英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

一、前言:DDR5記憶體為筆記本帶來更高頻率、更大容量

隨著Intel 12代酷睿、AMD銳龍6000系列移動版陸續開始支持DDR5,消費級PC市場終於吹響了普及 DDR5 記憶體的號角。

DDR5記憶體上市初期,產品稀少,價格高高在上,性能優勢相比DDR4並不很明顯,再加上電源晶片缺貨,讓人又愛又恨。

好在隨著DDR5記憶體價格逐漸趨於正常,頻率也快速提升,相信全面替代DDR4也只是時間問題了。

尤其是在筆記本移動端,DDR5的普及速度更快,AMD銳龍6000系列甚至直接拋棄了DDR4。

現在,我們快科技就收到了英睿達的DDR5-4800 SO-DIMM筆記本記憶體16GB套裝,兩條8GB組成。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

SO-DIMM是專為筆記本記憶體設計的形態,比起桌面上常見的DIMM更小巧,大約只有一半,也將常用於ITX迷你主機、NUC迷你機這類內部空間並不充裕的產品當中。

規格上,英睿達DDR5-4800記本記憶體的默認頻率是標準的4800MHz頻時序為40-39-39-76,電壓從原本DDR4的1.2V降低至1.1V,減輕了筆記本功耗上的負擔。

值得一提的是,DDR5記憶體的電源管理部分從主板移至記憶體上,並專門配置了一個電源管理晶片(PMIC),可以有效控制系統的電源負載,同時降低噪聲干擾。

同時,因為DDR5的初始頻率較高,還加入了On-die Ecc糾錯功能,可以發現和糾正出現在記憶體單元中的數據錯誤,確保工作穩定性與數據完整性,避免在使用過程中出現藍屏、死機問題。

現在,我們就來看看這款英睿達DDR5-4800 SODIMM筆記本記憶體的表現。

二、外觀:單條8GB+美光原廠記憶體顆粒

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

我們收到的版本為DDR5-4800規格,為兩根16GB(8GB×2)套裝。

包裝盒上面的參數簡略介紹了該記憶體的規格,時序為CL40、工作電壓1.1V。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

記憶體正面的貼紙上有條形碼、產品序列號,以及記憶體的規格等信息。

DDR5 SO-DIMM的引腳為262個,比DDR4 SO-DIMM多了2個引腳。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

英睿達這根筆記本記憶體採用的是單面記憶體顆粒布局,單顆2GB、共4個,組成了總容量的單根8GB的容量。

記憶體顆粒中間為PMIC集成式電源管理晶片,由於DDR5將電壓的轉換從主機板轉由DRAM 模組自行處理,所以在DDR5記憶體上多了這個區域。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

英睿達採用的是自家上游美光原廠DDR5記憶體顆粒,顆粒編號為IXA45 D8BNK。

三、裝機和性能測試:雙通道優勢更明顯 解壓縮辦公速度更高效

測試設備我們使用ROG槍神6 Plus超競版筆記本,核心配置為酷睿i9-12950HX+RTX 3070 Ti Laptop。

我們先來看看這款英睿達DDR5-4800筆記本記憶體的安裝體驗和基準測試。

——裝機

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體安裝非常簡單,關機斷電狀態下拆開筆記本D面,插入記憶體槽,開機就可以直接使用了。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

記憶體本身帶有防呆口,能避免用戶插錯。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

我們先插入單根英睿達DDR5-4800 8GB筆記本記憶體,可以看到系統下能准確識別出預設的4800MHz頻率,時序為40-39-39-76,電壓為1.1V。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4 圖為DIMM記憶體對比

需要注意的是,因為DDR5採用了全新的協議和規范,單個DIMM被分解成2個通道,也就是原本64bit拆解成兩個32bit,所以單根記憶體插入後會被識別成雙通道,兩根記憶體識別成四通道。

當然,要想實現傳統意義上的雙通道,依然需要兩根記憶體。

——基準測試

1、AIDA64測試

我們使用AIDA64的記憶體與緩存測試,先分別測試單根和兩根記憶體的基準性能。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

在單通道記憶體(系統識別為雙通道)下,測得讀取、寫入、復制的速度分別為35404MB/、30064MB/、31326MB/,延遲為94.3ns。

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在兩根記憶體組成的雙通道(系統識別為4通道),測得讀取、寫入、復制的速度分別為65791MB/、58175MB/、56833MB/,對比單條分別高出86%、94%、81%,可見這才是真正的雙通道。

不過延遲也略有增加,達到了97.5ns,好在幅度不大,僅僅3%。

和我們此前測試過的DDR4-3200 SO-DIMM筆記本記憶體作為對比,英睿達DDR5-4800筆記本記憶體在讀取、寫入、復制這三方面,分別高出38.6%、22.9%、28.9%。

延遲這方面,要先考慮到DDR5-4800 SO-DIMM記憶體主要是用於筆記本上,和我們此前搭載了高頻DDR4 SODIMM的筆記本評測成績接近,可以說並沒有什麼差別,日常使用感知並不明顯。

2、硬體狗狗

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4 單通道記憶體跑分

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4 雙通道記憶體跑分

在單通道記憶體下,硬體狗狗的記憶體性能測試分數為29943;雙通道記憶體的測試分數為58220。

相比單通道,雙通道記憶體能夠實現翻倍的性能提升。

——解壓縮測試

解壓縮測試中除了最直觀的CPU和硬碟占用外,記憶體的作用也不容忽視。

在解壓縮過程中,文件先寫入記憶體,由記憶體將文件寫入硬碟,大記憶體帶來的優勢也越明顯。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4 單通道記憶體解壓縮基準

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4 雙通道記憶體解壓縮基準

雙通道除了帶來容量的提升,也帶來了更快的讀寫速度。在7-zip解壓縮基準中,單通道總體得分為74.987,雙通道為92.228 GIPS。

在這方面,多通道的記憶體性能相較單通道,約有23%的性能提升。

——穩定性測試

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

在此次烤機測試中,我們使用RunMemtestPro檢驗英睿達DDR5-4800筆記本記憶體的穩定性。

得益於DDR5記憶體帶寬的升級,只需約20分鍾就完成了測試,整個過程並未出現報錯。

五、總結:DDR5時代已經來臨 注意真正雙通道

英睿達DDR5-4800 SO-DIMM筆記本的規格非常標准,單根8GB容量起、4800MHz頻率、CL40延遲,因此它的定位就是“年輕人的第一台DDR5筆記本”,開啟新記憶體普及之路。

現在很多筆記本都預裝一條記憶體,預留一個空閒插槽,再插上一根是絕對必要的。DDR5雖然實現了內部雙通道,但聊勝於無,想要真正發揮出最大性能還得兩根記憶體組成物理上的真正雙通道,有時可以帶來接近翻倍的性能提升。

同時,得益於DDR5在頻率上的提升,帶來的帶寬等提升也非常明顯,讀寫性能更是讓DDR4 SO-DIMM記憶體望塵莫及,4800MHz起步頻率下就能輕松實現約40%的性能提升。

如果後期推出更高的頻率,這樣的性能差異也會進一步拉大。

帶寬的提升,帶來的好處也是非常明顯的,在7-ZIP等壓縮解壓縮工具,或者是Adobe全家桶這類創意製作軟體中,DDR5 SO-DIMM的速度更具有優勢。

如今,DDR5記憶體在筆記本上已經大行其道,不必再糾結它和DDR4的差異,無論性能提升還是功耗控制其實都更勝一籌,兩條8GB也已經是基本配置,有條件的話當然建議選擇32GB雙通道,可以進一步發揮出DDR5的優勢。

英睿達DDR5-4800筆記本記憶體評測:起步就輕松超越高頻DDR4

來源:快科技