三星對EUV工藝太激進了,2020年使用EUV工藝生產1Ynm DRAM晶片

三星前不久宣布7nm LPP EUV工藝已經獲得了Synopsys的認證,今年下半年就要量產,這將是全球首個EUV工藝,要比台積電、Globalfoundries等公司激進得多,他們要到明年的第二代7nm工藝才會考慮使用EUV工藝。除了處理器晶片,三星在DRAM記憶體晶片上也准備使用EUV工藝,預計2020年在1Ynm工藝上正式使用,而美光公司前不久才表示暫時不需要EUV工藝。

三星對EUV工藝太激進了,2020年使用EUV工藝生產1Ynm DRAM晶片

DRAM晶片的劃代工藝跟處理器不同,目前記憶體主流的還是20nm、18nm工藝,其中18nm就屬於1X nm節點(16-19nm之間),後面的1Y nm則是14-16nm之間,1Z大概是12到14nm。再之後,美光提出的是1α及1β工藝,具體對應xx nm不明,但是美光之前表態EUV工藝不是DRAM晶片必需的,直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

三星對EUV工藝太激進了,2020年使用EUV工藝生產1Ynm DRAM晶片
ASML提到的EUV光刻工藝路線圖

但是美光不用不代表其他廠商不用,三星不僅在處理器晶片上押注EUV工藝,在DRAM晶片上也即將切入EUG工藝。韓國媒體報導稱,三星准備在下一代記憶體工藝上使用EUV光刻,預計2020年的1Ynm
DRAM晶片上就改用EUV光刻取代現有的DUV光刻工藝。

使用EUV光刻工藝可以製造更精細的電晶體,減少對多重曝光方案的使用,降低成本,不過EUV工藝目前的問題在於ASML的EUV光刻機還不能達到大規模量產的水平。

根據ASML最新報告,Q1季度該公司共有20台EUV光刻機訂單,其中台積電8台,三星6台,英特爾3台,Globalfoundries公司1台,中國中芯國際也有一台訂單,不過交付日期還沒定。

來源:超能網