三星在半導體存儲器行業的領導地位已保持多年，NAND快閃記憶體市場已連續二十年位列第一，DRAM市場位居榜首更是長達三十年之久，市場份額均領先競爭對手10%以上。據Business Korea報導，隨著其他廠商開始在DRAM和NAND快閃記憶體市場發力，威脅到三星的技術領先位置。
美光在去年5月宣布推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體，並在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，長江存儲發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。在同一個月，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。
相比之下，三星到了去年11月，才開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為236層的1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片。與此同時，長江存儲的X3-9070早已量產，用在零售市場多款產品上。
截止2022年第三季度，三星DRAM市場份額為40.6%，SK海力士為29.9%，美光為24.8%。在NAND快閃記憶體市場，三星的市場份額為31.6%，鎧俠為21.1%，SK海力士為19%，西部數據為12.4%，美光為11.8%。盡管市場份額看起來差距很大，但競爭對手正在侵蝕三星的技術主導地位。
有業內人士表示，長江存儲的232層NAND快閃記憶體質量出乎意料地高，因此三星非常關注。三星在記憶體市場也受到了後來者的追逐，步步逼近，加上台積電在晶圓代工業務遙遙領先，三星正面臨巨大的挑戰。
來源：超能網
