為了更好地與台積電（TSMC）競爭，三星正努力將其晶圓代工業務推向新的高度。2023年VLSI技術和電路研討會將於2023年6月11至16日在日本京都舉行，根據官方的預告，三星將會介紹SF3和SF4X工藝。
據Wccftech報導，三星可能會在6月正式推出SF3和SF4X工藝。
過去一段時間有傳言稱，AMD會選擇與三星在4nm工藝上合作，甚至雙方已經簽約了，前者將部分4nm晶片訂單從台積電轉移過去，並為此調整代號Phoenix的Ryzen 7040系列的設計，以適應後者的工藝要求。不過直到現在，仍缺乏有關這次合作的具體內容，傳聞三星會在下個月公布更多的細節信息。
SF3（3GAP）是三星第二代3nm工藝技術，將使用「第二代多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）」，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化。比較奇怪的是，三星沒有將SF3與現有量產的3nm GAA去比較，而是選擇了SF4（4LPP，4nm級低功耗工藝），前者在相同功率和電晶體數量下的性能提高了22%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%，邏輯面積縮小了21%。這一定程度上說明了，與3nm GAA之間的差別可能不是很大。
SF4X是三星首個專門為HPC應用開發的工藝，與適用於移動/筆記本電腦晶片低功耗設計的SF4（4LPP）不同，可以實現更高的頻率和效率，能支持更高性能所需要的更高電壓，屬於三星第四代4nm工藝。與SF4相比，在相同功率和電晶體數量下的性能提高了10%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了23%。
來源：超能網
