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拷機神器MemTest86升級:可識別DDR5晶片缺陷、僅支持12代酷睿

自從Intel在去年12代酷睿處理器上首發了DDR5內存支持之後,今年很多人裝機也上了DDR5內存,現在價格也便宜了不少,想要挑戰內存品質的話,拷機軟體MemTest86最新版增加了個新功能,可以識別DDR5內存缺陷。 MemTest86是個內存拷機軟體,可以測試內存的穩定性,很多玩家都用過,MemTest86的開發者日前宣布了一個重磅功能升級,那就是MemTest86不僅可以識別DDR5穩定性是否過關,而且可以找到具體的內存缺陷在哪個位置。 如上圖所示,MemTest86在拷機測試中可以可以顯示出哪個DDR5內存的區塊有問題,可以定位到具體的晶片位置,方便了不少。 不過這個缺陷晶片檢測功能只支持DDR5內存,也只支持Intel的12代酷睿平台,以及Z690主板,限制還不少,未來AMD的銳龍7000平台理論上應該也可以用,只是現在還不行。 不過開發者也沒宣布支持這個功能的MemTest86到底是什麼版本,官網上提供的還是1月24日發布的9.4版,應該要等開發者發布最新版再說了。 來源:快科技

DIY廠商排隊賣慘:顯卡賣不動 記憶體要降價求人買

今年DIY廠商的日子不好過了,日前NVIDIA發布財報預警,遊戲顯卡業務將暴跌44%,還表示顯卡庫存需要調整,暗示要降價,而內存行業也沒好到哪裡去,庫存水位也超過兩個月,廠商們預計會進一步降價希望減少庫存壓力。 據產業鏈消息,受終端需求降溫、客戶庫存調整影響,DRAM、NAND Flash等產品市場庫存都在兩個月以上。 對於內存市場的走向,集邦科技最新報告顯示,Q3季度DRAM內存的價格降幅將超過預期,之前預計價格會跌3-8%,現在跌幅預期將達到10%,而且後續的跌幅還會進一步超過10%。 此前存儲產品大廠威剛也有類似的表態,表示上游原廠已紛紛宣布彈性調整DRAM產出,並縮減相關資本支出,在供給端獲得控制之下,可望逐步舒緩價格壓力,並加速產業回歸至健康平衡狀態。 相較於DRAM供應轉趨正向,NAND快閃記憶體方面則仍有新增產能、先進位程較勁與新成本持續下降等因素影響,第三季仍有跌價的壓力。 來源:快科技
4000高頻游戲更快 七彩虹CVN捍衛者記憶體上手

記憶體大降價:DRAM現貨價格近兩月下滑近20% 庫存積壓嚴重

相關機構的調查顯示,受需求下滑影響,DRAM的價格在近兩個月的時間里,下滑了近20%。 媒體的調查顯示,自6月10日開始下滑以來,DRAM現貨的價格已下跌18%,同今年年初的價格相比,則是下滑了20%。 媒體的調查還顯示,DRAM現貨的價格,在本周有明顯下滑,以8GB DDR4 DRAM為例,在周四的平均價格已降至2.91美元,較本月初的3.27美元下滑11%。 由於全球經濟前景不樂觀,導致需求下滑,行業觀察人士及研究機構對DRAM的價格前景也持悲觀態度,相關廠商的業績也將受到影響。 而值得注意的是,已有研究機構預計,今年並不理想的全球DRAM市場,在明年將會更不樂觀,市場規模只會增長8.3%,歷史首次低於10%,需求則預計會增長14%,供過於求的狀況將會更嚴重。 在全球DRAM市場上,三星電子和SK海力士所占的份額超過了70%,遠高於其他廠商,如果價格下滑,他們的業績就會受到影響。 雖然今年晶片不缺了,但是需求也沒了,然而原廠庫存很多,他們需要一直出貨,只是下游和終端已經無法消化,現在庫存已經堆的像山一樣,都是虧錢在賣。 由於整體DRAM產業仍然供過於求,即便PC市場低迷,供應商也很難減少DRAM的供應,這就使得DRAM價格在2022年第三季度繼續下滑。 只能說這場半導體風暴帶來的影響已經逐漸擴大,不僅僅是DRAM內存市場,包括已經暴跌的驅動IC市場、晶片市場等,隨著全球經濟的下滑以及供應需求的減弱,這種情況在目前看來已無法逆轉,半導體行業還將面臨更加嚴峻的考驗。 來源:快科技

DRAM記憶體年內暴跌30%創新低:庫存多到跟山一樣

據報導,眼下半導體存儲晶片之一的DRAM正在加速降價,上一代產品DDR34GB內存連續2個月下跌。而作為指標產品在6月份的大單優惠價環比下跌1成,創下2020年12月份以來的新低。 以作為指標的8GBDDR4內存來看,6月份報價約為2.7美元每個,環比下跌10%,下跌大約0.3美元,而容量較小的4GB內存約為2.18美元/個,環比下跌10%,同比下跌32%,正處2020年12月以來的最低水平。 有代理商表示,去年各種晶片都缺貨,但是DRAM的供應是充足的,這在生產的時候就會有因為晶片缺貨而DRAM無法消耗的情況,但凡缺一個晶片,產品都做不出來,那DRAM消耗不掉只能放著,導致於去年雖然缺芯但還是堆了很多DRAM的庫存。 雖然今年晶片不缺了,但是需求也沒了,然而原廠庫存很多,他們需要一直出貨,只是下游和終端已經無法消化,現在庫存已經堆的像山一樣,都是虧錢在賣。 據悉,需求萎靡主要是以手機為代表的消費電子景氣度持續下降,PC出貨量也在持續下滑,於是存儲廠商便開始去庫存,以至於DRAM價格便一路走低。 而分析師也抱有相同的觀點,PC和智慧型手機的銷量將遠低於初春時的預期,需求方的采購意願持續低迷。庫存過剩跡象正在加強。2022年下半年也缺乏復蘇的跡象,有觀點認為將繼續降價。 現階段儲存市場的產能過剩、供過於求的現象愈發明顯,但是原廠仍在權衡當下是搶市場還是維持利潤,而存儲廠商在供需扭轉之前,只能被迫通過降價來加快周轉。 更是有半導體業內人士直言,主流的DDR3、DDR4內存已經相較年初下跌了20%-30%,並且下半年還將持續下跌,已經開啟了“跌跌不休”之路。在年內或許將止不住頹勢,也許明年才能迎來轉機。 TrendForce此前也發布分析報告,稱供應商讓價意願進一步提高,第三季度DRAM價格跌幅擴大至近10%。目前OEM廠商正在調整今年的PC出貨目標,需求減弱導致DRAM庫存迅速飆升。 在2022年第三季度中,OEM廠商將專注於DRAM庫存的調整和去庫存,采購勢頭反彈的可能性不大。 由於整體DRAM產業仍然供過於求,即便PC市場低迷,供應商也很難減少DRAM的供應,這就使得DRAM價格在2022年第三季度繼續下滑。 只能說這場半導體風暴帶來的影響已經逐漸擴大,不僅僅是DRAM內存市場,包括已經暴跌的驅動IC市場、晶片市場等,隨著全球經濟的下滑以及供應需求的減弱,這種情況在目前看來已無法逆轉,半導體行業還將面臨更加嚴峻的考驗。 來源:快科技
威剛 記憶體價格漲幅越來越快、SSD即將跟進

單條1TB記憶體不是夢 DDR6記憶體將在2024年完成設計

DDR5內存去年隨著Intel 12代酷睿的發布而正式進入商用階段,今年AMD的銳龍7000也會加入支持,未來幾年裡這會是新的內存主流,不過它的繼任者DDR6內存也在路上了,頻率可能會達到17GHz,預計2024年完成設計。 日前三星高管在一次會議上確認了他們研發的DDR6內存會用上MSAP封裝工藝,有助於提高PCB的高頻高速性能,不過SK海力士已經在DDR5內存上就使用過MSAP技術了。 這不是三星第一次提到DDR6內存,實際上去年底三星就公布了DDR6內存的路線圖,相比DDR5內存來說會進一步提升內存頻率、容量。 具體來說,三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍,達到了12.8GHz(或者12.8Gbps),超頻頻率則可以達到17GHz,是DDR5的2倍、DDR4的4倍。 不過這顯然不是極限,實際上現在的DDR5內存頻率已經沖到了12.6GHz,DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。 除了頻率之外,DDR6的內存容量也有大漲,每個內存條內的通道數翻倍到4通道,bank容量從16提升到64,這些都會數倍提升DDR6的內存容量,考慮到現在都可以製造出單條256GB的內存,未來單條1TB的DDR6內存不是夢。 按照三星的計劃,DDR6預計會在2024年完成設計,不過2025年之前是不可能見到產品的,未來普及的話可能更遠,畢竟DDR5現在也就是剛剛商用階段。 來源:快科技

DDR6記憶體首曝:容量、性能大增

當下,DDR5內存還遠未到要主流普及的程度。不過,DRAM內存晶片的頭部廠商們已經著手DDR6研製了。 日前在韓國水原舉辦的一場研討會上,三星測試與系統封裝副總裁Younggwan Ko表示,為適配半導體存儲產品的性能的增長,封裝技術必須不斷進步。 會上,他明確,在DDR6內存晶片的開發中,三星將使用MSAP,也就是改良型半加成工藝(Modified semi-additive process)。 資料顯示,MSAP起初應用於IC載板高精密線路製作,技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進行圖形轉移,再通過圖形電鍍加成形成線路,最後去除干膜和底銅完成高精密布線,以實現提升PCB的高頻高速性能。 和當前三星使用的隆起法相比,MSAP在空白部分也要鍍層。 Ko指出,DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加,需要更多的堆疊層數,對封裝技術來說既是機遇也是挑戰。 另外,Ko也坦言,友商已經先於自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術了。 事實上,雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大,但三星在技術開發上的確出現落後,拋開上文的MSAP,1a DRAM晶片量產進度也不及SK海力士和美光。 值得一提的是,根據早先爆料,DDR6內存的頻率預計在12~17GHz,問世起碼還要5年時間。 PS圖 來源:快科技

兩根8G記憶體跟一根16G記憶體條哪個好?聯想官方科普

在電腦的使用中,雖然CPU處理器、顯卡的跑分容易引人關注,但內存也是影響體驗的重要一環,不同的內存配置對日常使用以及玩遊戲都有影響,比如兩根8GB內存、一根16GB內存,這種應該怎麼選? 這個問題在筆記本電腦上更容易出現,那應該怎麼選?聯想官方公眾號今天就給大家做了一次科普,內容如下: 多大內存才夠用? 首先一定要選適合自己的,在筆記本配置飛速疊代的當下,4GB已逐漸退出市場(畢竟系統都要近2   GB),8GB可以勉強滿足日常的工作娛樂需求; 就遊戲本來說,面對自由性較強、遊戲要素較多的沙盒類遊戲,以及場景宏大製作精良的3A遊戲,內存不足會出現明顯的瓶頸,因而16GB的內存容量逐漸變為主流配置,32GB的內存條也成為不少硬核玩家的選擇。 如果想配合高性能CPU和顯卡,不讓內存成為機器的「瓶頸」,那麼內存容量最好16GB或者16GB以上。 兩根8GB內存和一根16G內存條哪個好? 充足內存容量下性能提升明顯 遊戲、圖片/視頻處理剪輯、圖文內容的復雜編輯以及其它消耗內存的工作,在增加內存後可以使電腦能同時運行更多的程序。 雙通道內存較單通道更有優勢 以兩根8GB內存條和1根16G內存條的區別舉例(單根32GB和兩根16GB可以此作為參考): 價格—打開各大電商平台,搜索8GB和16GB內存條,我們會發現同品牌下,因為容量不同,單根8G內存和單根16G內存價格會差出1倍左右,因此兩根8G內存和一根16GB內存條的價格也會有差異。  性能—相比1根16GB內存條,兩根8GB內存條的在性能方面的優勢比較明顯。其實兩根8GB內存,就相當於機器內部組建了雙通道內存。 這是通過人為技術手段讓單條64bit的內存條以雙通道模式工作,從而實現128bit的實際工作位寬,因此在特定情況下工作效率是可以得到很大的提升的,而這在配置集成顯卡的電腦上差異更為明顯。 安全性—內存因為日常生活的頻繁運行,不當操作,溫度,靜電等導致的損壞,一般很難逆轉。 電腦里裝一根16GB內存條如果壞掉了,就意味著電腦需要暫時停止工作,而電腦里裝兩根8GB內存如果壞掉一根,暫時拔掉一根,電腦還能繼續用。 來源:快科技

記憶體又要漲價? 美光工廠遭遇停電:占全球記憶體產能7%

全球內存市場今年又面臨需求下滑,價格不斷下跌的問題,然而最近內存廠商這邊也不寧靜,導致工廠停電。 根據美光的說法,其位於日本廣島的內存工廠在7月8日遭遇了長時間的停電中斷,目前人員安全。 不過美光的內存生產設備不免遭受了影響,部分設施被關閉,現在開始恢復,但只能恢復到較低水平,下周還會繼續恢復。 對於工廠的損失,美光現在還在評估,具體數據還出不來,這讓不少人擔心內存市場會像之前的意外那樣引發漲價。 這次的影響到底有多大?根據集邦科技的數據,這座內存工廠占美光月產能約30%;若以全球產能來看,投片占比則約7%。 主要投產製程為1Z nm,其投片比重為50%以上,其次為1Y nm,占比亦有接近35%。 這次停電是否會影響內存價格?集邦科技認為不會,一個是工廠停電時間就5-10分鍾,影響的產能有限,另外就是今年需求減弱,廠商的庫存較高,美光也有庫存來應對意外事故,因此不會對內存市場造成沖擊。 來源:快科技
完全漲不動 記憶體價格繼續觸底

這次原因是天氣惡劣 美光日本工廠突發停電:將影響記憶體供應

前幾天日本晶片巨頭瑞薩因為工廠遭遇雷擊而停產幾天,現在美光在日本廣島地區的內存工廠也出意外了,由於天氣惡劣,工廠突發停電,而且停電時間較長。 根據美光的說法,其位於日本廣島的內存工廠在7月8日遭遇了長時間的停電中斷,目前人員安全。 不過美光的內存生產設備不免遭受了影響,部分設施被關閉,現在開始恢復,但只能恢復到較低水平,下周還會繼續恢復。 至於這次停電的損失,美光還在清查,對半導體生產來說,停電會導致正在生產的晶圓可能出現問題,需要判斷是否符合質量標准,否則就只能報廢。 美光預計2022財年Q4及2023財年Q1季度的生產及晶圓報廢都會對內存供應產生影響,現在不確定有多大影響,美光還在評估,未來會根據情況通知客戶。 此前消息,行業調研公司集邦科技的報告,今年二季度,主要存儲晶片DRAM內存的平均合同價格同比下跌10.6%,為2年來首降,另一種存儲晶片NAND價格也沒好到哪裡去,價格也在波動中。 不僅二季度跌,目前的三季度中情況還會更壞,集邦科技預測內存平均合同價格將環比下跌21%,NAND快閃記憶體的環比價格跌幅則在12%。 來源:快科技

2年來首次 記憶體價格已跌10% 三星的噩夢開始了

2022年下半年剛開始,全球晶片市場的風向就變了,持續了兩年的產能緊張、缺貨漲價變成了庫存擠壓、價格下滑,其中內存價格2年來首次下滑,三星是全球第一大存儲晶片供應商,跌價的噩夢開始了。 據行業調研公司集邦科技的報告,今年二季度,主要存儲晶片DRAM內存的平均合同價格同比下跌10.6%,為2年來首降,另一種存儲晶片NAND價格也沒好到哪裡去,價格也在波動中。 不僅二季度跌,目前的三季度中情況還會更壞,集邦科技預測內存平均合同價格將環比下跌21%,NAND快閃記憶體的環比價格跌幅則在12%。 在此之前,另一家存儲晶片巨頭美光已經做出示警,在上個季度末,其大部分客戶已經拒絕大量購買之前預定的存儲晶片了,根據美光的業績,預測智慧型手機市場銷量將下滑5%,PC市場銷量下滑10%。 雖然5%、10%聽著好像不高,但是這對應的差不多是1.3億部手機、3000萬台PC電腦,這部分需求將在今年消失,對整個科技行業的打擊很大。 來源:快科技

DDR5記憶體缺貨、漲價的元兇被解決了:PMIC、VRM兩大元件降價

自從Intel去年底在12代酷睿首發支持DDR5標准之後,DDR5內存就開始進入市場,不過剛開始的時候大家經歷過DDR5大漲價,甚至有價無貨的情況,比同級別DDR4內存貴了100-200%。 DDR5內存缺貨、漲價的原因很多,除了三星等廠商剛開始的DRAM晶片生產較少之外,還跟兩個元件有關,一個是PMIC電源管理晶片,其價格比DDR4上使用的貴了足有10倍,而且供應非常緊缺,漫長的35周采購周期,讓產業鏈和上架都在不斷抬價,DDR5內存的價格自然就水漲船高。 另一個是VRM供電模塊,在DDR5標准中它也跟PMIC晶片一樣從主板上轉移到了內存模組中,雖然也是個看起來很小的晶片,但也導致了短期內DDR5內存供應跟不上。 現在半年過去了,卡脖子的PMIC及VRM元件問題也在解決,美光CEO Sanjay Mehrotra日前表示,這兩個元件的可用性都在增加,交付周期也縮短了,成本也降低了。 不過Sanjay Mehrotra沒具體提到PMIC、VRM降價多少,產量提升多少。 目前來看,DDR5-4800這樣的低頻內存條價格比DDR4-3200內存大概高出50%左右,之前的預期是今年底的時候還能再降,只會比DDR4略高一些,價格就能接受了。 不過高頻率的DDR5內存恐怕還會繼續在高位支撐,DDR5-6000及以上的內存顯然不是主流用戶能隨便買的。 來源:快科技
完全漲不動 記憶體價格繼續觸底

DIY裝機春天來了 顯卡/SSD後 記憶體也扛不住:要大降價

顯卡和SSD的行情在下半年不被看好,另一大DIY硬貨內存的日子,也好不到哪兒去。 來自專業機構TrendForce集邦咨詢的最新統計顯示,盡管夏季之後PC進入旺季、加之DDR5滲透率提升,可由於需求實在疲軟,DRAM庫存整體上升,第三季價格將下跌3~8%。 甚至,還不排除PC和智慧型手機類別DRAM產品跌幅超過8%的可能。 其中消費級內存方面,機構表示,買方在庫存與成本壓力之下,購買力道明顯收斂,預估DDR3與DDR4需求將同步下滑,市場拉貨動能持續走弱。 在需求走弱,供給增加的情形下,賣方的議價優勢不再,難以支撐第三季消費級內存價格,預測DDR3與DDR4價格將季減3~8%。 其它類別如PC內存、伺服器內存、移動內存、顯存等,都是跌跌不休、一邊倒的局面。 這樣來看的話,存量產品價格下滑,同時還有13代酷睿、AMD Zen 4、RTX 40系顯卡、RX 7000等新品,下半年會是DIY裝機的春天? 來源:快科技

超低價DDR4記憶體有貓膩:時序這項重要參數別忽視了

選內存有啥訣竅?別看廣告,看療效啊,哦不對,是別看主頻,看時序啊!羨慕DDR5的5000MHz超高主頻?那是你不了解內存。因為內存的性能並不是由主頻這一項參數決定的,內存的時序甚至比主頻還重要。 前不久有同事在某平台買內存的時候發現超低價DDR4內存,8G只要134元,而京東商城同樣的高頻內存基本上都要150元起步,雖然看起來參數差不多,但是貓膩就在於時序不一樣,某平台上這款內存的時序為19-19-19-43,在DDR4內存中屬於偏高。 看到這里你可能一頭霧水,但其實意思很簡單,就是描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS。換句話說,時序就是內存在處理不同任務時固有延遲的時長。 內存時序的單位為時鍾周期,格式為4個由破折號連接的數字,我們不需要記住每個數字代表的意思,只要知道時序越低越好就可以。 內存時序4個數字對應的參數按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,這四個代號全是縮寫,第一個CL即CAS Latency,它描述的是內存列地址訪問的延遲時間,這也是時序中最重要的參數; 第二個tRCD,即RAS to CAS Delay,是指內存行地址傳輸到列地址的延遲時間;第三個tRP,即RAS Precharge Time,表示內存行地址選通脈沖預充電時間;第四個tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的時間。 雖然不用知道這四個值的具體意義,但也容易發現,內存的時序越低,意味著內存的響應速度越快,也就可以有更強的性能。 不過還有一個瓶頸在於,高頻率和低時序往往是一對矛盾體,高頻率往往也伴隨著更高的時序,而想要足夠低的時序,頻率又很難拉高。 一個很明顯的例子是,DDR5的內存頻率可以輕松達到5000MHz以上,但是其時序多在40-40-40-77這樣的級別,而DDR4的內存頻率雖然在3000MHz左右,但是時序往往能控制在16-16-16-36這樣的數值。 此外,高頻內存需要主板和CPU同時支持,還需要在BIOS里進行設置才能開啟,否則會按照最低的頻率運行,對於大多數玩家來說也沒有那麼強的動手能力,所以在選內存時,如果有預算升級更好的內存,還是優先選時序低的更好。 來源:快科技

DDR5影子都追不上 三星研發HBM3記憶體:輕松1024GB/s

AMD及Intel的新一代平台已經支持了DDR5內存,雙通道的帶寬輕松超過50GB/,高頻版的逐漸逼近100GB/,然而這個性能跟HBM3內存比起來還是小巫見大巫,三星已經研發了新的HBM3內存,帶寬輕松超過1024GB/。 JEDEC組織今年初發布了HBM3的標准,繼續在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級,其中傳輸數據率在HBM2基礎上再次翻番,每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps,配合1024-bit位寬,單顆最高帶寬可達819GB/。 三星研發的新一代HBM3內存陣腳速率更高,達到了8Gbps/pin,堆棧4顆的情況下帶寬輕松達到1024GB/,是DDR5內存的十幾倍。 另外,頻率越高的話出錯也更多,為此三星還有更強的內存糾錯功能,每個HBM內存晶片都內置了1組ECC糾錯電路,確保數據准確性。 三星的HBM3內存沒有公布何時上市,不過真要應用的話應該也會首先用於數據中心顯卡及處理器上,消費級平台使用的可能性不大,畢竟HBM3的成本是普通用戶無法承受的。 來源:快科技

日本廠商破產10年 全球記憶體被韓國三星、海力士壟斷了

2012年2月份,日本內存晶片公司爾必達申請破產,全球內存市場格局瞬息生變,原本有美日韓三個國家的公司競爭變成了韓美競爭,韓國的三星及SK海力士不斷做大,2021年占了全球71.3%的份額,成為絕對的主力。 半導體行業調研機構IC Insights發布了2021年全球DRAM內存市場的報告,去年內存產值大漲42%,達到了961億美元,預計2022年輕松突破1000億美元大關。 在961億美元的市場中,三星的份額為43.6%,營收高達419億美元,繼續是第一大內存晶片公司,SK海力士的份額為27.7%,營收266億美元,位列第二大,第三位的是美光公司,份額22.8%,營收219億美元,留給三大廠商之外的份額只有5.9%。 韓國兩家公司合計份額達到了71.3%,對比其他廠商是碾壓式的領先,不僅產能大,產值高,而且技術水平也是最先進的,三星去年就量產了14nm EUV工藝的內存晶片,SK海力士也量產了1a nm工藝的內存,包括最新的DDR5內存,同時也在積極采購EUV光刻機。 美光在EUV光刻機上比較保守,目前還沒使用,要到2024年的下一代內存晶片上才會應用EUV光刻工藝。 來源:快科技

華為與中科院共研 新3D DRAM晶片有望突破存儲關鍵根技術

近日,有日本媒體表示,華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術,進行各種有關內存的演示。 據媒體透露,華為這次發布的3D DRAM 技術,是基於銦鎵鋅氧 IGZO-FET材料的 CAA 構型電晶體 3D DRAM 技術,具有出色的溫度穩定性和可靠性。 在華為此前發布的存儲器相關文章 ——《華為麒麟帶你一圖看懂存儲器》中,華為表示隨著晶片尺寸的微縮,DRAM 工藝微縮將越來越困難,「摩爾定律」走向極限,因此各大廠商在研究 3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用。 而在 IEDM 2021 上,中科院微電子所團隊聯合華為海思,提出了新型垂直環形溝道器件結構(CAA)。據悉,該結構減小了器件面積,支持多層堆疊。其通過將上下兩個 CAA 器件直接相連,每個存儲單元的尺寸可減小至...

三星記憶體技術突然落後 決定中斷12nm DRAM晶片開發:直上11nm

三星不僅是世界第一大DRAM內存晶片供應商,技術水平也是最先進。 據BusinessKorea,三星要求研發人員停止1b工藝DRAM晶片的開發,也就是跳過12nm,直接跨代到1c,即11nm。 三星設定了非常激進的目標,即在今年6月完成並凍結11nm、第六代DRAM晶片的開發工作。 此前的說法是三星1b(12nm)DRAM晶片遇到困難,搞不定。不過就最新的報導來看,似乎並非如此,當然,最終實情如何,還得拿實物量產說話。 報導指出,三星此舉目的在於重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術差距,其原因在於1a DRAM晶片量產上,三星實際上落後於競爭對手。 事實上,這並非三星第一次在DRAM晶片上計劃「彎道超車」,當年對手都在搞28nm DRAM時,三星聚焦更先進的25nm工藝,結果高風險最終促成高收益。 來源:快科技

DIY從入門到放棄:原廠顆粒SSD竟然更便宜

關注內存和SSD的玩家一定對「原廠顆粒」這個詞不陌生。不管是商家的產品宣傳,還是玩家的口碑,原廠顆粒都可以說是高品質的代名詞。 如果想更好地了解原廠顆粒,並將選購方法應用到實際中,就請隨我走上DIY從入門到放棄之路。 原廠顆粒目前只限於內存和SSD這兩個產品線,如果其他產品中有相同或相似的宣傳,那肯定是騙小白用戶錢的,直接視為騙子即可。 在內存和SSD中,負責存儲數據的部件就是存儲顆粒,也叫快閃記憶體顆粒。存儲顆粒的大小直接決定了內存/SD的容量大小,而原廠顆粒指的就是存儲顆粒。 那什麼是原廠顆粒呢?這要從存儲顆粒的製作方式說起。和CPU一樣,存儲顆粒也是用矽晶圓製作的,不過因為矽晶圓中會有微量的雜質,再加上工藝並不是完美的,使得製作存儲顆粒的晶圓會有一些瑕疵。 CPU和存儲顆粒都是用矽晶圓做的 在晶圓製作完成後,瑕疵會成為切割好的存儲顆粒的一部分,存在瑕疵的顆粒就會有質量問題。 對此,存儲晶圓廠商會對顆粒進行測試,將合格的顆粒挑選出來。其中高品質顆粒(Good Die)用於要求更高的手機存儲及內存,固態硬碟,普通的顆粒(Ink Die)則用於TF卡,U盤等對存儲要求不高的設備。 不管是Good Die還是Ink Die,都是通過存儲顆粒的性能測試的,這些顆粒就被稱為原廠顆粒。 那麼沒有經過測試的顆粒呢?晶圓廠商為了彌補一部分成本,會將測試不通過的顆粒留在晶圓上一同出售,一些廠商就會將其購回,進行進一步的測試,一般來說標准會低於原廠顆粒的標准。 因為存儲顆粒不合格會有多種原因,所以第三方廠商的測試主要針對性能和容量對顆粒進行區分:容量不達標的,會將損壞的部分予以屏蔽,降低其容量標志後用在內存/SD上;速度不高的,會將其用在SATA協議的SSD上;嚴重不合格的,會銷售給下一級廠商繼續製作產品,直到榨取完所有顆粒的價值。 廠商打磨之後的顆粒 而且,有些廠商為了大幅降低成本,或有部分情況是原廠顆粒供不應求,SSD廠商會回收舊設備上的存儲顆粒,打磨後將其偽裝成新品進行銷售。 此外,還有一種自封片,是晶圓廠商直接銷售整片存儲晶圓的,但是由於後續封裝品牌的測試方法和標准不同,雖然也會有高品質的顆粒,但是對於絕大多數消費者來說判別難度極大,所以一般不做考慮。 所以說,一方面原廠顆粒是存儲顆粒的品質保障,證明其通過了標準的高性能測試,在讀寫速度和使用壽命方面都有很好的性能;另一方面原廠顆粒意味著存儲顆粒為全新產品,不會有回收的二手顆粒以次充好,用戶對其品質可以進一步放心。 體現在消費者這里,就是原廠顆粒的內存/SD可以使用更長的時間,而低劣顆粒的產品有更高的「中獎率」,存在電腦死機藍屏,甚至數據全丟的風險。所以說雖然原廠顆粒價格更貴,但是其使用壽命可以淘汰好幾個山寨貨,所以原廠顆粒產品可能更便宜。 那麼如何鑒別原廠顆粒呢? 一個靠譜的方法是看顆粒的標識,常見的原廠顆粒標識為:三星原廠顆粒會在左上角有二維碼,右側有SEC字樣;英特爾原廠顆粒會在左側有一個占據3行的鏤空小寫字母i;美光原廠顆粒在右側有一個鏤空的大寫字母M,兩個環繞的弧形拼成一個傾斜的橢圓;東芝原廠顆粒會在第一行有全大寫的TOSHIBA字樣。 但是還有一個問題,就是查驗顆粒需要拆開SSD,導致保修失效,另外還有無良廠商將存儲顆粒表面的標識打磨掉,印上高仿的原廠標識,沒有專業知識也會中招。 閃迪原廠顆粒 所以,我們建議大家的重要數據放在確定使用原廠顆粒的品牌產品中,主要包括:三星(只供應三星自家產品,其他地方見到即為二手回收);英特爾;東芝(鎧俠、浦科特、希捷);美光(英睿達);閃迪(閃迪,西數);長江存儲(致鈦)等。 其他大品牌的SSD參考網友的拆解對比顆粒以及性能測試也可以購買,但是要注意產品價格,因為內存/SD廠商不會倒貼錢,所以產品價格低於顆粒價格的肯定也有貓膩,貪便宜吃虧的往往是自己。 如果預算真的有限,我也不建議購買雜牌SSD,一個好的解決方案是選購CMR的機械硬碟,不僅容量大,而且同樣有穩定性保障,正常使用10年8年也不會出問題,用起來也更省心。最後還是那句話,硬碟有價數據無價,即使廠商給你維修或換新,數據丟失帶來的損失往往成本更高。 來源:快科技
完全漲不動 記憶體價格繼續觸底

玩家不買單 PC需求下滑:記憶體、快閃記憶體漲不起來了

2月份西數、東芝位於日本的快閃記憶體工廠遭遇污染事故,僅西數這邊就損失了至少6.5EB的晶片,當時業界預期這個意外事故會導致快閃記憶體市場供需轉變,由原來的跌價變成漲價,部分廠商當時就急不可耐地宣布快閃記憶體及SSD漲價。 然而折騰了沒幾天,這些廠商期待的漲價並沒有形成大規模效應,現在可能事與願違,因為大環境變了,由於居家工作需求減緩,通脹壓力影響消費者信心,PC廠商過去半個月來紛紛下調了2022年的出貨目標。 PC需求下滑也直接影響了存儲晶片,包括內存及快閃記憶體,2月份的意外原本預期能帶動快閃記憶體價格大漲,不過分析師們已經下調了這個預期,摩根史坦利證券半導體產業分析師詹家鴻預計快閃記憶體價格反彈可能只有5%,低於之前5-10%的預期。 內存方面,PC需求下滑,網絡通信及監控等市場表現尚可,電視及機頂盒需求疲弱,導致內存價格Q2季度甚至要下調5%。 來源:快科技
32GB記憶體跌至600多 廠商放言 明年重新漲價

DDR3居然要漲價?TrendForce:供給嚴重不足

隨著Intel酷睿12代處理器的推出,DDR5內存逐漸走向台前,除了價格有些貴之外,不出意外必將替代DDR4內存,不過近日TrendForce卻報導,由於供給不足,DDR3內存要漲價了。 據報導,由於晶片供應開始增加,市場采購預期心理提前拉貨,今年的DDR3供應將出現吃緊狀況,預計從第二季度開始DDR3價格可能上漲5%左右。 據TrendForce報導,三星、SK海力士兩大廠商已經開始逐步減產DDR3,後續將逐步結束1GB、2GB、4GB等DDR3內存的生產周期。 不過另一快閃記憶體大廠美光並沒有類似的計劃,至少在2026年之前,其DDR3內存將繼續生產,並且將主要生產力轉移到美國工廠。 至於台灣的南亞科、華邦等雖然都有擴增計劃,但想在市場上有所表現,最早也要到2023年,也就是說今年的DDR3整體供應量很難發生太大變化。 來源:快科技

為什麼高玩選記憶體不看頻率看時序?一文讀懂記憶體時序

DDR5內存的問世,讓更多人開始關注內存產品在頻率上的更新換代,動輒5000MHz起步的高頻設計,確實在數值上給人以震撼和驚艷,也似乎成為了很多用戶選購內存產品的不二標准。 從而忽視了在內存產品中,一個極為重要的參數設計,即時序。 也就是各大內存產品上標注的「40-40-40-77」的一連串數值,有高有低。 不同產品的數值,還會出現顯著的差異,幾乎一個產品一個數值;面對這一連串規律不定的數值,很少有人會關注它們的差異和探究它們到底是啥作用,今天咱們就來盤一盤內存時序。 時序到底是什麼? 內存時序,一言以蔽之指的是內存在處理各種任務操作時遇到的固有延遲的一種數值描述,或者更本質更白話一點,時序指的是內存處理工作和操作時的具體延遲時間,從這個定義上而言,時序自然是越小越好; 同時影響內存延遲,或者說描述延遲的時序種類有很多,我們常規產品上列出的4種,是對內存影響最大,最為顯著的部分。 它們分別都有著特定的代號,按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,這四個代號全是縮寫,第一個CL,即CAS Latency,它描述的是內存列地址訪問的延遲時間,這也是時序中最重要的參數。 第二個tRCD,即RAS to CAS Delay,是指內存行地址傳輸到列地址的延遲時間;第三個tRP,即RAS Precharge Time,表示內存行地址選通脈沖預充電時間;第四個tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的時間。 時序是如何影響工作 理解了主要的時序含義之後,我們還需要明白內存和CPU之間的聯結原理,才能真正明白主要時序對於內存性能的影響。 通常情況下,CPU的工作流程是下達一個尋址指令,內存會快速搜索和尋址存在緩存內的文件,我們將尋址的過程想像成在一個有列有行的圍棋格上。 當CPU下達搜索A文件時,內存需要要先確定數據具體在圍棋格子中的哪一行,那麼時序的第二個參數tRCD就代表這個時間,簡單來說就是是內存收到行的指令後,需要等待多長時間才能訪問這一行。 值得注意的是,由於每一行中數據量十分龐雜,在內存第一步工作中無法准確定位,只能是預估,因而還需要第二步才能完成指令。 當內存確定了A文件在哪一行之後,就需要確認數據在哪一列,只有當行和列全部都確定後,才能鎖定A文件的具體地址;而確定列的等待時間,便是時序中CL,換言之就是內存確定行數之後,還需要多久才能訪問具體的列。 至於第三個參數,指的是確認了第一行數值後,再確定另外一行所需要等待的時間(時間周期)。 第四個tRAS部分,則是指整個內存完成命令後的總和,它的數值約等於前三個數值的總和,當然時序越高的情況下,他們的差異越巨大。 D4和D5的時序對比 下面我們就通過DDR4和DDR5兩種不同內存的時序,探究D4和D5內存的差異。 「40-40-40-77」是某品牌5200MHz的D5產品時序設計,「16-16-16-36」則是該品牌4000MHz的D4產品時序設計。 從時序上來看,二者近乎存在2倍多的數值差異,雖然在絕對頻率上D5內存有著顯著提升,可在延遲上嚴重拉跨,無疑對於用戶的實際使用產生一定影響。 這也就是為什麼眾多D5內存,暫時並沒有被大量玩家接受的原因。 頻率的增長並不能顯著提升用戶體驗,而過高的延遲卻如同定時炸彈,不經意間對用戶體驗產生影響,想要更高頻率,同時降低時序,可能是今後內存行業一直需要探索的重要課題。 來源:快科技
集邦咨詢 新冠肺炎全球大流行 記憶體降價無望 閃存先漲後跌

4個月跌價20% 記憶體廠商反擊:記憶體價格要反彈了

今年各種晶片都因為產能緊張、缺貨而出現了漲價的情況,內存晶片就比較例外,上半年漲了一波,但7月份就開始跌,如今4個月時間跌了大約20%了,內存廠商苦不堪言。 以威剛為例,Q3公司季度營收環比下滑8.9%,但是歸屬母公司淨利潤卻環比下降超97%。威剛稱DRAM現貨市場價格下跌是公司獲利下滑主因。 這幾個月內存價格暴跌,主要有2個原因,一個是原廠DDR內存晶片放鬆,第二個是市場需求不足,廠商不得不低價競爭,以致於價格水位跌到了廠商的底線。 內存價格跌了20%,不僅回吐了上半年的漲幅,甚至還有部分產品回到了去年的價格水平,廠商現在已經不樂意了。 來自快閃記憶體市場的消息稱,市場上製作內存條最為經濟的pecTek DDR顆粒供應出現不足,而且短期內此問題恐難解決,而且三大原廠明年不再增產內存晶片,產能相比今年持平或者僅有微幅增長。 受此影響,部分廠商已經開始醞釀內存漲價,市場有望觸底反彈,不過具體漲多少,能持續多長時間還是未知數,要看內存廠商與市場的博弈。 來源:快科技

記憶體價格下跌 廠商發愁:未來半年都沒好日子過

今年很多電子產品都因為缺貨問題而漲價,存儲晶片則是反其道行之,特別是內存今年價格便宜了不少,最近一段時間也在跌,以致於內存廠商業績也承受壓力,他們擔心這一波熊市要持續到明年上半年。 十銓、威剛及宇瞻等公司日前公布了最新財報,內存產品的毛利率、利潤都存在減緩、下滑等問題,廠商表示主要是因為內存價格承壓,由於歐美封城等因素影響,消費級及工業級內存需求都在下滑,現在已經是供過於求。 至於內存價格要跌到什麼時候,廠商指出現在的訂單能見度尚不明朗,需求已經減少,供過於求的情況至少會持續到明年上半年。 這一判斷與此前集邦科技的預測相符,根據他們的計算,以明年各季度的供過於求比例作為預測基礎,預期內存平均銷售單價將年減15%,價格下滑幅度在上半年較為明顯。 不過2022年下半年,內存市場有可能迎來轉機,價格下跌的情況會緩解,甚至不排除會持平或者漲價的可能。 來源:快科技
32GB記憶體跌至600多 廠商放言 明年重新漲價

台積電之後 美光也要在日本新建記憶體晶圓廠:耗資8000億日元

日本重振半導體的戰略現在又贏得了一個重要支持,繼上周台積電宣布在日本新建晶圓代工廠之後,最新消息稱美光也計劃在日本投資建設新的DRAM內存工廠,投資可達8000億日元,約合447億元人民幣。 據日本媒體報導,美光計劃在日本廣島市現在設施附近購買土地用於建廠,預計會創造2000-3000個工作崗位,2024年開始運營。 這個項目耗資高達6000到8000億日元,因此日本政府會提供一些補貼,但沒有具體的數據,目前美光方面還沒有確認建廠計劃,沒有公布細節。 上周的財報會議上,台積電確認了日本建廠的計劃,計劃建造中的工藝主要是22nm、28nm,與美國建廠的5nm先進工藝不同,日本工廠的工藝主要針對特殊領域,預計最重要的客戶之一就是索尼,給後者的CIS傳感器代工,還有就是日本的汽車電子晶片等等,所以不需要最先進的工藝。 該工廠位置在索尼的傳感器工廠附近,計劃招聘2000多名員工,2022年開工建設,2024年正式投產。 總計1萬億日元的投資中,日本政府預計會補貼5000億日元,畢竟這個項目是日本政府極力拉攏的,確保半導體產能已經成為國家戰略,不惜成本也要拿下。 來源:快科技

2022年記憶體市場正式迎來拐點:供過於求 價格下跌多達20%

盡管內存廠商一直否認內存價格會大幅下跌,但是整個市場的發展趨勢確實要變了了,集邦科技預測2022年內存產業將從供不應求轉向供過於求,價格比今年下滑多達20%,DIY玩家終於等到這一天了。 集邦咨詢今天發表了內存產業發展報告,稱隨著後續買方對DRAM的采購動能收斂,加上現貨價格領跌所帶動,第四季合約價反轉機會大,預估將下跌3-8%,結束僅三個季度的上漲周期。 至於2022年的情況,三大DRAM原廠的擴廠規劃其實仍顯保守,預估明年的供給位元成長率約17.9%,然而由於目前買方庫存水位已偏高,加上2022年需求位元成長率僅16.3%,低於供給端的成長速度,2022年DRAM產業將由供不應求將轉至供過於求。 整體而言,2021年在采購端積極拉貨的情況下,對於DRAM原廠是出貨表現相當亮眼的一年;量增價漲使今年全年的DRAM產值有望突破900億美元。 不過隨著第四季DRAM價格的反轉向下,延續至2022年上半年的跌幅仍有擴大可能,2022年全年的DRAM平均銷售單價(ASP)恐較今年衰退約15-20%,而原廠的出貨成長幅度預估也將落在相似區間,意即整體DRAM產業出貨的成長將受到報價下滑所抵銷,故2022年DRAM產值約略持平今年。 不過,由於2022年下半年的價格變化仍存變量,若有機會止跌翻揚,DRAM產值則可望再創佳績。 來源:快科技

記憶體價格暴跌 凜冬將至?廠商反駁:降價並不多

2021年內存行業又遇到了周期性的熊市了,今年下半年開始內存價格就已經在跌,此前美國金融巨頭大摩發表報告稱內存行業凜冬將至,預期明年價格暴跌可達50%。不過內存大廠南亞科技日前反駁這一預測,稱價格會有調整,但降幅並不大。 此前根據大摩的預測,今年Q3季度內存價格還會維持上漲,Q4季度價格就會變得極具挑戰性(之前傳聞是0增長,即價格不會漲但也不跌),2022年環境就大變,價格將被逆轉,開始進入降價周期。 明年的內存價格會跌多少?現在還沒有確切的信息,不過從以往的熊牛周期轉換來看,熊市周期的內存價格跌幅大約是50%,這意味著明年內存降價周期開始之後,很有可能也會跌出50%的降幅,這對內存廠商來說影響很大。 南亞科技總經理李培瑛日前在財報會上表示,DRAM產業並不是寒冬」,需求端主要市場仍穩健,供應商庫存仍低,預料僅是短期修正、預計影響時間落在今年第4季和明年第1季,修正幅度不會太大,也不會跟2017、2018年一樣。 來源:快科技

2020年記憶體模組排名公布:金士頓蟬聯第一 份額近8成

提到內存條,很多人第一印象就是金士頓,沒錯,金士頓多年來都是全球內存條一哥,2020年繼續蟬聯第一,而且市場份額超過78%,遠超其他廠商總和。 今天集邦科技公布了2020年全球TOP10內存模組廠商排行榜,2020 年受到疫情帶動宅經濟效應,筆記本與台式機出貨皆較2019年大幅增加,其中筆記本出貨去年成長幅度高達 26%,進而帶動DRAM顆粒的需求。 2020年全球內存模組市場營收169.2億美元,同比增長5.06%。 這些廠商中,金士頓蟬聯了第一,去年營收132億美元,同比增長2%,市場份額78.02%,雖然比2019年的80.33%下滑了2個百分點,主要是因為策略比較保守,但總體地位依然無人能及,這個第一要坐穩很久了。 威剛公司從2019年的第五爬升到了第二,總營收5.4億美元,同比增長47%,市場份額從2.27%提升到3.19%。 2019年的第二名記憶科技(Ramaxel)滑落到2020年的第三,營收5.26億美元,同比增長11%。 第四名是金泰克,2020年營收4.93億美元,同比大漲50%,增速是十大品牌中最高的,排名也從此前的第六提升到第四。 再往後是POWEV嘉合勁威,營收4.06億美元,同比增長10%,不過排名從之前的第四下滑到了第五。 2019年位列第三的美系廠商Smart Modular Technologies這次滑落到了第六,營收4.01億美元,同比下滑7.1%,是10大品牌中唯一一個下滑的,主要是去年重點銷售區域,如巴西等地遭遇疫情沖擊。 後面分別是十銓(Team Group)、博帝(Patriot Memory)、宇瞻(Apacer)、宜鼎(Innodisk),營收同比也增長了10%以上,不過市場份額都在1%及以下。 來源:快科技

2萬億韓元的記憶體晶片報廢了?SK海力士回應:不良率正常

經過兩年左右的熊市周期,內存行業現在是牛市漲價的階段,再加上全球性的半導體產能緊張、原材料漲價等因素,內存價格今年已經漲了不少。 現在正是內存廠商大賺特賺的消息,不過第二大內存晶片廠商SK海力士日前傳來噩耗,有報導稱他們的內存晶片遭到阿里、騰訊、HPE等客戶的不滿,認為存在品質問題。 更有消息稱,SK海力士已經報廢了24萬片內存晶圓,價值2萬億韓元,約合人民幣114.5億元,損失巨大,這可能是有史以來規模最大的一次質量事故了。 對於傳聞,SK海力士官方已經做出回應稱,稱內存晶片的不良率處於正常水平,目前仍在分析不良晶片產生的原因和具體規模。 來源:快科技

白菜價不會再有 記憶體價格Q3季度將雙位數上漲

今年上半年,全球半導體晶片產能繼續吃緊,各種漲價,內存市場尤甚,即便沒有現在的缺貨因素,內存行業本身也進入了牛市周期,Q2大漲20%,Q3季度還會保持雙位數上漲。 Digitiems援引供應鏈人士的消息稱,Q3季度內存市場價格上漲已是定局,而且增速保持雙位數增長。 他們沒有給出明確的預測數值,雙位數增長意味著至少漲價10%,但是考慮到Q2季度的漲勢兇猛,Q3季度內存價格顯然也會大幅高於10%的水平,15%、20%甚至更高的漲幅都有可能,反正這個市場主要是看三星、SK海力士及美光三大廠商的臉色,疊加全球半導體缺貨的因素之後,漲幅很有可能失控。 甚至整個下半年中,內存的價格都會保持一路向上的走勢。 今年4月份,美光CEO Sanjav Mehrotra在財報電話會議期間向投資者發出警告稱:「在強勁的需求和有限的供應之下,當前的DRAM市場正面臨著嚴重的供不應求局面,從而導致了DRAM價格的迅速上漲,且貫穿整年都會進一步趨緊」。 來源:快科技

三星首次公布記憶體秘密:第四代10nm級工藝實為14nm

與CPU等邏輯晶片直接使用准確的工藝不同,內存晶片在20nm之後就變得模糊了,廠商稱之為10nm級工藝,實際上會用1X、1Y、1Znm來替代。 1X、1Y、1Znm到底是什麼工藝?三星、SK海力士及美光三大內存巨頭之前一直不肯明確,按照業界的分析,大體來說1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm,1Znm工藝相當於12-14nm級別。 在1X、1Y、1Znm之後,還會有1αnm、1βnm、1γnm三種工藝,三星今年下半年量產1αnm工藝的內存。 值得一提的是,在最新的公告中,三星也首次明確了1αnm的具體水平,那就是14nm工藝,這還是三家廠商中首個改變內存工藝定義的。 至於三星為什麼要打破常規,很有可能跟1αnm內存工藝進度落後有關,今年1月份美光就宣布量產1αnm工藝內存晶片了,三星晚了幾個月,現在透明化具體工藝,也有將美光一軍的意味,因為三星早前就懷疑美光的1αnm工藝並不是真正的1αnm,就看美光是否接招了。 來源:快科技

涉嫌串通記憶體漲價 三星、美光等公司被美國集體訴訟

全球內存市場高度集中,三星、SK海力士及美光三大巨頭就占據95%的份額,每次內存漲跌都會直接影響他們的利潤。這一年來內存價格遇到了牛市,價格大漲,這背後可能不全是市場因素。 有報導稱,美國律師事務所Hagens Berman於5月3日向美國加州北部聯邦地區法院提起消費者集體訴訟,指控美光、三星等公司共同操縱內存晶片市場,使得DRAM晶片的價格翻倍甚至更多,這些公司因此獲得了可觀的利潤。 據businesskorea報導,Hagens Berman在訴訟文件中指出,美光、三星等存儲公司幾乎100%控制了全球DRAM市場,它們將DRAM價格提高了一倍多以賺取巨額利潤。 Hagens Berman強調,由於上述公司「串通一氣」,美國消費者蒙受了損失。 原告認為被告的合謀行為違反了《謝爾曼法》第1節以及各個州的反壟斷法、消費者保護法和不正當競爭法。 現原告正在尋求宣告性判決、三倍損害賠償金以及律師費和訴訟費用。 目前三星等公司還沒有公開回應。 來源:快科技
後悔沒早上車 DRAM合約價格二季度至少上漲5% 最高10%

後悔沒早上車 DRAM合約價格二季度至少上漲5% 最高10%

3月27日消息,據國外媒體報道,產業鏈人士此前曾透露,DRAM(動態隨機存儲器)的合約價格在今年上半年將上漲,預計會持續到三季度,在四季度開始調整。 媒體最新援引產業鏈人士的透露報道稱,全球DRAM的合約價格,在二季度最少將上漲5%,最高則會達到10%。 值得注意的是,產業鏈人士此前就曾預計,全球DRAM的合約價格,在一季度就將上漲5%-10%,二季度的漲幅若達到他們的預期,全球DRAM的合約價格,就將連續兩個季度上漲5%-10%。 DRAM的價格持續上漲,也將推升相關廠商的業績。 DRAM製造商南亞科技,此前也預計,在去年下半年下滑之後,DRAM的合約價格在今年一季度就將開始上漲,二季度也將上漲,他們2月份的營收,也有明顯增加,同比增長近27%。 來源:快科技
上半年記憶體價格將持續上漲 要入手的盡快了

上半年記憶體價格將持續上漲 要入手的盡快了

發現沒,內存條的價格普遍漲起來了。 在公布2月營收實現環比和同比雙增長的同時,南亞科技表示,DRAM芯片的合約價將在今年繼續上漲。 盡管一季度是傳統淡季,可全球半導體行業遭遇大缺貨。實際上,去年雙11賣到300多塊的DDR4-3200 16GB單條如今的價格已經接近翻番。 此前業內預估,DRAM價格的上揚至少持續到今年三季度。華邦電子也指出,DRAM和閃存價格的上揚將有助於公司在3、4月份實現營收增長。 對於普通消費者來說,如果有內存條剛需,建議有貨時盡快入手,以免虧的更多。 作者:萬南來源:快科技
開始供不應求2021年DRAM記憶體將全面漲價

開始供不應求2021年DRAM記憶體將全面漲價

DRAM內存從2018年進入周期性下跌,經過兩年多的低潮期之後,內存市場在2020年底開始止跌,部分產品甚至開始漲價。 內存漲價的主要原因在於三星、美光、SK海力士、削減內存產能,預計從2021年內存市場又將進入新一輪漲價周期,重復2016-2018年的暴漲。 在剛剛過去的2021年1月份,內存價格不僅漲了,而且漲幅不低。 來自供應鏈的消息,1月份服務器DRAM價格止跌上漲,32GB DDR4 RDIMM合約價上漲航4.6%至115美元,64GB DDR4 LRDIMM合約價月漲價4.9%來到235美元。 1月份PC標准型DRAM價格亦重拾漲勢,8GB DDR4模組合約價月增4.8%達26美元,換算8GB DDR4顆粒合約價已達3美元。 利基型DRAM(Specialty DRAM,特製內存)價格同樣持續上漲,缺貨明顯的2Gb?DDR3顆粒月漲6.7%到1.12美元。 無論服務器還是PC還是利基型內存,DDR4、DDR3都在1月份實現漲價,漲幅接近5%,DDR3漲幅比DDR4高也符合與之前的傳聞。 更重要的是業界預計內存在2021全年會持續漲價,第一季平均價格上漲5%,第二季擴大至10%,2021年下半年依然供不應求,四季度預計依然會繼續漲價。 這一輪周期會持續多久? 內存大廠美光副總裁Sumit Sadana表示:美光對2021年存儲前景持樂觀看法,尤其是DRAM市場,部分產品已漲價,預期DRAM供不應求的狀況會持續幾年,其中汽車應用是未來十年成長最快的市場。 Sumit Sadana還表示:2021年全球半導體產業將成長12%達到5021億美元規模,全球存儲產業的成長幅度高達19%,市場規模達到1460億美元,並對DRAM及NAND閃存市場前景抱持樂觀看法。 SK海力士在上周五表示:由於服務器和移動行業的增長,預計2021年內存芯片需求強勁。 SK海力士同日公布截至2020年12月31日的2020財年財報顯示,2020財年綜合營收31.9萬億韓元,較2019財年增長18%。 營業利潤為5.013萬億韓元,與2019年的2.71萬億韓元增長84%;淨利潤為4.759萬億韓元,較2019財年增長137%。 SK海力士執行副總裁兼企業中心主管Kevin(Jongwon)Noh表示:由於新冠疫情打大流行,內存市場呈現疲軟趨勢。 該公司穩定量產1Znm?DRAM、128層NAND Flash等主要產品。SK海力士還基於其質量競爭力擴大其服務器市場份額,導致其營收和營業利潤分別較較2019財年增長18%和84%。 但2020財年第四季度,SK海力士的綜合營收為7.966萬億韓元,環比下降2%,同比增長15%;營業利潤9660億韓元,環比下降26%,同比增長298%;淨利潤為1.768萬億韓元,環比增長64%;營業利潤率為12%。 對於2021年的DRAM市場,SK海力士預計DRAM需求增長約17%至20%。 另外,得益於全球公司對新數據中心的投資,2021年服務器產品的需求將增長30%以上。該公司還預計5G智能手機出貨量將達到5億部,並2021年移動DRAM需求增長將超過20%。 值得一提的是,2021年將開始出貨DDR5內存,結合DDR5上市之後價格較貴的特點,DDR4白菜價時代也將結束。 來源:快科技
記憶體現貨價半年猛漲50% 白菜價越來越遠了

記憶體現貨價半年猛漲50% 白菜價越來越遠了

全球半導體行業這半年來陷入了產能緊張、漲價的麻煩中,下游廠商都在擔心供貨無法保證,不過對掌握了半導體製造的公司來說,好日子才開始了。 除了處理器缺貨,內存市場的變化也不容忽視,此前多次有報道稱內存價格已經開始上漲,甚至漲幅超過預期。 現在內存漲價明顯的主要是現貨市場,集邦旗下的搬到套研究中心DRAMeXchange的數據顯示,截止2月3日,8Gb DDR4內存顆粒報價已經達到了3.93美元,而去年8月份的報價是2.54美元,去年12月底也才漲到3美元左右。 簡單計算一下,從去年8月到現在的半年時間里,內存現貨價格已經上漲了55%,50%以上的漲幅可以說非常驚人了,這還只是內存漲價的開始。 不過普通消費者現在還感受不到這樣的內存漲幅,因為大家購買的內存條都是內存模組廠商提前談判的內存顆粒,也就是合約價內存,這部分占了90%的市場份額。 但是現貨價格也已經在漲了,截止1月份,8Gb DDR4顆粒的合約價是3美元左右,比12月份漲了0.15美元,漲幅5%左右,雖然絕對值不高,但這只是1個月內的變化,而且是8個月來合約價首次止跌回升。 總之,內存市場的價格走勢已經沒懸念了,受限於合約價的變化不夠及時,現在很多內存條的價格上漲還不算明顯,有剛需的可以及早下手,白菜價內存會越來越遠的。 作者:憲瑞來源:快科技
DDR5記憶體都要上市了 DDR3記憶體突然要漲價50%

DDR5記憶體都要上市了 DDR3記憶體突然要漲價50%

最快在2021年9月份,隨着Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來,DDR5內存也要商用了,今年會是DDR5元年。 DDR5內存來了,DDR4內存當然不會馬上被淘汰,但前景肯定不會多好了,未來幾年被取代是水到渠成的,不過DDR3內存反而可能熱了。 目前DDR3內存主要用於一些低端、嵌入式領域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經停產或者減少DDR3內存產能,現在主要廠商是台灣的幾家小廠商在生產,包括華邦電子、晶豪科技、鈺創等。 由於需求增加以及供應減少的因素,DDR3內存價格最近已經開始上漲了,而且供應鏈傳來的消息越來越不樂觀,2021年原本預計是漲價30%左右,但是最新說法是將漲價40-50%,遠高於預期。 作者:憲瑞來源:快科技
亮如銀鏡 影馳推出HOF EXTREME 限量版記憶體 三星B-Die顆粒

亮如銀鏡 影馳推出HOF EXTREME 限量版記憶體 三星B-Die顆粒

影馳今天宣布了一系列HOF家族的新成員,,還有內存及SSD產品,其中內存有HOF EXTREME 限量版、HOF PRO RGB兩個系列,最高頻率DDR4-4600MHz。 HOF EXTREME 限量版內存採用了全新的電鍍銀工藝,獨特的冰封銀翼風格將美學、結構與工藝融合得恰到好處,猶如銀鏡一般,光滑細膩。 性能方面,HOF EXTREME 限量版內存依然堅持特挑的三星B-Die核心,這個顆粒三星已經停產了,越用越少,能買到的話大家可以珍惜了。 性能方面,HOF EXTREME 限量版內存支持XMP2.0,擁有4000MHz和4600MHz兩種高頻,時序分別為15-15-15-35、18-18-18-38,高頻與低延遲兼備。 另一款內存則是HOF PRO RGB系列,才用的是銀白兩色設計,跟EXTREME 系列風格大不同。 此外,HOF PRO RGB內存還支持RGB信仰燈,可以使用影馳內存燈控軟件Aurora Sync For Memory和全家桶燈控軟件GALAX Aurora Sync調控,並且支持與四大品牌主板同步燈效,自由打造個性燈效。 性能方面,HOF PRO RGB內存提供了3600MHz、4000MHz、4400MHz三種頻率選擇,支持XMP2.0一鍵開啟高頻。 作者:憲瑞來源:快科技
記憶體已經部分漲價 美光放言 供不應求會持續好多年

記憶體已經部分漲價 美光放言 供不應求會持續好多年

經過兩年多的低潮期之後,內存市場已經在2020年底開始變天,價格止跌,部分產品甚至已經開始漲價了。 由於三星、美光、SK海力士三大內存巨頭從2019到2020年就開始削減內存產能,預計從2021年開始,內存市場又要進入新一輪漲價周期,重復2016-2018年的暴漲過程。 這一輪周期能持續多久?第三大內存廠商美光副總裁Sumit Sadana表示,美光對2021年存儲前景抱持樂觀看法,尤其是DRAM市場展望更為樂觀,部分產品已漲價,預期DRAM供不應求的狀況將延續好幾年,其中汽車應用將是未來十年成長最快的市場。 Sumit Sadana表示今年全球半導體產業將成長12%達到5021億美元規模,優於全球GDP僅5%左右的成長率,但今年全球存儲產業的成長幅度將高達19%,市場規模達到1460億美元,並對DRAM及NAND閃存市場前景抱持樂觀看法。 根據美光的說法,預估今年DRAM位元需求年成長率將達15%以上,NAND閃存的位元需求年成長率將達到30%。 值得一提的是,2021年還是內存升級換代之年,今年DDR5內存就會嶄露頭角,但結合現在的情況來看,DDR5上市之後不會便宜,現在的DDR4白菜價時代也要結束了。 作者:憲瑞來源:快科技
三巨頭持續削減投資 記憶體價格猛漲 1個月內漲幅30%

三巨頭持續削減投資 記憶體價格猛漲 1個月內漲幅30%

過去兩年內存的價格從上一輪的漲價周期回到了跌價周期,現在2021年了,內存價格又要回到漲價模式了,從去年12月到今年1月最多就漲了30%。 全球95%的內存產能都掌握在三星、SK海力士及美光三家廠商中,其中韓系的兩家就占了大約75%的份額,對市場影響極大。 此前我們報道過,三大廠商因為內存跌價,在2020年就開始削減內存投資,相關影響已經開始顯現。 來自中國閃存市場的消息稱,三星和SK海力士的投資重點將放在晶圓代工和閃存領域,原有DRAM投資預計與2020年持平,但三星將部分DRAM產線轉為CIS後,其DRAM資本支出有可能比去年降低。 因此,市場預計DRAM市場整體看缺,客戶拉貨意願積極,從去年12月至今原廠DRAM顆粒價格上漲20%-30%。 總之,內存市場的趨勢變了,低價內存且買且珍惜吧。 作者:憲瑞來源:快科技
記憶體條標簽能看出什麼信息?一文了解

記憶體條標簽能看出什麼信息?一文了解

內存是很多玩家重視的硬件,在升級電腦時也是首選,但如何區分不同品牌和不同定位的內存,可能很多玩家就摸不着頭腦了。 其實內存條上的標簽就能看出不少信息,而且不同品牌的標簽標示基本一致,也就為我們選擇產品提供了很好的判斷依據。 在多數內存的標簽上會有3-4行參數,這些參數標注了內存的主要信息,我們將其分解來看。 一般來說標簽上第一行標示的是內存品牌及型號,不過這里的品牌一般會用英文名,比如三星是SAMSUNG,芝奇是G.SKILL,七彩虹是iGame等等。 有些內存會採用型號而不是品牌名,例如金士頓的KVR(意為Kingston ValueRAM),影馳GAMER等等。 型號則包含了內存代數和主頻等,經常以DDR4-3000的樣式出現,指的是DDR4內存,主頻為3000MHz。 接下來是內存的編號,這里會包含更加細化的產品信息,常見格式為3000N17S8,拆解後意思是3000為主頻3000MHz,N為普通型內存,17指的是時序CL值為17,S8指的是單面8顆粒。 另外,有些內存套條也會在型號中展示出來,比如金士頓的K2表示2條裝,其他品牌也會採用2x8G表示8G套條等等。 如果你買的單條內存有套條標志,或是套條內存卻型號對不上,那就需要退換維權了。 內存上還會出現的信息包括電壓和時序,一般為C16-18-18-38 1.35V這樣的格式,表示內存電壓為1.35V,時序的四個數分別代表CL-tRCD-tRP-tRAS的數值。 這里我們不展開說,只要知道他越小越好就可以。 最後,內存上還會有一些認證標志,常見的是CE歐洲合格認證,意味着內存可以在歐洲市場銷售。 內存上同樣會有warranty void if removed的說明,意為撕除標簽即保修無效,所以內存的標簽還是要保護好哦。 來源:快科技