三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

2018年各大NAND廠商都已經大規模量產了64層堆棧的3D
NAND快閃記憶體,以TLC快閃記憶體為主,下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層級別。三星今天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體,業界首發Toggle DDR
4.0接口,速率達到了1.4Gbps,堆棧層數超過90層。此外,三星還准備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND快閃記憶體。

三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

三星的V-NAND是3D
NAND快閃記憶體中的一種,目前主力生產的是第四代V-NAND,堆棧層數64層,現在量產的是第五代V-NAND快閃記憶體,核心容量256Gb並不算高,但是各項指標很強大,它首發支持Toggle
DDR 4.0接口,傳輸速度達到了1.4Gbps,相比64層堆棧的V-NAND快閃記憶體提升了40%。

第五代V-NAND快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化,工作電壓從1.8V降至1.2V,同時寫入速度也是目前最快的,只有500us,比上一代快閃記憶體提升了30%,讀取信號的響應時間也縮短到了50us。

三星的第五代V-NAND快閃記憶體內部堆棧了超過90層CTF
Cell單元,是目前堆棧層數最高的,這些存儲單元通過微通道孔洞連接,每個孔洞只有幾百納米寬,總計包含超過850億個CTF單元,每個單元可以存儲三位數據(這是TLC快閃記憶體)。

此外,第五代V-NAND快閃記憶體在製造工藝上也做了優化,製造生產效率提升了30%,先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%,減少了單位之間的竄擾,提高了數據處理的效率。

除了第五代V-NAND快閃記憶體之外,三星還在擴展V-NAND快閃記憶體,准備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體及QLC類型的快閃記憶體,繼續推動下一代快閃記憶體發展。

三星目前正在加大第五代V-NAND快閃記憶體的量產,以便滿足高密度存儲領域——超算、企業伺服器及移動市場的需求。

三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

三星量產第五代V-NAND快閃記憶體:90層堆棧,QLC快閃記憶體在路上

來源:超能網