Tag: 存儲晶片

隨著NAND快閃記憶體及DRAM記憶體不斷降價，2019年存儲晶片市場將迎來一輪熊市。為了應對降價導致的損失，三星、SK Hynix及美光都計劃削減資本支出，不過削減並不意味著他們不再建設晶片工廠了，就在本周三SK Hynix正式開工建設第七座半導體晶片工廠M16，總投資不低於15萬億韓元（約133億美元），雖然還沒確定最終生產DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體晶片，但是這座晶圓廠將會用上最先進的EUV光刻工藝。 今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲晶片工廠M14落成時SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計劃中的一部分，M15工廠位於韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND快閃記憶體，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND快閃記憶體。 M15工廠之後就是現在的M16工廠了，本周三也就是19日正式舉行開工典禮，預計2020年正式建成，總投資額還沒確定，不過也不會低於15萬億韓元，其中基礎設施建設就要3.5萬億韓元，戰地面積30英畝。這座工廠最終會生產DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體都沒確定，SK Hynix表示這要看落成時的市場需求以及工廠的技術水平來決定。 不過有一點可以肯定的，M16工廠將會用上最先進的EUV光刻工藝——存儲晶片跟邏輯晶片不同，雖然對EUV光刻工藝的需求沒那麼高，不過三星、SK Hynix依然計劃在未來使用EUV工藝生產存儲晶片，而美光對EUV的態度就比較保守，未來兩代的記憶體晶片依然不會用到EUV光刻工藝。 在韓國之外，SK Hynix在中國無錫也有DRAM晶片晶圓廠，目前的一期工程產能在10-12萬片晶圓/月，是全球重要的DRAM晶片基地之一。今年早些時候SK Hynix還宣布投資86億美元在無錫建設第二座記憶體工廠，預計完成後記憶體產能將達到20萬片晶圓/月。 ...

美光與晉華、聯電之間的專利侵權事件已經引發了大陸、台灣及美國三方面的震動，特別是美國政府用行政力量介入事件之後，這已經不是一起簡單的商業泄密案件了。針對美光及美國司法部提出的商業竊密指控，聯電方面此前已經否認侵權，並聯系律師團隊全力應對，中國福建晉華集成電路有限公司也發表聲明稱堅定走自主研發路線，否認存在竊取其他公司技術的行為，指責美光用各種手段破壞晉華公司發展，要求立即停止錯誤做法。 本周一美國商務部宣布制裁中國福建晉華集團，理由是涉嫌危害美國國家安全，晉華被列入出口管制實體清單之後將無法獲得美國公司的半導體設備、技術及軟體等。 周四美國司法部也宣布起訴聯電及晉華公司，還有三名前美光公司員工，理由是這兩家公司涉嫌竊取美國晶片廠商美光的智慧財產權及商業機密，該市場價值1000億美元，給美光造成的損失將近90億美元。 此事之後，美光方面也發表了聲明，美光科技高級副總裁、法律總顧問兼董事會秘書Joel Poppen表示「我們對美國司法部決定就竊取我們智慧財產權的刑事犯罪行為提起訴訟表示欣慰。」 聯電公司周五也發布了官方聲明，指出美國檢察官辦公室發提起的訴訟與美光之前在加州發起的訴訟內容相同。聯電對美國檢察官辦公室在沒有事先通知並給與聯電機會討論此事的情況下就發起訴訟一事表示遺憾。 聯電表示，聯電是一家行業領先的台灣半導體公司，過去四十年來一直致力於開發先進集成電路及其他技術，投入了大量資源研究及開發新技術，並擁有數千項有效技術專利組合。聯電將嚴肅對待任何可能違反法律的的指控，並全力以赴回應這次的指控。 昨晚涉事的另一方中國福建晉華集成電路有限公司也發表了聲明，具體如下： 福建省晉華集成電路有限公司聲明： 晉華公司始終堅定走自主研發路線，不斷加大投入，開展記憶體存儲器關聯產品的研發、製造，取得了一批專利成果。晉華公司始終重視智慧財產權保護工作，不存在竊取其他公司技術的行為。 美光公司把晉華的發展視為威脅，採取各種手段阻止、破壞晉華的發展。美方將晉華列入美出口管制「實體清單」，並採取司法措施。對此，晉華公司堅決維護企業的合法權益，要求對方立即停止錯誤做法，便利和促進雙方企業開展正常的貿易與合作。   ...

2016年下半年開始了新一輪存儲晶片的旺季，DRAM記憶體及NAND快閃記憶體的價格從那時候開始瘋漲，今年已經進入第三個年頭了，不過情況也不一樣了——DRAM記憶體顆粒今年的漲價速度放緩到個位數，不過今年並沒有跌價，NAND快閃記憶體就沒這麼好運了，今年Q1季度之後價格就開始暴跌，部分SSD硬碟早就到了每1GB不到1塊錢的地步了，不過這個日子還沒到頭，預計明年NAND快閃記憶體的價格還要再跌50%，NAND及SSD廠商這兩年要為前兩年的漲價還債了。 上周發布財報的西數就已經表露出NAND快閃記憶體降價對他們的巨大影響了，當季度西數營收、盈利同比下滑，雖然NAND快閃記憶體位容量出貨增長了28%，但是NAND快閃記憶體的加價跌了16%，導致西數毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬碟業務那部分就不用說了，同比下滑了810萬部，出貨量只剩下3410萬部。 NAND快閃記憶體的降價同樣也會影響美光、SK Hynix、三星、東芝等公司的財報數據，只不過三星、美光、SK Hynix這些公司有DRAM記憶體的高價支撐，財報數據不會像西數這麼慘。 根據之前的數據，2018年NAND快閃記憶體價格至少下跌了50%，而這個趨勢還會持續下去，市場預期2019年NAND快閃記憶體價格還會再跌50%。為了減緩NAND價格下跌對公司的影響，從西數到美光都在減少NAND快閃記憶體產能投資，以便減少NAND供應，緩解市場對降價的預期。 不過NAND快閃記憶體降價這事恐怕很難阻止，就好像當年漲價不受控制一樣，因為2019年三星、東芝、西數、美光、英特爾、SK Hynix公司都會加速量產96層堆棧的3D NAND快閃記憶體，而且記憶體也會從TLC向QLC快閃記憶體轉向，在解決初期的良率問題之後，NAND快閃記憶體的供應勢必還會增加，降價是跑不了的。 值得注意的是，明年還有一件事可能會對NAND市場格局產生變化，那就是中國的長江存儲公司也會加入戰場，今年內他們小規模生產了32層堆棧的64Gb快閃記憶體，但主力還是明年量產的64層堆棧3D快閃記憶體，盡管技術上還會落後其他廠商，但是長江存儲顯然會用價格做武器去搶占入門級NAND市場。 ...

韓聯社昨天報導稱中國依然要依賴韓國公司的記憶體、快閃記憶體晶片供應，去年886億美元的存儲晶片進口中韓國公司就占了52.2%，遙遙領先其他公司。在過去的兩年中，三星、SK Hynix、美光、東芝等公司因為存儲晶片大漲價獲益良多，不過存儲晶片漲價今年已經到頭了，NAND快閃記憶體價格不斷下降，DRAM記憶體價格預期Q4季度也會降價。為了應對客戶需求放緩導致的2019年上半年記憶體、快閃記憶體晶片降價，三星、SK Hynix兩家韓國公司打算推遲產能擴張，暫停新工廠擴產計劃。 Digitimes援引業內人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產能擴容計劃，因為客戶需求放緩導致DRAM記憶體及NAND快閃記憶體價格在2019年上半年下滑。 消息人士稱全球NAND快閃記憶體在今年Q3季度中依然處於供過於求的狀態，盡管這是傳統旺季。供應商持續增加64層及72層堆棧的3D NAND快閃記憶體產能，再加上已經飽和的筆記本、智慧型手機市場導致的需求增長有限，這些都是NAND降價的原因。 此外，消息人士還提到市場上還充斥著不合格的NAND快閃記憶體晶片，這對快閃記憶體晶片價格進一步產生負面影響。Q3季度中NAND快閃記憶體價格可能會下跌10-15%，Q4季度中價格還會再降15%。 記憶體方面，DRAM合約價也出現了下跌跡象，消息人士稱隨著供過於求，預計Q4季度記憶體晶片價格也會開始下跌。 NAND快閃記憶體及DRAM記憶體價格將在2019年上半年遇到下行壓力。 消息人士稱，行業領導者三星之前主要為自家的SSD及其他產品供應3D NAND快閃記憶體，今年Q3季度開始對外提供存儲晶片。消息人士稱三星也在放慢3D NAND快閃記憶體產能擴張的計劃，新產能不可能在2019年上半年上線。 此外，三星還被曝暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM晶片增加新的產能的計劃，原本三星計劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產能。 消息人士稱SK Hynix也計劃放慢新的3D NAND晶片產能擴張的計劃的步伐。 ...

2017年的時候英特爾丟失了保持25年之久的全球第一大半導體公司，這不是因為英特爾下滑了，而是三星靠著DRAM記憶體、NAND快閃記憶體市場漲價而業績大漲，這一年多來坐穩了全球第一大半導體公司。今年以來NAND快閃記憶體倒是降價了，但是市場還在增長，而DRAM記憶體市場更夸張，漲價止不住，預計今年DRAM產值將首次突破1000億美元，NAND快閃記憶體也有626億美元，兩者都遠高於全球PC及伺服器處理器市場。 IC Insights日前發布了《The McClean Report》，該報告中分析、預測了2018年全球IC晶片產業的情況，預計全年產值將達到4280億美元，而DRAM記憶體將蟬聯今年的冠軍，產值將達到1016億美元，使得它成為首個突破千億美元的IC產品，占據24%的份額。 在DRAM記憶體之外，NAND快閃記憶體全年的產值也將達到626億美元，位列第二，第三位的則是標準PC、伺服器微處理器，市場價值為507.8億美元，剩下的計算、無線通訊晶片產值分別是276、260億美元。 DRAM記憶體及NAND快閃記憶體產值創新高，韓國兩家廠商獲利顯然是最明顯的，三星是全球第一大NAND快閃記憶體、DRAM記憶體廠商，份額分別占全球37%、45%，SK Hynix是第二大DRAM廠商，份額占全球28%左右，NAND份額大概占10%左右，兩家合計占據全球DRAM市場份額的73%、47%，全球1600多億的存儲晶片市場上，這兩家就能占到大約1000億美元的份額，這一點上韓國兩家公司的實力實在是太強大了。 ...

存儲晶片市場上，NAND快閃記憶體價格已經大幅下跌了，不過出貨量還在增長，而DRAM記憶體則是出貨量、價格同步漲，今年以來價格已經漲了20%，所以存儲行業的廠商的好日子還在繼續。SK Hynix公司發布了今年Q2季度財報，當季營收10.37萬億韓元，同比大漲55%，淨利潤4.3萬億韓元，同比大漲75%。 本周一的時候SK Hynix股價還大幅跳水7%，因為市場預期DRAM漲價到頭了，隨後SK Hynix股價回漲了，今天發布的財報發布之後股價漲了2%，因為SK Hynix又一次交出了史上最好的財報。今年Q2季度中，SK Hynix公司營收10.371萬億韓元（約合625億人民幣），同比大漲55%，環比增長了19%。毛利潤6.608萬億韓元，同比大漲72%，環比增長24%。 運營利潤為5.574萬億韓元，淨利潤達到了4.329萬億韓元，同比大漲了75%，環比也大漲39%。 從SK Hynix的財報來看，他們的毛利率為64%，運營利潤率為54%，淨利潤達到了42%，這樣的賺錢能力也只有三星半導體可比了。 根據SK Hynix的資料，今年Q2季度中NAND快閃記憶體平均價格跌了9%，不過位元出貨量增長了19%，主要是中國智慧型手機行業快閃記憶體需求及SSD硬碟市場需求增加所致。 記憶體方面，所有產品均價增長了4%，位元出貨量增長了16%，主要動力來自PC記憶體及伺服器記憶體。 SK Hynix依然在擴大記憶體產能，預計今年9月底位於韓國清州市的無塵室擴建工作完成，明年初提供產能輸出，而位於中國無錫市的無塵室擴建工作今年底完成，此外SK Hynix還在無錫市投資86億美元建設二期工程，前不久發生火災的就是二期廠房，預計完成後記憶體產能將達到20萬片晶圓/月。 ...

記憶體價格漲了整整兩年了，對下游產業鏈及消費者來說，記憶體價格居高不下導致他們的成本增加，不過對上游產業來說這是擴大營收的好機會，三星、SK Hynix及美光這兩年中業績簡直坐了火箭一樣。韓國兩家公司占了全球70%以上的記憶體晶片份額，韓國5月份出口額也連續四次超過500億美元，半導體晶片出口額更是連漲了21個月，記憶體高漲的價格功不可沒。 來自韓國貿易部門的統計稱，韓國5月份出口額達到了512.3億美元，連續四個月超過500億美元，創下了去年10月份以來的新高。 在韓國出口的產品中，半導體、石化、石油產品及電腦產品都是兩位數增長，其中半導體產品出口額達到了111.6億美元新高，比上個月增長了39%，而這主要得益於穩定的記憶體晶片價格，實現了21個月連續增長。 在韓國的半導體晶片出口中，中國顯然是占了最大份額的，雖然沒有韓國方面公布的准確數據，不過中國海關統計的5月份進出口數據中，中國從韓國進口了1135億元的產品，出口大概是620億元，逆差500多億人民幣。 2017年中國進口了889億美元的存儲晶片，韓國占了463億美元，每個月平均差不多40億美元，占到韓國半導體晶片出口的1/3多，考慮到今年的價格還在繼續增長、出貨量也在增加，今年5月份中國進口的韓國存儲晶片只會更多。 ...