中芯國際:FinFET工藝已量產 產能1.5萬片 客戶不斷湧入

8月5日晚,中芯國際發表了2021年Q2財報,,環比增長21,8%,歸母淨利潤為6.88億美元,環比增長332.9%,同比增長398.5%。

在財報電話會上,中芯國際聯席CEO趙海軍也透露了公司的先進工藝的情況,表示「我們的FinFET工藝已經達產,每月1.5萬片,客戶多樣化,不同的產品平台都導入了。(這部分)產能處於緊俏狀態,客戶不斷進來。

根據之前的報導,中芯國際的FinFET工藝有多種類型,其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm,目前1.5萬片產能的主要就是14/12nm工藝,第二代則是n+1、n+2工藝,已經試產,但產能不會有多大。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示,N+1工藝和現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。

從邏輯面積縮小的數據來看,與7nm工藝相近。

梁孟松博士也表示,N+1代工藝在功耗及穩定性上跟7nm工藝非常相似,但性能要低一些(業界標準是提升35%),所以中芯國際的N+1工藝主要面向低功耗應用的。

而在N+1之後,中芯國際還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現差不多,區別在於性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會增加。

此外,梁孟松還透露,中芯國際的28nm、14nm、12nm、N+1等技術均已進入規模量產,7nm技術開發已經完成,今年4月可以進入風險量產,5nm、3nm最關鍵也是最艱巨的8大項技術也已經有序展開,只等EUV極紫外光刻機到來,就可以進入全面開發階段。

中芯國際:FinFET工藝已量產 產能1.5萬片 客戶不斷湧入

來源:快科技