SK海力士宣布開發HBM3存儲器:12-Hi堆棧24GB容量 帶寬819GB/s

SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發進展,可知新一代記憶體標准不僅帶來了更高的帶寬,還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產 HBM2E 記憶體開始,該公司就已經在著手 HBM3 新品的研發。隨著今日的公告,我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。

SK海力士宣布開發HBM3存儲器:12-Hi堆棧24GB容量 帶寬819GB/s

(來自:SK Hynix 官網)

除了基於 8-Hi 堆棧的 16GB SKU,SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU,此外該公司提到其已將 DRAM 晶片的層高縮減至 30 μm 。

負責 DRAM 開發的執行副總裁 Seon-yong Cha 表示:

自推出全球首款 HBM DRAM 以來,SK 海力士在引領 HBM2E 市場之後,又成功開發了業內首款 HBM3 DRAM 。

我們將繼續努力鞏固自身在高端記憶體市場的領導地位,並通過提供符合 ESG 管理標準的產品,來幫助提升客戶們的價值。

SK海力士宣布開發HBM3存儲器:12-Hi堆棧24GB容量 帶寬819GB/s

性能方面,SK 海力士預計其 HBM3 DRAM 的每個堆棧可提供 819 GB/s 的帶寬,較 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提升了 78% 。

以英偉達 A100 加速卡為例,若在其 GPU 基板上整合 6 個 HBM2E DRAM 堆棧,總帶寬可沖擊 5 TB/s 。然而當前的產品,僅受限於 2.0 TB/s 。

此外如果使用 24GB 的 HBM3 DRAM 晶片,其理論總容量可達到 144 GB 。即使考慮到 5 / 6 的良率,也還有 120GB 可用。

SK海力士宣布開發HBM3存儲器:12-Hi堆棧24GB容量 帶寬819GB/s

WCCFTech 推測,英偉達 Ampere 和 AMD CDNA 2 的繼任者(Ampere Next 與 CDNA 3),有望率先採用 HBM3 記憶體。

那樣來年的高性能數據中心和機器學習平台,將極大地受益於此。早些時候,Synopsys 還宣布其正在增加具有 HBM3 IP 和驗證解決方案的多晶片架構設計。

來源:cnBeta