Tag: 意法半導體

此前意法半導體和GlobalFoundries（格羅方德）已簽署了一份諒解備忘錄，將聯手建造一座聯合運營的新300mm晶圓廠，選址在法國的克羅爾市，毗鄰意法半導體現有的300mm晶圓廠，增加約1000個新的工作崗位。雙方希望和英特爾一樣，能得到建廠補貼，以政府高額的財政支持降低建造成本。 GlobalFoundries宣布，將與意法半導體在法國克羅爾市新建一座共同經營、可大批量生產半導體產品的製造工廠。預計該計劃耗資75億歐元，包括了資本支出、維護和輔助成本。新設施也將受益於法國政府的財政支持，其符合《歐洲晶片法》規定的目標，同時也是「法國2030」計劃的一部分。據稱，該項目將獲得29億歐元的財政補貼支持。 GlobalFoundries執行長Thomas Caulfield表示，非常感謝法國經濟和財政部長Le Maire及其團隊在過去12個多月里的支持和奉獻，通過與意法半導體的合作，正在進一步擴大GlobalFoundries在歐洲技術生態系統中的影響力，同時也受益於規模經濟，以高度資本效率的方式提供額外的產能，全面滿足客戶對汽車、物聯網和移動應用在未來幾十年內的高需求。 據了解，新晶圓廠的目標是，到2026年能滿負荷生產，每年的產能為62萬片300mm晶圓。同時將運用多種半導體製造技術，比如多種基於FD-SOI的技術，包括GlobalFoundries的FDX技術和意法半導體的低至18nm的全面技術路線圖。 ...

上個月就有報導稱，意法半導體和GlobalFoundries（格羅方德）都有意在歐洲興建新的晶圓廠，並希望和英特爾一樣，得到建廠補貼，以政府高額的財政支持降低建造成本。 GlobalFoundries宣布，已經與意法半導體簽署了一份諒解備忘錄，將聯手建造一座聯合運營的新300mm晶圓廠，增加約1000個新的工作崗位，也為其合作夥伴、供應商和生態系統中相關利益方創造更多就業機會。新廠房選址在法國的克羅爾市，毗鄰意法半導體現有的300mm晶圓廠。新晶圓廠的目標是，到2026年能滿負荷生產，每年的產能為62萬片300mm晶圓，意法半導體和GlobalFoundries分別占42%和58%。 新的300mm晶圓廠將運用多種半導體製造技術，比如多種基於FD-SOI的技術，包括GlobalFoundries的FDX技術和意法半導體的低至18nm的全面技術路線圖，以滿足未來一段時間內汽車、物聯網和移動應用的需求。FD-SOI本身就起源於法國，一開始就是意法半導體技術和產品路線圖的一部分，後來GlobalFoundries在德國的德勒斯登晶圓廠實現了差異化和商業化生產。 意法半導體和GlobalFoundries的新項目還需要執行最終協議和各種監管批准，包括歐盟委員會競爭總司，以及完成與意法半導體法國工作委員會的協商工作。據了解，這座新的半導體設施將得到法國政府提供的大量財政支持，為歐盟的提高全球半導體市場份額計劃（到2030年占據全球晶片產量20％）做出貢獻。 ...

在2020年末，歐盟27個國家中的17個曾聯名發表了一份《歐洲處理器和半導體科技計劃聯合聲明》，旨在鼓勵歐盟聯合研究及投資先進處理器及半導體工藝。歐盟規劃了一份提高全球半導體市場份額的計劃，希望到2030年，占據全球晶片產量20％的份額。目前這一比例為10％，低於東亞和北美地區。 要實現這一計劃，其中之一是讓其他地區的廠商到歐洲建立新晶圓廠，比如成功吸引英特爾到德國馬格德堡新建晶圓廠。不過全球最大晶圓代工廠台積電（TSMC）似乎並不太感興趣，其缺乏足夠的歐洲客戶及歐洲較高的建廠成本是阻礙的主要因素。當然，其他在歐洲已有晶圓廠的企業在高額補貼前也蠢蠢欲動，意法半導體和GlobalFoundries（格羅方德）都想分一杯羹。 據相關媒體報導，意法半導體和GlobalFoundries希望和英特爾一樣，得到建廠補貼，以降低建造成本。前者的總部位於瑞士日內瓦，新晶圓廠選址圈定在法國，後者的總部位於美國紐約，目前在德國德勒斯登擁有大型晶圓廠，或許會選擇在附近進行擴張。 由於意法半導體和GlobalFoundries的主要的代工市場是MCU、傳感器、MEMS和汽車晶片等，所以都不會選擇尖端半導體工藝進行生產。今年早些時候，意法半導體和GlobalFoundries宣布建立合作夥伴關系，據業內人士推測，雙方新建的晶圓廠很可能專注於汽車等歐洲相關行業所需的晶片。 ...

意法半導體 (STMicroelectronics， 簡稱 ST) 宣布 ，ST 瑞典北雪平工廠製造出首批 200mm (8 英寸)碳化矽 (SiC) 晶圓片，這些晶圓將用於生產下一代電力電子晶片的產品原型 。SiC 晶圓升級到 200mm 標志著 ST 面向汽車和工業客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，鞏固了 ST 在這一開創性技術領域的領導地位，提高了電力電子晶片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產品的總擁有成本。 意法半導體的首批 200mm SiC 晶圓片質量上乘，影響晶片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導體碳化矽公司(前身是 Norstel...

半導體大廠意法半導體今天宣布，位於瑞典的北雪平工廠，已經成功製造出首批200mm(8英寸)的碳化矽(SiC)晶圓，將用於生產下一代電力電子晶片的產品原型。 意法半導體表示，這標志著該公司面向汽車、工業客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，鞏固了在這一開創性技術領域的領導地位，提高了電力電子晶片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產品的總擁有成本。 碳化矽是一種化合物半導體材料，與矽材料相比，本徵特性可提供更高的性能、能效，適合電動汽車、工業製造過程等重要的高增長電力應用領域。 意法半導體在碳化矽晶圓的研發上已經投入了25年之久，擁有70多項專利，2019年還收購了Norstel，並改名為意法半導體碳化矽公司，獲得了碳化矽矽錠生長技術開發方面的深厚積累和沉澱。 意法半導體表示，首批200mm碳化矽晶圓質量上乘，影響晶片良率、晶體位錯的缺陷非常少。 對比150mm晶圓，200mm晶圓可增加產能，可用面積擴大幾乎一倍，合格晶片產量則增加80-90％。 新晶圓可以實現更高效的電能轉換，更小、更輕量化的設計，節省系統設計總體成本，而這些都是決定汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。 新的碳化矽晶圓是在義大利卡塔尼亞、新加坡宏茂橋兩家150mm晶圓廠完成前工序製造的，而後工序製造在中國深圳、摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。 來源：快科技