一、前言：DDR5記憶體為筆記本帶來更高頻率、更大容量
隨著Intel 12代酷睿、AMD銳龍6000系列移動版陸續開始支持DDR5，消費級PC市場終於吹響了普及 DDR5 記憶體的號角。
DDR5記憶體上市初期，產品稀少，價格高高在上，性能優勢相比DDR4並不很明顯，再加上電源晶片缺貨，讓人又愛又恨。
好在隨著DDR5記憶體價格逐漸趨於正常，頻率也快速提升，相信全面替代DDR4也只是時間問題了。
尤其是在筆記本移動端，DDR5的普及速度更快，AMD銳龍6000系列甚至直接拋棄了DDR4。
現在，我們快科技就收到了英睿達的DDR5-4800 SO-DIMM筆記本記憶體16GB套裝，兩條8GB組成。
SO-DIMM是專為筆記本記憶體設計的形態，比起桌面上常見的DIMM更小巧，大約只有一半，也將常用於ITX迷你主機、NUC迷你機這類內部空間並不充裕的產品當中。
規格上，英睿達DDR5-4800記本記憶體的默認頻率是標準的4800MHz頻時序為40-39-39-76，電壓從原本DDR4的1.2V降低至1.1V，減輕了筆記本功耗上的負擔。
值得一提的是，DDR5記憶體的電源管理部分從主板移至記憶體上，並專門配置了一個電源管理晶片(PMIC)，可以有效控制系統的電源負載，同時降低噪聲干擾。
同時，因為DDR5的初始頻率較高，還加入了On-die Ecc糾錯功能，可以發現和糾正出現在記憶體單元中的數據錯誤，確保工作穩定性與數據完整性，避免在使用過程中出現藍屏、死機問題。
現在，我們就來看看這款英睿達DDR5-4800 SODIMM筆記本記憶體的表現。
二、外觀：單條8GB+美光原廠記憶體顆粒
我們收到的版本為DDR5-4800規格，為兩根16GB（8GB×2）套裝。
包裝盒上面的參數簡略介紹了該記憶體的規格，時序為CL40、工作電壓1.1V。
記憶體正面的貼紙上有條形碼、產品序列號，以及記憶體的規格等信息。
DDR5 SO-DIMM的引腳為262個，比DDR4 SO-DIMM多了2個引腳。
英睿達這根筆記本記憶體採用的是單面記憶體顆粒布局，單顆2GB、共4個，組成了總容量的單根8GB的容量。
記憶體顆粒中間為PMIC集成式電源管理晶片，由於DDR5將電壓的轉換從主機板轉由DRAM 模組自行處理，所以在DDR5記憶體上多了這個區域。
英睿達採用的是自家上游美光原廠DDR5記憶體顆粒，顆粒編號為IXA45 D8BNK。
三、裝機和性能測試：雙通道優勢更明顯 解壓縮辦公速度更高效
測試設備我們使用ROG槍神6 Plus超競版筆記本，核心配置為酷睿i9-12950HX+RTX 3070 Ti Laptop。
我們先來看看這款英睿達DDR5-4800筆記本記憶體的安裝體驗和基準測試。
——裝機
英睿達DDR5-4800筆記本記憶體安裝非常簡單，關機斷電狀態下拆開筆記本D面，插入記憶體槽，開機就可以直接使用了。
記憶體本身帶有防呆口，能避免用戶插錯。
我們先插入單根英睿達DDR5-4800 8GB筆記本記憶體，可以看到系統下能准確識別出預設的4800MHz頻率，時序為40-39-39-76，電壓為1.1V。
圖為DIMM記憶體對比
需要注意的是，因為DDR5採用了全新的協議和規范，單個DIMM被分解成2個通道，也就是原本64bit拆解成兩個32bit，所以單根記憶體插入後會被識別成雙通道，兩根記憶體識別成四通道。
當然，要想實現傳統意義上的雙通道，依然需要兩根記憶體。
——基準測試
1、AIDA64測試
我們使用AIDA64的記憶體與緩存測試，先分別測試單根和兩根記憶體的基準性能。
在單通道記憶體（系統識別為雙通道）下，測得讀取、寫入、復制的速度分別為35404MB/、30064MB/、31326MB/，延遲為94.3ns。
在兩根記憶體組成的雙通道（系統識別為4通道），測得讀取、寫入、復制的速度分別為65791MB/、58175MB/、56833MB/，對比單條分別高出86％、94％、81％，可見這才是真正的雙通道。
不過延遲也略有增加，達到了97.5ns，好在幅度不大，僅僅3％。
和我們此前測試過的DDR4-3200 SO-DIMM筆記本記憶體作為對比，英睿達DDR5-4800筆記本記憶體在讀取、寫入、復制這三方面，分別高出38.6%、22.9%、28.9%。
延遲這方面，要先考慮到DDR5-4800 SO-DIMM記憶體主要是用於筆記本上，和我們此前搭載了高頻DDR4 SODIMM的筆記本評測成績接近，可以說並沒有什麼差別，日常使用感知並不明顯。
2、硬體狗狗
單通道記憶體跑分
雙通道記憶體跑分
在單通道記憶體下，硬體狗狗的記憶體性能測試分數為29943；雙通道記憶體的測試分數為58220。
相比單通道，雙通道記憶體能夠實現翻倍的性能提升。
——解壓縮測試
解壓縮測試中除了最直觀的CPU和硬碟占用外，記憶體的作用也不容忽視。
在解壓縮過程中，文件先寫入記憶體，由記憶體將文件寫入硬碟，大記憶體帶來的優勢也越明顯。
單通道記憶體解壓縮基準
雙通道記憶體解壓縮基準
雙通道除了帶來容量的提升，也帶來了更快的讀寫速度。在7-zip解壓縮基準中，單通道總體得分為74.987，雙通道為92.228 GIPS。
在這方面，多通道的記憶體性能相較單通道，約有23%的性能提升。
——穩定性測試
在此次烤機測試中，我們使用RunMemtestPro檢驗英睿達DDR5-4800筆記本記憶體的穩定性。
得益於DDR5記憶體帶寬的升級，只需約20分鍾就完成了測試，整個過程並未出現報錯。
五、總結：DDR5時代已經來臨 注意真正雙通道
英睿達DDR5-4800 SO-DIMM筆記本的規格非常標準，單根8GB容量起、4800MHz頻率、CL40延遲，因此它的定位就是“年輕人的第一台DDR5筆記本”，開啟新記憶體普及之路。
現在很多筆記本都預裝一條記憶體，預留一個空閒插槽，再插上一根是絕對必要的。DDR5雖然實現了內部雙通道，但聊勝於無，想要真正發揮出最大性能還得兩根記憶體組成物理上的真正雙通道，有時可以帶來接近翻倍的性能提升。
同時，得益於DDR5在頻率上的提升，帶來的帶寬等提升也非常明顯，讀寫性能更是讓DDR4 SO-DIMM記憶體望塵莫及，4800MHz起步頻率下就能輕松實現約40%的性能提升。
如果後期推出更高的頻率，這樣的性能差異也會進一步拉大。
帶寬的提升，帶來的好處也是非常明顯的，在7-ZIP等壓縮解壓縮工具，或者是Adobe全家桶這類創意製作軟體中，DDR5 SO-DIMM的速度更具有優勢。
如今，DDR5記憶體在筆記本上已經大行其道，不必再糾結它和DDR4的差異，無論性能提升還是功耗控制其實都更勝一籌，兩條8GB也已經是基本配置，有條件的話當然建議選擇32GB雙通道，可以進一步發揮出DDR5的優勢。
來源：快科技
