三星記憶體技術突然落後 決定中斷12nm DRAM晶片開發:直上11nm

三星不僅是世界第一大DRAM記憶體晶片供應商,技術水平也是最先進。

據BusinessKorea,三星要求研發人員停止1b工藝DRAM晶片的開發,也就是跳過12nm,直接跨代到1c,即11nm。

三星設定了非常激進的目標,即在今年6月完成並凍結11nm、第六代DRAM晶片的開發工作。

此前的說法是三星1b(12nm)DRAM晶片遇到困難,搞不定。不過就最新的報導來看,似乎並非如此,當然,最終實情如何,還得拿實物量產說話。

報導指出,三星此舉目的在於重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術差距,其原因在於1a DRAM晶片量產上,三星實際上落後於競爭對手。

事實上,這並非三星第一次在DRAM晶片上計劃「彎道超車」,當年對手都在搞28nm DRAM時,三星聚焦更先進的25nm工藝,結果高風險最終促成高收益。

三星記憶體技術突然落後 決定中斷12nm DRAM晶片開發:直上11nm

來源:快科技