀寫混合,整體平均比例在70-30左右。

Intel建議,無論基準測試還是應用測試,都應當貼近這種狀態,以反映真實性能表現。

Intel也放出了一組官方測試成績,顯示SSD 670p的各項性能指標相比上代都有了不同程度的進步,尤其是順序讀寫提升了82%,寫入性能偶爾略弱於部分競品,但整體更加均衡,更像個「水桶」。

整體而言,SSD 670p相比其他主流的TLC/QLC SSD,在低隊列深度寫入方面有明顯優勢,60-40、90-10的典型隨機讀寫組合中更是表現突出。

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綜合而言,Intel表示,SSD 670p同時針對低隊列深度、混合工作負載進行了調優,實現了性能、成本、功耗的恰當平衡。

事實上,SSD 670p已經符合Intel Evo高端筆記本嚴苛認證,這也從側面證明了其性能、可靠性。

誰說QLC閃存不堪大用Intel 670p SSD深度揭秘

Intel SSD 670p零售版已經上架預售,512GB 479元、1TB 799元、2TB 1779元,3月8日0點正式開賣,3月10日後發貨。

惠普、戴爾、華碩、聯想也會預裝在其整機中,4月起陸續發售。

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作者:上方文Q
來源:快科技