Intel發布史上最詳細工藝和封裝技術路線圖 CEO:再一次領先業界

今天,Intel發布了公司有史以來最詳細的製程工藝和封裝技術路線圖,展示了一系列底層技術創新。

除了公布其近十多年來首個全新電晶體架構RibbonFET 和業界首個全新的背面電能傳輸網絡PowerVia之外,Intel還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻(EUV)技術的計劃,即高數值孔徑(High-NA)EUV。

據悉,Intel有望率先獲得業界第一台High-NA EUV光刻機。

Intel CEO帕特·基辛格表示,基於Intel在先進封裝領域毋庸置疑的領先性,我們正在加快製程工藝創新的路線圖,以確保到2025年製程性能再度領先業界。

Intel正利用我們無可比擬的持續創新的動力,實現從電晶體到系統層面的全面技術進步。在窮盡元素周期表之前,我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步,並持續利用矽的神奇力量不斷推進創新。

Intel技術專家詳述了以下路線圖,其中包含新的節點命名和實現每個製程節點的創新技術:

Intel發布史上最詳細工藝和封裝技術路線圖 CEO:再一次領先業界

基於FinFET電晶體優化,Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會采Intel 7工藝,之後是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將於2022年第一季度投產。

Intel 4完全採用EUV光刻技術,可使用超短波長的光,刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及晶片面積的改進,Intel 4將在2022年下半年投產,並於2023年出貨,這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。

Intel發布史上最詳細工藝和封裝技術路線圖 CEO:再一次領先業界

Intel 3憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用,較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升,在晶片面積上也會有額外改進。Intel 3將於2023年下半年開始用於相關產品生產。

Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around電晶體的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A製程工藝技術上,與高通公司進行合作。

2025年及更遠的未來:從Intel 20A更進一步的Intel 18A節點也已在研發中,將於2025年初推出,它將對RibbonFET進行改進,在電晶體性能上實現又一次重大飛躍。

Intel還致力於定義、構建和部署下一代High-NA EUV,有望率先獲得業界第一台High-NA EUV光刻機。Intel正與ASML密切合作,確保這一行業突破性技術取得成功,超越當前一代EUV。

Intel高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士表示:「Intel有著悠久的製程工藝基礎性創新的歷史,這些創新均驅動了行業的飛躍。我們引領了從90 nm應變矽向45 nm高K金屬柵極的過渡,並在22 nm時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創性技術,Intel 20A將成為製程技術的另一個分水嶺。」

Intel發布史上最詳細工藝和封裝技術路線圖 CEO:再一次領先業界
Intel高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士

來源:快科技