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美光推出232層3D TLC NAND快閃記憶體:初始容量1Tb,2022年末量產

美光宣布,將推出業界首款232層的3D TLC NAND快閃記憶體。目前美光已准備在在2022年年末開始生產新款232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片,並計劃將其用在包括固態硬碟在內的各種產品上。 據TomsHardware報導,美光的232層3D NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構,使用NAND的字符串堆疊技術,初始容量為1Tb(128GB)。CuA架構疊加新技術可以大大減小1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸,這有助於降低成本,使得美光可以更積極地為搭載這些晶片的產品定價,或者提高產品的利潤。 美光的科技和產品執行副總裁Scott DeBoer表示,正在和第三方主控晶片的開發人員密切合作,不但提供對232層3D NAND快閃記憶體晶片的支持,而且能確保對主控晶片與快閃記憶體晶片之間的優化,這一直是美光垂直產品整合的重要組成部分,以便搭建圍繞數據中心和客戶端固態硬碟產品。 美光暫時還沒有公布232層3D NAND快閃記憶體晶片的具體參數,不過似乎會比現有的3D NAND快閃記憶體性能要更好一些,以適應下一代支持PCIe 5.0固態硬碟的需求。美光還表示,新款晶片的能耗也更低一些,這可能與其注重移動領域的應用有關。 由於量產時間是在2022年年末,預計搭載232層3D NAND快閃記憶體晶片的產品將會在2023年出現。 ...

美光業界首發232層3D NAND快閃記憶體 計劃明年投產

近日,美光公司發布了業界首個具有232層的3D NAND快閃記憶體,並宣布該技術將會投入包括SSD在內的多種產品。 據悉,這種232層的3D NAND快閃記憶體採用3D TLC架構,原始容量為1Tb(128GB);晶片基於美光的CuA架構,並使用NAND的字符串堆疊技術。 CuA架構的設計,配合232層的高堆疊,有效減少了1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸,有望降低產品的生產成本,提升競爭力。 美光目前並未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數量,但從透露的信息來看,新的內存應該會提供更高的性能,這對採用PCIe 5.0接口的下一代SSD來說,無疑是一個好消息。 在具體的產品層面上,美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer稱,公司目前已經與第三方NAND控制器開發者達成合作,從而實現對新型內存的支持。 此外,美光表示,預計將在2022年底開始生產232層3D TLC NAND快閃記憶體,按此計劃,採用這種新技術的SSD應該會在明年與用戶見面。 來源:快科技

RTX 3090Ti已提前用上:美光宣布單顆粒2GB GDDR6X顯存投入量產

美光今天宣布,將量產其新型16Gb(2GB)容量的GDDR6X顯存,這款顯存目前已經在NVIDIA的RTX 3090Ti中得到了使用。 美光表示,新款GDDR6X顯存的容量是之前8Gb版本的兩倍,並提升了15%的性能,能夠更好的應對遊戲或內容創建等密集型應用程式,提供更出色的性能與幀速率。 此外,為了解決帶寬的瓶頸,美光在高頻GDDR6X顯存上採用了PAM4信號傳輸速度,實現了1TB/的系統帶寬支持。 值得一提的是,從官方的路線圖來看,美光還計劃推出高達24Gbps的GDDR6X顯存規格,為後續需要更大數據帶寬的應用做好准備,但並未公布具體發布時間。 據悉,RTX 3090Ti採用的顯存為美光的24GB 21Gbps GDDR6X,由於新的顯存容量達到了2GB,使得它只需12顆即可實現24GB,而不是老款RTX 3090的24顆。 來源:快科技

美光宣布16Gb的GDDR6X進入量產階段,未來將推出速率為24Gbps的模塊

美光宣布,將量產新型16Gb的GDDR6X,目前已用於英偉達最新的GeForce RTX 3090 Ti,速率為21 Gbps,容量為24GB。新款GDDR6X的容量在之前8Gb基礎上翻倍,性能提高了15%,這意味著用戶可以在遊戲和內容創建等內存密集型應用程式中有更好的體驗。 美光表示,在GDDR6X中對PAM4信號傳輸技術方面的創新使其比其他GDDR6產品更加節能。21 Gbps並不是目前16Gb GDDR6X的終點,美光計劃下一步將推出速率為24 Gbps的GDDR6X模塊,為未來需要海量數據處理的應用程式做好了准備。 24 Gbps GDDR6X解決方案預期帶寬: 512位解決方案 - 1.5 TB/s 384位解決方案 - 1.1 TB/s 320位解決方案 - 960 GB/s 256位解決方案 - 768 GB/s 192位解決方案 - 576...
SK海力士 為了環保 請扔掉機械盤 使用SSD硬盤

性能不行 美光看衰HDD機械硬碟:未來會淪為磁帶一樣

目前消費級及企業級市場上存儲數據主要是HDD硬碟及SSD硬碟,這兩種硬碟的優缺點分明,SSD硬碟憑借更強的性能不斷搶占HDD硬碟市場,美光高管也看衰HDD硬碟的未來,認為它們會淪落為磁帶一樣的境地。 美光企業副總裁兼存儲產品事業部總經理Jeremy Werner日前撰文分析了SSD及HDD硬碟的發展趨勢,提到SSD在功耗、空間、輔助硬體整合、可靠性和相對使用壽命等方面能帶來成本節約已被廣泛接受,而隨著高性能存儲市場的不斷擴展,這一趨勢將繼續在2022年加速發展。 至於HDD硬碟,Jeremy Werner認為機械硬碟難以達到目前的性能基準水平,也很難像SSD那樣隨著容量的增加而升級性能,因此在未來十年中,SSD基本上會使機械硬碟淪落至如今磁帶一般的境地,僅用於諸如存檔之類的低性能場景。 美光表示,隨著高性能的NVMe共享存儲在雲端和可組合基礎設施中變得越來越普遍,我們將看到對大容量和低成本SSD的需求在不斷增加——在很多情況下用來取代共享機械硬碟,因為對比機械硬碟,部署快閃記憶體能帶來更低的總體擁有成本。 來源:快科技
不是網卡也不是芯片組 傳聯發科7nm芯片首次打入AMD

美光宣布使用AMD Zen3處理器設計晶片:EDA性能大漲30%

AMD的伺服器領域又獲得了一個盟友,這次是美光,該公司宣布將使用AMD的Zen3架構第三代EPYC處理器升級自家的晶片設計平台,EDA性能大漲30%,同時還降低了成本。 美光是全球第三大內存晶片、第五大快閃記憶體晶片公司,晶片研發過程中需要大量的EDA電子輔助設計,因此對伺服器平台的算力要求也很高。 美光現在選擇了AMD的第三代EPYC處理器,也就是7nm Zen3架構的Milan系列處理器,根據美光的測試,升級處理器之後其EDA平台的性能提升了30%,大大提升了生產效率,同時前期及後期成本也更低。 不僅如此,美光還在測試AMD剛剛上市的Milan-X系列EPYC處理器,也就是3D V-Cache版Zen3,在原有基礎上增加了額外的768MB緩存。 根據美光的測試,使用Milan-X系列處理器,EDA性能更是可以提升40%。 來源:快科技

美光CEO表示晶片供應在不斷改善中,但部分短缺會持續到2023年

近期美光執行長Sanjay Mehrotra接受了Fox Business的采訪,期間談及了晶片短缺問題,以及他對行業當前情況的看法。 Sanjay Mehrotra認為,隨著半導體業進入2022年,晶片短缺在某些方面將不斷改善,不過也有某些部分會繼續出現短缺情況,而且會一直持續到2023年,同時美光將繼續進行必要的投資,已滿足客戶不斷增長的需求。事實上,Sanjay Mehrotra在去年年末的時候曾表示,由於電源管理IC(PMIC)和電壓調節模塊(VRM)供應短缺,影響了DDR5內存的出貨,預計將持續到2022年下半年才會緩解。 Sanjay Mehrotra指出,亞洲國家在過去的幾年裡,都在扶持自己的半導體和晶片產業。此外,汽車行業對晶片產業的影響非常大,占據了重要的位置。隨著汽車越來越智能化,變得像「裝上輪子的數據中心」,上面需要更多的內存和存儲空間。 在關於新冠疫情擴散對半導體行業帶來的影響上,Sanjay Mehrotra與AMD執行長蘇姿豐博士以及英偉達CEO黃仁勛先生的看法是一致的,表示新冠疫情推動了從數據中心到PC再到智慧型手機的需求。當越來越多的人需要在家遠程工作時,會讓美光在相當長的一段時間內投資於先進技術,並盡快進入大批量生產階段,以滿足市場不斷增長的需求。 Sanjay Mehrotra曾在去年10月份與Fox Business交流過,當時他表示,美光將在未來十年內投資超過1500億美元,用於內存製造和研發(R&D),包括提高晶圓廠的產能。 ...

記憶體、SSD硬碟還要漲價?美光CEO表態晶片缺貨持續到明年

全球晶片缺貨已經持續一年多了,本來業界預期2022下半年就能得到緩解,實現供需平衡,不過美光CEO日前表示今年還無法解決所有問題,晶片缺貨要持續到2023年。 美光CEO Sanjay Mehrotra對晶片供應短缺的情況一直不太樂觀,上個月還表示緊缺情況的改善幅度不如預期,現在更是進一步表態,雖然部分晶片供應持續改善,但是有些領域的吃緊情況將持續到2023年。 Sanjay Mehrotra表示,相對其他晶片,存儲晶片是比較長線的晶片,如果其他晶片供應不足,也會影響客戶對晶片的拉貨情況。 從美光CEO的表態來看,他認為存儲晶片的供應短缺比其他晶片更難改善,這個內存及快閃記憶體市場的走向增添了陰影,最近因為西數東芝快閃記憶體工廠事故等原因,內存及快閃記憶體、SSD有止跌反彈的趨勢。 來源:快科技

三星、SK海力士、美光因DRAM定價被起訴,法官裁定證據不足

去年5月3日,美國律師事務所Hagens Berman向美國加州北部聯邦地區法院提起消費者集體訴訟,指控三星、SK海力士和美光因共同操縱DRAM市場,影響DRAM的定價行情,以此獲得可觀的利潤。Hagens Berman表示這些DRAM製造商自2016年以來,通過減產控制DRAM產量的行為非常相似。 這周美國聯邦第九巡迴上訴法院裁定,針對DRAM晶片製造三巨頭的指控缺乏足夠可信的證據,因此駁回了起訴。原告提出了多項「證據」,以證明被告的商業行為是事先約定的。不過法院考慮了各項因素,認為更多的是作為一個整體考慮,認為這些指控並不構成原告的主張,需要通過「進一步強化事實」來予以支持。 法院在法庭案件分析里提到,被告的行為「更有可能通過行業中的合法、未經設計的自由市場行為來解釋」,而不是通過非法協議。簡單來說,就是三星、SK海力士和美光相似的行為,原因在於理性地分析市場後做出了較為一致的決定。這意味著三星、SK海力士和美光躲過了這一次反壟斷案,若再次提起,則需要更多額外、過往不曾看見的證據。 三星和SK海力士過去曾因涉嫌操縱價格,被美國司法部罰以巨款。三星在2005年,因涉及限定DRAM價格和妨礙公平競爭的行為被罰3億美元。SK海力士也因類似的行為在同一年被指控,最後認罪並支付了1.85億美元的罰款。 ...

存儲晶片漲價潮剎不住了 美光西數全線上漲 巨頭紛紛跟進

存儲晶片漲價潮大有愈演愈烈的態勢。 綜合各方消息來看,多項存儲晶片都已經/即將漲價,包括DRAM及非易失性存儲晶片NAND快閃記憶體、EEPROM。 NAND快閃記憶體方面,漲價潮源頭在於西部數據與鎧俠合資廠污染事件。 美光、西部數據兩家存儲龍頭已雙雙宣布,全線漲價;群聯也表示將跟進漲價。值得注意的是,美光並未受污染事件波及,但公司卻是目前已知價格漲幅最高的廠商。業界人士認為,由於合約價是每月商議,美光本次漲價幾乎是實時生效,預計本月初就將全面反映。 本輪漲價潮中,NAND快閃記憶體各型號均已提價。其中,64Gb 8Gx8 MLC快閃記憶體合約漲幅最大,且價格已創下三年來新高。 還有業內人士對集微網表示,短期來看,新一輪漲價潮才剛剛開始,持續時間至少三個月。 EEPROM方面,A股廠商也在近日證實了漲價消息。 本周聚辰股份、普冉股份雙雙公布調研紀要,拜訪機構均超過百家,且調研日期均為業績快報公布後的次交易日。 其中,聚辰股份去年扣非淨利潤同比增長超40%,增長主因之一為「適當調整產品價格體系」;普冉股份已從今年1月起,調漲攝像頭模組系列EEPROM產品價格,同時對EEPROM價格保持謹慎偏樂觀的態度。 DRAM價格也在「蠢蠢欲動」。 據集邦科技及模組廠報價顯示,2月利基型DRAM合約價環比上漲2%-5%,其中,關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒、x16規模2Gb DDR3顆粒合約價均創下近5個月來新高。台灣工商時報指出,由於供給吃緊,利基型DRAM合約價漲勢有望延續到下半年。 值得注意的是,今早半導體板塊震盪走強,其中兆易創新、北京君正等多隻存儲晶片個股盤中漲幅超過5%。 車規級應用成共同拓展方向 隨著價格一同攀升的,還有汽車智能化、電動化帶來的存儲需求。 A股汽車存儲龍頭北京君正預計去年實現歸母淨利潤8.08-9.84億元,同比增長1004%-1245%;Q4單季度實現歸母淨利潤1.7-3.5億元,環比增長-38.4%-24.6%,同比增長240.3%-587.5%。業績增長的一大驅動力便是汽車終端需求拉動存儲晶片放量,汽車電子領域收入持續增長。 另外,多家企業已展開相應布局。 東芯股份日前接受機構調研時透露,在車規級產品方面,公司在NAND、NOR、LPDDR產品上均有布局。車規的驗證過程比較長,從產品端已經開始做嘗試。另外,公司也在推進與車規平台企業及車規電子集成商合作,建立了定期工作機制。目前車規類產品順利推進。目前已可為客戶提供車規NAND和NOR樣品。 聚辰股份部分A1級的汽車級EEPROM產品已於去年Q4末通過AEC-Q100可靠性標准認證。 普冉股份去年年底以來,多個「容量符合車載標準的EEPROM產品」已開始向知名客戶送樣。 來源:快科技

美光宣布送樣176層NAND快閃記憶體的數據中心SSD,將於4月發售

大約半年前美光宣布推出兩款採用業界首款176層3D TLC NAND快閃記憶體晶片的新款SSD,分別是2450系列和3400系列,均支持PCI-E 4.0,分別面向主流PC市場和高性能應用的消費級市場,其中美光3400現在經常在高性能筆記本電腦上看到了。隨著對於176層NAND快閃記憶體技術的愈加熟練,他們已經打算將其推廣到數據中心業務了。 今天(2022年3月4日)在上海,美光宣布送樣全球首款基於176層垂直集成NAND技術的數據中心固態硬碟(SSD)——美光7450 NVMe SSD。據稱美光7450 SSD可實現2毫秒或更低的服務質量(QoS)延遲,提供豐富的存儲容量和外形規格,以滿足數據中心工作負載的嚴苛要求。 據了解這款全新數據中心SSD採用了美光NAND技術來實現具備超高效率的設計,包括176層存儲單元以及CMOS陣列下(CMOS-under-the-array)技術。7450 SSD集成了美光自有DRAM、內部開發的SoC系統級晶片和相關固件,並支持更強的設備安全功能。 美光7450 SSD提供從400GB到15.36TB的容量范圍,其中包括一款領先業界的8TB緊湊型E1.S規格。此外,該款數據中心SSD還提供廣泛的外形規格選項,包括U.3、M.2和E1.S三種規格可滿足不同的空間、功耗和散熱需求。其中業界唯一的U.3規格PCIe 4.0 SSD提供15mm和7mm兩種厚度,可供需要2.5英NVMe硬碟的平台靈活選用。 大幅降低延遲是美光7450 SSD的最大亮點,據稱美光7450 SSD在普通、混合、隨機工作負載下,將通過2毫秒或更低的延遲,實現高達99.9999%的QoS,從而提升多種資料庫的性能。 據悉,美光7450 SSD將於4月開始通過代理商向客戶發售。 ...

美光發布世界最強176層SSD:最大15.36TB

美光今天宣布,已經試產全新的7450系列SSD。這是全球首個基於176層垂直堆疊NAND快閃記憶體的數據中心SSD,也是迄今最強悍的176層產品。 早在2020年11月,美光就全球首發了176層TLC快閃記憶體,創造堆疊新紀錄,此後陸續基於此發布了多款產品,包括3400/2450系列,旗下品牌英睿達的P5 Plus系列等。 最近,美光又量產了176層QLC快閃記憶體,並發布了2400系列SSD。 以上產品都是面向消費級市場,最新的美光7450系列則針對伺服器、數據中心,使用的是TLC快閃記憶體,平均故障間隔時間200萬小時,五年質保。 它細分為7450 PRO、7450 MAX兩個子系列,並提供多種形態,包括U.3 15/7mm、E1.S 25/15/5.9mm、M.2 2280/22110。 7450 PRO系列面向讀取密集型應用,支持每天1次全盤寫入,容量方面U.3 960GB-15.36TB、E1.S 960GB-7.68TB、M.2 480GB-3.84TB,性能也各有不同,持續讀寫最高6.8GB/、5.3GB/,隨機讀寫最高100萬IOPS、21.5萬IOPS。 7450 MAX錫類面向混合讀寫應用,支持每天3次全盤寫入,容量方面U.3 800GB-12.8TB、E1.s 800-6.4TB、M.2 400-3.2TB(冗餘空間更多),性能最高持續讀寫也是6.8GB/、5.3GB/,隨機讀寫則是100萬IOPS、41萬IOPS。 技術方面,支持PCIe 4.0、NVMe 1.4、掉電保護、數據路徑保護、128命名空間、TYAA安全標准、SED加密、TCG Opal 2.01、IEEE1667、FIPS 140-3 Level 2等等。 最特別的是,它可以在99.9999% QoS下提供2ms的超低延遲,能夠很好地滿足SQL Server、Oracle、MySQL、RocksDB、Cassandra、Aerospike等應用環境的需求。 價格自然是沒有的。 來源:快科技

美光將結束Ballistix/鉑勝品牌記憶體,未來將專注於Crucial/英睿達產品

美光作為全球重要的內存和快閃記憶體晶片的研發、生產公司,同樣擁有自己的內存和SSD品牌,名為Crucial,也就是英睿達。曾經在該品牌下面還有個子品牌名叫Ballistix,中文名是鉑勝。不過在數年前,美光將Ballistix品牌獨立,不再從屬於英睿達,而是平行發展,專注於超頻和高性能遊戲內存。 據PCPer報導,美光將結束Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售,不過沒有透露具體的原因。此前已有不少英睿達品牌的DDR5內存發售,但至今沒有Ballistix/鉑勝品牌的同類產品,顯然這會是永久性措施。美光表示,未來會專注於客戶端好伺服器產品使用的DDR5內存,同時擴大英睿達品牌的內存和存儲產品系列。 看來美光已經決定,再次改變消費級的銷售策略,將重點放在英睿達品牌上。美光是為數不多在消費市場提供高端內存的內存晶片生產商,競爭對手三星和SK海力士都沒有進入這個市場,對於高端PC玩家而言,又少了一個選擇。英睿達的產品大多都遵循JEDEC的標准,並不那麼符合發燒玩家的選購需求。 美光相關負責人表示,仍專注於發展旗下的NVMe和可攜式SSD產品,為PC和遊戲主機玩家提供相關存儲解決方案,比如P5 Plus PCIe 4.0 NVMe SSD、Crucial P2 PCIe 3.0 NVMe SSD、X6和X8可攜式SSD。此外,英睿達符合JEDEC標準的DDR5內存,可以提供高速性能,將比之前Ballistix/鉑勝品牌內存更加好。 ...

不玩高端了:記憶體巨頭美光砍掉英睿達鉑勝系列

毫無徵兆地,美光宣布,將終結旗下消費級品牌英睿達(Crucial)的鉑勝(Ballistix)系列內存產品。 今後,鉑勝、鉑勝MAX、鉑勝MAX RGB三個子系列系列都將停產退市,也不會再有新產品。 英睿達已經發布了自己的DDR5內存產品,但沒有一個屬於鉑勝序列。 美光沒有解釋具體原因,只是說未來將專注於DDR5消費級、伺服器級產品,並繼續為高端用戶、遊戲玩家提供高性能的SSD產品。 英睿達鉑勝內存定位高端市場,主要針對遊戲玩家,尤其擁有強悍的超頻能力,採用美光自家E-Die顆粒,曾經將頻率從4000MHz超頻到7004MHz,創下世界紀錄。 ,表現不俗,1.5V電壓即可穩超4600MHz(受制於i9-11900K的體質),實際表現媲美競品5000MHz的水平。 這意味著,美光將從此告別高端內存市場,只專心做符合JEDEC原生標準的主流內存。 其實,三星、SK海力士另外兩家DRAM內存晶片巨頭也是類似,都只有普通內存,不玩高端。 來源:快科技
2019年內存價格暴跌50% 明年下半年又要漲了

西數、鎧俠快閃記憶體工廠污染餘波未平 美光NAND晶片價格上漲25%

近日,供應鏈透露消息,稱美光計劃將NAND晶片合約、現貨價上漲;其中,合約價上漲17%至18%,現貨價漲幅達25%以上。 根據業內人士透露的消息,由於合約價是每月進行商議,美光的此次漲價幾乎是實時生效,預計在3月初就會出現明顯的市場反映。 但在傳出漲價消息的同時,美光官方強調,企業並未受到影響,將持續為客戶提供最佳解決方案,與客戶簽訂長期協議的策略有助於在產業不確定時期讓客戶對供應有信心。 有觀點認為,此次美光有可能的大規模提升NAND晶片價格,與此前西部數據和鎧俠快閃記憶體工廠的污染事件有密不可分的關系。 本月上旬,西部數據及其生產合作夥伴鎧俠曾公開表示,其位於日本四日市的工廠和北上工廠的合資工廠遭到了材料污染停產,大量晶圓報廢,預計到2022年3月中旬才能夠恢復生產。 同時,西部數據近日以此為由對外宣布,將提高所有flash產品的售價,打響了快閃記憶體晶片價格上漲的第一槍。 來源:快科技
都是SSD 為何速度差別這麼大?

SATA SSD硬碟爆出安全漏洞 美光:攻擊很難 會推更新

日前美光針對數據中心市場的5200、5200系列SATA SSD硬碟被發現存在安全漏洞,隨後美光方面證實了這個問題,表示利用這個漏洞發起攻擊很難,但他們還是會推出固件更新幫助用戶解決問題。 美光發表最新聲明稱,美光非常重視數據安全,並對此做了深入調查,確實發現了一個相關的潛在漏洞,理論上可能存在於兩條產品線,即美光5200和 5300數據中心SATA SSD 中。 美光表示,為了利用這個潛在的漏洞,攻擊者必須擁有特權授權才能向驅動器發出特殊命令,因此它不太可能暴露給虛擬化雲基礎設施或企業數據中心中的用戶。 盡管如此,美光仍將發布可選固件更新,為任何擔心受影響產品的此問題的客戶解決此潛在漏洞。 此前報導,IEEE Xplore 發表的一篇題為「 Forensic Issues and Techniques to Improvement Security in SSD With Flex Capacity Feature 」的論文提出了有關使用ATA標准集max的行業設備中可變過度配置能力的安全問題地址命令,包括美光5200 SSD。 來源:快科技

美光推出2400系列QLC SSD,2230規格就可提供2TB大容量

去年Intel推出的670p SSD確實讓QLC SSD的形象有所改觀,而且QLC快閃記憶體確實在慢慢侵蝕TLC快閃記憶體的市場,只不過這過程比當年TLC取代MLC要慢得多,昨天晚上美光宣布推出2400系列SSD,採用最新的176層QLC快閃記憶體,採用了PCI-E 4.0接口,最高讀取速度能到4500MB/s。 美光的176層快閃記憶體是在2020年底投產的,但此前都沒有QLC快閃記憶體的消息,與美光自家的96層QLC快閃記憶體相比,新的176層QLC可提供額外33%的I/O吞吐量並降低24%的讀取延遲。美光2400系列SSD提供512GB、1TB和2TB三種容量,不同容量的性能有所不同,性能最好的2TB連續讀取速度是4500MB/s,連續寫入速度4000MB/s,隨機讀寫分別為650K和700K IOPS,耐久度方面,是每512GB寫入量150TBW,美光表示較上一代QLC SSD相比,待機功耗降低了50%。 美光2400系列SSD有M.2 2230、M.2 2242和M.2 2280三種規格,也是全球唯一一款提供2TB的M.2 2230 SSD的方案,目前這些SSD已經向OEM廠家出貨,面向高性價比的台式機和筆記本市場,不知道美光的消費級品牌Crucial會不會跟進推出對應產品。 ...

美光西安DRAM工廠遭受影響:預計將出現供貨延誤

目前陝西西安正投入一場嚴峻的疫情防空阻擊戰,由於當地有晶片工廠布局,外界也很關心生產秩序和當下情況。 據媒體報導,全球第三大DRAM晶片製造上美光(Micron)表示,公司西安晶片廠上班的員工和承包商員工人數減少,對其DRAM組裝和測試業務的產量產生了一些影響。該公司強調,有能力滿足多數客戶的需求,但新的供應安排可能出現延誤。 官網資料顯示,美光西安工廠成立於2006年,主要開展集成電路裝配與測試以及DRAM模塊製造。 在西安與美光合資封裝廠的力成(Powertech Technology,PTI)29日表示,其西安封測廠近一、兩日產能利用率已降至40-50%,恐會對1月營運產生影響,但具體程度還需要視防控進展持續觀察。 另外,三星在西安的NAND快閃記憶體工廠也正靈活調整其生產線,盡最大努力確保客戶服務不會中斷。 來源:快科技

32GB DDR5炒到了7000多元 美光表態:明年下半年才能改善缺貨

隨著12代酷睿處理器的上市,內存也開始了從DDR4到DDR5的升級,然而這一次的換代實在有點坑,DDR5價格被炒上天,,關鍵還是有價無貨。 關於DDR5內存缺貨、漲價,理由有很多,除了新品升級慣有的產能不足之外,還可能跟PMIC電源管理晶片有關,DDR5這一代將PMIC晶片從主板集成到了內存模組中,價格比DDR4內存PMIC晶片價格高出10倍多,而且交貨周期長達35周以上,等上大半年才能交付新品。 按照現在的趨勢,DDR5本月內的價格及供貨情況依然不樂觀,金士頓高管之前表示1月份供貨情況可能有所緩解,但依然不能完全解決DDR5內存的缺貨、漲價問題。 全球第三大內存晶片公司美光日前在財報會議上表態,DDR5要想得到有意義的改善,要到2022年下半年,目前需求依然遠超供應,明年下半年才可能供需平衡。 來源:快科技

美光確認PMIC和VRM短缺影響DDR5記憶體出貨,將持續到2022年下半年

英特爾的Alder Lake是第一個支持DDR5內存的主流平台,不少消費者或許還在糾結如果購買第12代酷睿系列處理器,到底是採用DDR4還是DDR5內存。前者已是相當成熟,高頻低延遲產品實惠而且可靠,後者初期產品不但性能上沒有優勢,價格也高許多。 這種煩惱大概暫時可以緩緩了,因為DDR5內存目前遇到了些棘手的問題,而且很可能會持續好一段時間。據SeekingAlpha報導,近期美光執行長Sanjay Mehrotra在公司的財報電話會議上表示,由於電源管理IC(PMIC)和電壓調節模塊(VRM)供應短缺,影響了DDR5內存的出貨,導致使用上受到了限制,預計將持續到2022年下半年才會緩解。 過去是由主板負責內存模塊的電壓調節,但是到了DDR5時代,PMIC和VRM模塊已轉移到了內存上。這使得內存的電壓調節變得容易,並簡化了配備多條內存插槽的伺服器主板的設計和生產。內存模塊的轉變增加了其復雜性,需要DRAM廠商購買PMIC和VRM組件,不幸的是,恰巧遇上了半導體行業的嚴重短缺。 目前瑞薩電子、IDT、Montage Technologies和德州儀器都有出售用於DDR5內存的PMIC,不過似乎只有瑞薩電子的產品得到了英特爾的驗證,甚至三星自己的DDR5內存里也有部分產品使用的是瑞薩電子的PMIC。隨著明年初英特爾全面鋪開第12代酷睿系列處理器,DDR5內存的采購量將不可避免地增加。 這種情況並非沒有先兆,在一個多月前就有報導指出,隨著新冠疫情的擴散,影響了物流的運輸,加上供應鏈的短缺愈加嚴重,DRAM的生產也逐漸受到了影響。由於缺乏足夠的PMIC,使得DDR5內存在生產上出現了困難,不但價格變得更高,交貨周期也可能會更長。 ...

美光將在亞特蘭大建立最先進的記憶體設計中心,吸納當地人才以推動技術研發

美光(Micron)宣布,將在美國亞特蘭大建立新的內存設計中心。美光表示,這是最先進的內存設計中心,新址會在2022年1月正式啟動。美光希望通過該項計劃,將業務范圍進一步擴大,同時可以利用當地的技術人才庫。此舉不但能提升美光在內存技術方面的領導地位,還能對當地社區產生積極的影響。 美國亞特蘭大地區附近有不少機構和院校,有較為豐富的教育資源,包括了埃默里大學、喬治亞理工、莫爾豪斯學院、斯佩爾曼學院、以及喬治亞大學。美光旨在與當地學校建立合作夥伴關系,更好地推動半導體技術的進步。美光在亞特蘭大的新研發中心將提供計算機硬體、電子電氣工程等STEM學科的工作崗位,大概會有500多個。 美光在一個多月前就宣布,計劃在未來十年內,在全球范圍內投資超過1500億美元,用於內存製造和研發(R&D),包括提高晶圓廠的產能,以滿足內存不斷增長的需求。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra曾表示,內存處於半導體製造的前沿,為從功能豐富的5G智慧型手機到支持人工智慧的雲計算提供動力。美光在DRAM和NAND技術方面處於領先地位,希望將存儲器創新擴展到下一個十年,並為客戶提供差異化產品。 目前內存及存儲晶片在全球半導體市場中的份額約為30%,而且在不斷增長,美光的投資有助於進一步的技術研發。 ...

RTX 3090 Ti曝光:美光最先進GDDR6X顯存加持

盡管「空氣顯卡」的罵名已經縈繞在RTX 30系的頭頂,可NVIDIA似乎還打算推陳更新,比如RTX 3090 Ti。 有爆料人透露,RTX 3090 Ti將採用美光最先進的GDDR6X顯存,型號MT61K512M32KPA-21U。 先進體現在兩方面,一是單片容量2GB(16Gb),二是速度高達21Gbps(當前RTX 3090是19.5Gbps)。 總計12片也就是24GB G6X,384bit位寬,總帶寬可達1008GB/。 規格方面,RTX 3090 Ti比較新鮮的看點將包括16Pin外接供電接口、PCIe 5.0插槽等,這是因為,RTX 3090 Ti的熱設計功耗將比RTX 3090整整增加100W,達到450W。 其他方面,RTX 3090 Ti將啟用完整的GA102核心,也就是10752個CUDA單元,發布時間1月份,排在RTX 3080 12GB和RTX 3070 Ti 16GB之後。 來源:快科技

美光宣布與聯電達成全球和解協議,後者將向前者一次性支付一筆賠款

美光(Micron)宣布,已經與聯華電子(UMC)達成全球范圍內的和解協議。根據這份協議,雙方將在全球范圍內撤回向對方提起的訴訟,同時聯華電子將向美光一次性支付一筆款項。這筆款項將解決涉及美光DRAM工藝技術相關的索賠,金額不詳。美光表示,雙方未來仍會有合作的機會。 雖然美光和聯華電子都沒有透露這筆款項的具體金額,但美光最終不得不在其財務報告中披露,結果仍然是無法隱瞞。美國司法部在2018年11月對聯華電子提起訴訟,內容為非法獲取了生產DRAM所需的關鍵智慧財產權和商業機密(具體指的就是工藝技術),不過在2020年10月雙方達成了一項6000萬美元的和解協議。 早在2017年,美光就因相關問題對聯電提起訴訟,表示對方從其台灣的子公司挖走工程師,並要求提供美光製造技術的規格和其他特性。隨後聯華電子也做出了反擊,指控美光侵犯了其授權的專利。隨著美國司法部和聯華電子達成和解,美光和聯華電子之間持續四年的智慧財產權糾紛也得到了解決的機會。 聯華電子是目前世界第三大晶圓代工廠,僅次於台積電(TSMC)和三星,擁有十二座晶圓廠,其中四座為12英寸晶圓廠、七座為8英寸晶圓廠、以及一座6英寸晶圓廠。美光則是世界主要半導體儲存及影像產品製造商之一,存儲技術也處於領先位置,其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體和CMOS影像傳感器等。 ...

美光推出適用於AMD Radeon RX 6000系列的GDDR6,為板卡廠商提供更多選擇

美光(Micron)宣布,其高性能16Gb/16Gbps GDDR6內存解決方案現在已經可以用在基於RDNA 2架構的AMD Radeon RX 6000系列顯卡。這款最新版本的GDDR6內存採用美光先進的1z工藝技術,可以提供512 GB/s的帶寬,支持最先進的遊戲顯卡解決方案。 美光表示,一直為客戶推動前沿圖形技術產品的創新,這次與AMD的GPU合作,提供GDDR6超帶寬解決方案,可以增強用戶體驗,感受先進的遊戲性能。美光在開發高性能顯存方面有著悠久的歷史,目前正在與AMD的工程團隊密切合作,為基於RDNA 2架構的顯卡在GDDR6顯存方面做優化,為採用AMD Radeon RX 6000系列GPU的板卡廠商提供更多選擇和靈活性,以滿足遊戲玩家的需求。 據了解,部分AMD Radeon RX 6000系列顯卡已開始採用美光的GDDR6顯存,早期主要是搭載Radeon RX 6600/RX 6700系列GPU的產品,預計在2021年第四季度內就會開始出貨。 美光是在2019年開始採用1z工藝生產DRAM顆粒,是其第三代10nm級工藝,按一般半導體工藝理解,大概是在12-14nm級別。目前美光已開始使用1α工藝節點生產,首款採用新工藝的8Gb DDR4晶片在今年已經批量出貨了。與很多競爭對手不同,美光至少在未來幾年內都不會使用EUV光刻技術來生產存儲晶片,但仍需要增加存儲晶片的密度以降低單位成本,因此要通過使用新材料等其他技術手段來縮小DRAM晶片的尺寸。 ...

美光GDDR6顯存登陸AMD RX 6000顯卡:1znm工藝

美光宣布,已經為AMD RX 6000系列顯卡提供高性能的GDDR6顯存,採用先進的1znm工藝。 AMD RX 6000系列顯卡的GDDR6顯存目前來自三星、SK海力士,而美光的在規格上完全一致,也是單顆容量2GB、等效頻率16GHz,搭配256-bit位寬的話帶寬可達512GB/。 RX 6600、RX 6700系列將首先搭載美光GDDR6顯存,今年第四季度出貨。 RX 6800、RX 6900系列是否也會採用暫未確認,也不清楚美光供應的比例。 不知道有了新的顯存加入,顯卡供貨情況會不會好一些? 根據德國市場的統計,AMD RX 6000系列顯卡的平均市場售價,,直接翻番,甚至比NVIDIA 188%的溢價幅度更狠。 來源:快科技

美光宣布投資超過1500億美元用於研發和製造,以滿足2030年的市場需求

美光(Micron)宣布,計劃在未來十年內,在全球范圍內投資超過1500億美元,用於內存製造和研發(R&D),包括提高晶圓廠的產能,以滿足內存不斷增長的需求。內存和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長,目前約占半導體市場的30%份額。5G和人工智慧等領域是長期增長的動力,將擴大數據中心、邊緣計算和汽車等用戶設備上內存和存儲晶片的使用。 目前美光的生產和研發網絡遍布全球13個地區,在過去的近半個世紀里,總積累了超過4.7萬件專利。每年會花費數十億美元用於研發,大部分投資都用在美光位於美國總部運營的研發中心,這是世界最先進半導體技術開發中心之一,會進行前沿的研究、設計和開發工作。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示,內存處於半導體製造的前沿,為從功能豐富的5G智慧型手機到支持人工智慧的雲計算提供動力。美光在DRAM和NAND技術方面處於領先地位,希望將存儲器創新擴展到下一個十年,並為客戶提供差異化產品。 近日有媒體指,美光近期可能會將位於日本廣島的生產基地進行擴建。新建的晶圓廠將會在2024年投入使用,主要生產數據中心所使用的DRAM,預計將創造 2000至3000個就業機會。 ...

美光計劃斥資70億美元在日本建廠 提高DRAM晶片產能

當地時間周二,美國存儲晶片及存儲解決方案提供商美光科技宣布,將斥資8000億日元(約合70億美元)在其位於廣島的日本生產基地建新工廠。當地媒體報導稱,這座新工廠將於2024年開始投入運營,主要生產在數據中心廣泛使用的DRAM晶片。 據悉,日本政府可能會提供部分補貼。該工廠預計將創造2000至3000個就業機會,其中包括商業合作夥伴的就業機會。 新冠肺炎疫情及其封鎖措施導致人們對電子設備需求激增,進而促使非存儲晶片供應陷入短缺,迫使汽車製造商和智能手機製造商減產。這也影響了DRAM存儲晶片的銷售,但行業觀察人士預計,在數據中心擴張的幫助下,需求將出現反彈。 美光科技公布建廠消息之前,晶片巨頭台積電上周也宣布在日本建廠的計劃,預計將於2024年投產。當地媒體報導稱,日本政府准備提供約5000億日元(約合43.7億美元)的財政支持,覆蓋了總投資的近一半。 日本希望吸引晶片製造商進入該國,以確保其公司隨時能夠獲得足夠的半導體供應,以幫助保持經濟競爭力。 美光科技也為數據存儲市場生產速度較慢但價格較低的NAND晶片,該公司在廣島的工廠生產300毫米DRAM晶圓,並在那裡設有研發設施。來源:cnBeta

美光發布企業級7400 PCIe 4.0 SSD:7種形態、唯一斷電保護M.2

美光今天宣布,面向數據中心市場推出企業級的全新PCIe 4.0 SSD 7400系列,提供多達7種不同的外形規格,和不同的容量、性能。 美光7400 SSD可選業界唯一具備斷電保護功能的M.2規格(又分為80mm、110mm兩種長度),2.5英寸U.3規格(又分為帶散熱片的15mm、不帶散熱片的7mm兩種厚度)。 以及三種不同的新型E1.S EDSFF(企業與數據中心存儲形態),可實現更大的容量、更高的性能、改進的功耗與散熱,厚度分別為5.9mm、15mm、25mm,後兩種帶散熱片。 每種形態又各自分為兩個系列,其中PRO系列適合讀取密集型應用,每天1次全盤寫入,容量起步480GB、最大7.68TB,MAX系列適合讀寫混合應用,每天3次全盤寫入,容量起步400GB、最大6.4TB。 性能方面,M.2形態的持續讀取最高4.4GB/、2.2GB/,隨機讀寫最高650000 IOPS、206000 IOPS,混合讀寫最高360000 IOPS,功耗最高8.25W。 U.3形態的持續讀寫最高6.6GB/、5.4GB/,隨機讀寫最高1000000 IOPS、363000 IOPS,混合讀寫最高610000 IOPS,功耗最高持續讀取13.6W、持續寫入22W。 E1.S形態的持續讀寫最高6.6GB/、3.5GB/,隨機讀寫最高800000 IOPS、347000 IOPS,混合讀寫最高455000 IOPS,功耗最高持續讀取11.5W、持續寫入12W。 它們都支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4,快閃記憶體是美光自家的96層堆疊3D TLC,平均故障間隔時間200萬小時,質保5年。 美光還在其中運用了諸多業界創新技術,包括主控、固件、NAND快閃記憶體、DRAM緩存等,世界一流的前端、後端製造技術等,以及多項安全技術,包括TCG-Opal 2.01、IEEE-1667、動態與靜態數據保護、安全執行環境(SEE)。 來源:快科技

美光發布7400系列PCIe 4.0 NVMe企業級固態硬碟產品線

美光科技剛剛發布了 7400 系列企業級 NVMe 固態硬碟產品組合,提供了業界領先的安全性、外形靈活性和 PCIe Gen4 性能,以滿足苛刻的數據中心工作負載的存儲需求。得益於多達七種外形規格,該系列產品不僅能夠為主流數據中心提供最廣泛的支持,還可實現向下一代伺服器架構的過渡。 (來自:Micron 官網) TechPowerUp 指出,隨著數據的快速增長、以及高性能應用程式的激增,數據中心的存儲需求也迎來了持續的快速增長。 處理、分析和保護提供有價值見解的數據的需求,正在推動數據中心向現代化轉進,並且對存儲創新提出了更高的要求。 而美光 7400 系列企業級固態硬碟產品線,正好可以滿足一系列用例的快速、可靠、且經濟實惠的數據存儲需求。 其中包括了具有斷電保護功能的 PCIe 4.0 M.2 2280 SSD,以及 15mm / 7mm 厚度的 2.5 英寸 U.3...

美光科技警告:因PC客戶面臨其它零部件短缺 晶片需求將下滑

美光科技(Micron Technology)周二預計,當前財季營收將低於分析師預期,並警告稱,公司存儲晶片發貨量近期料下滑,因其生產個人電腦(PC)的客戶面臨其它零部件短缺。 消息公布後,美光科技股價周二盤後一度下跌7%,至67.99美元,最終下跌3.57%。該公司還表示,自己供應鏈中的一些組件也出現了短缺。 美光是全球最大的存儲晶片供應商之一,蘋果是其最重要的客戶之一。 該公司不僅生產服務於數據存儲市場的NAND存儲晶片,還生產廣泛應用於數據中心、個人電腦等設備的DRAM存儲晶片。該公司預計,這兩種晶片的發貨量近期將相繼出現下滑。 存儲晶片行業以其戲劇性的盛衰周期而聞名,這使得盈利很難預測。今年以來,美光科技股價下跌逾1%,而同期費城半導體指數則上漲了19%。這表明投資者對存儲晶片公司的長期前景仍持謹慎態度。 「一些PC客戶正在調整他們的內存和存儲晶片采購,因為完成PC訂單所需的非內存組件短缺。」該公司執行長Sanjay Mehrotra對分析師表示,「我們預計,我們PC客戶的這一調整將在未來幾個月基本得到解決。」 然而,對於存儲晶片需求下滑是暫時的波折還是一段持續疲軟時期的開始,分析師們現在仍心存疑慮。Wedbush分析師Matthew Bryson指出,圍繞美光的問題在於,內存行業是進入了一個漫長的下行周期,還是遭遇了將相對較快修正的更為溫和的需求波動。 盡管美光的評論顯然支持後一種觀點,認為PC製造商訂單放緩是一個短期問題,但Bryson表示,他將等待更多具體數據來支持這一觀點。 不過,Mehrotra表示,盡管美光預計PC增長不會像去年那樣迅猛,但出貨量仍將保持在比過去高得多的水平。汽車和工業設備等其它市場也在迅速增長。他指出,數據中心已經取代PC成為最大的內存晶片用戶。 美光預計,截至11月的第一財季營收為76.5億美元,正負2億美元,而分析師平均預期為85.7億美元。該公司還預計調整後每股收益為2.10美元,正負10美分,同樣低於分析師2.33美元的預估。 該公司周二公布的業績報告顯示,在截至9月2日的第四財季,公司營收為82.7億美元,較上年同期增長36%;經調整後每股盈利為2.42美元,超過分析師平均預估的2.33美元。 作為全球半導體供應鏈的一部分,疫情導致美光科技供不應求。一方面向居家辦公的轉變刺激了對技術的需求,另一方面疫情爆發也擾亂了晶片生產。不過,投資者擔心,內存晶片熱潮一定程度上是由客戶恐慌性購買和囤積庫存推動的。來源:快科技

中國公司量產記憶體、快閃記憶體 美光表態:准備好迎接挑戰

全球內存、快閃記憶體晶片市場價值超過1000億美元,基本上被美日韓公司壟斷,三星、SK海力士、美光三家公司就占了全球內存95%的份額。 在過去的兩年中,中國公司也開始加入存儲晶片市場,長江存儲、合肥長鑫在2019年下半年分別量產了3D快閃記憶體及內存晶片,現在還在加速追趕中,不過技術及產能上跟全球巨頭還有很大的差距。 對於中國公司加入競爭,美光是怎麼看的呢?該公司是全球僅有的三家同時能生產內存及快閃記憶體晶片的巨頭之一。 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中表示,不會低估中國的競爭對手及其發展,不過美光會聚焦在推動自己的技術發展進程。 美光表示,要進入存儲晶片市場的門檻相當高,新進業者生產技術不僅要維持領先,還要能夠大規模量產,在符合成本效益之際還能滿足多元需求。 因此,由美光角度來看,記憶體廠要很長的時間累積專業經驗、擴大生產及研發量能才會成功。 Sanjay Mehrotra還提到了中國市場的重要性,稱中國大陸市場無論對美光或是整個半導體產業而言都至關重要,美光與位於中國的生態系業者和客戶都維持穩健的關系。 美光表示,美光在市場中的穩健地位來自於產品跟技術,以及非常大量的智慧財產權,美光目前擁有45000個以上的智慧財產權專利,已經站穩陣腳並准備好迎接新的挑戰。 來源:快科技

Crucial P5 Plus正式發布,採用全套美光方案,速度達6600MB/s

美光正式發布了Crucial P5 Plus M.2 NVMe SSD,和此前報導的一樣,這款新產品升級了PCI-E 4.0的支持,並且使用了美光最新的176層堆疊3D TLC,這可能是零售市場能買到的堆疊層數最多的3D NAND,與上代產品相比,Crucial P5 Plus擁有更高的速度,更低的功耗以及更密集的存儲密度。 Crucial P5 Plus的連續讀取速度達到了6600MB/s,連續寫入速度5000MB/s,去年的P5相比連續讀取速度提高了94%,寫入提高了67%,隨機讀取速度提升了67%,隨機寫入速度提升了40%,性能提升幅度還是相當不錯的,不過與那些動則達到7000MB/s的競爭對手相比,速度還是低了些。 Crucial P5 Plus有500GB、1TB、2TB三種容量,三個容量的連續讀取速度都是一樣的,但500GB的連續寫入速度只有3600MB/s,這款產品使用的是美光自家的主控,緩存晶片也是美光自己的,美光也是少數幾家能完全採用自家方案的SSD廠家。 售價方面,Crucial P5 Plus 500GB官網的標價是107.99美元,1TB是179.99美元,2TB是367.99美元,P5 Plus寫入耐久度和P5是一樣的,500GB是300 TBW,1TB是600 TBW,2TB是1200 TBW,在同類產品中算少的了,質保期依然是5年。 ...

速度提升75% 美光出貨首款176層UFS 3.1快閃記憶體

7月30日上午消息,美光宣布開始批量出貨全球首款基於176層分立式技術的UFS 3.1快閃記憶體產品,主要面向5G高端手機。性能方面,官稱比前代96層堆疊產品提升了75%的順序寫入和隨機讀取性能提升,只需9.6秒即可下載一部2小時、14GB的4K電影,換算傳輸速度接近1.5GB/s。 在混合工作負載場景中,性能提升了15%,響應延遲縮短約10%,可使得手機啟動和切換應用速度更快,保障流暢度。 容量上,提供128GB、256GB和512GB。 說到這兒,恐怕有用戶擔心可靠性。按照美光的說法,176層的總寫入字節數比上代96層產品高出一倍,這意味著可存儲之前兩倍的總數據量,而不會損害設備的可靠性。即使是重度手機用戶,也會發現智慧型手機的使用壽命大幅提升。 據悉,定於8月12日發布榮耀Magic 3將率先搭載美光176層UFS 3.1快閃記憶體。來源:cnBeta

Neosem定於明年向三星美光英特爾提供PCIe 5.0 SSD測試設備

Fab 設備製造商 Neosem 剛剛表示,該公司已完成 PCIe 5.0 SSD 測試設備的開發,且有望於 2022 年 1 季度向三星、英特爾和美光供貨。發言人稱,英特爾已將 12 代 Sapphire Rapids 伺服器處理器的發布時間,從年內推遲到了 2022 年第 2 季度,但這也影響了該公司 PCIe 5.0 SSD...

加入EUV光刻機搶購隊伍 美光2024年生產全新記憶體晶片

在三星、SK海力士開始啟用EUV光刻機快閃記憶體內存晶片之後,美光現在也要加入了,跟ASML談判采購EUV光刻機,2024年生產新的EUV內存晶片。 美光科技總裁兼執行長桑傑·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)在日前的財報會上表示,美光一直在關注EUV工藝進展,實際上之前也參與了EUV評估,一旦觀察到EUV平台及生態系統成熟,美光也會在產品路線圖中插入EUV光刻技術。 現在美光已將2021財年的治本指出略微提升到95億美元,已經開始跟ASML公司談判購買EUV光刻機,不過現在還沒有公布細節,EUV現在供應緊張,台積電、三星采購的較多,美光還要等等。 根據美光的計劃,EUV光刻工藝要到2024年才會導入,首發用於1-Gama工藝的內存,後面還會進一步擴展到更下一代的1-Delta工藝內存晶片中。 美光日前發布了2021財年Q3財報,截至6月3的季度中公司營收74.2億美元,同比增長19%,淨利潤17.4億美元,相比去年同期的8億美元大漲116%。 來源:快科技

美光表示全球疫情反復可能會影響DRAM、3D NAND供應鏈

今年春天,台灣的晶片和顯示面板的生產受到了嚴重的乾旱影響,台積電(TSMC)、聯華電子(UMC)和美光(Micron)等晶片製造廠商不得不通過各種方式,保證生產用水的供應,以降低對生產的影響。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在與分析師和投資者的財報電話會議上表示,已成功減輕了台灣乾旱的影響,美光的產能並沒有減少,同時近期開始有降水,應該會有足夠的供水滿足美光的製造需求。 不過在現今的製造業里,供應鏈可能會遍布全球各個地區,使得生產上會有更多不確定性,近期台灣、印度和馬來西亞等地區新冠疫情變得嚴重,又為供應和業務前景蒙上了陰影。美光目前在台灣的晶圓廠負責生產DRAM晶片,新加坡的晶圓廠負責生產3D NAND晶片,在馬來西亞則設有測試、包裝和組裝的業務,並在印度有研發設施。美光因為馬來西亞的新冠疫情變得嚴重,不得不減少產能,以確保生產的安全。 不同地區的新冠疫情反復似乎只是一個短期的問題,但對晶片的普遍高需求和供應的不確定性足以對未來幾個季度的3D NAND和DRAM晶片產生影響。美光表示,半導體行業在未來幾個季度幾乎無法滿足對晶片的需求,預計到2022財年供應仍會持續緊張,使美光處於有史以來最好的位置。 ...

美光:存儲器缺貨將持續至2022年

存儲晶片供應緊張和持續強勁的需求使價格保持高位。「隨著全球經濟復蘇,我們預計DRAM和NAND供應將在2022年繼續保持緊張。」存儲巨頭美光CEO Sanjay Mehrotra在當地時間6月30日表示,雖然新冠肺炎疫情仍然是一個風險因素,但受宏觀經濟復蘇以及AI和5G等長期驅動因素的推動,2021年正成為半導體強勁的一年。 根據SEMI(國際半導體產業協會)預測,到2022年,半導體行業將實現三年連續增長,迎來超級周期。 美光發布的截至6月3日的2021財年第三季度財報顯示,該公司當季營收達到74.2億美元,去年同期僅為54.38億美元;淨利潤為17.35億美元,較上年同期增加116.1%。 Sanjay Mehrotra表示,由於終端市場需求強勁,目前對DRAM和NAND的需求未得到滿足。「如果不是非存儲組件缺貨影響我們客戶的產品製造,存儲器未滿足的需求會更大,特別是在 PC、汽車和工業市場。」 在產能供應緊張下,存儲器價格保持在高位。美光CFO David Zinsner介紹稱,該季度業績增加主要是因為DRAM和NAND價格上漲以及客戶對產品的強勁需求。 具體而言,DRAM當季收入為54億美元,占總收入的73%,較上季度同期增長23%。其中,位元出貨量以低個位數百分比增加,但ASP(平均售價)環比增長約20%。 NAND當季收入約為18億美元,占總收入的24%,創歷史新高,環比增長 10%。其中,位元出貨量環比以低個位數增長,而ASP則在高個位數增長。 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示,受今年上半年各終端買方積極備庫存的帶動,使存儲器原廠庫存偏低,目前DRAM原廠平均庫存僅3~4周,NAND Flash供應商平均庫存則為4~5周。 存儲器供應吃緊,上半年DRAM漲幅達20%。該機構預估,第三季整體DRAM價格將續漲約3%~8%,NAND Flash則受enterprise SSD及wafer需求攀升影響,整體價格季漲幅將由原先的3%~8%,上調至5~10%。 Sanjay Mehrotra表示,在廣泛的終端市場都看到了需求強勁的增長。美光預測,第四財季營收為80億~84億美元,毛利率在46%左右。 美光表示,其2021財年的資本支出將超過95億美元,部分原因是其開始從ASML購買EUV的預付款。Sanjay Mehrotra介紹稱,「根據我們對EUV目前進展的評估以及公司技術戰略和行業領先的 DRAM擴展路線圖,美光計劃從2024 年開始,將EUV納入DRAM開發路線圖。美光已向ASML下達采購訂單,是長期批量采購協議的一部分。」 此外,美光公告稱,將把Lehi工廠出售給德州儀器(Texas Instruments)。美光預計,通過該交易,公司將獲得約15億美元收入,其中9億美元現金,6億美元來自設備和其他資產。美光已經出售了其中一些資產,並將保留其餘資產重新部署到其他製造基地或出售給其他買家。此交易預期將在今年晚些時候完成。 今年3月16日,美光宣布終止對3D Xpoint技術的開發,出售位於猶他州的Lehi工廠,並決定將研發投資重點放在CXL內存產品的投資。美光稱,CXL可在計算、內存和存儲之間提供高性能連接,滿足因人工智慧和數據分析的廣泛普及而增加的客戶工作負載需求。來源:cnBeta

利潤大漲116% 美光公布Q3財報 記憶體要漲到2022年

美光今天發布了2021財年Q3財報,截至6月3的季度中公司營收74.2億美元,同比增長19%,淨利潤17.4億美元,相比去年同期的8億美元大漲116%。 美光科技總裁兼執行長桑傑·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)表示,第三財季創造了多項市場和產品收入記錄,並實現了我們歷史上最大的連續盈利增長。美光處於有史以來最好的位置,可以利用數據中心、智能邊緣和用戶設備的長期需求趨勢。 在美光的營收中,73%來自DRAM內存,剩下的主要是NAND快閃記憶體,業績大漲也跟這兩種晶片漲價有關,美光稱最近一個季度中,內存漲價20%,快閃記憶體價格也以高個位數增長。 2021年以來,內存、快閃記憶體加入了牛市周期,漲價已經不是新聞,問題是能夠走多遠,美光的預計是DRAM和NAND內存晶片的供應在2022年將保持緊張,預計2021年的DRAM行業增長略高於20%,NAND晶片的需求增長在30%左右。 來源:遊民星空

美光科技與德州儀器達成猶他州工廠出售協議 售價15億美元

存儲晶片與存儲解決方案供應商美光科技,在當地時間周三發布了營收超過74億美元、淨利潤同比環比均大增的2021財年第三財季財報。而在當地時間周三,美光科技還宣布,他們將向德州儀器出售猶他州工廠,兩家公司已就出售工廠一事達成了最終協議。 從美光科技在官網公布的消息來看,他們向德州儀器出售的,是位於猶他州鹽湖城李海的工廠。 美光科技官網的信息還顯示,猶他州李海工廠的出售價格為15億美元,德州儀器將支付9億美元的現金,並提供價值約6億美元的其他資產。 美光科技總裁兼CEO Sanjay Mehrotra表示,猶他州李海工廠在技術創新和先進半導體生產方面有著悠久的歷史。美光在官網上也表示,這一工廠一直有半導體製造方面各領域的尖端人才團隊,而在出售給德州儀器之後,德州儀器也將為團隊成員提供繼續工作、並成為德州儀器員工的機會。 從美光官網上的信息來看,他們是在今年3月份,宣布打算出售這一工廠的,到6月30日宣布同德州儀器達成最終的協議,用時不到4個月。來源:cnBeta

利潤大漲116% 美光公布Q3財報:記憶體要漲到2022年

美光今天發布了2021財年Q3財報,截至6月3的季度中公司營收74.2億美元,同比增長19%,淨利潤17.4億美元,相比去年同期的8億美元大漲116%。 美光科技總裁兼執行長桑傑·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)表示,第三財季創造了多項市場和產品收入記錄,並實現了我們歷史上最大的連續盈利增長。美光處於有史以來最好的位置,可以利用數據中心、智能邊緣和用戶設備的長期需求趨勢。 在美光的營收中,73%來自DRAM內存,剩下的主要是NAND快閃記憶體,業績大漲也跟這兩種晶片漲價有關,美光稱最近一個季度中,內存漲價20%,快閃記憶體價格也以高個位數增長。 2021年以來,內存、快閃記憶體加入了牛市周期,漲價已經不是新聞,問題是能夠走多遠,美光的預計是DRAM和NAND內存晶片的供應在2022年將保持緊張,預計2021年的DRAM行業增長略高於20%,NAND晶片的需求增長在30%左右。 來源:快科技