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鎧俠推出EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡：最大可選1TB
快科技4月19日消息，鎧俠宣布推出EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡系列。
EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡不僅支持4K視頻拍攝，更能提供海量的存儲空間，確保攝影師和攝像師在創作過程中無需擔心存儲不足的問題。
這款存儲卡採用UHS-I接口，具備100 MB/的驚人讀取速度和50 MB/的寫入速度，支持UHS Speed Class 3（U3）和Video Speed Class 30（V30）標准，無論是捕捉清晰生動的4K視頻還是高速連拍，都能輕松應對。
在安全性方面，EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡同樣表現出色。它具備X射線防護、耐溫性、ESD抗擾度、靜電防護和過熱/點火預防等多重特性，確保在各種環境下都能穩定運行，保護用戶的數據安全。
為了滿足不同用戶的需求，EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡提供了從32GB到1TB的多種容量選擇。其中，32GB產品兼容SDHC主設備以及支持FAT32文件系統的SDXC主設備，而64GB及以上的型號則兼容支持exFAT文件系統的SDXC主設備。對於攝影愛好者和攝像愛好者來說，這樣的存儲空間足以滿足他們長時間的拍攝需求。
值得一提的是，1TB的EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡可錄制長達1258分鍾的4K（100Mbps）視頻，並拍攝多達154070張照片（18 MPixel），為用戶提供了極致的拍攝體驗。無論是風光攝影、人像拍攝還是短視頻創作，這款存儲卡都能成為攝影師和攝像師的得力助手。
此外，鎧俠還為這款EXCERIA G2極至瞬速SD存儲卡提供了長達5年的質保服務，讓用戶購買無憂、使用更放心。
來源：快科技
SK海力士和台積電簽署諒解備忘錄，在HBM4研發和下一代封裝技術上展開合作
SK海力士宣布，已經與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4，預計在2026年投產。
SK海力士表示：「公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業台積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術合作的方式，公司將實現存儲器產品性能的新突破。」
據了解，SK海力士和台積電首先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過矽通孔（TSV）技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。
SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產品）在內的HBM產品，都是基於公司自身製程工藝製造了基礎裸片，但HBM4開始會採用台積電的先進邏輯（Logic）工藝，以便增加更多的功能。SK海力士和台積電將協力優化SK海力士的HBM產品和台積電的CoWoS技術融合，以應相關客戶對HBM產品的要求。
此外，SK海力士還計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。 ...
三星HBM4計劃2025年首次亮相：將有16層堆疊，改用3D封裝
近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。目前HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家存儲器製造商占有，根據統計機構的數據，SK海力士占據了50%的市場份額，三星以40%緊隨其後，剩下的10%屬於美光。
今天三星發表了一篇采訪文章，受訪對象是三星電子產品規劃辦公室高級副總裁Kim Kyung-ryun和三星電子HBM的DRAM開發辦公室高級副總裁Jae-Yoon Yoon，其中介紹了三星在HBM的開發情況。
三星再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。不過三星並沒有公布其HBM4的代號，之前的HBM3和HBM3E的代號分別是「Icebolt」和「Shinebolt」。目前三星提供的最頂級HBM產品是今年2月推出的12層堆疊HBM3E，擁有36GB容量，數據傳輸速率達到了9.8 Gbps，提供了高達1280GB/s的帶寬，比起之前的8層堆棧產品均提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。
據三星介紹，隨著硬體的多功能性變得更加重要，HBM4在設計上也會針對不用的服務應用進行優化，計劃通過統一核心晶片、多樣化封裝和基礎晶片（比如8/12/16層堆疊）來應對。為了解決功耗牆的問題，首個創新將從使用邏輯工藝的基礎晶片開始，隨後是第二個創新，從當前2.5D HBM逐步發展到3D HBM，最後預計會出現第三次創新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的內存半導體技術，這點之前三星已經有過介紹。
之前還有傳言稱，下一代HBM4在設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口，三星還會引入針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術。 ...
鎧俠連續虧損後再次尋求IPO，最快今年10月在東京上市融資
自2021年開始，西部數據和鎧俠（Kioxia）就NAND快閃記憶體生產業務合並斷斷續續地進行談判，以打造全球最大的NAND快閃記憶體製造商。不過在雙方即將敲定最終計劃之際，遭到了鎧俠重要的間接股東SK海力士的強烈反對，讓西部數據選擇中止談判。隨後西部數據宣布未來將分拆為兩家獨立上市公司，分別專注於機械硬碟和NAND快閃記憶體業務，預計在2024年下半年開始執行。
據DigiTimes報導，由於過去一年多存儲器市場低迷，嚴重影響了鎧俠的業務發展和營收表現，預計2023財年（2023年4月至2024年3月）將再次陷入虧損，這將是其連續第二年出現虧損。鎧俠糟糕的財務狀況將違反其向銀行財團借款時的條款，為了穩固財政，提出以首次公開募股（IPO）的方式公開增資，最快於2024年10月在東京證交所上市。
其實早在2020年，鎧俠就有意在當年秋天進行IPO，不過因新冠病毒擴散、市場不確定性以及中美貿易爭端等原因，最後無限期推遲了。到了2021年，雖然市場傳出美光和西部數據都有意收購鎧俠，但其管理層仍更傾向於在當年夏天尋求上市，而不是與海外潛在買家進行交易。隨著與西部數據談判的深入，打算改為在美國和日本兩地上市，沒想到最後又遇到了挫折，上市計劃再次擱淺。
目前鎧俠的多數股權是由私募股權公司貝恩資本牽頭的投資者集團持有，傳聞已經向交易銀行傳達了力爭IPO的想法。 ...
十銓科技發布MP44Q M.2 PCIe 4.0 SSD：最大可選4TB，緊隨大容量需求趨勢
十銓科技（Team Group）宣布，推出MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD。十銓科技表示，致力於為消費者提供多元化最佳存儲解決方案，這次帶來的新產品以領先的技術結合大容量需求趨勢，全面滿足用戶日常系統與文件存儲的需求。
MP44Q SSD為M.2 2280規格，採用了PCIe 4.0 x4接口，支持SLC緩存技術，以低功耗等優勢，滿足所有文書處理機應用存儲，大幅提升工作效率。其搭載了十銓科技獨家的超薄石墨烯散熱標簽貼，小於1mm的導熱材質緊密貼合SSD，加上安裝在主板時與M.2插槽原生散熱片結合，有效解決高效能所帶來的發熱，延長了SSD的使用壽命。
MP44Q SSD提供了最高4TB的容量，搭載了3D QLC NAND快閃記憶體，最大順序讀取速度為7400MB/s，最大順序寫入速度為6500MB/s，MTBF時長為160萬小時。此外，還支S.M.A.R.T.智能監測軟體，通過進行快速簡易的相關設定與檢測，讓用戶隨時掌握SSD的健康狀況。
十銓科技還致力於綠色環保事業，為永續生活盡一份心力，在MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD的包裝上採用了可回收材質，並通過了RoHS、REACH等環境保護認證。十銓科技為產品提供了五年質保，讓消費者不必擔心產品質量，安心使用。
據了解，MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD將於5月初在全球范圍內上市，暫時還不清楚產品的具體定價。...
三星推出速率達10.7Gbps的LPDDR5X：專為人工智慧應用優化
三星宣布，已開發出其首款速率達10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示，新款LPDDR5X是未來端側人工智慧（AI）的理想解決方案，預計將在PC、加速器、伺服器和汽車領域中得到更廣泛的應用，將鞏固其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。
三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示：「隨著對低功耗、高性能內存需求的增加，LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、伺服器和汽車等其他領域，傳統上說，它們需要更高性能和可靠性，三星將通過與客戶的密切合作，不斷創新，為即將到來的設備端人工智慧時代提供更優的產品。」
速率10.7Gbps的LPDDR5X採用了12nm級別的工藝技術，實現了三星現有LPDDR中最小的晶片尺寸。相比於上一代產品，這次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB，成為端側人工智慧時代里高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。
三星還採用了專門的節能技術，可根據工作負載頻率調整和優化供電模式，以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了進一步的提升，相比上一代產品提高了25%，延長了移動設備的電池續航時間，並降低了處理伺服器處理數據的能耗，最大限度地降低了總體擁有成本（TCO）。
在與設備供應商完成驗證後，三星計劃在今年下半年開始量產速率10.7Gbps的LPDDR5X。 ...
美光宣布量產232層QLC NAND快閃記憶體，將供應給客戶端和數據中心產品
美光宣布，已開始量產232層QLC NAND快閃記憶體，並已經在選定的關鍵SSD中發貨。除了消費客戶端產品外，還會向企業存儲客戶及OEM廠商提供對應的產品，比如Micron 2500 NVMe SSD。
美光表示，這次四層單元的NAND快閃記憶體新品是一項突破性的成就，提供了前所未有的層數和密度，可實現比以往NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，並縮短了訪問時間。美光232層QLC NAND快閃記憶體通過利用以下重要功能，為移動、客戶端、汽車、邊緣和數據中心存儲的用例提供無與倫比的性能，包括：
全球位密度最高的OEM量產型NAND快閃記憶體，密度比起自家上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了30%。
業界領先的位密度，領先於競爭對手的最新產品，結構更為緊湊，相比提升了28%。
業界領先的NAND快閃記憶體I/O接口速度，達到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。
讀取性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了24%。
寫入性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了31%。
存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是其大容量DirectFlash模塊的關鍵，在美光的推動下，讓Pure Storage在2028年之前完成取代數據中心所有機械硬碟的目標上又向前邁進了一步。 ...
科賦發布CRAS C925 PCIe 4.0 M.2 SSD：單面設計，最大2TB，兼容PS5
科賦（KLEVV）宣布，推出全新CRAS C925 SSD。這是一款PCIe 4.0 M.2 NVMe SSD產品，以滿足用戶對筆記本電腦、迷你主機和PlayStation 5遊戲主機等設備的存儲升級需求。
CRAS C925 SSD為M.2 2280規格，採用了PCIe 4.0 x4接口，支持SLC快取與HMB技術，提升了產品的耐用度和性能穩定性，以滿足高強度的存儲應用需求。隨附的高效鋁制散熱片，有著很好的降溫效果，有效提升了散熱效率。此外，SSD還支持LDPC ECC糾錯技術、AES 256位加密、S.M.A.R.T技術、以及進階溫控調頻機制，為產品帶來了更好的使用穩定性和安全性，延長了使用壽命。
CRAS C925 SSD提供了500GB、1TB和2TB三種容量，搭載了3D NAND快閃記憶體，為超薄單面設計，有著輕巧的尺寸，帶來了更好的安裝兼容性。其最大順序讀取速度為7400MB/s；500GB、1TB和2TB的最大順序寫入速度分別為6200MB/s、6300MB/s和6500MB/s；500GB、1TB和2TB的隨機讀取分別為670KIOPS、670KIOPS和700K IOPS；500GB、1TB和2TB的隨機寫入為980K IOPS、980K IOPS和1000K IOPS；耐久度方面，500GB、1TB和2TB分別對應600/1200/2400 TBW。
所有購買CRAS C925...
磁帶無敵 單機容量輕松75000TB 寫滿需要38.6天
快科技4月15日消息，在磁帶庫領域有著25年設計和製造經驗的美國企業Spectra Logic發布了最新產品“Spectra Cube”，可以提供多達75PB的存儲空間，也就是75000TB。
一如其名，這台形如方盒子的磁帶庫三圍尺寸為201.7x115.3×91.2厘米，重量466.3公斤。
它支持LTO-6/7/8/9磁帶存儲標准，配備1670個插槽，支持最多30個半高或16個全高磁帶機，最大原生容量30PB，最大壓縮容量75PB。
它的最大原生傳輸速度為每小時32.4TB，最大壓縮傳輸速度可達每小時81.0TB。
照此計算，寫滿這個磁帶庫需要長達38.6天。
磁帶庫的速度不是長項，好處在於超大容量、超穩定，平均故障間隔時間(MTBF) 25萬小時，平均故障間隔循環(MCBF) 200萬次以上，可以做到幾乎沒有離線時間。
Spectra Cube非常適合雲服務。
來源：快科技
SanDisk帶來多款大容量存儲卡，Extreme PRO 4TB SD卡明年上市
西部數據旗下品牌SanDisk（閃迪）在美國拉斯維加斯舉行的NAB 2024上，宣布展出一系列為傳媒娛樂業（M&E）工作流打造的創新技術和存儲解決方案，屬於兼具高性能與大容量的創新產品。
SanDisk表示，新一代SD和microSD Express存儲卡產品組合，將以更高的性能表現減少訪問和保存數據所需的時間，滿足今後應用場景對更快存儲解決方案的需求，這些產品包括：
SanDisk SD Express存儲卡（128GB/256GB）- 與目前西部數據高性能的SD UHS-I存儲卡相比，傳輸速度提高了約4.4倍，專為數據密集型工作流程、高性能相機或其他兼容設備打造，可向下兼容當前設備，並為未來做好准備。
SanDisk microSD Express存儲卡（128GB/256GB）-與目前西部數據高性能的microSD UHS-I存儲卡相比，傳輸速度提高了約4.4倍，為處理高強度工作的專業人士提供了前所未有的速度、容量和性能，同樣向下兼容當前設備。
SanDisk Extreme PROSDXC UHS-I存儲卡（2TB）-憑借超大容量，讓用戶僅在一張卡上就能捕捉更多高解析度照片和4K UHD視頻。
SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-I存儲卡（2TB）- 西部數據首款、全球最快的2TB容量UHS-I microSD存儲卡。
SanDisk Extreme PRO SDUC UHS-I存儲卡（4TB）- 以相同尺寸的SD外形提供超大容量。其支持SDUC規范，突破了SDXC規范里2TB的上限，未來最高可達128TB的容量。
新一代SanDisk的SD和microSD Express存儲卡將於今年夏天在其授權零售商、電子零售商和官方商店上架，不過最受大家期待的SanDisk Extreme PRO SDUC...
美光帶來適用於智慧型手機的LPDDR5X新方案：速率保持9.6Gbps，功耗降低4%
去年10月，美光推出了使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%。
現在美光宣布，帶來適用於智慧型手機的LPDDR5X新版解決方案，在保持9.6 Gbps的速率同時，將功耗進一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光還表示，新的LPDDR5X解決方案也能用於標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2）。
美光表示，在新的LPDDR5X解決方案里，利用了增強型動態電壓和頻率擴展內核（eDVFSC）和第二代high-k金屬柵極（HKMG）技術來提升節電效率，從而顯著改善了功耗表現，並能靈活地提供工作負載定製的功耗和性能，這樣的改進為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。
根據消費者調查報告，顯示智慧型手機的續航能力是選購時最關心的功能，超過了其他關鍵指標，前三位分別是電池續航時間（61%）、拍照質量（48%）和5G網絡連接（24%）。美光認為隨著人工智慧用例和應用引入到旗艦智慧型手機，對於計算相關硬體的能效要求會更加高，市場研究顯示到2027年，全球預計會有超過10億台AI智慧型手機出貨，並滲透到中端設備上。
目前美光已經向移動生態系統提供樣品，包括為人工智慧密集型應用提供持續的高帶寬功能，並進一步提高電源效率。 ...
西數發了一個「手提箱」 能裝368TB SSD 自帶1300W電源
快科技4月14日消息，西部數據發布了一款特殊的可攜式存儲產品“Ultrastar Transporter”，形如手提箱，但內部擁有368TB的海量存儲空間。
它內部有多達七條PCIe 4.0擴展插槽，包括四條全長x16、三條半長x8，正是它們連接了全部368TB NVMe SSD。
其他配置方面，它採用了兩顆第三代至強4310處理器，10nm工藝，12核心24線程，TDP 120W，搭配128GB DDR4 RDIMM內存、兩塊SN740 2TB SSD RAID 1(作為啟動盤)、1300W鈦金電源。
輸入輸出包括兩個200Gb乙太網口、兩個USB 3.0、一個DB9串口、一個VGA視頻口。
至於為什麼做這個產品，相信大家都聽說過，在數據中心和伺服器之間轉移數據，最高效的方式就是把硬碟送過去……
來源：快科技
受益於SSD價格持續上漲，三星和SK海力士在NAND快閃記憶體業務或再盈利
隨著過去一年多里存儲器供應商的連續減產策略取得成效，存儲產品的價格正在反彈。上個月有報告稱，2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體在價格方面都會延續過去多個月的增長趨勢，其中NAND快閃記憶體會表現得更為強勢，合約價將上漲約13~18%。此前西部數據已發出正式的客戶信函，通知其合作夥伴將上調NAND快閃記憶體和HDD產品的價格。
據Business Korea報導，三星和SK海力士將得益於SSD產品的價格持續上漲，NAND快閃記憶體業務有望在2024年第一季度再次實現盈利，結束連續虧損的局面。根據TrendForce上個月發布的2023年第四季度NAND快閃記憶體市場報告，顯示三星是市場占有率最高的廠商，達到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部數據的14.5%。
更值得關注的是，除了SSD，現在HDD的價格也在不斷上漲。雖然HDD比起SSD速度更慢、發熱量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，價格會更便宜，而且發生故障時更容易恢復數據，在部分細分市場會更受歡迎。HDD的價格上漲說明了這次存儲產品的價格上漲，與整個下游產業鏈有密切的關系，同時人工智慧（AI）的蓬勃發展影響供需關系不僅僅是與計算相關的晶片。
與DRAM業務恢復的速度相比，三星和SK海力士的NAND快閃記憶體業務反彈的速度較慢，兩大巨頭都希望通過提高SSD產品的價格，以盡早讓整個存儲器業務恢復到盈利的狀態，為營收做出更大的貢獻。 ...
三星下個月帶來第9代290層V-NAND快閃記憶體，明年會有第10代430層產品
作為全球最大的NAND快閃記憶體供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。
據相關媒體報導，三星計劃下個月發布第9代V-NAND技術，層數將達到290層，高於之前所傳的280層，以替代2022年發布的236層第8代V-NAND技術。目前存儲行業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，而三星看起來領先於SK海力士和鎧俠等競爭對手。此外，三星還公布了第10代V-NAND技術上，層數將達到430層，計劃會在明年到來，或許會引入三堆棧架構。
傳聞首款採用第9代V-NAND技術的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND快閃記憶體晶片，存儲密度達到了28.5Gb mm2，將高於目前業界最高的長江存儲產品，後者的存儲密度為20.62Gb mm2。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。
除了提高存儲密度外，新款3D NAND快閃記憶體晶片的性能也將得到提升，其中包括了最大化3D NAND快閃記憶體輸入/輸出（I/O）速度的新結構。預計三星將帶來990 Pro系列的繼任者，採用PCIe 5.0接口的新一代旗艦SSD。
2022年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出了長期願景：到2030年會將層數提高至1000層。不過有著相同目標的NAND快閃記憶體製造商不止三星一家，此前有報導稱，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima在近期的一次會議上表示，計劃到2031年開始批量生產超過1000層的3DNAND快閃記憶體晶片。 ...
美商海盜船發布WS DDR5 RDIMM ECC套裝，進軍工作站記憶體市場
美商海盜船（CORSAIR）宣布，推出WS DDR5 RDIMM ECC套裝，進軍工作站內存市場。美商海盜船表示，新產品提供了無與倫比的性能和可靠性，重新定義了新一代工作站的功能，並與最新的英特爾第四代Xeon和AMD Ryzen Threadripper 7000系列處理器兼容。
這一系列新款內存套裝擁有最高256GB的容量，為高解析度媒體編輯、3D渲染和人工智慧訓練等內存密集型任務設定了新的標准。顆粒經過了嚴格測試和仔細篩選，使得這些模塊超過了JEDEC規格，具有更嚴格的時序和更高的頻率，確保最苛刻工作負載下提供最佳性能。由於支持ECC，可以實時檢測和糾錯，保證了數據處理的可靠性，迎合了工作站用戶的使用需求。
WS DDR5 RDIMM ECC套裝支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，用戶只需要在UEFI BIOS中加載更快的內存配置文件，就能進一步提升性能。為了滿足不同用戶對容量的需求，美商海盜船提供了64GB（16GB x4）、128GB（16GB x8）、128GB（32GB x4）和256GB（32GB x8）的套裝可選，速率高達6400 MT/s。
為了幫助解決在最密集的工作負載下產生的熱量，美商海盜船集成了一個PGS層，有效地將熱量從電源管理集成電路（PMIC）分散到RDIMM上，從而讓內存在最苛刻的運行條件下也能保證散熱和可靠性。
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美光推出車規級4150AT：全球首款四埠SSD
美光宣布，推出車規級4150AT，這是全球首款四埠SSD，能夠與多達四個SoC連接，為軟體定義的智能汽車集中存儲。美光表示，4150AT SSD結合了市場領先的功能，比如單路輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe 4.0接口和堅固耐用的汽車級別設計，為智能汽車生態系統提供了數據中心級別的靈活性和強大功能。
美光嵌入式產品和系統副總裁Michael Basca表示：「隨著存儲需求競相跟上以人工智慧和先進算法為特色的豐富車載體驗，以實現更高水平的自主安全，這個時代需要一種新的汽車存儲模式來匹配。在我們與重新定義下一代汽車架構的創新者合作的基礎上，美光重新構想了存儲，推出了世界上第一款四埠SSD，為行業提供了靈活性和動力，以推出即將到來的變革性技術。」
相比於一般的車規級單埠SSD，4150AT在沒有車規級PCIe交換晶片的情況下，就能實現多系統間共享單個實體硬碟的容量；美光還針對車用多虛擬機環境進行了優化，4150AT支持運行多達64個虛擬機；以BGA封裝形式提供，採用176層TLC NAND快閃記憶體，可配置為SLC或高耐久性SLC（HE-SLC）模式；支持NVMe 2.0規范，通過了ASIL-B和ASPICE L3認證；隨機讀取和隨機寫入分別為600K/100K IOPS；提供了220GB、440GB、900GB和1.8TB四種容量，對應TBW分別為160TB、320TB、640TB和1280TB。
在美光看來，4150AT這類高性能SSD能夠同時有效地管理來自多個SoC的數據流，讓其成為更多車輛的理想解決方案，從先進的駕駛輔助系統（ADAS）到到車載信息娛樂（IVI）再到人工智慧座艙體驗，為消費級汽車帶來了企業級的速度。 ...
瀾起科技率先試產DDR5 CKD晶片：面向客戶端記憶體模組，支持7200 MT/s速率
瀾起科技宣布，在業界率先試產DDR5第一子代時鍾驅動器晶片（簡稱CKD），已開始批量供貨給內存廠商。瀾起科技表示，該款CKD晶片應用於新一代客戶端內存，旨在提高內存數據訪問的速度及穩定性，以匹配日益提升的CPU運行速度及性能。
此前時鍾驅動功能一直集成於寄存時鍾驅動器（RCD）晶片上，在伺服器RDIMM或LRDIMM模組上使用，不過並沒有部署到PC端。瀾起科技先後推出了多代時鍾驅動器晶片，其中第一子代晶片在2021年發布支持數據速率為4800 MT/s，隨後又在2022年和2023年成功發布了DDR5第二子代（5600 MT/s）、第三子代（6400 MT/s）RCD晶片，到了今年1月，RCD晶片來到了第四子代，支持數據速率為7200 MT/s的DDR5。
對於客戶端DDR5內存模組來說，當數據速率達到6400MT/s及以上時，CKD晶片也成為了必不可少的器件。其主要應用於DDR5客戶端內存模組CUDIMM、CSODIMM和CAMM，用來緩沖客戶端中央處理器和DRAM之間的時鍾信號，提升高速時鍾信號的完整性和可靠性。
這次試產的DDR5第一子代時鍾驅動器晶片符合JEDEC DDR5CKD01標准，支持的數據速率高達7200MT/s。晶片支持雙邊帶總線地址訪問及I²C、I3C接口。通過配置寄存器，該晶片可改變其輸出信號特性以匹配不同DIMM的網絡拓撲，還可通過禁用未使用的輸出信號以降低功耗。 ...
西部數據確認HDD和NAND快閃記憶體短缺，警告合作夥伴價格將上漲
據TechNews報導，西部數據已發出正式的客戶信函，通知其合作夥伴將調整旗下NAND快閃記憶體和HDD產品的價格。西部數據還確認旗下NAND快閃記憶體和HDD產品都出現了供應短缺，本季度將繼續調整價格，其中一些變動將立即生效。西部數據表示，人工智慧（AI）市場的蓬勃發展是需求激增的原因，超出了原來的預期，導致供應緊張。
西部數據坦言，電子行業供應鏈將面臨短缺的挑戰，或多或少會影響到產品的供應，未來將頻繁地進行定價調整。同時西部數據處理計劃外的需求和訂單能力有限，因此任何變動都需要提前通知，而且還可能導致交貨周期延長。
從市場的數據來看，從2023年第三季度到2024年第一季度，HDD整體價格累計漲幅在10%到20%，原因是製造商實施了旨在基於數量定價的減產策略。有業內人士稱，大容量HDD產品供應緊張情況將持續到本季度，最糟糕的情況是延續全年，預計HDD價格在今年第二季度將繼續上漲，預計漲幅在5%到10%。
至於NAND快閃記憶體的情況就更明顯了，除了鎧俠和西部數據在今年第一季度提升產能利用率外，其他包括三星和SK海力士等在內的供應商大致維持低投產策略，價格將保持強勢上漲的趨勢，漲幅比HDD更大。 ...
SK海力士准備1cnm DRAM：第六代10nm級別工藝，計劃2024Q3量產
去年，SK海力士宣布已經完成了現有DRAM中最為微細化的1β (b) nm（第五代10nm級別）的技術研發，並進入了英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證。其採用了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，相比1αnm（第四代10nm級別）工藝的產品，功耗降低了20%。
據Business Korea報導，有業內人士透露，SK海力士正在准備第六代10nm級別的1cnm工藝的產品，已經制定了對應的客戶認證及生產計劃，打算在2024年第三季度量產，這將領先於競爭對手三星。相比於現在的1βnm工藝產品，1cnm工藝在同樣採用EUV光刻技術的情況下，每片晶圓可生產更多數量的晶片，並實現更高的功率效率。
SK海力士將加快英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量產後能夠迅速進入市場，第一時間供應給亞馬遜和微軟等主要客戶。SK海力士去年正是把握了1βnmDDR5 DRAM搶先通過驗證及上市的機會，獲得了相當部分的數據中心DDR5內存產品的市場份額，一定程度上彌補了存儲器市場低迷造成的損失。
三星上個月在美國矽谷舉行的「Memcon2024」全球半導體大會上表示，計劃今年底量產1cnm DRAM產品，12月前獲得客戶驗證。 ...
受地震影響記憶體廠已經停止公布DRAM合約價，預示會進一步漲價
4月3日在台灣花蓮發生的地震即使對島內的晶圓廠是肯定有影響的，即使廠房沒有損壞光刻機也得停下來檢修，美光在當地的廠區當時就有進行停機評估，在地震過後內存製造商已經停止披露2024年第二季度DRAM內存合約報價，這可能預設著即將漲價。
根據DigiTimes的報導，地震中斷了晶圓廠的運營，美光、三星和SK海力士均收到影響，這必然影響供應，這可能會導致內存價格上漲幅度超出預期。其實內存行業在地震前就在漲價了，以彌補他們在前幾年價格低估時的損失。
在地震發生後不久，內光就停止了第二季度的產品報價，隨後三星和SK海力士也迅速跟上，這明顯就是准備漲價了。過去由於自然災害或事故造成生成中斷，內存價格通常都會飆升，這次地震估計也是如此。在地震發生前，市場預測第二季度DRAM和NAND合同價格增長速度會比第一季度放緩，預計在15%到20%之間，而第一季度漲幅超過了20%。
目前內存模塊製造商的晶片庫存量較低，目前正在准備加購晶片增加庫存，原本他們希望價格上漲趨勢能放緩，只不過從去年開始上游晶片製造商都集體減產以維持產品定價，現在加上地震的影響，合約價必然會漲得更厲害。
根據這一狀況，包括伺服器製造商在內的下遊客戶可能會預計到會出現供貨短缺而積極備貨，這會進一步推高內存價格。只不過在消費級市場依然處於農歷新年後的需求低位，盡管價格估計也會跟隨上漲，但應該不會出現缺貨的現象。 ...
希捷推出BarraCuda 530系列SSD：搭載E27T主控，最大2TB可選
希捷宣布，推出BarraCuda 530系列SSD。其支持PCIe 4.0 x4接口和NVMe 2.0協議，可向下兼容PCIe 3.0 x4接口。與其他一些希捷同類產品搭載自研主控晶片不同，新產品選擇搭載了群聯電子的PS5027-E27T主控晶片。
BarraCuda 530系列SSD為M.2 2280規格，選擇的是無DRAM的低功耗存儲設計方案，單面晶片設計，有著更好的安裝兼容性，提供了512GB、1TB和2TB三種容量。其1TB和2TB提供的最大順序讀取速度為7400MB/s，512GB的最大順序讀取速度為7200MB/s；512GB、1TB和2TB的最大順序寫入速度分別為4300MB/s、6100MB/s和6400MB/s；耐久度方面，512GB、1TB和2TB分別對應300/600/1200 TBW；MTBF時長為180萬小時；支持Windows 10/11和Linux作業系統。
PS5027-E27T為群聯電子的新一代低功耗、高性能PCIe 4.0 SSD主控，採用12nm工藝製造；可支持M.2 2230和M.2 2280外形規格的SSD；四通道DRAMless設計；支持TLC和QLC NAND快閃記憶體，接口速率達3600 MT/s；M.2 2230和M.2 2280外形最大支持容量分別為2TB和4TB。在今年初的CES 2024大展上，群聯電子曾展出這款主控解決方案，相信接下來會有更多的主流SSD選用。
暫時還不清楚BarraCuda 530系列SSD的售價，以及具體的上市時間，希捷將提供五年質保。 ...
機械硬碟製造商醞釀容量升級計劃：未來十年通過多層堆棧達到120TB
過去十幾年裡，隨著固態硬碟容量的提升和單位存儲價格的下滑，在消費市場已逐漸取代機械硬碟成為主流選擇。即便如此，機械硬碟在容量方面的優勢也沒那麼明顯，除非有較大的存儲需求，要不是很難找到購買機械硬碟的理由，只需要購買大容量固態硬碟即可。
據Wccftech報導，最新的研究顯示，機械硬碟行業可能會經歷大幅度容量飆升，機械硬碟製造商正在醞釀新的容量升級計劃。來自希捷和其他各個團隊的研究人員，設計了一種新的方法，涉及堆疊多層數據記錄層，不僅可以確保更大的單位面積容量比，而且比傳統方法更快地訪問數據。其設計有點類似於3D封裝，但是更為復雜。
熱輔助磁記錄（HAMR）技術結合多層堆棧是研究人員旨在大幅度提高存儲容量的一種新方法，利用由斷裂層隔開的雙納米粒狀薄膜來實現這一目標，這樣就可以根據各自的磁場和溫度在不同的層上單獨進行磁記錄。通過對熱輔助磁記錄分層，不僅可以增加數據存儲容量，而且由於每層是獨立的存在，有助於改進數據處理和訪問等流程。
每個顆粒層都會有各自的居里溫度限制，也就是顆粒層從鐵磁特性轉變為順磁特性的點。研究人員認為，有可能從10碟片中實現120TB的容量。對於目前處於「大數據時代」的社會來說，對海量存儲的需求正在快速增長，尤其是在人工智慧（AI）領域，這樣的設計顯然會有用武之地。
在存儲行業，多層介質設備是前進的方向，但至今在這一領域仍然缺乏相關的技術研發，距離實際應用還有相當長的一段路要走。 ...
美光記憶體產能受地震影響，停止相關產品的報價
據TrendForce集邦咨詢研報，受4月3日台灣花蓮地震影響，美光在台灣新北林口和台中的廠區仍在進行停機評估，需要幾天時間才能恢復正常。美光也在震後發布公告稱所有在台員工安然無恙，目前正在評估地震對供應鏈的影響，停止有關產品的報價，評估完成後將會和客戶溝通產品交付情況。
集邦咨詢指出，此次地震影響的廠區是美光內存的重要生產基地，兩個廠區已有最新的1-beta製程內存進行生產，後續還將會生產HBM內存。
除了美光，此次受地震影響的內存顆粒廠商還有南亞（Nanya）、力積電（PSMC）和華邦電 （Winbond），這三家受到的影響較小。南亞受影響的廠區主要負責20/30nm製程的產品，最新的1-beta內存正在研究中；力積電（PSMC）則以25/21nm製程產品為主。上述廠區在進行短暫的停機檢查後已陸續恢復運作。
另外，集邦咨詢也報導了台積電的相關狀況，稱目前其產能利用率較高的5/4/3nm廠區未受太大影響，已在震後6-8小時完成停機檢查，並恢復到90%以上的產能；研發總部Fab12因水管破裂而導致部分機台進水，但主要影響的是尚未量產的2nm製程，因此短期內不會有太大影響，只是可能會因為需要重新購買新機台而導致研發成本略有上升。封裝廠區方面，目前主要運作的廠區龍潭AP3和竹南AP6在事發後已立即進行人員疏散，停機檢查發現冰水主機存在問題，但廠內有後備設施，因此不影響廠區運作，官方已安排陸續復工。 ...
佰維存儲推出TGP200系列固態硬碟：支持-40℃~85℃寬溫工作，面向工控等領域
近日，佰維存儲推出了工規級寬溫SSD——TGP200系列，該系列主要面向軌道交通、工控、數據通信、電力等工業領域，系列產品支持寬溫工作，具備高度抗振抗沖擊、掉電保護以及強電磁兼容性等特性，保證了工業設備在高低溫、異常斷電、震動、沖擊、髒污等環境下能穩定運行。
TGP200系列SSD採用了DRAM-Less（無獨立緩存）設計，通過減少DRAM及其關聯模塊，進一步提升產品可靠性；SSD接口規格為PCIe 3.0x4，支持NVMe 1.4協議和HMB技術，包含雙面M.2 2280的TGP203和雙面M.2 2242的TGP205兩個版本。產品最大搭載2TB TLC快閃記憶體，採用動態SLC緩存+TLC直寫的固件方案，順序讀寫速率可達3400MB/s和2900MB/s，其中1TB版全盤寫入速度可達 1000MB/s。
產品本身還有掉電保護（PLP）、S.M.A.R.T.監控、RAID、ECC、E2E、溫控策略等特性，MTBF（平均故障時間）達到300萬小時。由於是工業用SSD，TGP200所用快閃記憶體顆粒、元器件均符合寬溫標准，使SSD支持-40℃~85℃寬溫工作，-55℃~95℃寬溫存儲，可以穩定應對極端溫度、異常斷電等嚴苛環境，有效保證數據的可靠性與完整性。
另外佰維存儲還可提供抗硫化、三防塗層、一鍵擦除、數據加密等額外個性化服務，進一步保護產品和其中數據的安全性，延長使用壽命；也能提供特定應用開發、實時FAE技術支持、聯合創新實驗等服務，讓企業用戶更好地使用TGP200系列產品。 ...
三星將增加美國德州晶圓廠的投資：提高至440億美元，擴大生產線和研發業務
2022年5月，三星宣布在美國德克薩斯州泰勒市新建晶圓廠，投資額為170億美元，不過隨著設備的采購，投資額上漲到250億美元。三星在美國奧斯汀原有的晶圓廠只推進到14nm製程節點，這次加入EUV光刻設備以後，將推進至5nm製程節點，預計2024年開始運營。
據相關媒體報導，三星計劃大幅度增加泰勒市新建晶圓廠的半導體投資，提高至440億美元，接近翻倍。盡管三星在美國的半導體計劃面臨通貨膨脹、勞動力和材料成本上漲等挑戰，但似乎並沒有減慢推進的速度。
三星很可能在原項目基礎上另外再興建一座採用先進工藝的晶圓廠，同時還包含一座先進封裝設施，並擴大在該地區的研發業務，打造全新的半導體中心，預計會耗費掉約200億美元。據了解，三星的新計劃除了晶片生產外，還將重點放在了與人工智慧（AI）相關的部件上，比如HBM，這也是其投資先進封裝設施的原因之一，其中包括了2.5D和3D封裝技術
目前三星官方還沒有確認新計劃，有知情人士透露，三星將於2024年4月15日舉行一場儀式，宣布新增的投資計劃。 ...
鎧俠目標1000層3D NAND快閃記憶體：計劃2031年量產「千層面」
目前全球每天產生的數據量是非常龐大的，通過HDD和SSD存儲在大容量的伺服器和數據中心裡，不過SSD在讀/寫速度、能耗和設備尺寸上都優於HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展，其中一個原因歸功於在存儲單元上堆疊更多的層數。
據Xtech Nikkei報導，鎧俠首席技術官Hidefumi Miyajima在東京城市大學舉行的第71屆應用物理學會春季會議上表示，計劃到2031年開始批量生產超過1000層的3D NAND快閃記憶體晶片。
增加3D NAND器件中有源層的數量是目前提高快閃記憶體記錄密度的最佳方法，因此所有3D NAND快閃記憶體製造商每1.5至2年就通過新的製程工藝節點來實現這一目標。不過每個新的製程工藝節點都會有一些挑戰，由於3D NAND快閃記憶體需要在存儲單元上堆疊更多層數，那麼也要在橫向和縱向上縮小存儲單元，其中會採用新的材料，對於廠商研發上會有一定的難度。
目前鎧俠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND快閃記憶體，為218層。為此鎧俠和西部數據還開發了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通過創新的橫向收縮技術，將位密度提高了50%以上，NAND I/O接口速度超過了3.2Gb/s，比上一代產品提高了60%。
鎧俠應該會沿用目前的工藝技術路線，開發1000層的3D NAND快閃記憶體晶片。 ...
英特爾Granite Rapids-SP工程樣品泄露：配備80核心，睿頻2.5GHz
英特爾在去年初發布了代號為Sapphire Rapids的第四代至強可擴展處理器，年末還會推出了同屬於Eagle Stream平台的Emerald Rapids，也就是第五代至強可擴展處理器。不過真正帶來質變的是今年即將到來的Granite Rapids，屬於新的Mountain Stream（或Birch Stream）平台。
近日，有外國網友分享了一張CPU-Z截圖，上面顯示檢測到的處理器為英特爾的Granite Rapids-SP處理器，該處理器配備了80個內核，最大睿頻2.5GHz，L3緩存達到672MB，最大TDP為350W。網友還在後續推文中說到，圖片上顯示的320個線程數其實是兩顆處理器疊加而來，每顆Granite Rapids-SP處理器都是 80 個核心、160 個線程。
之前有消息稱，Granite Rapids的L3緩存容量為480MB，是上一代的1.5倍，這次披露的截圖中的L3緩存顯然更大。L3緩存的增加，對人工智慧推理、數據中心、視頻編碼和一般計算工作負載的提升有很大貢獻。
此前我們報導過，Granite Rapids是英特爾首個採用Intel 3工藝的商用晶片，使用Redwood Cove架構核心，可提供96條PCIe 5.0通道以及12通道DDR5-6400內存。同時英特爾曾透露，Granite Rapids會在單個SoC中包含多個小晶片，通過EMIB封裝，也會有HBM和Rambo cache晶片。
Granite Rapids相關的實物圖也曾流出過，比現有產品大得多，推測封裝面積為105 × 70.5 mm，也就是增加70%。對應的插座則為LGA 7529插座，相比Sapphire...
2024Q2存儲產品價格漲勢持續，DRAM和NAND快閃記憶體漲幅可達8/18%
TrendForce發布了新的調查報告，分別針對2024年第二季度DRAM和NAND快閃記憶體的價格趨勢。兩者都會延續過去多個月的增長趨勢，不過DRAM合約價季漲幅將縮小至3~8%，而NAND快閃記憶體則會保持強勢，合約價將上漲約13~18%。
目前DRAM供應商庫存雖然已經降低，但是還沒有回到健康的水平，而且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高了產能利用率。比較麻煩的是，今年市場整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應商已大幅度漲價，導致客戶庫存回補動能逐漸走弱。
不同細分市場的情況也有所區別：PC DRAM方面，順應逐步轉向DDR5的趨勢，第二季度采購量上升，隨著原廠大幅轉進至先進位程生產DDR5，成本優化使原廠獲利明顯改善；Server DRAM方面，雖然買房庫存增加，但實際滲透率至今年第一季仍不如預期，意味著需求沒有完全兌現；Mobile DRAM方面，買方庫存處於健康水平，需求沒有明顯回溫跡象，拉漲趨勢緩和；Graphics DRAM方面，采購端備貨動能延續，加上原廠將產能轉向HBM產品，對GDDR產品的生產規劃相對保守，漲價有支撐；Consumer DRAM方面，除AI外需求偏弱，漲幅將收斂。
除了鎧俠和西部數據在今年第一季度提升產能利用率外，其他供應商大致維持低投產策略。雖然第二季度NAND快閃記憶體采購量出現小幅度下滑，但收到供應商庫存降低和減產效應影響，漲勢仍較為強勢。在eMMC、UFS、Enterprise SSD、Client SSD和NAND Flash Wafer這些細分市場里，以Enterprise SSD漲幅最高。受惠於北美和中國雲端服務行業需求上升，采購量增加，Enterprise SSD合約價按季度增長20~25%，漲幅遠高於其他產品。 ...
西部數據帶來24TB WD Red Pro機械硬碟，面向NAS應用環境
西部數據宣布，推出24TB WD Red Pro機械硬碟（部件號WD240KFGX），這是專門針對NAS（網絡附加存儲）應用環境而設計的。值得一提的是，其屬於CMR（垂直記錄）機械硬碟，標志著西部數據進一步擴大了該類產品的應用范圍。其實西部數據去年就推出了24TB的機械硬碟，不過面向的是超大規模、雲端和企業數據中心客戶。
24TB WD Red Pro機械硬碟適用於商業/企業級NAS系統，提供了高達250萬小時的MTBF，具有振動保護技術，旨在處理每年高達550TB的工作負載，西部數據還提供了五年保修，並強調了其可靠性和耐用性。該機械硬碟配備了振動補償系統，帶有RAID錯誤恢復控制功能，可減少多盤位RAID系統中的故障發生機率。
24TB WD Red Pro機械硬碟採用了最新的OptiNAND架構，特殊之處在於PCB上集成了iNAND嵌入式通用快閃記憶體驅動器（EFD），帶有512MB的緩存，再結合一系列的技術，以有效提升硬碟容量、性能和可靠性。其轉速為7200 RPM，最大數據傳輸速度達到了287 MB/s，比起22TB版本的265 MB/s會更快一些。
官網顯示，24TB WD Red Pro的定價為569.99美元，西部數據希望新產品可以與希捷今年早些時候發布的IronWolf Pro 24TB競爭。 ...
微星發布SPATIUM M580 FROZR：帶有塔式散熱器的PCIe 5.0 SSD
微星宣布，推出SPATIUM M580 FROZR，這是一款PCIe 5.0 SSD，配有一個大型的塔式散熱器，還帶有熱管。微星表示，憑借尖端技術和創新的散熱解決方案，新產品重新定義存儲解決方案的速度和可靠性標准，開創了存儲性能的新時代。
SPATIUM M580 FROZR採用了群聯電子的E26主控晶片，搭配的是232層的3D NAND快閃記憶體，大機率是美光的晶片。其提供了14.6 GB/s的連續讀取速度和12.7 GB/s的連續寫入速度，相比一般的PCIe 4.0 SSD有著翻倍的性能提升。得益於DRAM緩存和SLC緩存設計，使得SSD的性能進一步提升，全面滿足遊戲、內容創建和專業應用程式的使用需求。此外，新產品還配備了LPDC ECC和E2E數據保護功能，確保數據完整性和可靠性。
SPATIUM M580 FROZR最引人注意的當屬搭配的塔式散熱器，配有三根熱管和大量鋁制鰭片，最大限度地增加了與空氣的接觸面積，從而提升了散熱能力。微星宣稱，能讓SSD的工作溫度降低20多攝氏度，將性能發揮到極致，即便在繁重的工作負載下也能保持穩定的性能輸出。
用戶還可以在MSI Center中看到有關SSD狀態的全面信息，包括運行狀態、已使用容量和當前工作溫度。同時微星還與軟體廠商Actiphy合作，所有購買和安裝了微星SSD的用戶可以使用Actiphy提供的數據備份功能。
首批SPATIUM M580 FROZR有三種容量可選，分別是1TB、2TB和4TB，微星為其提供了五年保修。微星暫時沒有公布SPATIUM M580 FROZR的售價，以及具體的上市時間。 ...
三星已准備好GDDR7晶片，速率28/32Gbps產品頁面已上線
本月初，JEDEC固態存儲協會正式發布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7的標准。隨後在英偉達GTC 2024上，三星和SK海力士都展示了自己的GDDR7晶片，這是為接下來基於Blackwell架構的Geforce RTX 50系列顯卡所准備的，未來也會用於人工智慧、高性能計算和汽車等應用。
有網友發現，目前速率為28Gbps（頻率3500MHz）和32Gbps（頻率4000MHz）的GDDR7產品頁面已經在三星官網上線，對應的晶片型號分別為K4VAF325ZC-SC28和K4VAF325ZC-SC32，均為16Gb（2GB）的模塊。信息顯示，兩款晶片都已向客戶提供了樣品，意味著很快會進入批量生產階段。
與現有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信號編碼機制不同，GDDR7採用的是PAM3信號編碼機制。NRZ/PAM2每周期提供1位的數據傳輸，PAM4每周期提供2位的數據傳輸，而PAM3每兩個周期的數據傳輸為3位。
其實早在去年7月，三星就宣布完成了業界首款GDDR7晶片的開發工作，每個數據I/O接口的速率達到了32Gbps。三星承諾能效方面GDDR7相比GDDR6會有20%的提升，為此引入了幾項新的技術，比如具有高導熱性的環氧模塑化合物（EMC），讓GDDR7封裝的熱阻降低了70%，以確保有源組件不會過熱，在高速運轉時仍有穩定表現。 ...
美光展示256GB的DDR5-8800：MCRDIMM記憶體模塊，功耗約20W
上周美光在英偉達GTC 2024上，展示了單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。這是針對英特爾下一代伺服器產品設計的，比如代號Granite Rapids的至強可擴展伺服器處理器。
據TomsHardware報導，這次美光展示的單條256GB的DDR5-8800內存屬於非標准高度的款式，當然美光也准備了為1U伺服器設計的標准高度款。高款內存採用了32Gb DDR5晶片，每一面有40塊晶片，兩面加起來共80塊；標准高度款同樣採用了32Gb DDR5晶片，不過是2層堆疊封裝，在空間較小的情況下，運行溫度會更高一些。兩款高度不同的內存的功耗一樣，大概為20W。這功耗水平並不高，作為對比，美光128GB的DDR5-8000運行在DDR5-4800時的功耗為10W。
MCRDIMM是由英特爾和SK海力士及瑞薩合作開發的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合並陣列雙列直插內存模組），初始的規格為DDR5-8000。據了解，AMD也准備了一個類似的產品，叫做HBDIMM，不過兩者存在一些差異。
根據去年英特爾的展示，Granite Rapids與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配，在雙路系統里的內存帶寬將達到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道內存子系統，每個通道支持兩個內存模塊，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊，意味著可以提供3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽）的容量。
據了解，美光目前已經向廠商提供了單條256GB的DDR5-8800內存樣品。 ...
美光2024年及2025年大部分HBM產能已被預訂，製造需要消耗更多晶圓
美光目前在高帶寬存儲器（HBM）市場處於相對劣勢，但隨著手握英偉達的供應協議，供應用於H200的HBM3E，憑借工藝上的優勢，情況看起來正在迅速發生變化。美光正磨拳擦掌，大有大規模搶奪HBM市場的態勢。
近日美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在2024財年第二財季財報會議上表示，美光2024年的HBM產能已經售罄，2025年大部分產能的供應也已經分配完畢，預計HBM產品的出貨占比將在明年大幅度攀升。2024財年美光將從HBM產品上獲得數億美元的收益，從2024財年第三財季開始，HBM產品收入將增加並提高整體毛利率。
由於需要更多地製造HBM，極大影響了美光其他DRAM的產能，限制了普通內存產品的供應。Sanjay Mehrotra坦承，在同一製程節點生產同等容量下，HBM3E的晶圓消耗量是標准DDR5的三倍，隨著性能及封裝復雜程度的提高，未來HBM4的消耗量會更大。
這一定程度上與HBM的良品率更低有關，由於需要多層DRAM通過TSV堆疊，只要其中一層出現問題，就意味著整個堆棧報廢。現階段HBM的良品率也就在60%到70%之間，明顯低於普通的DRAM產品。
不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的巨大需求推動下下，2024年的HBM產能已經排滿。 ...
SK海力士展示新一代GDDR7顯存：傳輸速度40Gbps，可提供160GB/s帶寬
前天我們報導了三星展示新一代GDDR7顯存，而作為內存巨頭的SK海力士也隨後展出了自家的GDDR7顯存。SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，並且可以提供160GB/s的顯存帶寬。
而根據以上信息，不難算出未來SK海力士GDDR7的顯存規格：
除了上述信息外，SK海力士並沒有披露更詳細的信息，像運行電壓、功耗、顯存熱阻等信息都未知，只是籠統地介紹了GDDR7的一些標准特性。不過這次展示出來的顯存傳輸速度比早些時候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7顯存還要快3Gpbs，這很有可能會打擊三星在新顯卡供應鏈上的地位。
除了GDDR7顯存以外，SK海力士還展出了服務於移動端的LPDDR5T內存和DDR5 MCR DIMM伺服器內存，後者單條容量可達64GB，傳輸速度8800Mbps，運行電壓為1.1V。 ...
SSD等漲價25%只是開始 三星工廠突然大火：存儲價格又要漲了
快科技3月22日消息，三星SDI在韓國京畿道龍仁市的基興工廠於3月21日下午發生火災，消防人員迅速撲滅了大火。
火災原因初步認定為建築工地焊接引發，但具體損失仍在調查中。
此次火災可能對存儲晶片市場價格產生影響，有行業人士預計存儲晶片價格將進一步上漲。
存儲晶片價格已經出現過一定程度的漲幅，而三星正在推動存儲價格至少漲幅20%。
過去一年多來，NAND快閃記憶體的價格一直持平成本，但現在三星計劃與大客戶談判，將價格調整至合理水平。
當前，NAND的臨時交易價格一直在上漲，部分品類價格已經超過了2022年1月的水平，市場上仍然存在著減產帶來的不安情緒。
在供應鏈庫存有所改善但價格依然上漲的情況下，一季度下遊客戶為避免供貨短缺和成本風險，將繼續增加NAND快閃記憶體的采購訂單。
來源：快科技
SK海力士展示Platinum P51：面向消費端的高性能PCIe 5.0 SSD
在英偉達GTC 2024大會期間，SK海力士以「Memory, The Power of AI（存儲器，人工智慧的驅動力）」為主題，展示了包括12層HBM3E、CXL（Compute Express Link）和PCIe 5.0 SSD在內的眾多產品。其中與普通玩家最為密切的，要數基於「PCB01」的消費端產品，型號為Platinum P51的高性能PCIe 5.0 SSD。
SK海力士表示，「PCB01」已從全球主要客戶處完成了對該產品性能和穩定性的驗證，計劃於上半年內完成開發，並在今年內面向大型客戶和普通消費者推出。其代號「Alistar」的主控晶片為SK海力士自研，搭配的是238層3D TLC NAND快閃記憶體，連續讀取速度可達到14GB/s，連續寫入速度為12GB/s，是目前行業最高速度的產品之一。
PCB01專為AI PC端優化設計，相較於上一代產品，速度提升了2倍，可在1秒內實現加載需要用於人工智慧學習和推理的大型語言模型（LLM）。同時PCB01的功耗效率比起上一代產品提升了30%，可有效管理大規模AI計算的功耗需求。此外，SK海力士的技術團隊還應用了SLC緩存技術，使部分NAND快閃記憶體存儲單元能夠以高速的SLC模式運行，僅迅速讀取和使用必要數據，以提高讀寫速度。
不過根據SK海力士提供的資料，Platinum P51的讀寫速度分別為13.5GB/s和11.5GB/s，比起PCB01略慢一些。Platinum P51將提供500GB、1TB和2TB產品，SK海力士暫時沒有給出具體上市時間以及定價的信息。 ...
三星展示新一代GDDR7顯存，將被用於未來的RTX 50系顯卡
JEDEC在本月月初制定了GDDR7顯存的具體標准，在正在舉行的GTC
2024上NVIDIA只帶來了數據中心的產品，並沒有展示為遊戲而准備的Blackwell架構，但三星帶來了為新一代顯卡所准備的GDDR7顯存。
目前來看NVIDIA下一代RTX 50系顯卡極大機率會採用GDDR7顯存，而三星則會成為新顯存的重要供應商之一，hardwareluxx在GTC會場上拍到了三星所展示的GDDR7顯存。GDDR7顯存的頻率將從28~32Gbps起跳，未來計劃會有速度更快的37Gbps版本，但從目前泄露的RTX
50系顯卡信息來看，新顯卡可能無法充分發揮GDDR7的速度，因為顯卡的顯存頻率被設置在28Gbps。
三星現場所展示的GDDR7顯存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比帶寬提升了33%，而GDDR7的額定電壓是1.1V，這點與GDDR6是一樣的，而GDDR6X則需要1.35V，這意味著更高的能耗比，此外三星表示新的顯存熱阻降低了70%，這能降低運行時所產生的熱量，散熱會比GDDR6X更容易。
雖然關於下一代GeForce顯卡的傳聞有許多，但發布時間還是不確定的，NVIDIA可能會在今年某個時間發布RTX
50系列顯卡，屆時我們才能看到新一代GDDR7顯存具體的表現。 ...
最快明年推出 華為自研存儲細節曝光：功耗、速度完秒SSD等
快科技3月20日消息，據媒體報導稱，華為正在積極研發一種前沿的“磁電”存儲技術，該技術有望徹底改變數據存儲行業的格局。
據悉，這種新型“磁電磁碟”（MED）技術不僅在速度上遠超現有的SSD等存儲設備，更在能效和容量上實現了前所未有的突破。
在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB耗電僅為71W，相比傳統的磁性硬碟驅動器（HDD）節能高達90%，這無疑為數據中心和大型企業節省了大量的能源成本。
在性能方面，華為預計每機架的MED性能將達到驚人的8GB/，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數據中心的數據遷移速度，使其在處理大規模數據時更加高效。
此外，新型“磁電”存儲技術還在容量上實現了突破。第一代MED設備預計每個“磁碟”可提供約24TB的容量，使得一個機架系統能夠積累超過10PB的數據。
而令人驚訝的是，在提供如此巨大容量的同時，該系統的功耗僅為2千瓦。該解決方案將於2025年推出。
來源：快科技
SK海力士HBM3E記憶體現已量產，月內將供貨給英偉達使用
SK海力士今日宣布已開始量產最新款內存產品HBM3E，並將於3月下旬供貨給主要客戶，其中包括擁有基於Hopper架構的H200和基於BlackWell架構的B200 GPU的英偉達。
SK海力士是首家HBM3E供應商，於2023年8月份完成HBM3E存儲器的開發，上個月向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品進行測試，如今宣布量產的HBM3E存儲器應該是8層堆疊的產品，容量為24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E產品在速度和熱量控制上是目前業界內最好的。最新款HBM3E每秒可處理1.18TB的數據，相當於在一秒內處理230多部全高清電影（每部 5GB）。同時，SK海力士的HBM3E產品在採用Advanced MR-MUF工藝後，與上一代產品相比，散熱性能也提高了10%，減少了積熱的可能性。
SK海力士HBM業務負責人Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量產完善了公司AI存儲器產品陣容，並希望以HBM產品線的成功經驗，進一步提升客戶對公司的信心，穩固與前者的關系，夯實公司在AI存儲器供應領域的領先地位。
之前也有報導稱，為了應對競爭更加激烈的存儲器市場，SK海力士曾擬計劃於美國印第安納州建造晶圓廠，以及在韓國本土投資10億美元建造先進的HBM封裝設施，如今率先量產HBM3E產品，無疑使SK海力士在未來存儲器市場里占得一定先機。 ...