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快科技12月6日消息，近日，美光宣布推出面向OEM市場的3500 NVMe SSD系列，採用了E25主控和232層TLC顆粒，順序讀寫速度最高可達7000 MB/。 據介紹，美光3500 SSD可以為商業應用、科學計算、尖端遊戲和內容創作等要求苛刻的工作負載提供支持。 美光3500 SSD採用了M.2外形尺寸，提供512GB、1TB和2TB三種容量規格，在具有NVMe 2.0c的PCIe Gen4 x4接口上運行，支持行業標準的512位元組扇區大小。 在具體參數方面，美光3500 SSD的速度相比消費級的英睿達T500速度稍低，順序讀取速度 7000MB/，順序寫入速度7000MB/。 隨機讀取速度為1150k IOPS，隨機寫入速度為1150k IOPS，2TB總寫入量為1200TBW。 安全性方面，其提供了符合TCG/Pyrite2.02標準的非自加密驅動器（non-SED）和符合TCG/Opal2.01標準的自加密驅動器（SED）。 官方表示，對於遊戲玩家，美光3500 SSD可將加載大型遊戲（如《瓦羅蘭特》）的速度提升38%，而且還支持微軟DirectStorage技術，遊戲加載時間可進一步加快。 對於內容創作者而言，美光3500 SSD可以更快地加載和編輯原生4K和8K視頻等文件。 美光並未公布該SSD的具體價格，但已向部分PC OEM廠商發貨，或許很快就將在筆記本電腦上見到。 來源：快科技

據市場研究機構TrendForce的最新研究報告顯示，2023年第三季度全球DRAM產業合計營收達134.80億美元，環比增長約18.0%。下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，使各原廠營收皆有所成長。 展望第四季，原廠漲價態度明確，第四季DRAM合約價上漲約13%~18%；需求面回溫程度不如過往旺季。 整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，第四季DRAM產業出貨增長幅度有限。 具體來說，第三季營收方面，三星、SK海力士、美光這三大原廠營收皆有成長，因AI需求增長，對高容量DRAM產品需求維持穩定，加上1alpha納米DDR5量產後量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9%，約52.50億美元。 SK海力士（SK Hynix）受益於HBM、DDR5產品品質相對穩定，出貨量連續三個季度增長，加上平均銷售單價季增約10%，營收約46.26億美元，季增幅達34.4%，是原廠成長最顯著業者，與三星市占率差距縮小至不到5%。 美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅約4.2%，達30.75億美元。 產能規劃面，第三季末三星為有效減緩庫存壓力而擴大減產，主要針對庫存偏高的DDR4產品，第四季減產幅度擴大至30%，總投片量下滑，三星認為2024下半旺季需求將回溫，故投片量明年第二季開始提升。 SK海力士受益於HBM及DDR5出貨增長，產能小幅回升，投片量至今年底會小幅上升，搭配明年DDR5於終端滲透提升，預期總投片量將逐季上升。 美光因減產較早，庫存水位相對健康，第四季投片已開始回升，主要1beta納米先進位程增加，2024年投片量仍小幅上升，產能擴張重心落在製程轉進。 台系廠商方面，南亞科技（Nanya）出貨受益於PC客戶備貨需求及現貨市場帶動，出貨量成長17%~19%；南亞科技主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮營收漲幅，最終營收僅達2.44億美元。 華邦電子（Winbond）定價策略較積極，為拓展DDR3業務，去化KH廠新增產能，議價彈性大，故出貨成長，第三季營收上升至1.12億。 力積電（PSMC）營收計算主要為自身生產消費級DRAM產品，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4%，若加計代工營收則季減5.5%。 來源：快科技

幾天前，英偉達公布了2024財年第三財季（截至2023年10月29日）的財報，其中數據中心業務再次成為了亮點，收入為145.1億美元，遠遠高於去年同期的38億美元，也高於市場預期的127億美元，同比增長324%，環比增長38%。Omdia的統計數據顯示，英偉達在2023年第三季度大概售出了50萬塊A100和H100計算卡。 以往英偉達的支柱業務是遊戲業務和數據中心業務，不過後者現在在營收上遠遠拋開前者，顯然才是英偉達未來幾年的重點所在。目前英偉達的高性能計算卡需要大量HBM類晶片，為了更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達規劃加入更多的供應商。據TrendForce的研究顯示，三星的HBM3（24GB）預計在今年12月在英偉達完成驗證。 根據TrendForce匯總的信息，美光已經在今年7月底提供了8層垂直堆疊的HBM3 Gen2（24GB）樣品，SK海力士隨後在8月中旬也提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，而三星則在10月初提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。 由於HBM驗證過程繁瑣，一般要耗時兩個季度，預計最快會在今年年底得到驗證結果，2024年第一季度三大廠商都將完成驗證。 值得注意的是，英偉達的驗證結果最終會影響2024年的采購權重分配，對各大廠商的訂單會有不小的影響。明年英偉達的計算卡產品線會更為細致化，將推出使用6顆HBM3E的H200以及8顆HBM3E的B100，並同步整合自家基於Arm架構的CPU與GPU的產品，帶來GH200以及GB200。 此外，HBM4也計劃在2026年推出。隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了要求現有的12層垂直堆疊，還會往16層垂直堆疊發展（計劃2027年推出），估計會帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。未來HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

近日，美光推出了基於單顆32Gb晶片的128GB DDR5-8000 RDIMM內存模塊。據TomsHardware報導，美光還公布了未來五年的產品路線圖，分享了對高性能、高容量存儲技術的展望，其中包括了一些過去未曾公開討論的技術。 美光希望未來幾年繼續在HBM和GDDR類內存上努力，此前已推出業界首款帶寬超過1.2 TB/s、引腳速度超過9.2 GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，對應的應該就是路線圖上顯示的HBM3E。美光該款HBM3E將於2024年初到來，預計會在英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E晶片，將會在2025年推出。 更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發布，內存堆棧將採用2048位接口，帶寬超過1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之間，推出容量在36GB至48GB、12/16層垂直堆疊的產品。到了2028年還會有HBM4E，頻率將進一步提升，容量將增加至48GB到64GB，帶寬增加至2 TB/s以上。 下一個GDDR版本，也就是GDDR7將會在2024年末到來，每個數據I/O接口的速率達到了32 Gbps，容量為16Gb至24Gb。預計到2026年末，單個晶片的容量會超過24Gb，速率也會提升至36 Gbps。 美光預計在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率為8800 MT/s，然後在2026年或2027年提供容量超過256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率會攀升至12800 MT/s。同時美光准備推出支持CXL 2.0的內存模塊，容量在128GB至256GB，帶寬將達到36 GB/s，接下來還有支持CXL 3.x的內存模塊，容量超過256GB，帶寬超過72 GB/s。 對於低功耗應用，業界將繼續使用LPDDR內存。美光速率為8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X將繼續使用一段時間，然後從2025年開始提供基於LPDDR設計的LPCAMM2內存，速率為8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬還會有速率為9600 MT/s、容量超過192GB的產品。 ...

繼今年六月份推出速率達到了4800MT/s的96GB大容量DDR5 RDIMM後，美光在近日公布了基於32Gb單片晶片的128GB DDR5 RDIMM內存，速率進一步提升至8000MT/s，以更好地滿足數據中心和雲環境中各種關鍵任務應用的性能需求，包括人工智慧(AI)、內存資料庫(IMBD)以及各種需要多核多線程計數的生產力場景。 該款128GB DDR5 RDIMM內存採用美光業界領先的1β（1-beta）技術，與競爭對手的3DS矽通孔（TSV）產品相比，具有以下提升點： 比特密度提高45%以上 能效提升高達24% 延遲最多降低16% AI訓練性能提升高達28% 同時，美光32Gb DDR5內存解決方案採用全新的晶片架構，以實現業界領先的陣列效率和最密集的單片DRAM晶片。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力輸送網絡，提供市場急需的能效表現。此外，美光還優化了晶片尺寸的長寬比，從而提高32Gb大容量DRAM晶片的製造效率。美光的128GB RDIMM計劃於2024年在開始推出4800MT/s、5600MT/s 和6400MT/s的型號，而8000MT/s的型號會稍後一段時間。 AMD和Intel的高管都對美光新款DDR5 RDIMM內存表現出濃厚興趣，並納入了下一代伺服器平台的合作規劃當中。 ...

快科技11月9日消息，美光宣布推出單條容量128GB的新一代DDR5內存，同時將頻率做到了8000MHz，可謂又大又快，將於2024年投入量產。 當然，這不是消費級UDIMM內存，而是面向伺服器的RIDMM內存。 它基於單顆容量32Gb(4GB)的新型DDR5顆粒，容量密度增加45％。 如果使用雙芯封裝和TFF加高模組，很快就可以做到單條1TB。 製造工藝是成熟的1β，號稱能效比競品的3DS TSV矽穿孔方案高出最多24％。 通過利用先進的CMOS工藝，以及陣列效率的不斷改進，美光每過三年就會將內存密度翻一番，未來將繼續向48Gb(6GB)、64Gb(8GB)邁進。 預計到2026年，美光將推出單條256GB甚至更大容量的MRDIMM，頻率也高達12800MHz。 來源：快科技

美光宣布，推出使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%，同時提供了先進的省電功能。目前該款LPDDR5X已經開始交付樣品，將會與高通最新的第三代驍龍8移動平台搭配使用，為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 美光公司副總裁兼移動事業部總經理Mark Montierth表示：「通過為旗艦智慧型手機提供強大的大型語言模型，生成式人工智慧將為智慧型手機用戶帶來前所未有的生產力、易用性和個性化。經過優化後，搭載第三代驍龍8移動平台的智慧型手機可以在本地運行強大的生成式人工智慧模型，從而解鎖新一代基於人工智慧的應用和功能。 啟用設備上的人工智慧還能提高網絡效率，降低能耗要求，減少成本更高的雲端解決方案的開銷。」 美光是在去年末推出了1β工藝節點，讓LPDDR5X提供了業界最先進的節能功能，比如增強的動態電壓等技術，可提供近30%的能效改進，並靈活地提供工作負載定製的功率和性能。美光稱，這些節能措施對於能源密集型、人工智慧驅動的應用尤其重要，使用戶能夠在延長電池壽命的同時獲得生成式人工智慧的好處。 ...

快科技10月17日消息，美光正式推出了7500系列SSD，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 據悉，新款SSD改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。 同時，其最大順序讀取速度可達7000 MB/，順序寫入速度可達5900 MB/，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 此外，美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。 不僅如此，美光7500系列SSD還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 其他方面，美光7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 來源：快科技

美光宣布，推出7500系列SSD，相比之前的7450系列SSD，性能有所提升。新產品沿用了PCIe 4.0 x4接口，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一一款搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 7500系列SSD和7450系列SSD採用了相同的主控解決方案和平台，不過帶有新的固件，並改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。其最大順序讀取速度可達7000 MB/s，順序寫入速度可達5900 MB/s，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。其引入了業界最快的I/O速度，達到了2.4 GB/s，比176層的NAND快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。同時還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 7500系列屬於U.3/U.2 SSD，15mm厚度的規格，這是最近伺服器存儲設備流行的尺寸，提供的容量大小從800GB至15.36TB，寫入壽命為3 DWPD。此外，7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 ...

美光是世界上最大的半導體公司之一，剛剛慶祝其成立45周年。與此同時，美光宣布其位於馬來西亞檳城Batu Kawan的新建封裝和測試廠落成，採用了智能製造應用程式來優化效率、產量和生產質量，以確保美光繼續提供高效、可靠的產品。 此前美光投資了10億美元，未來幾年內將繼續增加10億美元的投資，包括建設和全面裝備這個新工廠，將工廠面積增加到150萬平方英尺。擴建後，美光可以提高產能，並進一步加強其組裝和測試能力，使其能夠提供領先的NAND、PCDRAM和SSD模塊，以滿足對人工智慧、自動駕駛或電動汽車等變革技術不斷增長的需求。 美光表示一直關注可持續性，新設施的設計符合能源與環境設計領導力評級系統（LEED），這是世界上使用最廣泛的綠色建築認證。與美國供暖與空調工程師協會（ASHAE）的標准相比，這種具有環保意識的方法使得美光新工廠的能耗降低了25%以上，為環保半導體製造樹立了一個高標准。 馬來西亞的工程是美光全球網絡中第一個100%使用可再生電力的工廠，運營方面也將支持美光的可持續發展目標，即到2050年實現淨零排放，到2030年實現危險廢物零填埋。 ...

美光宣布，推出使用最新的1β（1-beta）工藝節點批量生產的16Gb DDR5內存，速率達到了7200MT/s。美光表示，新款DRAM晶片採用了high-k CMOS器件技術，相比上一代產品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，現已交付給所有數據中心和PC客戶。 美光是在去年末推出了1β工藝節點，無論性能、位密度還是電源效率上都有顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。基於1β工藝節點打造的DDR5內存覆蓋了4800MT/s至7200MT/s的范圍，允許將計算能力推向更高的性能水平，支持跨數據中心和客戶端平台的人工智慧（AI）訓練和推理、生成式人工智慧、數據分析和內存資料庫（IMDB）等應用。 美光核心計算設計工程集團公司副總裁BrianCallaway表示，採用1β工藝節點的DDR5內存進入大批量生產及應用是行業內的一個重要里程碑，與生態系統合作夥伴及客戶合作將推動高性能內存更快地被採用。美光將會有多款產品採用1β工藝節點，除了DDR5外，還包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。 美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智慧驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據了解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。 ...

美光在今年7月，推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。 據相關媒體報導，美光在近日的財報電話會議上透露，已經向客戶提供了HBM3 Gen2的樣品。其性能更強且功耗更低，實際效能超出了預期，以至於美光的一些客戶在實際測試之前都不相信這些數據，與競爭對手的樣品相比，更是讓他們大吃一驚。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，人工智慧（AI）業務將帶來數以億計美元的收入，希望這股熱潮能帶美光走出財務困境。同時美光一直與英偉達緊密合作，預計HBM3 Gen2將會在2024年英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。 據美光的介紹，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解決方案的基礎是其1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。 此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。 ...

美光確認，將在明年初大批量出貨交付HBM3E高帶寬內存，首要客戶就是NVIDIA。 如今，NVIDIA A100/H100計算卡熱賣，對於HBM的需求也空前高漲，動輒單卡幾十GB，最近宣布的Grace Hopper超級晶片， 美光的HBM3E又叫第二代HBM3，1βnm工藝製造，單顆容量24GB，堆疊了八顆24Gb Die，數據率最高9.7GT/，意味著峰值高達1.2TB/，比市面最快方案高出44％。 同時，美光還在准備12顆堆疊，容量可達32GB，將在明年推出。 HBM3E上美光難得一次領先於三星、SK海力士，對於HBM市場份額僅僅10％的美光來說是關鍵一步，所以才能搶下NVIDIA的大單。 不過，SK海力士也已經搞定了自己的HBM3E，同樣會供貨給NVIDIA。 畢竟，這東西需求量太大了，NVIDIA一直貨源吃緊，雞蛋不能放在一個籃子裡。 順帶一提，美光還將在明年初出貨32GB DDR5顆粒，可以輕松做成單條桌面32GB、伺服器128GB， 來源：快科技

美光宣布，已經出樣單條128GB容量的DDR5內存，使用的是其今年夏初宣布的32Gb(4GB) DDR5顆粒。 最關鍵的是，美光這種32Gb DDR5顆粒，是單晶片設計，而非多晶片整合封裝，因此存儲密度更高，也更容易做成更大容量的內存條。 但關於它的具體信息所知甚少，美光只公布了採用1βnm製造工藝，基於DUV多重曝光，而沒有使用EUV。 頻率、功耗、電壓什麼的，均未公開，理論上會比使用兩顆16Gb更省電。 有了這種顆粒，只需四顆就能做成標準的桌面用32GB、伺服器用128GB內存條，甚至可以達成單條1TB，那樣的話單路系統最多就是12TB！ 不過，美光並未公布128GB DDR5內存條何時規模出貨，1TB何時推出，只是預計將在明年初自家DDR5的出貨量就會超過DDR4。 另外，，12nm級工藝。 來源：快科技

美光公布了2023財年第四財季財報（截至2023年8月31日），季度營收為40.1億美元，相比於上個季度的37.5億美元小幅度增長，環比增長了7%，高於市場39.3億美元的預期，比起上一財年同期的66.4億美元，同比下降40%；淨虧損約為14.3億美元，上一財年同期淨利潤為14.9億美元；每股攤薄虧損為1.31美元；運營現金流位2.49億美元，上個季度為2400萬美元，上一財年同期更是高達37.8億美元。 美光預計2024財年第一財季的營收在44億美元左右，上下浮動2億美元，高於42.1億美元的市場預期，每股攤薄虧損為1.07美元，上下浮動0.07美元。美光預計整個2024財年的資本支出將「略高於」2023財年的水平，同時定價和盈利能力會有所改善。 美光同時還公布了2023財年的財報，顯示營收為155.4億美元，相比於上個財年的307.6億美元大幅度下降，減少了49%；DRAM產品的營收減少了51%，跌至110億美元，占美光總收入的71%；NAND快閃記憶體產品的營收減少了46%，跌至42億美元，占美光總收入的27%；淨虧損約為58.3億美元，上一財年淨利潤為86.9億美元；每股攤薄虧損為5.34美元；上一財年每股攤薄收益為7.75美元。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，庫存負擔已大幅減輕，除了數據中心製造商外，目前其客戶的訂購量已反映了消費端的需求，在部分細分領域，個別廠商正在增加每種產品的訂單量和庫存量。預計PC和智慧型手機明年都將恢復增長，不過增幅只是在個位數的中低水平，存儲晶片市場在2024年將迎來復蘇。 ...

美光在去年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售。不過美光並沒有放棄自有品牌內存，今年就推出了英睿達品牌的Pro系列內存，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 Crucial Pro系列內存分為DDR4-3200和DDR5-5200/5600多種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。現在美光更新了Pro系列產品線，帶來了頻率更高的DDR5-6000內存，不過暫時僅提供48GB套裝（24GB x2），售價為166.99美元（約合人民幣1217元），外觀上也延續了之前的設計。 與一般的Classic系列不同的是，Pro系列內存支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。雖然美光在Pro系列內存上更多地遵循JEDEC規范，而且看起來更傾向於專業類型產品，不過設計上也針對遊戲玩家。 這次Crucial Pro DDR5-6000 48GB（24GB x2）套裝的時序CL為48-48-48，運行電壓僅為1.1V，相比於許多同頻率的產品的1.35V電壓更低一些，這意味著可能會有更高的超頻潛力。 ...

根據研究機構TrendForce發布的最新調查報告，顯示受到高通脹及經濟形勢影響，雲端服務商資本支出保守並持續調低全年伺服器需求，加上部分客戶推遲部署伺服器，以及將資源投到AI伺服器，導致2023年第二季度全球Enterprise SSD營收僅為15億美元，環比大幅度減少了24.9%。 與AI伺服器需求旺盛相比，通用伺服器的訂單和出貨量遲遲沒有回暖，Enterprise SSD采購量承壓，全年采購位元量估計會低於去年。供應商只能下調產能，減緩庫存的增長，而客戶庫存仍處於高位，導致采購動能不足，預計2023年第三季度全球Enterprise SSD均價將環比下跌約15%，可能會出現旺季不旺的境況。 三星作為Enterprise SSD最主要的供應商，受到通用伺服器需求下滑沖擊最為明顯，2023年第二季度里Enterprise SSD營收約為5.3億美元，環比減少34.1%，市場占有率為35.2%；SK海力士（包括Solidigm）營收環比減少了18.3%，約為3.7億美元，市場占有率為24.9%，正視圖通過價格優勢擴大市場占有率；美光受惠於SATA SSD穩定的訂單，加上採用176層NAND快閃記憶體的SSD開始大量供應，相比其他廠商下滑幅度較小，環比僅減少1.8%，市場占有率為14.3%；鎧俠也開始大量供應PCIe 4.0 SSD，營收約為2億美元，環比減少34.1%，市場占有率為13.6%；西部數據環比減少20%，營收約為1.8億美元，市場占有率為12%。 ...

根據集邦咨詢的最新報告，隨著AI伺服器帶動HBM出貨增長、消費級DDR5大量備貨，三星、SK海力士、美光三大原廠在今年第二季度的表現都很亮眼，整個DRAM內存晶片行業收入達到約114.3億美元，環比大漲20.4％，結束了連續三個季度的頹勢。 其中，三星收入45.3億美元，環比增長8.6％，仍然以39.6％的份額高居第一，不過其DDR5工藝仍然落後於1Ynm，占比有限，而且平均價格環比減少7-9％。 SK海力士收入34.4億元，環比增長近50％，份額達到30.1％，從而反超美光回到第二，出貨量也大漲超過35％，DDR5、HBM占比顯著增長，從而帶動平均價格增加7-9％。 美光收入29.5億美元，環比增長15.7％，份額為25.8％，平均價格基本穩定，其中DDR5表現較好，HBM發展太慢。 隨著DRAM合約價格持續下跌，三大廠的營業利潤仍然是負值，不過都在收窄。 其中，三星從-24％回升到-9％，SK海力士從-50％大幅收縮至-2％，美光則從-55.4％略微回到-36％。 台廠方面，南亞、華邦分別增長8.2％、6.9％，力積電則是唯一負增長的反而倒退了7.8％。 到了第三季度，隨著DRAM行業收入持續增長，原廠減產後議價能力更強，合約價格不會在大幅下降，庫存損失有所改善，預計營業利潤將扭虧為盈。 來源：快科技

去年9月份，美光宣布未來10年將投資約150億美元，在美國愛達荷州博伊西新建一座內存晶片製造廠。這也是美國20年來本土首個新建內存晶片製造廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。美光預計該項投資將在2030年前，為愛達荷州創造1.7萬個就業機會，其中2000個屬於直接崗位。 據相關媒體報導，美光已要求政府出資，幫助其建造位於愛達荷州博伊西和紐約州克萊市的新工廠。 資金當然是來自《美國晶片法案》的520億美元預算，這意味著美光和英特爾一樣，希望能說服政府，獲得比競爭對手更多的資金份額。此前英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特爾的重要研發工作都在美國本土完成，而且在此處擁有規模龐大的自有工廠，應該拿到更多補貼才對。 英特爾和美光的做法也引來了爭議，有人認為《美國晶片法案》的資金主要來自於納稅人，在半導體市場疲軟的趨勢下，這些半導體企業以包括擴大產能等各種理由申請大量補助資金，其實是讓別人掏腰包去填補其自身的業績虧損。 2021年10月，美光宣布在未來十年內，計劃在全球范圍內投資超過1500億美元，用於內存製造和研發，包括提高晶圓廠的產能，以滿足內存不斷增長的需求。美光認為，內存和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。 ...

美光宣布，推出CZ120內存擴展模塊，已經向合作夥伴和客戶提供了相關的樣品。其基於Compute Express Link（CXL）2.0Type 3標准打造，容量為128GB和256GB，採用了PCIe 5.0 x8接口，外形為E3.S 2T規格，內部搭載了Microchip的SMC 2000微控制器，使用的DRAM晶片採用了1α工藝節點進行生產。 CZ120內存擴展模塊提供了高達36GB/s的帶寬，相比於一般相同容量的DDR5-4800 RDIMM（帶寬為38.4GB/s）只是稍慢一些。目前AMD第四代EPYC伺服器處理器（代號Genoa）支持12通道DDR5-4800內存子系統，提供高達460.8GB/s的帶寬，而英特爾第四代Xeon伺服器處理器（代號Sapphire Rapids）支持8通道DDR5-4800內存子系統，提供高達307.2GB/s的帶寬。一般情況下，這些處理器都具有足夠的帶寬，但某些工作負載需要更大容量的內存和更高的帶寬，比如資料庫軟體，這時候CZ120內存擴展模塊就能發揮作用了。 據美光的介紹，如果在一台配備12條64GB DDR5內存的系統上增加四個256GB的CZ120內存擴展模塊，可以使伺服器處理器的內存讀寫帶寬提高24%，而且多出的內存容量可以讓其每天多處理96%的資料庫查詢。 美光表示，一直使用英特爾和AMD的平台開發和測試CZ120內存擴展模塊，希望通過其產品創新與CXL生態系統的合作，讓新標准更快地被接受，以滿足數據中心及其內存密集型工作負載不斷增長的需求。美光暫時還沒有透露CZ120內存擴展模塊的具體定價，以及出貨計劃，估計要等各方完成驗證和認證工作後才能進行，應該要等到2024年。 ...

快科技7月27日消息，美光宣布推出業界首款8層24GB HBM3 Gen2內存晶片。 據了解，這款內存晶片總帶寬超過1.2TB/，引腳速度超過9.2Gb/，比HBM3提高50%。 美光表示，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。 HBM3 Gen2的解決方案的基礎是1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。 此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。 根據美光公布的最新技術路線圖，2026年的“HBMNext”將進一步提高容量，可達到36GB至64GB，帶寬也會提升至超過1.5TB/至2+TB/。 另外，美光明年將會帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個數據I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。 來源：快科技

今年年初，美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600標準的第二代DDR5內存模塊，除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用戶選擇，支持XMP 3.0和EXPO技術，使用1α工藝節點進行批量生產。這也是市場上首批24GB和48GB內存模塊，從側面證明了美光在存儲領域的實力。 據TomsHardware報導，美光希望繼續保持在DRAM市場的領先優勢，已經計劃在2024年上半年量產32Gb DDR5晶片，為打造1TB大容量內存模塊奠定基礎。盡管美光沒有透露新款DRAM晶片的數據傳輸速率，不過考慮到這是第三代DDR5內存模塊，頻率應該會進一步提升。 32Gb DDR5晶片將採用美光去年推出的1β（1-beta）工藝節點生產。這是目前美光在存儲晶片上最先進的半導體工藝，有可能是其最後一個沒有採用極紫外（EUV）光刻技術的製造工藝，此前已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送了DRAM晶片樣品。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內全面使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上。 32Gb DDR5晶片首先會用於數據中心的內存模塊，這是對內存容量需求最為迫切的地方。據了解，美光明年首先會提供128GB的DDR5內存模塊，然後再推出192GB和256GB的產品。512GB和1TBDDR5內存模塊暫時還沒有安排，不過有可能提前向特定客戶提供。 ...

美光宣布，推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。 美光表示，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解決方案的基礎是其1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。 此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。美光在技術方面的進步，讓能效提升成為可能，矽通孔（TSV）技術增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，以及節能的數據路徑設計，因此能效得以提高。 根據美光公布的最新技術路線圖，2026年的「HBMNext」將進一步提高容量，可達到36GB至64GB，帶寬也會提升至超過1.5TB/s至2+TB/s。此外，美光明年也會帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個數據I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。 ...

據DigiTimes報導，由日本半導體供應商組成的日本半導體製造設備協會（SEAJ）公布了2023年度（指202304至202403）的銷售預期，從幾個月前按年減少5%，調低至按年減少23%，向下調整幅度遠遠超過之前的預期。 日本半導體製造設備協會公布的最新2023年度銷售額預期數據顯示，全年度的銷售額約為3.02萬億日元（約合212.55億美元/人民幣1534.86億元），低於今年1月時候的數據。 下調的主要原因是，以存儲器為主的半導體製造商在設備投資方面的恢復速度比預估的要更慢些。目前全球排名前三的存儲器製造商為三星、SK海力士和美光，其中三星在今年宣布減產，其餘兩家在更早之前就執行了，普遍產品減產20%至30%。同時半導體市況不景氣，全球通脹及消費放緩讓手機和PC等消費終端需求下滑，半導體製造商設備投資的意願減弱。 不過日本半導體製造設備協會對2024年度的預期較為樂觀，認為存儲器製造設備和邏輯IC的晶圓代工設備的投資將會復蘇，新款CPU和以ChatGPT等生成式人工智慧應用擴大使得數據中心投資加大，同時手機和PC等消費終端需求也會恢復增長，預計2024年度的銷售預期按年增長10%。 ...

此前美光和群聯電子聯手打造的英睿達T700系列PCIe 5.0 SSD已經上市銷售了，1TB和2TB版本分別為1699元和2699元，帶有散熱器的版本還要貴上100元。目前4TB大容量版本也已登陸電商平台，顯示價格為4699元，曬單送200元E卡，提供五年有限質保。 T700 PCIe 5.0 SSD 4TB，京東地址：點此前往>>> 美光官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，帶有4GB獨立緩存，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0 SSD，連續讀/寫速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe...

美光公布了2023財年第三財季財報（截至2023年6月1日），季度營收為37.5億美元，相比於上個季度的36.9億美元略微增長，環比增長了2%，高於分析師36.5億美元的預測平均值，不過比起上一財年同期的86.4億美元，同比下降57%；淨虧損約為19億美元，上一財年同期淨利潤為26.3億美元，每股攤薄虧損為1.73美元；運營現金流大幅降至2400萬美元，上個季度為3.43億美元，上一財年同期更是高達38.4億美元。 美光預計2023財年第四財季的營收在39億美元左右，與市場預期值基本一致，每股攤薄虧損為1.34至1.41美元。美光在2023財年第三財季的資本支出為13.8億美元，前三個財季累計資本支出為62.15億美元，預計整個2023財年的資本支出約為70億美元，這意味著第四財季的資本支出規模會縮減。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra稱美光在2023財年第三財季的收入、毛利率和每股收益均高於指導區間的平均值，認為存儲器行業已經度過了收入的低谷期，隨著行業供需平衡的逐步恢復，預計利潤率將有所提升。Sanjay Mehrotra也承認，網信辦對美光作出不予通過網絡安全審查的結論是一個重大的「逆風險」，中國大陸和香港的收入占其全球收入的四分之一，其中一半面臨風險影響。 ...

過去一段時間里，不少半導體企業深陷產業不景氣的市況中。雖然有個別企業受益於AI需求的熱潮，不過總體上仍處於低迷。分析咨詢機構Omdia一項最新研究顯示，半導體市場在2023年第一季度的收入繼續下跌，這已經是連續五個季度下滑。據了解，這也是Omdia自2002年展開此項追蹤統計以來，半導體市場出現的最長一次下跌行情。 根據統計，半導體市場2023年第一季度的收入為1205億美元，相比2022年第四季度下降了9%。半導體市場是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期間，隨著全球處於疫情階段，市場需求增加，經過了多個季度連續上漲。 內存和MPU是重災區，直接影響了整個半導體市場的收入。2023年第一季度MPU市場的收入為131億美元，規模僅為2022年第一季度（200億美元）的65%。內存市場情況更糟糕，2023年第一季度的收入為193億美元，規模僅為2022年第一季度（436億美元）的44%。在2023年第一季度里，內存和MPU兩個細分市場的收入合計下降了19%，拖累整個半導體市場環比下降9%。 過去三個季度里，存儲器市場遭遇動盪也讓市場份額排名出現了變化。 一年前，按收入計算的前五家半導體公司中有三家來自內存領域，分別是三星、SK海力士和美光，現在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光沒有進入前十名是在2008年，這說明了以內存產品為重點的半導體公司現今所面臨的困境。 ...

此前美光已宣布，計劃未來幾年內對其西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣。其中包括收購力成半導體在西安的封裝設備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，並引進全新且高性能的封裝和測試設備。 近日，美光宣布將在印度古吉拉特邦興建封裝和測試設施，這也是其在印度的首座工廠。美光表示，新設施將分階段建設，預計會在今年內動工，第一階段包括50萬平方英尺的潔淨室，並於2024年底投入運營，屆時將根據全球需求趨勢逐步提高產能。該項目的第二階段將在2025年後開始，規模和設施與第一階段基本一致。 美光兩個階段的投資總額在8.25億美元，並會在未來數年內創造多達5000個直接在美光工作的新崗位，另外還有15000個社區工作崗位。根據印度政府的補貼政策，美光會從印度中央政府獲得項目總成本50%的財政支持，同時從古吉拉特邦獲得項目總成本20%的獎勵。這意味著美光自身加上政府機構的補助，總投資額將達到27.5億美元。 美光全球封裝和測試運營高級副總裁Gursharan Singh表示，該項目是美光與印度政府官員進行了長達一年多的討論才決定的，新工廠將專注於將晶圓轉化為球柵陣列（BGA）集成電路封裝、存儲模塊和固態硬碟。 ...

美光宣布，推出其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，目前正在向部分智慧型手機製造商和產品供應商發送樣品。美光表示，最新的移動快閃記憶體在幾個關鍵的NAND基準測試中領先於競爭對手，可以為智慧型手機提供業界最強性能，包括快速啟動、應用程式啟動和視頻下載。 美光移動業務部副總裁兼總經理Mark Montierth表示：「美光最新的移動解決方案將我們一流的UFS 4.0技術、獨有的低功耗控制器、232層NAND快閃記憶體和高度可配置的固件架構緊密結合在一起，提供了無與倫比的性能。這些技術將美光置於提供客戶所需的性能和低功耗創新的最前沿，從而為旗艦智慧型手機提供卓越的用戶體驗。」 美光的UFS 4.0快閃記憶體提供了三種容量，分別為256GB、512GB和1TB，這是其首個基於232層3D TLC NAND快閃記憶體的移動解決方案，也是世界首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品，提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。 美光表示，2023年下半年將開始批量生產UFS 4.0存儲產品，為移動生態系統提供高性能移動快閃記憶體，以助力下一波5G和人工智慧的創新與設備體驗。 ...

雖然70英鎊/ 70美元的標准版和100英鎊/ 100美元的高級版供應充足，但250英鎊/ 300美元的星座版似乎更難買到。 目前星座版在英國有貨，在美國很快就賣光了。 在英國，《星座版》只在Game上發售，目前Xbox系列X/S和PC都可以預購。 在美國，包括亞馬遜、沃爾瑪和百思買在內的許多零售商的星座版已經售罄。 高級版和星座版附帶了游戲的第一個故事擴展《破碎空間》以及早五天體驗《星空》。這兩個版本還包括額外的星座皮膚包，配樂和藝術書籍。 來源：遊民星空

美光宣布，推出96GB大容量DDR5 RDIMM，目前已可以批量生產，速率達到了4800MT/s，與普通的DDR4同類產品相比，帶寬增加了一倍。美光表示，通過解鎖下一代單片機技術，其高密度內存解決方案的整合增強了人工智慧（AI）和內存資料庫工作負載的能力，並消除了對昂貴且增加延遲的晶片堆疊需求。 96GB DDR5-4800 RDIMM可以滿足AMD第四代EPYC伺服器處理器的要求，比如可用於Supermicro 8125GS，這是一個高性能計算、人工智慧和深度學習培訓以及工業伺服器工作負載的優秀平台。 美光公司計算產品部副總裁兼總經理Praveen Vaidyanathan稱，提供大容量內存解決方案，能為計算密集型工作負載提供合適的性能，而這次推出的內存模塊為客戶建立了一個新的優化總擁有成本的解決方案，加上與系統供應商的密切合作，可以利用各自的優勢，為客戶提供最新的內存技術，以解決最具挑戰性的數據中心需求。 今年不少內存廠商開始提供單條容量為24GB、48GB和96GB的DDR5內存，這意味著內存容量將改變過往以2次冪遞增的歷史。這類產品被認為是新一代伺服器和工作站的最佳選擇，因為系統可以更為精確地平衡內存容量和處理器內核數量，增大內存容量的同時，還可能帶來更低的成本。 ...

此前美光推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，涵蓋了DDR4和DDR5產品。目前這些新品已登陸電商平台，開啟了預約搶購，還有首發限時福利，DDR5產品曬單送50元E卡，DDR4產品曬單送20元E卡。 Crucial Pro DDR5-5600 32GB（16GB x2）套裝，價格為699元，京東地址：點此前往>>>Crucial Pro DDR4-3200 32GB（16GB x2）套裝，價格為449元，京東地址：點此前往>>>Crucial Pro DDR4-3200 64GB（32GB x2）套裝，價格為899元，京東地址：點此前往>>> 首批英睿達Pro系列記憶體分為DDR4-3200和DDR5-5600兩種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。另外與之前Classic系列不同的是，Pro系列記憶體支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。 新款Pro系列DDR5-5600記憶體的工作電壓為1.1V，時序為CL46-46-45-45，DDR4-3200記憶體的工作電壓為1.2V，時序為CL22-22-22-22，相比於許多同類產品並不是十分突出。 美光在去年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌記憶體的生產和銷售。這並不意味著美光放棄自有品牌記憶體，這次推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，進一步拓展了產品線，未來可能會帶來更多或更為高端的發燒級記憶體產品。 ...

美光作為全球重要的記憶體和快閃記憶體晶片的研發、生產企業，同樣擁有自己的記憶體和SSD品牌，名為Crucial，也就是英睿達。曾經在該品牌下面還有個子品牌名叫Ballistix，中文名是鉑勝。不過在數年前，美光將Ballistix品牌獨立，不再從屬於英睿達，而是平行發展，專注於超頻和高性能遊戲記憶體。 不過在去年，美光改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌記憶體的生產和銷售。這並不意味著美光放棄自有品牌記憶體，這次就推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 首批Crucial Pro系列記憶體分為DDR4-3200和DDR5-5600兩種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。另外與Classic系列不同的是，Pro系列記憶體支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。 新款Pro系列DDR5-5600記憶體的工作電壓為1.1V，時序為CL46-46-45-45，DDR4-3200記憶體的工作電壓為1.2V，時序為CL22-22-22-22，相比於許多同類產品並不是十分突出。兩者均提供了32GB（2x 16GB）套裝，DDR5-5600款提供了32GB（2x 16GB）套裝，價格為114.99美元（約合人民幣596.73元）。DDR4-3200款提供了32GB（2x 16GB）和64GB（2x 32GB）套裝，價格為69.99美元（約合人民幣363.21元）和價格為141.99美元（約合人民幣736.85元）。 ...

雖然首批PCIe 5.0 SSD已經在市場上銷售，但美光和群聯電子聯手打造的英睿達T700系列PCIe 5.0 SSD有著更強的性能，以提供更快的存儲解決方案。事實上，這款新品過去一段時間里已經多次預熱，展現了不俗的性能。 目前，英睿達官方已開始接受T700系列PCIe 5.0 SSD的預訂，提供了1TB、2TB和4TB三種容量，價格分別為179.99美元（約合人民幣1244.11元）、339.99美元（約合人民幣2350.04元）和599.99美元（約合人民幣4147.19元）。另外英睿達還提供了帶有散熱器的版本，1TB、2TB和4TB對應的價格分別為209.99美元（約合人民幣1451.47元）、369.99美元（約合人民幣2557.41元）和629.99美元（約合人民幣4354.55元）。 官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0 SSD，連續讀/寫速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe...

PCIe 5.0 SSD已經誕生了很多，但因為快閃記憶體限制，性能都不是滿血狀態，讀寫只能跑到10GB/左右。 美光旗下消費級品牌英睿達正在打造自己的PCIe 5.0 SSD T700，雖然主控依然是群聯E26，但得益於原廠最新的232層快閃記憶體，速度終於上來了。 英睿達T700採用了體積龐大的散熱片，而且因為所有容量都是雙面快閃記憶體設計，所以背面也設計了散熱貼。 好消息是，它沒有主動風扇，不會煩人。 規格方面，1TB、2TB、4TB三種容量，分別搭配2GB、4GB、8GB LPDDR4緩存，標稱峰值順序讀寫速度12.4GB/、11.8GB/，隨機讀寫最高都是150萬IOPS，五年質保，標準的每天0.33次全盤寫入。 Tom's Haredware實測了2TB版本，不過目前的硬體、主控都是預覽版，預計本季度末正式發布。 QD8隊列深度下，順序讀寫速度峰值分別達12425MB/、11872MB/，明顯超過其他PCIe 5.0 SSD 10GB/出頭的表現。 當然，企業級PCIe 5.0 SSD已經可以做到14GB/，那才是真滿血狀態，而且受制於散熱，T700的峰值性能狀態只能維持區區20秒鍾，之後就迅速掉到3.6GB/左右，400秒之後性能再次減半，直到700多秒後才能恢復到3.6GB/。 QD1也讀取峰值約9.2GB/，領先其他同類產品8.7GB/左右，不過寫入峰值都差不多在9.6GB/上下。 功耗方面，拷貝50GB的文件夾，需要大約6.74W，比其他PCIe 5.0 SSD略低一些但差不多。 算下來，能效比335.4MB//W(每瓦傳輸速度)，明顯領先其他PCIe 5.0 SSD。 但是，峰值功耗可以達到12.29W，遙遙領先，此時散熱壓力還是很大的。 來源：快科技

美光在最近的財報電話會議上證實，該公司的記憶體晶圓廠產能利用率目前處於歷史最低水平。 據供應鏈消息稱，鑒於短期SSD等存儲價格繼續走降價路線，美光這個產能利用率有望更低。 之前，美光發布的財報顯示，2023財年第二季度營收同比下降約53%，至36.9億美元，淨虧損23億美元。 美光已進一步削減2023會計年度資本支出，目前預期將投資大約70億美元、較2022年度縮減超過40%；2023年度晶圓廠設備（WFE）資本支出預估將年減超過50%、2024年度預估將進一步縮減。此外，2023年裁員目標進一步擴大到15%，高於此前10%的目標。 3月31日晚，網信辦發布公告，宣布對美國半導體公司美光在華銷售產品啟動網絡安全審查。 網信辦表示，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防範產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網絡安全法》，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網絡安全審查。 美光回應《科創板日報》記者稱：“已知曉中國網絡安全和信息化委員會辦公室（網信辦）宣布對我們在華銷售的產品啟動網絡安全審查。我們正與網信辦進行積極溝通和全力配合。” 來源：快科技

此前LinusTechTips發布了一段視頻，對英睿達即將推出的新款T700 PCIe 5.0 SSD進行了簡單的測試。雖然首批PCIe 5.0 SSD已經在市場上銷售，但美光和群聯電子聯手打造的這款新品有著更強的性能，將提供更快的存儲解決方案。 近日有網友就放出了更多英睿達T700PCIe 5.0 SSD的資料，官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0...

2023年03月31日晚上20時30分，網信辦發布公告，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防範產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據國家安全及網絡安全方面的法律法規，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網絡安全審查。 公告發出後，美光股價在2023年3月31日下跌4.36%，收盤價為每股60.340美元。 美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，成立於1978年，其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、SSD固態硬碟和CMOS影像傳感器，總公司（Micron Technology, Inc.）設於美國西北部愛達荷州的首府博伊西。 幾天前，美光公布了2023財年第二財季財報（截至2023年3月2日），季度營收為36.9億美元，低於分析師預期的37.1億美元，也低於上個季度的40.9億美元及上一財年同期的77.9億美元，同比下降53%；淨虧損為23.1億美元，上一財年同期淨利潤為22.6億美元，每股攤薄虧損為2.12美元；運營現金流為3.43億美元，上個季度為9.43億美元，上一財年同期為36.3億美元。 這是美光過去二十年來最嚴重的季度虧損，上一次出現如此規模的季度虧損是2003財年第二財季，當時淨虧損為19.4億美元。美光預計2023財年第三財季的營收在39億美元左右，高於市場預期的37.5億美元，每股攤薄虧損為1.51至1.65美元，也高於分析師預期的虧損0.84美元。 ...

顆粒原廠美光（Micron）本周公布了2023財年第二財季財報（3月2日），三個月虧損多達23.12億美元（約合159億元人民幣），創下20年來新高。 美光CEO Sanjay Mehrotra在電話分析師會議上坦言，記憶體和快閃記憶體行業正經歷13年來最嚴重的低迷，異常疲軟的定價影響了我們的業績表現。 還有一個值得關注的數據是Q2存貨跌價准備高達14億美元，也就是大量的庫存要賠錢賣。 既然供過於求的形勢嚴峻，最簡單粗暴的辦法就是減產。 事實上，CEO Sanjay Mehrotra透露，美光晶圓工廠的產能利用率達到了創紀錄的低水平。 為了降本增效，美光還宣布將裁員比例從10%提高到15%。公司預計2024年才能恢復正向自由現金流。 現在業內的普遍看法是，這波記憶體/SD的清庫存最快也要三季度才能結束，不然最近怎麼頻繁看到1TB手機普及、512GB SSD筆記本普及這些話術，都是被逼的。 來源：快科技

過去兩年中，記憶體價格一路下滑，消費者享受到了白菜價的記憶體，但是記憶體廠商的日子不好過，美光日前發布了2023財年Q2季度報告，營收36.93億美元，同比下滑多達52.5%，虧損23.1億美元。 這是2003年Q2季度創下19.4億美元虧損以來的最高紀錄，可以說是20年來最差業績了。 美光CEO Sanjay Mehrotra也表示這主要是受到了記憶體及快閃記憶體價格暴跌影響，存儲晶片行業正在經歷13年來最嚴重的考驗。 雖然財報數據難看，但是發布之後美光公司股價反而大漲7%，因為美光CEO表示最壞的日子過去了，客戶庫存狀況變得越來越好，美光預期產業供需將逐步恢復平衡，美光仍看好長期需求、正審慎投資以維持技術和產品組合競爭力。 同時美光也在進一步縮減投資以降低成本，2023年的資本開支減少到了70億美元，比去年減少40%，2024年還會進一步減少，同時高管降薪、取消2023年獎金發放，裁員比例也從10%提升到15%，一切都在降本增效。 美光CEO還給記憶體市場找到了救命稻草，最近ChatGPT為代表的生成式AI火爆全球，各大科技巨頭紛紛下場研發AI產品，後者不僅需要高性能晶片訓練，同時也需要大量的記憶體及快閃記憶體。 據美光所說，AI伺服器對記憶體容量的需求是常規伺服器的8倍，對快閃記憶體容量的需求是常規伺服器的3倍，隨著全球數據生成、存儲及處理需求的指數級增長，行業供需平衡可能會在2023年下半年逐步實現。 來源：快科技