JEDEC發布HBM3記憶體標准:帶寬819GB/s、每個堆棧最高64GB容量

今天JEDEC發布了HBM3高帶寬記憶體標准,相比現有的HBM2和HBM2e標准有大幅的提升。這個新的HBM記憶體標准版本為JESD238 HBM3,目前相關技術文檔已經可以從JEDEC下載。

JEDEC發布HBM3記憶體標准:帶寬819GB/s、每個堆棧最高64GB容量

JEDEC表示,HBM3是一種創新的方法,是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案,對於高數據處理速率要求的應用場景來說至關重要,比如圖形處理和高性能計算的伺服器。新一代HBM3記憶體主要屬性包括:

  • 將經過驗證的HBM2架構擴展到更高的帶寬,將HBM2的每引腳數據速率提高一倍,並定義高達6.4 Gb/s的數據傳輸速率,相當於819GB/s。

  • 將獨立通道的數量從HBM2的8個增加到16個,每個通道有兩個偽通道,HBM3實際上支持32個通道。

  • 支持4層、8層和12層TSV堆棧,並為未來擴展至16層TSV堆棧做好准備。

  • 支持單層8Gb到32Gb的存儲密度,意味著容量從4GB(4層8Gb)到64GB(16層32Gb),預計第一代HBM3設備將基於單層16Gb。

  • 為了滿足市場對高級平台RAS(可靠性、可用性、可維護性)的需求,HBM3引入了片上糾錯技術(ECC),以及實時錯誤報告和透明度。

  • 通過在主機接口上使用低擺幅(0.4V)信號和較低 (1.1V)工作電壓來提高能效。

技術營銷總監兼JEDEC HBM小組委員會主席Barry Wagner表示,憑借HBM3記憶體更強的性能和可靠性,將對需要海量記憶體帶寬和容量的新應用提供有力的支持。此外,美光、SK海力士和Synopsys等企業的負責人也對HBM3記憶體標準的發布感到高興。

在去年10月份,SK海力士已宣布成功開發出了HBM3記憶體,成為全球首家開發出新一代HBM記憶體的公司。SK海力士提供了兩種容量,一個是12層矽通孔技術垂直堆疊的24GB,另一個則是8層堆疊的16GB,均提供819 GB/s的帶寬,前者的晶片高度也僅為30微米。

來源:超能網