新一代高帶寬記憶體HBM3標准發布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s

JEDEC組織今天正式發布了新一代高帶寬記憶體HBM3的標准規范,編號JESD238。

HBM3標准繼續在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級,具體包括:

- 傳輸數據率在HBM2基礎上再次翻番,每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps,配合1024-bit位寬,單顆最高帶寬可達819GB/。

如果使用四顆,總帶寬就是3.2TB/,六顆則可達4.8TB/。

- 獨立通道數從8個翻番到16個,再加上虛擬通道(pseudo channel),單顆支持32通道。

- 支持4/8/12-high TSV矽穿孔堆棧,未來會拓展到16-high——可以理解為4-16顆內部堆疊。

- 每個存儲層容量8/16/32Gb,單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

- 支持平台級RAS可靠性,集成ECC校驗糾錯,支持實時錯誤報告與透明度。

- 提升能效,主接口使用0.4V低擺幅調制,運行電壓降低至1.1V。

NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業都第一時間表達了對HBM3記憶體的支持。

早在去年8月,SK海力士就提前發布了首批HBM3產品,單顆容量16/24GB,12-high堆疊,帶寬初期819GB/,最近更是提升到了896GB/。

新一代高帶寬記憶體HBM3標准發布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s SK海力士首發的HBM3

新一代高帶寬記憶體HBM3標准發布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s HBM2e

來源:快科技