台積電表示2nm工藝將於2025年末進入量產,將使用GAA技術

近期傳出台積電(TSMC)在3nm工藝開發上取得突破,第二版3nm製程的N3B會在今年8月份率先投片,第三版3nm製程的N3E的量產時間可能由原來的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年台積電總裁魏哲家曾表示,N3製程節點仍使用FinFET電晶體的結構,推出的時候將成為業界最先進的PPA和電晶體技術,同時也會是台積電另一個大規模量產且持久的製程節點。

台積電表示2nm工藝將於2025年末進入量產,將使用GAA技術

在實現3nm工藝上的突破後,台積電似乎對2nm工藝變得更加有信心。據TomsHardware報導,本周台積電總裁魏哲家證實,N2製程節點將如預期那樣使用Gate-all-around FETs(GAAFET)電晶體,,製造的過程仍依賴於現有的極紫外(EUV)光刻技術。預計台積電在2024年末將做好風險生產的准備,並在2025年末進入大批量生產,客戶在2026年就能收到首批2nm晶片。

魏哲家認為,台積電N2製程節點在研發上已走上正軌,無論電晶體結構和工藝進度都達到了預期。

隨著電晶體變得越來越細小,台積電採用新工藝技術上的速度也變慢了,以往大概每兩年就會進入一個新的製程節點,現在則要等更長的時間。N2製程節點的時間表一直都不太確定,台積電在2020年首次確認了該項工藝的研發,根據過往信息,2022年初開始建設配套的晶圓廠,預計2023年中期完成建築框架,2024年下半年安裝生產設備。

來源:超能網