台積電2nm工藝研發ing:重點改進EUV光刻效率

做為全球最大最先進的晶圓代工廠,台積電在7nm、5nm節點上領先三星等對手,明年面還會量產3nm工藝,接下來則是2nm工藝。

台積電計劃未來三年投資1000億美元,其中先進工藝花費的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,台積電去年稱2nm工藝取得了重大進展,進度比預期的要好。

實際上台積電的2nm工藝沒有宣傳的那麼夸張,此前只是技術探索階段,尋找到了可行的技術路徑。

現在2nm工藝才算是進入了研發階段,重點轉向了測試載具設計、光罩製作及矽試產等方向。

台積電2nm工藝研發ing:重點改進EUV光刻效率

根據台積電的說法,2nm工藝節點上,他們也會放棄FinFET電晶體結構,轉向GAA環繞柵極結構,此前三星更為激進,在3nm節點就會棄用GAA電晶體,不過這兩家的GAA電晶體結構也不會一樣,孰優孰劣還沒定論。

在2nm節點,光刻工藝更加重要,EUV光刻是少不了的,但此前的EUV工藝還存在不少問題,台積電的2nm節點也會重點改進EUV工藝,提高光刻中的質量及效率。

至於量產時間,台積電的2nm工廠現在還在起步階段,此前消息稱是2023年試產2nm工藝,2024年量產。

來源:遊星空