台積電（TSMC）在2nm製程節點將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體，同時製造過程仍依賴於極紫外（EUV）光刻技術，原計劃2024年末將做好風險生產的准備，並在2025年末進入大批量生產，客戶在2026年就能收到首批採用N2工藝製造的晶片。
據TechNews報導，台積電在台灣的北部（新竹寶山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投資，興建2nm工廠，而供應鏈最新消息指出，新竹寶山的建設項目已經放緩，這將影響原來的量產計劃。有業內人士推測，真正實現量產可能要推遲到2026年。
台積電在竹科寶山二期興建Fab20晶圓廠，共規劃了四座12英寸晶圓廠（P1-P4），是新一代N2工藝的啟動點，原先安排在2024年下半年進入風險性試產，2025年進入量產階段。由於受到半導體需求下降、客戶采購不明朗等因素影響，台積電開始放緩了工廠的建設。高雄的新廠幾乎與寶山同步啟動，原計劃僅比後者慢一個月，現在不確定是否也會放慢速度。台中的新廠計劃已經得到了當地主管部門的批准，不過要等到明年才開始動工，傳聞隨著計劃的改變，台積電或許會讓其跳過2nm製程節點，直接遞進到1.4nm製程節點。
與三星在3nm製程節點就已引入GAA電晶體架構不同，台積電在3nm製程節點上仍使用FinFET電晶體架構。由於技術難度較大，三星3nm GAA工藝在量產初期就遇到了良品率方面的挑戰，台積電很可能也會面臨類似的問題。傳聞市場因素結合技術原因，讓台積電決定將N2工藝的研發生產時間延後，量產時間較大機率推遲到2026年。
來源：超能網
