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英特爾在去年宣布了新的IDM 2.0戰略，創建了英特爾代工服務（IFS）以後，就表達了在歐洲興建新晶圓廠的意願。隨後英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）到訪歐洲，進行了一系列的考察，與歐盟政商界相關人士探討在歐洲大陸興建新晶圓廠的可能性。 英特爾官方宣布，將會在太平洋夏令時間2022年3月15日上午6點進行網絡廣播，分享其歐洲半導體研發和製造方面最新計劃的詳細信息。  英特爾原計劃是在去年年末的時候宣布相關信息，不過由於牽涉到項目中遇到的復雜問題，及需要考慮諸多因素的影響，最終將時間推遲到了今年年初。事實上，在過去的一年時間里，圍繞英特爾的歐洲半導體計劃傳出過諸多消息。選址的地點除了德國外，傳聞英特爾還曾考慮過比利時、荷蘭和盧森堡，甚至將法國和義大利涵蓋在內，打造覆蓋半導體上下游的供應鏈。 曾有媒體報導，英特爾在歐洲會分兩個階段打造工廠群，第一階段首先會投資大概200億美元建造兩座晶圓廠，然後再分階段建造六座晶圓廠，其廠區最終會有八座晶圓廠，成為價值1000億美元的半導體製造基地。不過隨後有報導指，英特爾的新計劃是擴大在歐洲地區的投資范圍，未來幾年除了在德國興建新的晶圓廠外，還將在義大利建造封裝和測試廠，以及在法國建立研發和設計中心，成為真正的「超級工廠」。最新的報導稱，英特爾已選定在德國馬格德堡興建其新的晶圓廠，將創造1000多個新的工作崗位。 無論過去的傳聞如何，英特爾很快將揭曉答案。 ...

近期烏克蘭局勢不穩定，這也意外地加劇了全球半導體行業的緊張，因為該地區生產了全球70%的氖氣，這是半導體製造中的關鍵原料，用量不多但非常重要，以致於光刻機巨頭ASML都要尋找備胎，防止斷供。 當地時間周三，ASML公司CEO表示該公司正在為工廠使用的少量氖氣尋找其他來源。 該公司發言人也表示，盡管烏克蘭是世界上最大的氖氣生產國，但阿斯麥使用的氖氣中只有不到20%來自該國。 據了解，氖氣是惰性氣體中的一種，在半導體工藝中惰性氣體是一種重要材料，在DUV深紫外光光刻時代，產生DUV光源就需要多種惰性氣體，然後與鹵素分子混合，再使用電子束能量激發才能產生DUV波長的光，最後再用於晶片製造。 另外，來自EET-China的報導稱，中國特種氣體市場資深分析師任路則表示，雖然氖、氪、氙為半導體行業生產所必需，但是其絕對使用量並不高，作為鋼鐵行業的副產品，全球市場體量不是很大。 「中國是全球鋼鐵大國，對於這些稀有氣體的純化技術已經實現了突破，生產工藝也比較成熟，不再是能夠『卡中國脖子』的技術了。」 來源：快科技

最近國際形勢突變，這事也不可避免地要影響半導體行業，因為有一種關鍵原料面臨斷供，這就是氖氣，不過晶圓代工廠聯電表示有多重來源，不會依賴單一供應商，能夠找到替代貨源。 氖氣是惰性氣體中的一種，在半導體工藝中惰性氣體是一種重要材料，在DUV深紫外光光刻時代，產生DUV光源就需要多種惰性氣體，然後與鹵素分子混合，再使用電子束能量激發才能產生DUV波長的光，最後再用於晶片製造。 氖氣就是其中的一種材料，而且無法替代，目前全球70%的氖氣來源於烏克蘭供應商。 對於氖氣斷供的可能，聯電公司表示有多路來源，並不擔心，而專業機構TrendForce也認為半導體廠商都有庫存，而且其他地區依然能供應氖氣，短期內不會影響半導體生產，只不過供應量減少可能會導致價格上漲。 來源：快科技

2021年30年老將帕特·基辛格重回Intel擔任CEO之後，他推出了IDM 2.0戰略，意圖重振Intel在半導體製造上的領先地位，去年投資200億美元在美國亞利桑那州建設2座新的晶圓廠，本周五將宣布新的工廠計劃，這次將在俄亥俄州投資200億美元建廠。 Intel在官網上已經預告了當地時間1月21日的活動，執行長帕特·基辛格、高級副總裁兼製造、供應鏈和運營總經理Keyvan Esfarjani將一起參與活動，分享Intel在製造領導力上的最新投資計劃。 雖然Intel官方沒有明確說明細節，不過當地媒體已經爆料稱，Intel將在周五的活動上宣布在俄亥俄州哥倫布地區投資200億美元建設半導體工廠的事宜。 美國是半導體技術的發源地，基辛格在Intel工作的30年內見證了美國及Intel最輝煌的時刻，然而現在美國公司在全球半導體生產中的份額已經下滑到了12%，先進工藝生產轉移到了亞洲地區，所以基辛格上任之後一直呼籲加大投資，讓美國重新奪回至少1/3的半導體製造份額。 在他上任的一個月後，Intel就推出了IDM 2.0戰略，大舉投資半導體製造，去年已經宣布了200億美元在亞利桑那州建設2座晶圓廠，分別會命名為Fab 52、Fab 62，並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝，這是Intel首個埃米級工藝。 俄亥俄州的晶圓廠具體細節還沒有公布，但考慮到至少3年的建設周期，量產要到2025年了，這里的工廠生產的應該是再下一代的18A工藝，比台積電的2nm工藝還要先進，屆時Intel會真正重回全球半導體工藝的領導地位。 來源：快科技

晶片短缺」問題已經成為了全球話題，各行各業都在喊著「缺芯」，供不應求的情況下，半導體行業儼然已經成為賣方市場。 近日，有自媒體帳號整理了2021年第一季度半導體行業漲價情況。數據顯示，2021年第一季度共有19家企業宣布漲價。晶圓代工行業共有5家企業宣布漲價，漲幅大部分在10%以上。 台積電成熟製程漲價10%-20%，先進位程漲幅也達到10%；聯華電子全類型晶片代工漲幅約為5%-10%，從三月開始生效；力積電和世界先進預估漲幅超10%，預期每半年漲價一次；三星計劃將代工價格提高15%-20%，漲幅取決於客戶訂單量。 原廠方面，ADI全系產品漲價10%-20%，旗下美信預計今年2、3月發布漲價函；邁來芯全線產品漲價15%；新唐科技MCU價格漲幅達雙位數；祥碩全線產品漲幅20%； 瑞薩全線產品漲幅10%，包括瑞薩新收購的Dlalog產品；旺宏NOR Flash報價上調5%-10%，西門子24個產品系列漲幅約為3%-5%。 高通、東芝半導體、泰科電子、ALLEGRO、瑞昱、聯發科等企業也宣布漲價。 來源：快科技

由於疫情防控原因，西安地區的工廠也難免受到影響，其中三星在西安投產的快閃記憶體工廠占全球產能的15%，此前有傳聞稱已經停止運營，SSD市場風波乍起，不過三星剛剛已經澄清工廠還在生產，目前是全封閉式管理。 據報導，就西安工廠生產調整一事，三星相關負責人表示，三星在西安的半導體工廠按照當地政府的防疫要求，對在崗人員和物流車輛採取了全封閉管理措施，能夠保障基本運營條件。目前三星半導體工廠處於生產運行狀態。 12月29日，三星電子向客戶發函通知，預計NAND產品製造能力可能會受到西安疫情影響，並暫時停止報價，NAND價格上漲的市場氛圍持續醞釀。 目前，三星在西安布局以NAND Flash為主，一期月產能約12萬片，二期月產能約13萬片，共占該公司NAND Flash產能42.3%，全球產能的15.3%。 來源：快科技

任天堂社長古川俊太郎在27日透露，受全球半導體短缺和物流動盪影響，2022年初Switch的供應可能會停滯。古川俊太郎分析了2021年末的主機商戰，因10月發售的新OLED機型而取得了不錯的成績。 另一方面，在物流動盪還沒有平息的美國，為了趕上11月末的大規模促銷「黑色星期五」，除了空運一部分貨物以外，在歐洲地區也首次利用了鐵路進行運輸。 古川社長表示：「黑色星期五之後，相比需求，還不能說供給充足。」對於年初以後的情況，他表示：「這視情況而定，但正如我所擔心的那樣，它會產生無法滿足需求的影響。」 任天堂在今年11月將2022年3月期財報的銷售計劃從期初的2550萬台下調至2400萬台。如果供應停滯時間過長，任天堂有可能達不到預期的目標。 來源：cnBeta

據日本《京都新聞》報導，任天堂社長古川俊太郎27日稱，Switch的供應在2022年初可能會停滯。據稱，主要原因是全球半導體短缺和物流業的混亂。 早在今年11月，任天堂就將截至2022年3月的財政年度銷售計劃，從最初的2550萬台下調至2400萬台。但如果供應停滯時間延長，下調後的計劃可能也無法達成。 古川社長分析了2021年的年終銷售季，主要銷量以10月份推出的OLED版Switch為核心。此外，在物流混亂還未平息的美國，為了應對11月底的銷售旺季「黑色星期五」，任天堂為一部分貨物使用了空運運輸。而在歐洲，則首次使用鐵路運輸。 古川社長表示：「我們不能說黑色星期五之後供應量就能滿足需求。2022年開年以後，雖然產量根據需求而定，但正如大家所擔心的那樣，我們無法生產預想中需求的數量。」 <p 來源：遊俠網

全球半導體產能緊張持續一年多了，現在又時不時遇到意外——這次不是工廠起火，而是東南亞晶片封測工廠，由於遭遇台風襲擊，強降雨導致多個工廠停工。 據科創板日報報導，上周四，超級台風「雷伊」（Rai）登陸菲律賓，並在東南亞地區帶來超強降雨。上周末，馬來西亞半島出現洪水，並影響了當地的港口和工廠運營。 據菲律賓官員稱，「雷伊」台風沿途造成208人死亡，超過44萬菲律賓人因台風而流離失所，菲律賓多地電力系統遭毀壞，約100萬人受到影響。 這一台風使得馬來西亞半島周末出現暴雨，洪水導致數萬人流離失所，道路關閉，航運中斷。馬來西亞環境和水利部秘書長Zaini Ujang說，12月17日到18日兩天內的暴雨達到了平時一個月的降雨量。到周日（19日），降雨才逐步減弱，洪水也開始退去。 馬來西亞當局周六表示，在洪水影響下，東南亞第二大港口巴生港（PORT KLANG）的運營嚴重中斷。由於入口道路受損，許多工作人員無法上班，未來數天貨物交付及船隻靠泊將會延誤。 不少在馬來西亞的工廠也受到洪水的影響。 本周一，荷蘭晶片封裝設備供應商BE Semiconductor（BESI）表示，由於馬來西亞洪災影響了其在當地的主要生產設施，該公司下調了第四季度收入預期。 BE Semiconductor表示，暴雨影響了其在馬來西亞沙阿拉姆(Shah Alam)的主要生產設施，導致價值約2500萬歐元（約合人民幣1.79億元）的產品的組裝工作暫停。 該集團在一份聲明中表示：「初步估計，修復或復制那些受影響的系統所需的材料和勞動力相關的一次性成本在400萬至600萬歐元之間，將計入第四季度收益。」 BE Semiconductor表示，預計維修受影響的建築和生產相關設備的成本預計不會超過200萬歐元。該公司目前預計第四季度收入將比第三季度下降15-20%左右，而此前的預期為下降5-15%。 但BESI表示，預計第四季度訂單價值將達到1.8-1.9億歐元左右，高於去年第四季度的1.573億歐元。 來源：快科技

日前有公眾號發布了《8000萬顆GaN項目出爐！中芯張汝京加入》一文，其中提到中芯國際創始人張汝京博士進入了這個第三代半導體項目，不過已經被張博士辟謠，否認參與該項目。 報導中提到，12月1日，宏光半導體發布公告稱，他們完成了一項配售協議，獲得了大約8620萬港元（約7000萬人民幣），其中，預計將約6430萬港元用於加強快充、GaN設備及相關半導體產品的研發能力。 公告還提到，宏光半導體已經著手在徐州經開區新建一家GaN新工廠，並在工廠內安裝一條用作生產GaN等相關產品生產線，不久將進一步升級至全自動晶片運作，計劃年封測氮化鎵電子器件8000萬顆。 據公告，宏光半導體引入了超強氮化鎵團隊，核心成員包括陳振博士、呂瑞霖先生、張汝京博士以及Thomas Hu博士。 在這個名單中，張汝京博士是中芯國際創始人，在業界影響力巨大，因此宏光的新項目引發關注，但張汝京博士對媒體表示該消息不屬實，他本人並未參與該項目，也從未去過該工廠。 來源：快科技

Intel新任CEO基辛格在3月份推出了龐大的IDM 2.0戰略，大力推動自建晶圓廠，今年已經在美國啟動200億美元的晶圓廠計劃，接下來還要在歐洲再建新的晶圓廠，最新消息稱12月初即將公布詳細內容。 今年9月份，Intel CEO基辛格在德國訪問時公布了歐洲半導體晶圓廠的計劃，宣布今年第之前公布具體信息，現在11月過去了，12月馬上就要到了，Intel的計劃是時候公布了。 歐盟負責貿易的市場專員蒂埃里·布雷頓日前在采訪中表示，他們可能會在幾天內公布Intel建廠的消息。 Intel現在歐洲地區的晶圓廠主要位於愛爾蘭，靠近英國，本來英國也是很有希望入選，但是隨著英國脫歐，Intel CEO基辛格已經明確表態不會在英國建設晶圓廠了，只會在歐盟某個國家。 Intel在歐盟建廠到底會是什麼工藝的晶圓廠還不得而知，但投資規模會很大，此前傳聞是10年內投資950億美元，約合6100多億人民幣，足夠建8座先進工藝晶圓廠了。 來源：快科技

11月11日消息，今日，三星半導體官微宣布，三星正式推出全新2.5D封裝解決方案H-Cube（混合基板封裝），專用於高性能和大面積封裝技術的高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）、數據中心和網絡產品等領域。 據介紹，2.5D封裝技術通過矽中介層把邏輯晶片和高帶寬記憶體晶片集成。 而三星H-Cube通過整合兩種具有不同特點的基板：精細化的ABF（味之素堆積膜）基板，以及HDI（高密度互聯）基板，可以進一步實現更大的2.5D封裝。 隨著高性能計算、人工智慧和網絡應用等細分市場的發展，需要封裝在一起的晶片數量和尺寸都在增加。 同時，也需要高帶寬進行互連，這種更大尺寸的封裝變得越來越重要，而三星H-Cube的推出降低了高性能計算等市場的准入門檻。 另外，在集成6個或以上的HBM的情況下，大面積ABF基板會增加製造難度，導致生產效率降低。 而三星H-Cube在ABF基板上疊加大面積的HDI基板的結構，很好解決了這一難題。 通過將連接晶片和基板的焊錫球的間距縮短35%，可以縮小ABF基板的尺寸，同時在ABF基板下添加HDI基板以確保與系統板的連接。 來源：快科技

在半導體工藝進入10nm節點之後，EUV工藝是少不了的，但是EUV光刻機價格高達10億一台，而且產量有限，導致晶片生產成本很高。日本鎧俠公司現在聯合夥伴開發了新的工藝，可以不使用EUV光刻機，工藝直達5nm。 據據日媒報導，鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能，以及光罩、模板等半導體零組件製造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發納米壓印微影技術(NIL)的量產技術，鎧俠已掌握15nm量產技術，目前正在進行15nm以下技術研發，預計2025年達成。 與目前已實用化的極紫外光(EUV)半導體製程細微化技術相比，NIL更加減少耗能且大幅降低設備成本。 因NIL的微影製程較單純，耗電量可壓低至EUV生產方式的10%，並讓設備投資降低至40%。 而EUV設備由ASML獨家生產供應，不但價格高，且需要許多檢測設備配合。 目前NIL在量產上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等問題。 如果鎧俠能成功率先引進NIL量產技術，可望彌補在設備投資競賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。 對鎧俠來說，NAND組件採取3D堆疊立體結構，更容易因應NIL技術的微影製程。 鎧俠表示，已解決NIL的基本技術問題，正在完善量產技術，希望能率先引入NAND生產。 根據DNP說法，NIL技術電路精細程度可達5nm，DNP從2021年春起，根據設備的規格值進行內部仿真。 DNP透露，從半導體製造商詢問增加，顯示不少廠商對NIL技術寄予厚望。 而佳能則致力於將NIL技術廣泛應用於製作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設備，供應多種類型的半導體製造商，將來也希望能應用於手機應用處理器等最先進位程。 來源：快科技

據報導，格羅方德半導體（GlobalFoundries）今日將IPO（首次公開招股）發行價區間定在每股42美元至47美元之間，尋求約250億美元的估值。格羅方德半導體總部位於美國，是從AMD公司分拆出來的晶片代工廠商，目前為全球第三大晶片代工廠，由阿布達比國有基金「穆巴達拉」（Mubadala）所有。 今年，美國的IPO市場非常擁擠，到目前為止融資額已創下2500億美元的新高。而此次的格羅方德半導體IPO也是備受期待。 基於每股47美元的上限，格羅方德半導體此次IPO最多將融資26億美元。加上超額配售權，此次IPO格羅方德半導體估值有望達到約260億美元。 在此次IPO中，穆巴達拉將出售2200萬股票。上市後，穆巴達拉將持有格羅方德89.4%的股份，並控制89.4%的投票權。 格羅方德將在納斯達克上市，股票代碼為「GFS」。摩根史坦利、美銀證券、摩根大通、花旗集團和瑞士信貸為此次IPO的主承銷商。 來源：cnBeta

本文作者湯之上隆為日本精密加工研究所所長，曾長期在日本製造業的生產第一線從事半導體研發工作，2000 年獲得京都大學工學博士學位，之後一直從事和半導體行業有關的教學、研究、顧問及新聞工作者等工作，曾撰寫《日本「半導體」的失敗》、《「電機、半導體」潰敗的教訓》、《失去的製造業：日本製造業的敗北》等著作。 ▲ 全球半導體產量增加和投資熱潮正在世界各地進行 本文是湯之上隆近日發表於 eetimes.jp 上的一篇長文，系統分析了在不穩定的供應鏈背景下，世界各地掀起的半導體投資熱潮可能將伴隨著潛在危機，以及 DRAM 和 NAND 出貨額、出貨量及價格變化如何影響存儲器市場的發展走向。芯東西對此進行精編，全文要點如下： 過去一年，台積電、三星、台積電等全球晶片製造龍頭接連宣布巨額投資計劃。 台積電計劃未來三年投資 1000 億美元（折合 6436 億人民幣），三星電子未來三年計劃投資 240 萬億韓元（折合 1.3 萬億人民幣），不過半導體業務具體占比未知。英特爾宣布未來 10 年將在歐洲投資 800 億歐元（折合 5979 億人民幣）。 各國也提供補貼來支持這些公司的資本投資。比如美國擬撥款 520...

據媒體報導，休斯頓大學的研究人員報告稱，隨著一種使用專門有機半導體納米管(OSNTs)的電化學致動器的開發，他們在材料科學和工程領域取得了突破。目前處於開發的早期階段，該致動器將成為有助於未來機器人、生物電子和生物醫學科學研究的一個關鍵部分。 ...

前一段時間，因美國汽車製造商普遍面臨持續的晶片供應短缺影響，美國政府提出希望解決供應鏈上存在的問題。為了進一步了解全球半導體供應鏈的運作方式，美國商務部以提高半導體供應鏈透明度為由，向晶片製造商、晶片中間用戶和終端用戶發送調查問卷。 對於台積電（TSMC）、三星和SK海力士這樣的大型晶圓廠來說，這是一個極大的沖擊，因為內容中包含了諸多廠商認為的機密信息。在要求提交的信息中，包括了企業的技術研發情況、具體項目營收、庫存管理、交收期限、客戶類型和商品屬性等，在廠商看來，如果不暴露機密信息根本無法回答這些問題。一旦交出，意味著整個半導體供應鏈上下游將暴露無遺，這將是一次災難性事件。 台積電負責人向路透社表示，客戶信任是成功關鍵因素之一，如果是為了解決供應鏈問題，其實可以做的事情還有很多。據日經新聞報導，台積電總法律顧問Sylvia Fang表示絕對不能泄露公司敏感信息，特別是與客戶相關的內容，這麼做會嚴重損壞台積電和客戶之間的關系。台積電和三星的產能占據了全球晶圓代工的七成份額，處於供應鏈的中心位置，是這次事件中最受影響的企業。據稱為了保護客戶資料，此舉遭到以台積電和三星為首的半導體供應商抵制。 即便是美國的半導體企業也會受到很大的影響，包括蘋果、高通、博通、AMD、英偉達、Google和亞馬遜等，都與台積電和三星有著千絲萬縷的聯系，意味著企業自身的晶片研發等機密信息有可能暴露在同行業競爭對手面前，會近期歐盟地區大力支持的英飛凌和恩智浦等半導體廠商也會受到波及。 雖然表示聲稱是自願性質，但美國商務部部長Gina Raimondo警告行業代表，如果不對此回應，可能會援引《國防生產法》或其他工具迫使他們採取行動。有市場人士認為，英特爾和GlobalFoundries（格羅方德）或許會從中受益，在美國政府的支持下，對手的底牌完全被揭露，有助於提升實力。英特爾常年居於半導體行業龍頭位置，有相當的產能規模，但近年在工藝研發上並不順利，此前已確定將與台積電合作，利益可能也難免受損。 現代的供應鏈體系非常復雜，而半導體供應鏈無疑是目前最復雜的供應鏈之一，涉及到全球不同地區企業之間的協調運作，即便了解了其中的瓶頸，也很難在短時間內憑一己之力解決。許多經濟學家認為，在市場經濟運作中，這種復雜的供應鏈是趨於平衡供應、需求和投資者利益的自我修復有機體。額外的干預可能會解決一些問題，但是破壞了其中的平衡和原則，使得自由貿易機制消失，最終會弊大於利，影響是全面而且長遠。 ...

來自Skoltech和英國南安普頓大學的研究人員使用全光學方法創建了一個人工晶格，其節點容納了極子 - 半導體中半光半物質激發的准粒子。這種所謂的Lieb晶格，通常在自然界中不會出現，使研究小組能夠展示對凝聚態物理學非常重要的突破性結果。從應用的角度來看，《自然-通訊》上報導的雷射產生的偏振子晶格可用於設計下一代設備，如依賴色散管理和導光的光學計算機。 在強光-物質耦合體系中，放置在兩個鏡子之間的半導體中的電子激發會受到被困在其中的光子的強烈影響。這產生了新的量子模式，稱為激子-極子，或簡稱為極子。它們使人們能夠在微尺度上研究物質-波和光子的混合現象。在適當的條件下，偏振子可以形成類似於玻色-愛因斯坦凝結物的連貫多體物質狀態，為研究奇異的耗散性非線性動力學提供機會。 研究人員決定探索這些凝結物在自然界中通常不存在的人工光學晶格中是如何表現的。為此，他們使用了一個可編程的空間光調制器，將雷射束塑造成空腔內的晶格，這與用於在遠處表面投射花式圖案的雷射指示器帽不一樣。在雷射場最強的地方，產生的極子數量增加，能量也更大。在足夠高的雷射功率下，偏振子開始形成凝結物，這些凝結物駐扎在晶格的勢能最大值上。在這個所謂的「彈道」系統中，逃離凝聚體的高能量偏振子波在晶格中散射和衍射。 研究人員觀察到，當晶格常數降低時，凝聚體經歷了一個從彈道體繫到相反情況的相變，即深陷的凝聚體現在居住在晶格的勢壘中。在中間的晶格常數下，系統似乎無法"決定"偏振子波應該是脫域的還是局部的，相反，凝聚體在多種能量下斷裂。這樣的轉變以前從未在偏振子晶格中觀察到過。 研究人員還證明了他們可以產生固態物理學中最奇特的特徵之一--完全無色散的晶帶，也被稱為平帶--在那里粒子質量實際上變得無限大。為此，他們設計了一種光學利布晶格，這在自然界中並不常見，已知它擁有平帶。 這篇報導中的研究是由Pavlos Lagoudakis教授領導的混合光子學實驗室的年輕研究人員共同撰寫的，他對該團隊的發現做出了如下評論。"我們的實驗室在偏振子凝聚體的光學晶格方面已經有了很好的專業知識，通過這項工作我們又向前邁進了一步。這些結果將引起廣泛的科學界的興趣，包括非線性光學、凝聚態物理、冷原子、光-物質物理和偏振子學。這是首次在光學生成的偏振子晶格中展示物質的非線性階段和平帶工程。在此之前，偏振子系統中的平帶狀態只在平版印刷的結構中顯示過。" 論文的第一作者，來自Skoltech的實驗物理學家Sergey Alyatkin博士和他的同事，來自南安普頓大學的理論物理學家Helgi Sigurdsson博士補充說："我們的工作非常好地證明了光學控制的進步和偏振子領域的豐富性。我們對晶格中的微腔偏振子研究得越多，我們觀察到的有趣效應就越多。我們的最新成果為物質波准粒子的非穩態晶格混合物開辟了一條未被探索的物理學之路，而且我們並不局限於所研究晶格的特定類型。" 來源：cnBeta

據新加坡科技大學（SUTD）的研究人員稱，最近發現的一個二維（2D）半導體家族可以為高性能和高能效的電子產品鋪平道路。他們的研究結果發表在《二維材料與應用》(npj 2D Materials and Applications)上，可能會因此發展出適用於主流電子和光電子的半導體器件，甚至有可能完全取代矽基器件技術。 在尋求電子設備小型化的過程中，一個眾所周知的趨勢是摩爾定律，它描述了計算機集成電路中的元件數量如何每18個月增加一倍。這一趨勢之所以能夠實現，是因為電晶體的尺寸不斷縮小，其中一些電晶體非常小，以至於數百萬個電晶體可以擠在一個指甲蓋大小的晶片上。但是，隨著這一趨勢的繼續，工程師們開始努力解決矽基設備技術固有的材料限制。 (左圖）金屬接觸MoSi2N4單層的圖解。當金被用作MoSi2N4的電極材料時，會形成肖特基接觸。另一方面，通過使用鈦電極可以實現高能效的歐姆接觸。 (右圖）在這項工作中研究的MoSi2N4和WSi2N4金屬接觸的"斜率參數"S與其他種類的二維半導體相比是最低的，這表明MoSi2N4和WSi2N4在電子器件應用中具有強大的潛力。 由於量子隧道效應，將矽基電晶體縮得太小將導致高度不可控的設備行為，"領導這項研究的SUTD助理教授Ang Yee Sin說。"人們現在正在尋找超越'矽時代'的新材料，而二維半導體是一種有希望的候選材料。"二維半導體是只有幾個原子厚的材料。由於其納米級的尺寸，在尋求開發緊湊型電子設備的過程中，此類材料是替代矽的有力競爭者。然而，許多目前可用的二維半導體在與金屬接觸時受到高電阻的困擾。 "當你在金屬和半導體之間形成接觸時，往往會出現我們所說的肖特基屏障，"Ang解釋說。"為了迫使電力通過這個屏障，你需要施加一個強大的電壓，這就浪費了電力並產生了廢熱。 這激起了研究小組對歐姆接觸的興趣，這是沒有肖特基屏障的金屬半導體接觸。在他們的研究中，Ang和來自南京大學、新加坡國立大學和浙江大學的合作者表明，最近發現的二維半導體家族，即MoSi2N4和WSi2N4，與金屬鈦、鈧和鎳形成歐姆接觸，這些金屬在半導體設備行業中被廣泛使用。 此外，研究人員還表明，這些新材料不存在費米級釘扎（FLP），這個問題嚴重限制了其他二維半導體的應用潛力。 "FLP是一種發生在許多金屬-半導體接觸中的不利影響，是由接觸界面上的缺陷和復雜的材料相互作用造成的，"Ang說。"這種效應將接觸的電性能'釘'在一個狹窄的范圍內，而不管接觸中使用的是什麼金屬。"由於FLP，工程師們無法調整或調節金屬和半導體之間的肖特基勢壘--減少了半導體設備的設計靈活性。 為了最大限度地減少FLP，工程師們通常採用一些策略，如非常輕柔和緩慢地將金屬置於二維半導體的頂部，在金屬和半導體之間創建一個緩沖層，或使用二維金屬作為與二維半導體的接觸材料。雖然這些方法是可行的，但它們還不實用，而且與使用當今主流工業技術的大規模製造不兼容。 令人驚訝的是，Ang的團隊表明，MoSi2N4和WSi2N4由於有一個惰性的Si-N外層，屏蔽了底層半導體層在接觸界面上的缺陷和材料相互作用，所以自然地受到FLP保護。 由於這種保護，肖特基勢壘是"無釘"的，可以被調整以符合廣泛的應用要求。這種性能的提高有助於使二維半導體成為矽基技術的替代品，像台積電和三星這樣的大公司已經對二維半導體電子產品表示了興趣。 Ang希望他們的工作將鼓勵其他研究人員探測新發現的二維半導體家族的更多成員的有趣特性，甚至是那些具有電子以外的應用。其中一些可能在電子學應用方面非常差，但在自旋電子學、光催化劑或作為太陽能電池的構建塊方面非常好。下一個挑戰是系統地掃描所有這些二維材料，並根據它們的潛在應用對它們進行分類。 來源：cnBeta

作為半導體行業少見的女強人，蘇姿豐博士2014年就任AMD CEO以來，帶領這家半導體巨頭強勢崛起，無論產品技術，還是股價財報，都節節攀高，也被粉絲親切地稱為「蘇媽」。 這幾年，蘇姿豐也是拿獎拿到手軟，在半導體行業不斷得到各種認可，包括全球最佳CEO等等。 現在，蘇姿豐又拿下了IEEE羅伯特·N·諾伊斯獎(Robert N. Noyce Medal)，這可是半導體行業的「諾貝爾獎」，她也是第一次獲此殊榮的女性！ IEEE評價稱，蘇姿豐是半導體行業的先驅人物，以其突破性的技術和商業創新，為半導體行業做出了傑出貢獻。她如此深愛自己的工作，將一家處理器製造商，變成了全球性的巨頭。 IEEE也就是電氣與電子工程師協會，國際性的電子技術與信息科學工程師的協會，全球最大的非營利性專業技術學會。 蘇姿豐本身就是IEEE Fellow，也就是該組織的最高榮譽會員，在學術科技界被認定為權威的榮譽和重要的職業成就。 羅伯特·N·諾伊斯被譽為「三位一體的聖人」，在英雄輩出的矽谷同時獲得財富、威望、成就，被許多人視為「矽谷之父」。 他是麻省理工學院物理學博士，集成電路的共同發明者，半導體工業搖籃仙童(Fairchild)、半導體頂級巨頭英特爾(Intel)，都是他參與聯合成立的， 只可惜英雄早逝，他在1990年6月3日不幸離世——2000年，集成電路的另一位共同發明者傑克基爾比(Jack Kilby)，拿到了諾貝爾獎。 來源：快科技

Yole最新報告稱，在汽車晶片層面，半導體的價值將從2020年的344億美元增長至2026年的785億美元，年復合增長率達14.75%。Yole的市場研究總監Eric Mounier博士指出，由於電氣化的重大轉變，最大的增長來自電動汽車領域。 如今，一輛汽車平均擁有價值450美元的半導體，到2026年，這一數字將達到700美元。汽車技術發展主要由C.A.S.E（車聯網、ADAS、車輛共享、電氣化）驅動。Yole的分析人士預計，與C.A.S.E.相關的電子模塊市場將在2020-2026年呈以下趨勢演變。 圖源：Yole 車聯網方面，2020-2026年，從近330億美元增長至550億美元，年復合增長率為14.55%；ADAS領域將在2026年達到600億美元以上，年復合增長率為6.50%；車輛共享方面，到2026年將達到約30億美元，年復合增長率10.39%；電氣化領域最為可觀，2026年將達到288.04億美元，其年復合增長率達53.45% 總體來看，到2035年C.A.S.E.市場規模將達到3180億美元。 （校對/holly） 來源：cnBeta

英飛凌執行長Reinhard Ploss在周五表示，他預計晶片價格還將大幅上漲，半導體製造商需要支付投資成本以滿足蓬勃發展的需求。Ploss在英飛凌位於奧地利菲拉赫的新功率晶片工廠的開幕儀式上表示，預計晶片價格未來會大幅上漲。 但無論情況好壞，英飛凌都是可靠的合作夥伴，不是誰給的價格更高就會把晶片賣給它，英飛凌會觀察各個行業的前進發展方向，也會觀察整個經濟體的發展情況。市場終究是決定價格最重要的因素，不能夠以不公平的方式來定價。 英飛凌今日宣布其位於奧地利菲拉赫的 300 毫米（12英寸）薄晶圓功率半導體晶片工廠正式啟動運營。新工廠有望為英飛凌帶來每年約 20億歐元的銷售額提升。在擴大產能的第一階段，所產晶片將主要用於滿足汽車行業、數據中心以及太陽能和風能等可再生能源發電領域的需求。 據介紹，這座以「面向未來」為座右銘的晶片工廠，總投資額為 16 億歐元，是歐洲微電子領域同類中最大規模的項目之一，也是現代化程度最高的半導體器件工廠之一。（校對/諾離） 來源：cnBeta

9月17日消息，英飛凌科技股份公司今日宣布，其位於奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體晶片工廠正式啟動運營。這座以「面向未來」為座右銘的晶片工廠，總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領域同類中最大規模的項目之一，也是現代化程度最高的半導體器件工廠之一。 據了解，英飛凌早在2018年就宣布新建一座晶片工廠，用於生產功率半導體器件（高能效晶片）。 英飛凌執行長Reinhard Ploss博士表示：「新工廠是英飛凌發展史上的又一重要里程碑，其啟動運營對於我們的客戶來說也是重大利好消息。由於全球對功率半導體器件的需求不斷增長，當前正是新增產能的最好時機。過去幾個月的市場形勢已經清楚地表明，微電子技術至關重要，幾乎涵蓋了生活的各個領域。隨著數位化和電氣化進程的加快，我們預計未來幾年全球對功率半導體器件的需求將持續增長。新增產能將幫助我們更好地為全球客戶提供長期的優質服務。」 首批產品目前正在出貨 經過三年的准備和建設，新工廠於8月初投產，比原計劃提前了3個月。首批晶圓將在本周完成出貨。在擴大產能的第一階段，所產晶片將主要用於滿足汽車行業、數據中心、以及太陽能和風能等可再生能源發電領域的需求。在公司整體層面，新工廠有望為英飛凌帶來每年約20億歐元的銷售額提升。 從數字上來看，規劃的工業半導體年產能將能夠滿足發電量總和約1500 TWh的太陽能系統之所需，而這約是德國年耗電量的三倍。 新工廠占地面積6萬平方米 新工廠的總占地面積約為6萬平方米，產能將在未來4到5年內逐步提升。工廠運營所需的400名高素質專業人士中，有三分之二已經到崗。 該工廠是世界上最現代化的晶片工廠之一，依靠的是全自動和數位化。作為「學習型工廠」（learning factory）, 人工智慧解決方案將廣泛用於預測性維護。聯網化的工廠將能夠基於大量的數據分析和模擬，提早預知何時需要維護。 據英飛凌科技股份公司管理委員會成員兼營運長Jochen Hanebeck表示：「英飛凌現在有兩座用於生產功率半導體器件的大型300毫米薄晶圓晶片工廠，一座位於德勒斯登，另一座位於菲拉赫。兩座工廠基於相同的標準化生產和數位化理念，使得我們能夠像控制一座工廠一樣，來控制兩座工廠的生產運營，不僅進一步提高了產能，而且能夠為客戶提供更高的靈活性。」 「這是因為，我們能夠在兩座工廠之間迅速調整不同產品的產量，從而更加快速地響應客戶需求。這兩家工廠實質上「合體」成為同一個巨型虛擬工廠，成為英飛凌在300毫米製造領域樹立的新標杆，能夠進一步提高資源和能源使用效率、優化環境足跡。」Jochen Hanebeck提到。（靜靜） 來源：cnBeta

集微網消息，日前知名半導體分析機構IC Insights公布了全球領先的半導體公司第三季度營收增長預測，顯示2021年第三季度的盈利前景對大多數領先的半導體供應商來說都是積極正面的。 ...

滾燙的手機，溫度過高而死機的電腦，這些問題時常困擾著廣大的使用者們，這背後的原因多半要歸咎於晶片過熱。實際上晶片的發熱問題不僅造成了使用上的不便，也給生產者們帶來了巨大的技術成本，並限制了晶片性能的進一步的提升。一顆小小的晶片為何會產生那麼大的熱量？晶片的性能與發熱量有什麼關系？工程師和科學家們又是用什麼方法來解決這一問題？本文就將為你揭曉以上問題的答案。 一，功耗是晶片的夢魘 1965年，英特爾創始人之一的戈登·摩爾提出了經典的摩爾定律， 「每18個月性能提升一倍，價格降低一半」，這條金科玉律就像一座路標，指引著行業發展的方向與節奏。隨之而來的就是更小的電晶體，頻率更高的CPU，集成度更高的數字電路和更低的成本。一代又一代的晶片和電子產品由專用走向普及，並逐漸滲透到了生活和工作的方方面面。 也正是如此，人們打開了數字世界的大門，看到了前所未見的光景。但與此同時，晶片性能的躍升也逐漸遇到了瓶頸…… 以柵極氧化層為例，在採用CMOS數字電路構造的CPU里，它起到關鍵的絕緣作用。柵極氧化層不僅要保證表面平整，不能有缺陷，為了符合半導體工藝標準，它的厚度也有一個理論的上限值。當製程工藝由90nm向65nm過渡時，雖然晶片的集成度得到了提升，但是想要將小於2nm的這層柵極氧化層的厚度繼續降低，卻是十分困難。這一技術難題讓英特爾這樣的晶片巨頭也為之頭疼。 隨著晶片的加工工藝精度進入原子級別，任何缺陷都被會被無限放大，比如在內部結構中僅僅缺少一個原子的厚度，就可能引起非常大的漏電流，這樣的漏電流不僅白白浪費了電能，更是引起晶片嚴重發熱的原因。以早期的英特爾奔騰四CPU為例，有一半的功耗就是由於漏電被浪費了。 如今的CPU的單核速度可達到4GHz，算力的提升也帶來了功耗和發熱量的水漲船高，這時如果還照方抓藥式地採用傳統的風扇降溫，CPU內部的熱量就會迅速攀升甚至將其融化。為了兼顧算力和功耗，工程師則採用了雙核晶片及多核的方法，走多核晶片路線以分擔單顆CPU的工作負荷間從而降低功耗和發熱。除此以外，此後材料的革新，也能夠對功耗和散熱起到了非常大的優化作用。 二，神秘的測試 測試是檢驗真理的唯一標準。就像學生時代的臨考前，老師們千叮嚀萬囑咐的一句話：做完題目別著急交卷，先檢查檢查，在半導體製造過程中更是如此，從晶片的製造到交付出貨期間，晶片測試已成為了不可或缺的環節。 在所有電子元器件的製造工藝里面，存在著去偽存真的需要，為了實現試驗的過程，就需要各種試驗設備，這類設備就是所謂的ATE（Automatic Test Equipment）。 ATE是一種通過計算機控制，進行晶片、電路板和子系統等測試的設備，通過計算機編程取代人工勞動，自動化地完成測試序列。ATE的應用場合涵蓋集成電路整個產業鏈，主要包括了晶片的設計驗證、晶圓製造相關的測試到封裝完成後的成品測試。 ATE市場的發展可以追溯到1960年代，早期的半導體測試設備發展並不完全是由獨立的設備商引導，而是由半導體製造公司主導。仙童半導體（Fairchild）、德州儀器（TI）等製造企業生產ATE都是用於內部使用，而從1980年代起，ATE領域開始進行整合，2011年惠瑞捷（VERIGY）被收購後，形成了以泰瑞達（Teradyne）和愛德萬測試的雙寡頭格局。 回顧ATE的發展史，可以說泰瑞達是「第一個吃螃蟹的人」。早在1960年，兩位麻省理工高材生在波士頓創立了泰瑞達公司。如今，在波士頓總部的展示區域，依舊陳列著世界上第一台ATE設備D133，它是1961年推出的第一台二極體測試機，標志著自動測試設備邁入全新紀元。Teradyne（泰瑞達）的命名頗有意思，名字中的"Tera"取自10的12次方的前綴，"dyne"是力學的單位。如此命名，也意味著這家公司將是一股不容小覷的巨大力量。 從70年代到80年代早期的十年間，集成電路經歷了由小規模到中規模再到大規模和超大規模的變遷。這時計算機控制的測試系統成為主要的測試設備。80年代中期，隨著門陣列器件的成功開發，對於測試方面要求達到了256管腳，速度高於40MHz。進入到90年代，單片處理器單元（MPU）的問世也帶來了高速高管腳數的ATE。隨後多媒體器件的出現使ATE變得更加復雜，需要同時具有數字電路、模擬電路和存儲器電路的測試能力。 近年來，工藝節點不斷提升，晶片製程工藝不斷逼近物理極限，這些也帶來了更高的集成度。隨之而來，整個晶片的功耗方案也要作出相對應的改變。 當下，先進位程晶片具有非常復雜的供電系統，測試成本不斷增加的同時，測試環節對產品良率的監控將會愈發重要，這樣的情況下，ATE該如何測試？ 三，實際測試中的挑戰 應用處理器的測試機里有兩個非常重要的單元，其一是數字晶片測試的數字I/O，數字I/O承擔了相對復雜的工作，可以抓取失效；另一個就是電源，雖然DC電源看起來比較簡單，但在實際的大功率處理器的測試中，電源在起到非常重要的作用，因為它決定了測試質量，最終測試的良率也與電源的實際性能息息相關。 展開來看，應對不同的挑戰，不同測試環節的測試參數和應用場景稍有區別，就需要採取不同的解決方案。 對於復雜的供電問題，利用模塊化的供電策略可以降低多相位復雜供電的困擾。通過靈活地分配測試資源，將電源拆解成一個個小的電源模塊，任意組合成小的單元模塊給不同的電源軌供電，同時還可以利用冗餘的電源模塊來幫助已經預設好的模塊降低供電電源軌的穩壓壓力。 簡單舉例，一個需要30安培的VDD引腳，如果每個通道支持5安培的輸出能力，可以組合6個這樣的單元來供電，同時利用冗餘的通道組合單元與前面的6個單元組合在一起降低供電壓力。 此外，還可以利用軟體編程的方式設定上電次序、軟啟動等，以減少外圍供電電路。 對於大多數應用處理器來說，工作頻率與VDD一般呈現正相關性。在前期的設計驗證中，廠商會嘗試尋找sweet point使得晶片在有限的功耗下表現出更好的性能，在實際的生產測試中，可能會直接地設定一個指定的VDD，看其能否在這個特定的VDD下達到預期的頻率。 然而，在實際的測試中，沒有一款測試機是完美的。實際操作中，晶片會經常性產生誤差，一種方式是嘗試編程稍高於晶片預設值的電壓，由於考慮晶片的誤差及所有的損耗，需要保證晶片引腳上的電壓依然高於預期值。通過這種測試方法，即使儀表波動到最低的電壓情況下，質量好的器件仍然可以pass，從而獲得更高的良率。 另一種方式，直接將測試儀表的輸出編程等於預期值，由於實際上一些測試機並不能達到良好的精準度，在一些情況下略低於輸出，導致這部分的晶片實際測試電壓低於預期值。 這兩種方式會造成不同的負面效果。在第一種的情況下，VDD的預期值需要制定得更高一些，這樣的話實際的電壓會高於預期值，實際測試中的熱損耗也會更大，在測試中就需要低速的向量幫助降溫。 第二種情況下，雖然實際出貨的產品都能夠pass預期值，但是對於一些誤差比較大的機器，會造成額外的良率損失。對於7nm、5nm的先進位程產品來說，良率是極其重要的一個因素，由於先進位程產品尤其是晶圓面積較大時的良率本身非常低，在此基礎上如果又額外損失一部分良率，這對於器件製造成本是難以接受的。 面對種種挑戰，我們該如何測試？測試機應該具備怎樣的特性滿足以上的諸多挑戰需求呢？ 四，不同測試挑戰的對症下藥 「Millivolts Matter」，每一個毫伏的精度都非常重要。越來越低的核心電壓對電源的輸出精度，以及動態響應提出了越來越高的要求。泰瑞達一直把電源儀表的輸出電壓能力作為儀表設計最重要的參數之一，這也是泰瑞達區分於眾多ATE廠商的特徵之一。 在實際測試過程中電源的供電不是完全平坦的，實際的電源功耗與實際工況有很大關系，甚至會導致晶片丟失狀態，從而導致器件失效。這樣的問題既難預測又很難排查。 通過不斷改變輸出的VDD與Scan Shift頻率來查看所有測試向量的輸出結果，當VDD越低頻率越高時，越容易發生失效。在實際的Shmoo測試案例中，泰瑞達的UltraFLEXplus具有更穩定的供電電源，這意味著可獲得更高的邊界良率，使得晶片更加貼近於真實的本徵。這樣一來，在實際產品中，我們對於晶片的實際工況便能夠得到一個更加准確的推斷，知道哪些情況是可以工作的，哪些情況是不能工作。總的來說，更好更穩定電源不僅能夠提升良率，還能夠認識晶片在真正工況下的工作狀態。 目前，很多晶片需要非常大的電流供電能力，輸出一個非常大的電流能力對測試機來說已經不是一個難題了，很多測試機已經能夠輕松供給1000A的輸出能力。然而多工位測試的時候每個晶片的單個電源軌上電都要達到800 -1000A，測試機雖然能夠滿足1000A的靜態供電，它是否能夠滿足0A到1000A的單步上電過程，成為了一個難題。在多工位測試的時候，泰瑞達所提供的解決方案就能夠滿足單步上電的大電源供給。 除了關注電源靜態、動態的部分，在電源的外圍電路設計上，socket、探針卡、loadboard等與電源的性能也是息息相關。 測試儀表的動態響應對直流電源的表現影響非常大，優秀的電源方案可以幫助減少外圍電源電路的復雜度。傳統的ATE解決方案首先需要板卡提供能量供給，大多供給從直流部分到100kHz的頻域范圍，針對低頻、中頻、高頻等其他頻段也需要增加不一樣的外圍電路，致使整體電路比較復雜。 泰瑞達側重於簡化電路設計，通過ATE本身就能提供從低頻到中頻的輸出能力，不需要增加額外的外圍電路，盡可能減少電容數量。在實際操作中，只需加入較少種類的低ESR/ESL陶瓷電容來幫助改變高頻特性，令單個型號就可滿足輸出的動態性能。 這樣的好處在於：1）降低電容值以加速恢復時間；2）電容少意味著充放電時間更快，也就意味著充放電的能量會變少，這樣可以加速測試時間並降低socket被能量損傷的機率；3）降低電容使用種類，在使用單一電容的情況下，可以降低電路發生諧振、慢恢復等的可能性。 另一個比較大的挑戰在於測試單元，大功率的先進位程晶片功率耗散非常大，多數輸出的能量最終都會轉化為熱量。我們在測試時要避免晶片無限制地升溫導致晶片「被燒壞」，而是希望在測試參數的時候做到可重復、可重現，使晶片維持在穩定的情況下測試，保證所有收取數據的一致性。最直接的辦法可採用在測試單元的時候使用ATC（Automatic Temperature Control），常見的辦法有三種：方案一）DUT Power Monitor；方案二）Die Temperature Monitor；方案三）Package Temperature Monitor。 三種方式各有利弊，在時間上的效益也不同（如上圖），泰瑞達更加傾向於使用方案一，其優點在於可以更早預判晶片接下來可能發生的狀態並提前介入；其次，泰瑞達測試機原身也能夠支持這種方式，輸出每一個DPS當下負載的百分比以及輸出電壓的大小。 在很多實際量產的案例中，泰瑞達已經使用了這種監控方式，對比方案二、三可以更早預知晶片的實際工況。 晶片功率不斷加大的情況下電路變得更加復雜，我們希望在測試的過程中所有的socket、探針卡、loadboard等都能得到比較好的監控，保證在短路、接觸不良等異常情況發生時不會因此而損壞測試部件。 為避免這種情況發生，泰瑞達在設計大部分測試板卡的過程中會添加實時的報警機制，一旦任何異常發生，能夠在不影響其他設備生產和中斷生產的情況下，通過測試機作出實時警告，提前篩查避免異常情況的出現，減少測試漏測、質量事故等情況的發生。 總結 半導體測試就是通過測量半導體的輸出響應、預期輸出、並進行比較以確定或評估集成電路功能和性能的過程，貫穿設計、製造、封裝、應用全過程。隨著半導體製造工藝要求的提升，測試環節在半導體製造過程中的地位隨之不斷提升。 半導體測試機的技術核心在於功能集成、精度與速度、降低成本與可擴展性。在泰瑞達看來，測試解決方案要有足夠好的靜態精度及穩壓能力，同時在邊界情況下獲得更好的魯棒性來幫助降低失效的機率；盡可能簡化外圍電路的設計，降低運營方面的損失，側面降低測試成本；最後加入警報機制來提前預判，避免發生異常情況。 來源：cnBeta

美國半導體行業協會（SIA）的數據顯示，今年7月，全球半導體行業銷售額達到454億美元，創下月度紀錄，同比增長29%，環比增長2.1%。從今年2月開始，全球半導體行業銷售額每月都在增加。SIA稱，從地區來看，半導體行業銷售額同比增長最快的是歐洲地區，其次是亞太地區/所有其他地區、中國、美洲和日本。 ...

9月6日，第一財經記者從比亞迪半導體股份有限公司（下稱「比亞迪半導體」）方面獲悉，此前意外中止的比亞迪半導體上市進程又啟動了，由於北京市天元律師事務所已出具復核報告，深交所恢復了比亞迪半導體的發行上市審核。 ...

汽車晶片巨頭瑞薩電子CEO柴田英利(Hidetoshi Shibata)在接受采訪時稱，新冠肺炎疫情的反復將成為「常態」，全球半導體行業需要調整運營和供應鏈來應對這一局面。柴田英利表示，疫情的暴發還對公司斥資49億歐元收購戴樂格半導體(Dialog Semiconductor)的交易構成了挑戰。 ...

提到半導體行業，業界都對產能緊張、晶片漲價的問題一籌莫展，越是緊張，下游用戶就越是急著下單搶購晶片。做為全球最重要的晶片供應商之一，博通公司日前突然承認他們在Q2季度中故意限制了晶片出貨量。 與其他半導體晶片廠商因為缺貨、漲價等原因而業績大漲不同，博通公司Q2季度營收只增長了16%，而CEO Hock Tan解釋說這個結果是他們故意為之的，因為他們限制了晶片出貨量。 Hock Tan表示，博通本來可以給大家展示更好看的（營收增長）數字，但這意味著我們在錯誤的地方建立了錯誤的庫存，現在博通需要用紀律控制供應，讓晶片專注於真正有需要的地方。 博通CEO的話有些繞，簡單來說就是Hock Tan認為在當前晶片缺貨、漲價的情況下，博通如果不加限制地滿足客戶需求，他們想買多少就給多少，這樣做雖然會讓業績數字好看，但對晶片市場是有傷害的，如果給某些客戶出售了過多的晶片，那以後的需求就會崩潰。 在當前的環境下，不得不說博通CEO Hock Tan的精明，不為眼前利益所動，更關注半導體市場長期需求。 來源：快科技

8月26日，據路透社報導，馬來西亞的晶片廠在新冠病例激增導致生產中斷後，全球晶片供不應求的情況加劇，而此時的汽車公司、手機廠商以及醫療設備製造商等卻正處於提高產量的關鍵時期。 即便形勢如此嚴峻，馬來西亞半導體行業協會主席 Wong Siew Hai 仍然告訴路透社，隨著越來越多的馬來西亞工人接種疫苗後返回工廠，以及政府放寬對關鍵行業的防疫限制，半導體產能短缺可能會在年底前開始緩解。 「根據我看到的數據預測，情況應該會有所改善，只不過目前我們仍然無法滿足需求。」Wong 表示，「因為需求沒有出現放緩的跡象，而且自去年年底以來訂單一直在堆積。」 馬來西亞的半導體工廠主要為歐洲的意法半導體和英飛凌等半導體製造商以及豐田汽車公司和福特汽車公司等主要汽車製造商提供服務。 馬來西亞占全球晶片組裝測試和封裝的 13%，全球 7% 的半導體貿易都需要通過馬來西亞當地工廠進行一些附加製造或在發貨前與其他零件結合。 幾家汽車製造商和半導體公司本月表示，東南亞國家因新冠導致生產中斷正在打擊他們的供應鏈。 馬來西亞在 6 月份實施了嚴格的全國封鎖，最初關幾乎所有行業都停止營業，隨後放寬了對一些關鍵行業的限制。如果所有員工都接種了疫苗，恢復區的工廠現在可以帶回80% 的勞動力並滿負荷運轉。 「我們在 6 月和 7 月初的限制現在開始放寬，並且正在釋放更多產能，因為我們被允許以更高的百分比水平運營，」Wong 說。 他還指出，很難量化封鎖對該行業的影響，但銷售損失很容易達到數十億馬來西亞林吉特。1林吉特價值約 25 美分。 去年，馬來西亞的電器和電子產品出口額為 920 億美元，占馬來西亞總出口額的 39.4%。 福特本月曾因馬來西亞的生產中斷為由宣布將暫時關閉一家卡車工廠，英飛凌表示將因工廠關閉而受到打擊。豐田和日產也宣布了汽車產量調整。 Wong表示，去年許多汽車製造商縮減了晶片訂單，預計需求將下降，因此馬來西亞晶片製造商將產能轉移到電子行業的其他領域。 「到了 1...

近期，被譽為全球「半導體封測重鎮」的馬來西亞疫情反彈，全球晶片巨頭、意法半導體位於馬來西亞的一個工廠出現集體感染，工廠生產多次被迫中斷，由此導致的晶片供應短缺問題已經傳導至汽車行業。 ...

在一項有助於量子計算的研究中，研究人員表明嵌入納米點的超晶格可能不會向環境中耗散能量。世界各地的科學家們正在為量子計算機開發新的硬體，這種新型設備可以加速藥物設計、金融建模和天氣預測。這些計算機依賴於量子比特（qubits），即可以同時代表 1 和 0 的某種組合的物質比特。 問題是，量子比特是變化無常的，當與周圍物質相互作用時，會退化成普通比特。但麻省理工學院的新研究提出了一種保護其狀態的方法，使用一種叫做多體定位（MBL）的現象。 MBL 是幾十年前提出的物質的一個特殊階段，它與固體或液體不同。通常情況下，物質會與它的環境達到熱平衡。這就是為什麼湯會冷卻，冰塊會融化。但在 MBL 中，由許多強相互作用的物體組成，如原子，永遠不會達到這種平衡。 熱，像聲音一樣，由集體的原子振動組成，可以以波的形式傳播；一個物體內部總是有這樣的熱波。但是當它的原子排列方式有足夠的無序和足夠的相互作用時，這些波就會被困住，從而使物體無法達到平衡。 MBL已經在"光學晶格"中得到了證明，即在非常低的溫度下用雷射固定的原子排列。但這種設置是不切實際的。MBL也可以說是在固體系統中展示的，但只是在非常緩慢的時間動態中，在這種情況下，相的存在很難被證明，因為如果研究人員能夠等待足夠長的時間，就可能達到平衡。麻省理工學院的研究在一個由半導體構成的「solid-state」系統中發現了 MLB 的跡象，該系統在被觀察的時間內就會達到平衡狀態。 雖然沒有參與到本項工作中，但是科羅拉多大學博爾德分校的物理學家 Rahul Nandkishore 說：「這可能為量子動力學的研究開啟一個新的篇章」。 麻省理工學院Norman C Rasmussen核科學與工程助理教授Mingda Li領導了這項新研究，發表在最近一期的《納米通訊》上。研究人員建立了一個包含交替半導體層的系統，創造了一個微觀的千層餅--砷化鋁，然後是砷化鎵，以此類推，共有600層，每層厚度為 3 納米（百萬分之一毫米）厚。 在這些層之間，他們分散了"納米點"，即 2 納米的砷化鉺顆粒，以創造 disorder。千層餅或"超晶格"有三種配方：一種沒有納米點，一種是納米點覆蓋每層面積的8%，還有一種是納米點覆蓋25%。 為了測量這些無序系統是否仍然保持平衡，研究人員用X射線對其進行了測量。利用阿貢國家實驗室的高級光子源，他們以超過2萬電子伏特的能量射出輻射束，並以小於千分之一電子伏特的能量解析度來解決傳入的X射線和其從樣品表面反射後的能量差異。為了避免穿透超晶格並擊中底層基質，他們以與平行線僅半度的角度進行拍攝。 來源：cnBeta

如果你最近想入手列印機，把今天的價格和剛過去兩個月的618電商購物節一比較，你會發現列印機的價格普遍性的有所上漲，而且不分品牌型號，普遍性的上漲。 是這個行業正在走向新一步的繁榮嗎？筆者認為可能這個行業正在迎來冬天。 雙減當頭棒喝 在大約十多年前，列印設備企業第一次開發出來一個全新的概念：學生列印機，從此一發不可收拾，以至於無論噴墨雷射。 只要適合家庭使用的，都可以套用學生列印機這個概念，甚至還進行了年齡分層，小學生用噴墨列印機，中學生用雷射列印機。 但這是有個大前提的，那就是列印機提供了一種便利：給孩子列印作業。 筆者年歲略大，但我小時候物質匱乏，都不說列印機，整個城市恐怕都找不到多少台台復印機。 但今天條件更好了，尤其是城鎮居民，幾百元或是千元左右的列印機成為老師、家長都省事的、幫助孩子寫作業的利器。 設置於最近幾年，還開發出來微信列印功能，家長即使遠在外地，一樣可以把家長群里老師布置的作業用手機列印出來。 今年5月21日，可以說是課外教育領域的超級標志實踐，中央深改委第十九次會議部署，切實減輕義務教育階段學生作業負擔和校外培訓負擔，積極構建良好教育生態，促進學生健康成長。 這也就是說，義務教育階段，孩子基本將不再進行需要課外進行的家庭作業，家庭列印這個核心需求被中央的政策掐斷了。 那麼家長把列印機買回去干什麼？如果不是老師要求的作業，超過99%的家長顯然是沒有能力自己編寫作業題的，只能是購買成品課外輔導書，親自上陣輔導孩子，這也就沒有了列印輸出的需求。 可以說雙減是義務教育階段列印需求的殺手鐧，從源頭進行了斬斷。 當然，高中階段不是義務教育，可以說這個階段對列印設備的需求還是極度需要的，因為高考的基礎是熟練度，多做題沒壞處，列印機買了不浪費。 半導體缺貨導致出貨增加？ 上個月筆者已經寫過文章，半導體缺貨正在所有行業蔓延，除了汽車，辦公設備同樣缺貨，尤其是AKM的影響非常大。但這其實反而會短期導致廠商這里出貨量增加，這是為什麼呢？ 因為經銷商更怕缺貨漲價，所以一定會按照以往的銷售情況，把正常的采購周期打亂，提前采購，這會導致廠商這里短期的出貨量增加。 但半導體缺貨是全球大勢，作為商家必然惜售，而不是進了多少貨用薄利換市場，所以這就導致了我們開頭所說的情況：你發現所有的列印機都漲價了。 雙減是持續性的政策。這對中國消費級的列印機影響會非常大，如果沒了學生群體，現在應該是找不出一個新的、有大量需求的群體，對列印有這麼大的需求，這是所有列印企業共同面臨的問題。 需要全行業來找辦法、想對策，現在很多企業化被動為主動，通過微信小程序等方式，主動提供課外輔導的習題供用戶列印，或許是個出路，這對於沒有條件一對一的家庭來說，能在課外加強鞏固孩子學習，或許很關鍵。 來源：快科技

相比GPU這類晶片供應短缺的苦不言堪，在今年剛過去的Q2季度，市場對SSD和記憶體需求依然有很強的需求量，加上產能相對足夠，這幫助到主營NAND以及DRAM這兩類業務的半導體公司保持營收增長，三星電子便藉此爬上了半導體市場第一位置。 在IC Insight最新的The McClean Report中，三星電子在Q2季度的半導體業務總營收202.9億美元，環比增長了19%，這是自2018年Q3季度之後，三星時隔近三年，再度重回半導體市場第一位置，韓國這家電子巨頭在該季有192.6億美元是集成電路業務的貢獻，而只有10.3億美元是傳感器、光電原件這些其它IC零件的收入。 至於長期占據首位的Intel，在這個Q2環比只增長了3%，總營收在193億美元，而三星得以超越Intel，主要在於過去一個季度市場對於NAND和DRAM需求的大幅增長，Intel在這兩部分的份額都不多和不生產，更有意思的是，在2018年三星登頂半導體市場時，靠的也是NAND和DRAM在當時供不應求的出貨量。 不過Intel在邏輯類半導體部分仍然是穩坐第一，而排在這兩家半導體巨頭之後的，TSMC在第三位，主營晶片代工的他們在今年晶片產能短缺的形勢下，仍有3%環比增長，達到133.1億美元，再後面的第三位則是Sk Hynix，他們同樣是藉助NAND需求增長，獲得了21%環比增長，當季達到92.1億美元的營收。 ...

隨著晶片製程工藝縮進難度的日漸提升，想要實現集成電路組件數量每兩年翻一番的目標，似乎已經遇到了瓶頸。然而洛克菲勒大學的一支研究團隊，剛剛對影響半導體行業數十年的「摩爾定律」有了新的認識。在《PLOS One》期刊上的一篇文章中，其揭示了一種更微妙的「歷史波動」模式 —— 即矽晶片電晶體密度的上升，使計算機和其它高科技設備變得更快、更強大。 （來自：PLOS One） 事實上，自 1959 年以來，半導體行業已經歷六次這樣的改進浪潮，且每次持續大約 6 個年頭。 洛克菲勒大學研究團隊在《通過英特爾晶片密度重新審視摩爾定律》一文中指出：在每一輪周期中，晶片的電晶體密度都至少增加了 10 倍。 SCI Tech Daily 指出，該論文建立在將早期 DRAM 晶片作為研究技術進化模式的研究基礎之上、但排除了 1959 年開始在仙童和英特爾處理器上不斷變化的晶片尺寸等因素，從而描繪出了一條更加簡潔直觀的波形弧線。 研究配圖 - 1：時間相關邏輯模型 / 半對數變換曲線 研究作者、紐約洛克菲勒大學人類環境項目（PHE）成員的 Jesse...

8月13日消息，據媒體報導，今年年初始於汽車領域的全球性半導體供應緊張，還擴展到了消費電子產品等諸多領域，相關產品的生產及銷售，受到了影響。 在多領域半導體零部件供應緊張的情況下，半導體領域也迎來了新一輪的繁榮，無晶圓廠商、晶圓代工商和後端廠商的業績普遍強勁，晶圓代工商的產能普遍緊張，多家代工商的工廠滿負荷運營，代工商也多次上調代工價格。 研究機構此前曾預計，在持續了近半年之後，汽車半導體供應在三季度會有改善，但短缺仍將持續。 但從機構的追蹤研究來看，半導體供應緊張的狀況，在三季度並未有緩解。機構的數據顯示，7月份全球晶片的交付周期，也就是從下單到最終交付的時間，達到了20.2周，較6月份延長了8天，是相關機構自2017年開始追蹤晶片交付周期以來的最長交付周期。 7月份的交付周期還沒有好轉，也就意味著半導體短缺還將持續一段時間，相關廠商的繁榮也還將持續一段時間。 而英文媒體在報導中表示，無晶圓廠商、晶圓代工商和後端廠商發現當前的供應，無法滿足客戶的需求，供應緊張的狀況預計將持續到2022年。 來源：cnBeta