應用材料突破邏輯晶片布線方法 可擴展到3納米節點上

全球最大的半導體設備和服務提供商應用材料(Applied Materials, Inc.)今天宣布,已經成功設計了先進邏輯晶片布線的新方法,使其能夠擴展到3納米節點及以上。雖然尺寸縮小有利於電晶體的性能,但在互連布線方面卻恰恰相反:較小的導線具有較大的電阻,從而降低了性能並增加了功耗。如果沒有材料工程方面的突破,從 7 納米節點到 3 納米節點,互連通道的電阻將增加 10 倍,從而抵消了電晶體擴展的好處。

應用材料突破邏輯晶片布線方法 可擴展到3納米節點上

應用材料公司已經開發出了一種全新的材料工程解決方案–Endura Copper Barrier Seed IMS。它是一種集成材料解決方案,在高度真空環境下將 ALD, PVD, CVD, copper reflow, Surface treatment, interface engineering 和 metrology 這 7 種不同的工藝技術整合在 1 個系統中。

在該系統中使用了 selective ALD 替代了 conformal,消除了通孔接口處的高電阻率障礙。該解決方案還包括銅回流技術,在狹窄的特徵中實現無空隙填充。通孔接觸界面的電阻降低了 50%,提高了晶片的性能和功耗,並使邏輯擴展繼續到 3 納米及以上。

應用材料公司高級副總裁兼半導體產品部總經理 Prabu Raja 說:「一個智能手機晶片有數百億個銅互連,布線已經消耗了晶片三分之一的功率。在真空中整合多種工藝技術使我們能夠重新設計材料和結構,從而使消費者能夠擁有能力更強的設備和更長的電池壽命。這種獨特的集成解決方案旨在加速我們客戶的性能、功率和面積成本路線圖」。

來源:cnBeta