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快科技4月17日消息，最近，美國商務部根據《晶片與科學法案》批准向三星電子提供最多64億美元補貼，但要求其在美國德克薩斯州泰勒市建設一座新的晶圓廠。 三星早在1996年就開始在得州奧斯汀建廠製造晶片了，之前總投資達180億美元，接下來將進入泰勒市，首批投資至少170億美元，成為當地引入最大的一筆外資。 按照美國方面的說法，三星在新工廠上的總投資，將會超過400億美元，並為當地創造至少2.15萬個就業機會。 至於新工廠將使用何種工藝生產何種晶片，美國政府和三星均未公開。 在此之前，Intel拿到了85億美元直接補貼和110億美元低息貸款，台積電獲得66億美元現金補貼和50億美元低息貸款，另外還有GlobalFoundries 15億美元直接補貼、Microchip 1.62億美元直接補貼、BAE 3500萬美元直接補貼。 其中，台積電拿到補貼後將在美國亞利桑那州鳳凰城建設第三座晶圓廠，，引入2nm甚至更先進工藝。 值得一提的是，美國商務部供應鏈競爭力咨詢委員會（ACSCC）聯合主席烏蘇拉·伯恩斯將進入台積電董事會，她還是白宮國家科學、技術、工程和數學項目（STEM）前負責人、美國總統出口委員會前主席，其確實在一定程度上影響了美國的出口政策。 來源：快科技

美國商務部宣布，已經與三星簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《晶片法案》提供約64億美元的直接撥款，以加強美國半導體供應鏈的彈性，推進美國的技術領導地位，並增強美國在全球范圍內的競爭力。 美國商務部稱，三星是唯一一家在先進內存和先進邏輯技術方面都處於領先地位的半導體公司，預計未來幾年將在德克薩斯州泰勒市奧斯汀和地區投資超過400億美元，創造至少21500個就業機會。三星擬議的投資將分布在德克薩斯州中部兩個不同地點，擁有多個項目： 德克薩斯州泰勒市 - 構建一個全面的先進位造生態系統，從前沿邏輯到先進封裝再到研發，打造尖端半導體製造中心，服務於各種終端市場。該生態系統將包括兩個領先的晶圓代工廠，專注於4nm和2nm工藝技術的大規模生產；一個致力於開發和研究當前生產節點之前的技術代的研發工廠；一個生產3D高帶寬存儲器和2.5D封裝的先進封裝設施。其中首座晶圓廠計劃在2026年投產，第二座晶圓廠則是2027年，研發工廠也會在同年啟用。 德克薩斯州奧斯汀 - 擴建近30年來的設施，以支持為美國關鍵行業，生產領先的全耗盡絕緣體上矽（FD-SOI）工藝技術。此外，這項擬議的投資還包括與美國國防部合作的承諾。 三星表示，這些投資表明了其對美國的持續承諾，自1996年以來一直在當地製造晶片。通過繼續在美國開發未來技術，三星正在採取措施，努力加強美國的經濟和國家安全，並提高美國和全球半導體供應鏈的彈性。 《晶片法案》對三星的補貼規模僅次於英特爾（85億美元）和台積電（66億美元），不同的是，三星並沒有獲得《晶片法案》中的貸款和擔保部分，而英特爾和台積電分別得到了110億美元和55億美元的貸款。 ...

台積電（TSMC）宣布，與美國商務部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），後者將根據《晶片法案》向英特爾提供約66億美元的直接撥款，另外初步提供最高55億美元的貸款。台積電還計劃就亞利桑那州工廠資本支出中符合條件的部分，向美國財政部申請最高25%的投資稅收抵免。 台積電同時還敲定了在亞利桑那州鳳凰城建造第三座晶圓廠，通過最先進的製程技術來滿足當地客戶的需求。隨著新增第三座晶圓廠，台積電的Fab21項目的資本支出從400億美元提升至650億美元以上。台積電表示，第三座晶圓廠預計將創造約6000個直接高科技、高薪工作機會，打造充滿活力和具備競爭力的全球半導體生態系統勞動力。 據了解，Fab21項目的一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產線，目前進展良好，計劃在2025年上半年投產；二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產線，現在將推進至2nm工藝，預計在2028年投產，前兩期工程加起來的總產能為每月5萬片晶圓；新增三期工程將採用2nm或更先進的製程技術，預計2030年之前投產。 台積電還將實踐綠色製造的承諾，在能源效率、節水、廢物管理和空氣污染管控等方面不斷創新，目標實現90%的水回收率，亞利桑那州工廠已就達到「近零液體排放」的目標進行工業再生水廠的設計階段。 ...

快科技4月9日消息，美國政府宣布，計劃向台積電提供66億美元現金補貼、50億美元低息貸款，總額116億美元，約合人民幣840億元，支持其在美國本土的晶片製造。 這是美國根據《晶片與科學法案》所批準的最大一筆投資。 同時，台積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設第三座晶圓廠，在美投資總額將超過650億美元，約合人民幣4700億元。 台積電在美國第一座晶圓廠Fab 21一期工程計劃2025年上半年投產，引入5nm、4nm工藝。 Fab 21二期工程計劃2028年投產，上馬3nm、2nm工藝。 二者合計年產能可超過60萬塊晶圓，產品市場價值超過400億美元。 最新規劃的第三座晶圓廠計劃升級到2nm和更先進工藝，但投產時間未定，可能要到2029-2030年，也就是第二座工廠完工之後。 台積電的這些投資，將為美國創造6000個高科技製造工作崗位，以及超過2萬個建築工作機會，還會花費5000萬美元培訓當地工人。 不過，台積電在美投資建廠也面臨諸多問題，尤其是進度遠不如預期，一二期工廠最早規劃的投產時間分別是2024年和2026年。 美國《晶片與科學法案》的其他高科技投資還有：Intel 85億美元直接補貼和110億美元低息貸款、、Microchip 1.62億美元直接補貼、BAE 3500萬美元直接補貼。 三星也正擴大在美投資，預計可獲得60億美元補貼。 來源：快科技

去年6月，英特爾與德國聯邦政府達成了協議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書，計劃投資超過300億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。初期的兩座晶圓廠分別為Fab 29.1和Fab 29.2，目前正在建設當中。 據TomsHardware報導，在馬格德堡興的工地現場，發掘到兩座大約6000年前建造的古墓，是梯形木製墓室，分別長20米和30米，之間相距約200米，裡面有人類和動物遺骸，估計墓主人逝世時年齡大約在35到40歲，另外還有殘存的車架。專家推斷，這些墓室可能由公元前4100年至公元前3600年間統治該地區的巴爾貝格人建造。 據了解，發掘和研究工作在去年就開始了，計劃今年4月結束。暫時還不清楚，考古工作是否會導致英特爾項目的延遲，這種不確定性多少會讓英特爾管理層有所擔憂。已經有媒體聯系了英特爾，不過暫時還沒有收到回應。 此前英特爾已經提交了德國新建晶圓廠的示意圖，將安裝ASML的High-NA EUV光刻機，而且英特爾還留有足夠的空間，最多能再興建另外六座晶圓廠。預計首批兩座晶圓廠Fab 29.1和Fab 29.2會在2027年第四季度投入運營，Intel 14A和Intel 10A兩個先進的製程節點相信都在計劃之內。 ...

作為全球最大的半導體企業之一，SK海力士最近乘著人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的東風，憑借旗下的HBM和DDR5產品，快速地走出了2023年存儲器市場消極萎靡的陰霾，並期待著有更大的發展。 據ComputerBase報導，SK海力士耗資至少120萬億韓元（約合907億美元），在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區，其中包括四座獨立的晶圓廠，目前正在做開工前的准備工作，已完成了三分之一。 SK海力士早在2019年就宣布了建造全球最大晶片生產設施的計劃，不過因各方面的原因延誤了，最終在2022年與韓國中央及地方政府達成協議，讓項目有了新的進展。SK海力士打算在2025年3月正式開工，首座晶圓廠將在2027年完工，整個園區預計在2046年完工。暫時還不清楚首座晶圓廠到底是生產DRAM還是NAND快閃記憶體晶片，考慮到目前人工智慧市場對於HBM產品的巨大需求，SK海力士產能吃緊，這很可能是選擇的方向。 據了解，四座晶圓廠將占據一半的園區，SK海力士還會在園區建造大量的配套支持設施，比如廢水處理廠。除了SK海力士外，三星也選擇了在附近建造類似的半導體生產園區，其中還有研發中心。 ...

近日，代表全球電子產品設計和製造供應鏈的行業協會組織，國際半導體產業協會（SEMI）發布了截至2027年的《季度300mm晶圓廠展望報告》，預計2025年全球晶圓廠用於前端設施的設備支出將首次1000億美元。 SEMI表示，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年將增長12%至1305億美元，到2027年將繼續增長5%，達到1370億美元。投資金額不斷攀升的因素有很多，包括存儲領域市場的復蘇和對高性能計算（HPC）和汽車應用的強勁需求。 從各個國家和地區來看，中國大陸地區未來四年內每年的支出達到了300億美元，引領半導體設備市場；台灣排在第二，將從2024年的203億美元增至2027年的280億美元；韓國預計排在第三名，從2024年的195億美元增至2027年的263億美元；美洲地區從2024年的120億美元增至2027年的247億美元；日本、歐洲和中東、以及東南亞地區到2027年，分別達到114億美元、112億美元和53億美元。 晶圓代工設備銷售額雖然在2024年會下降4%至566億美元，不過2023年到2027年預計會有7.6%的復合年增長率，達到791億美元，以滿足市場對生成式人工智慧、汽車和智能邊緣設備的需求；DRAM設備銷售額的復合年增長率為17.4%，預計2027年將達到252億美元；NAND設備銷售額的復合年增長率為29%，預計2027年將達到168億美元；其餘的模擬、微型、光電、分立器件領域的設備投資在2027年將達到55億美元、43億美元、23億美元和16億美元。 SEMI總裁兼執行長Ajit Manocha表示，對未來幾年300mm晶圓廠設備支出增長反映了滿足不同市場對電子產品日益增長的需求所需的生產能力，以及人工智慧（AI）創新催生的新一波應用。最新的報告還強調了政府增加對半導體製造的投資，對於促進全球經濟和安全的至關重要性，有助於縮小新興地區與亞洲歷史最高支出地區之間的設備投資差距。 ...

2022年1月，英特爾宣布投資超過200億美元，在美國俄亥俄州興建兩座新的晶圓廠。作為IDM 2.0戰略的一部分，這項投資將有助於提高產能，以滿足市場對先進半導體不斷增長的需求，為英特爾新一代產品提供動力，並滿足代工客戶的需求。此前有報導稱，由於市場問題和美國政府補貼資金的延遲，英特爾已經將投產時間表從原計劃的2025年延後至2026年底。 據TomsHardware報導，英特爾在今年1月向俄亥俄州當地發展部門提交了一份進度報告，顯示項目進展並不順利，不但投資金額低於原先的承諾，而且投產時間會繼續延後，至2027年到2028年之間。 提交的資料，顯示的主要內容包括：截至2023年12月31日，英特爾已投入了約15億美元，根據合同內容還會投入30億美元；去年12月，有來自俄亥俄州14個縣的69名員工在項目現場工作；迄今為止，俄亥俄州88個縣中有75個縣的建築工人為項目做出了貢獻；自項目宣布以來，英特爾的供應商已從150家增至350家；辦公樓、水處理和再生設施以及現場空氣分離裝置的計劃已准備就緒。 45億美元的投入相比最初200億美元的承諾不到五分之一，其中英特爾在該項目上已經獲得超過20億美元的激勵。這是俄亥俄州有史以來最大的單一私營企業的投資，預計將創造3000個直接工作崗位，共4.05億美元的工資，相關支持企業還會有20000個職位空缺，每年為俄亥俄州貢獻28億美元的GDP。 ...

最近，，並公布了以Intel 14A工藝為核心的全新製程節點路線圖，還公布了大量的代工合作進展。 Intel CEO帕特·基辛格在接受快科技采訪時表示，在相當短的時間內，Intel代工的預期交易價值從40億美元提升到100億美元，現在又上調到150億美元，他對此感到滿意。 事實上，Intel代工的目標是在2030年成為全球第二大代工廠，而稍作計算便會發現，如果實要現這個目標，Intel代工的預期交易價值要多達1000億美元。 基辛格指出，Intel代工正在取得良好的進展，也需要更大的客戶基礎來推動實際產能提升，因此希望承接一些晶片設計業務。 這麼做的意義是重大的，因為很多客戶在下單更多產能之前，會先讓Intel幫助做晶片設計，然後這些金額相對較小的合作會帶來更大的代工業務承諾。 同時，Intel代工的封裝業務也增長非常快，並擁有技術優勢，而當客戶與Intel合作帶來更多收入增長時，雙方也會更快地建立更深入的信任。 對於快節奏的製程節點路線圖，基辛格強調，Intel對於製程節點一直有合理的定義，開發一個新的製程節點時，要求至少有兩位數的性能提升，比如從Intel 7到Intel 4提升了至少20％，從Intel 4到Intel 3也會類似。 對於某個節點的演進版本，至少會有5％的性能或功耗改進，比如說新提出的P或者E。 基辛格還坦承，Intel 4、Intel 3這樣的不同節點變化確實相對較小，也使用了相同的物理電晶體結構，因為它們是前序基礎節點、後續改進節點的關系。 根據Intel的定義，在“四年五個製程節點”計劃里經歷了三次主要的結構性變化——Intel 7的多重FinFET，Intel 4和Intel 3的EUV，Intel 20A和Intel 18A的RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電。 事實上，即便是Intel 20A和Intel 18A之間的性能提升，也將明顯超過Intel定義的最低標准。 隨著Intel代工客戶越來越多，必然會包含一些原本存在競爭關系的，這就不可避免地會產生一些矛盾，比如與自家產品團隊的競爭，比如客戶產品的商業機密等等。 基辛格對此解釋說，Intel內部產品團隊、外部代工之間有一條清晰的界線，今年將開始獨立核算財務數據，Intel代工的目標是讓工廠滿載運行，想全球最廣泛的客戶交付盡可能多的產能。 基辛格直言，微軟已經成為Intel代工的客戶，Intel還希望服務於NVIDIA、高通、谷歌，甚至是AMD等等，作為世界級的代工廠會對所有客戶一視同仁。 對於整個行業來說，Intel代工的“服務菜單”是開放的，比如首次展示的Intel 18A工藝的未來至強Clearwater Forest，就是至強團隊設計出來的，還使用了EMIB、混合鍵合封裝技術，其中的經驗也會推廣到Intel代工團隊。 換言之，Intel內部產品團隊用到的技術，可以開放給Intel外部代工團隊，方便為客戶提供定製的產品和服務，按其需要靈活配置安全模塊、IO模塊、網絡模塊、加速模塊等。 基辛格還強調，Intel最終必須建立、贏得代工客戶的信任，他們將獲得Intel最好的服務，他們的IP和供應鏈都將得到保護，這就是Intel的承諾。 按照基辛格的說法，即使到了2030年，Intel的大部分晶圓產能仍然將用於自家產品，因此可以用自己大量的收入和產品，承諾推動Intel 18A、Intel 14A以及後續製程節點的質量，降低所有後續客戶的投產風險。 比如說未來的酷睿Panther Lake、至強Clearwater Forest已經計劃使用Intel 18A，它們會是未來Intel客戶端和伺服器產品的主力，貢獻很大一部分的收入。 基辛格提出“靈魂三連問”：對於其他客戶來說，他們可能會問，誰將先來採用這些工廠產能？答案是Intel。 誰將推動製程節點的改進？是Intel。 誰將確保達到性能目標？還是Intel。 Intel的先行，將讓客戶從中受益，反過來又有助於Intel建設好自己的工廠網絡，進而為其他代工客戶降低風險，形成一個正向閉環。 基辛格認為，如果Intel能為客戶提供先進的製程封裝、優質的晶圓、優惠的價格，客戶就能利用Intel的晶片產能，打造更好的產品，並獲得有韌性、可持續、值得信賴的供應鏈。 對於當下最為火爆的生成式AI是否改變了Intel代工，基辛格也做了一番解讀。 三年前，生成式AI爆發前，大多數人預測半導體行業的規模將達到1萬億美元左右，但也有分析師表示懷疑。 而今，通過生成式AI的角度去看，這個數字可能被低估了，作為一個螺旋式上升的行業，半導體產業規模在未來6年內將從6000億美元增長到1萬億美元以上，這是相當驚人的。 基辛格預測，未來幾年，將再次遇到產能緊張，為此Intel已經構建了應對策略，新建晶圓廠時使之具有很高的可擴展性。 生成式AI確實是也一個重要驅動因素，需要構建龐大的數據中心，需要強大的算力資源，需要一個強大的未來，這都需要龐大的半導體產能，而產能正是Intel的一項重要資產。 總之，Intel代工的成立，將成為改變半導體行業的一個里程碑事件，甚至顛覆以往的競爭、合作格局，但一切還為時尚早，擺在Intel面前的路並不平坦，需要加倍努力。 來源：快科技

去年6月，英特爾與德國聯邦政府達成了協議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書，計劃投資超過300億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國聯邦政府已同意提供100億歐元補貼，包含了來自《歐洲晶片法案》和來自政府的激勵措施及補貼。 據HardwareLuxx和Heise.de報導，英特爾已經提交了德國新建晶圓廠的示意圖，顯示初期為兩座晶圓廠Fab 29.1和Fab 29.2，將安裝世界上最先進的半導體工具，英特爾還留有足夠的空間，最多能再興建另外六座晶圓廠。預計首批兩座晶圓廠會在2027年第四季度投入運營，Intel 14A和Intel 10A兩個先進的製程節點相信都在計劃之內。 Fab 29.1和Fab 29.2占地約8.1萬平方米，總長度為530米，寬度為153米，每層高度在5.7至6.5米之間，共三層，加上用於空調和供暖的屋頂結構，建築物高度達到了36.7米。其中High-NA EUV光刻機會安裝在層高為6.5米的第二層，上下兩層用於材料物流，提供必要的資源，比如水、電和化學品。根據ASML提供的模型，第一代支持High-NA的生產節點將使用4-9次High-NA EUV曝光和總共20-30次EUV曝光。 除了兩座晶圓廠，園區內還有眾多支持建築，包括冷卻器和沸騰器（BC1）、倉庫（WH1）、超純水儲存（PB1）、特殊氣體儲存（BG1）、空氣分離廠 （AU1）、辦公樓（OB1）、服務大樓（SB1）、數據中心（DC1）、廢水預處理大樓（WT1）、鹼性廢水預處理（NH4W）、以及停車場（PK1）。Fab 29將採用380千伏高壓供電並包含獨立的供電站，英特爾計劃使用電池儲能系統來代替傳統的柴油發電機作為備用電源，強調了其對可持續性的承諾。 Fab 29所在的新修建道路將以著名物理學家和計算先驅Ada Lovelace Chaussee的名字命名，與英偉達現有的遊戲GPU架構同名。 ...

快科技2月21日消息，美國商務部將根據《美國晶片與科學法案》，向代工廠GlobalFoundries提供15億美元的直接補貼。 與此同時，美國紐約州政府也在未來10年的時間里，陸續發放超過6億美元的補貼給GlobalFoundries。 因此，GlobalFoundries將總計得到21億美元的政府資助，約合人民幣151億元，從而升級位於紐約州馬爾他的Fab 8晶圓廠，並在當地另外新建一座晶圓廠。 GlobalFoundries將利用這兩座工廠，為人工智慧、汽車、航空、國防等行業打造更多的“美國製造”晶片，月產能可達8.33萬塊晶圓左右。 GlobalFoundries同時宣布，將在未來10年內先後投資120億美元，升級美國製造基地，可創造1500多個製造業工作崗位、大約9000個建築業工作崗位。 GlobalFoundries在德國、新加坡也有晶圓廠，似乎不會進行重大升級，畢竟這些錢都是美國政府給的，用來發展美國晶片製造業的。 不過，GlobalFoundries自從AMD分離獨立之後，先進工藝研發能力越發孱弱，2018年的時候就放棄進軍7nm工藝，停留在自家的14nm。 目前最先進的工藝也不過12LP+，可以視為12nm，性能表現接近對手10nm。 但隨著，GlobalFoundries的地位開始有點尷尬。 來源：快科技

快科技2月17日消息，根據美國喬治城大學沃爾什外交學院智庫CSET(安全和新興技術中心)的最新報告，美國晶圓廠的建設速度幾乎已經是全球最慢的，而中國大陸正在極速追趕上來。 報告顯示，20世紀90年代以來，全球共新建了635座晶圓廠，平均建設時間為682天。 建設速度最快的是日本，平均只需584天，然後是韓國620天、台灣654天、歐洲和中東690天、中國大陸701天。 美國則需要長達736天，只比東南亞的781天略好一些。 如果劃分不同時間段來看，美國的情況更不容樂觀。 199x年和200x年，美國平均只需675天就能建好一座晶圓廠，進入201x年則要花費918天。 與此同時，中國大陸和台灣分別縮短到了675天、642天。 進入202x年，美國的晶圓廠建設更是困難重重，經常無法按期完工。 比如台積電位於亞利桑那州的Fab 21又推遲了一年，Intel位於俄亥俄州的工廠從2025年延期到了2026年底，三星位於德克薩斯州的工廠跳票到了2025年。 數量方面美國也在快速下滑，199x年新建了55座，200x年只有43座，201x年則僅僅22座，合計120座。 同期，中國大陸分別新建了14座、75座、95座，合計184座，比美國多了足足一半。 雖然數量和速度不代表一切，尖端工藝上我們差距還非常大，但是CSET仍然提醒美國要小心中國的追趕。 盡管美國制定了《晶片法案》，推動半導體製造回流本土、抑制競爭，但效果不佳。 CSET強調，美國晶圓廠建設放緩，最大阻礙就是各種各樣、紛繁復雜的法律法規，看似對公眾有益，但嚴重阻礙了半導體發展，建議刪除那些沒必要的冗餘條款，為半導體行業開綠燈。 建設中的Intel新工廠 來源：快科技

2022年1月，英特爾宣布投資超過200億美元，在美國俄亥俄州興建兩座新的晶圓廠。作為IDM 2.0戰略的一部分，這項投資將有助於提高產能，以滿足市場對先進半導體不斷增長的需求，為英特爾新一代產品提供動力，並滿足代工客戶的需求。其原計劃於2025年投入使用，近期有消息稱，由於市場問題和美國政府補貼資金的延遲，英特爾已經將投產時間表延後至2026年底。 據TomsHardware報導，英特爾的一位代表證實，俄亥俄州新建晶圓廠無法實現最初的生產目標，不過建設工作一直在進行中，近期對建造時間表沒有做出任何改變，一般半導體設施的建設周期為3到5年。 雖然英特爾既沒有證實也沒有否認延遲，而且也沒有提供新建晶圓廠投產的確切日期，但是提供的說法多少印證了市場的傳聞。事實上，英特爾在早期的公告中就曾表示，俄亥俄州新建晶圓廠項目的擴張范圍和速度與補貼及其他商業條件的資金有關。據了解，目前有大概800人參與到俄亥俄州晶圓廠的建造中，預計到今年年底，這一數字會大幅增長。 英特爾並不是唯一一家推遲美國新建晶圓廠項目的公司，三星和台積電都因各種原因推遲了德克薩斯州和亞利桑那州的晶圓廠部署。 ...

去年末，台積電（TSMC）在IEEE國際電子元件會議（IEDM 2023）上透露，其1.4nm製程節點的研發工作已全面展開，進展順利。這是台積電首次對外披露其1.4nm製程節點的開發情況，對應工藝的正式名稱為「A14」，至於工藝的具體規格和量產時間，暫時還不清楚。 台積電的2nm工藝計劃在明年末量產，1.4nm工藝的推出時間大概在2027年至2028年之間。不過據UDN的最新報導，台積電已經在為更遙遠的1nm工藝生產做規劃，將是首家准備1nm工藝的代工廠，這讓半導體競爭變得更加激烈、有趣。 此前台積電在IEDM 2023上分享了部分信息，1nm工藝大概要等到2030年，正式名稱為「A10」。隨著包括CoWoS、InFO和SoIC等封裝技術的進步，台積電預計2030年左右可以打造萬億級電晶體的晶片。台積電採用的方法與英特爾比較相似，問題在於如何實現這一目標，最近半導體行業一直被收益率和產能所困擾。 據稱，台積電的1nm工藝將是一個昂貴的計劃，預計總開發成本超過了320億美元。台積電也會為1nm工藝新建一座晶圓廠，地點在台灣南部的嘉義縣，總面積超過了100公頃，同時會按照60/40的比例劃分，以同時滿足半導體製造和封裝的需求。 雖然先進工藝的開發難度越來越大，投入越來越高，不過台積電並沒有停止前進的步伐，除了1nm工廠，預計還會建造多座2nm工廠。 ...

快科技1月19日消息，台積電近日公開承認，位於亞利桑那州的第二座美國工廠將會推遲至少1年，原定的3nm工藝也懸而未決，原因主要是美國答應好的補貼遲遲不到位。 台積電美國工廠名為Fab 21，一期工程投資120億美元，將在2025年下半年投入量產，主要是生產5nm、4nm工藝晶片。 2022年底，台積電將美國工廠投資增至最多400億美元，並宣布建設Fab 21二期工廠，計劃2026年投產N3 3nm工藝。 兩座工廠的年產能可達60萬塊晶圓，也就是每個月5萬塊。 但是受《晶片與科學法案》的影響，美國政府給予新工廠的補貼存在很大變數，加之客戶需求疲軟，台積電決定推遲新工廠的進度，目前預計要到2027年甚至2028年才能完成。 台積電還表示，新工廠正在建設中，但投產工藝尚未最終決定，仍在討論中，具體取決於客戶需求和時間周期。 看樣子，台積電這是要和美國政府討價還價。 來源：快科技

近年來，全球各主要國家都在積極發展本土半導體製造業，而台灣的晶圓代工大廠則成為了各國主要的爭取對象。 近日，力積電董事長黃崇仁在接受媒體采訪時表示，在力積電於2023年初透露將通過技術轉移協助印度建晶圓廠之後，已有7～8個國家邀請力積電去當地建廠，因為日韓美國都不願意教導別人做半導體，台積電跟聯電也不教，結果這些國家全部找上力積電。 黃崇仁透露，找力積電協助建廠的國家有日本、越南、泰國、印度、沙烏地阿拉伯、法國、波蘭、立陶宛等。 他感慨地說，以前印度都不理台灣，沒有一個印度部長跟台灣接觸過，但力積電之前去印度拜訪的時候，印度部長次長都出來了，2023年12月，印度科技經濟部長還來了台灣拜訪。 在2023年初，力積電已經對外確認，將應印度政府要求，與印度政府簽署合作協議，協助印度在當地建立晶圓廠。 不過，合作模式上，與自身花費大規模資本投資建廠的方式有所不同，力積電將改為採取技術入股的形式合作的方式，與印度政府或相關廠商合作設廠。 2023年8月，力積電宣布與日本SBI Holdings合資成立JSMC株式會社在日本新建晶圓廠。隨後在10月底，又與SBIHoldings、日本宮城縣及JSMC公司簽訂合作備忘錄，確認JSMC首座晶圓廠將以日本宮城縣黑川區大衡村的第二北仙台中央工業園區為預定廠址。 不過，從成本方面來看，各國的建廠都高於台灣。 黃崇仁表示，根據其從內部掌握的數據顯示，台積電日本生產成本是台灣的1.5倍，其中建廠成本是2.5倍，營運成本比台灣貴50%。 也就是說，在日本建廠＋營運成本合計需要7～8年才能賺錢，即建廠完營運3年後才能賺錢。反觀力積電在台灣的銅鑼廠，今年就能實現盈虧持平。 至於印度，黃崇仁透露，其晶圓廠的建廠成本也是台灣的數倍，“我都不知道印度要怎麼做，我都傻眼”。 對於美國建廠，黃崇仁則一直不看好。他表示，台積電在美國亞利桑納建廠綜合成本是台灣成本2倍。 此前黃崇仁在接受采訪時就曾指出，美國在IC設計和設備製造部分具有競爭力，但是在晶圓製造環節，台灣具有領先地位，有贏的條件，“不是隨便就可以被拿走”。 他進一步指出，台灣半導體產業能夠在世界上領先，主要是工程師素質高、產業國際化、成本相對低廉、CP值非常高，比美國便宜，且晶片出售是國際價格，如此“台積電可以一直賺錢”，並且把賺到的錢再持續投資先進位程。若沒有這些條件，“不是搬到美國，優勢就可以存在”。 在各國的政府補貼方面，黃崇仁表示，力積電與印度合作可以拿60%補貼，日本政府也將補助上千億日圓，義大利、德國政府也有補助。 但是在台灣建廠除了需要的土地跟水電，業者沒有跟政府拿半毛錢，這是台灣厲害的地方。 在比較全球各地的建廠的綜合成本後，黃崇仁指出，只有中國大陸半導體建廠成本比台灣更低一些低，這其中加上了政府補貼，否則他認為全世界沒有哪裡建廠成本比台灣便宜。 來源：快科技

近日，代表全球電子產品設計和製造供應鏈的行業協會組織，國際半導體產業協會（SEMI）發布了新的《世界晶圓廠預測報告（SEMI World Fab Forecast）》，預計2024年全球晶圓廠的產能將增長6.4%，突破每月3000萬片晶圓（WPM）的關卡，將創下歷史新高。 即便半導體行業不太景氣，2023年全球晶圓廠的產能仍然增長了5.5%，至每月2960萬片晶圓，增速並沒有因此而放緩。隨著針對人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用的晶片需求持續快速增長，從台積電（TSMC）到三星及英特爾，都在推動產能的擴張。 SEMI預計，從2022年至2024年，有多達82座新建晶圓廠投產，其中2022年有29個項目、2023年有11個項目、2024年有42個項目，覆蓋了100mm至300mm尺寸的晶圓，以及數十種成熟和領先的半導體工藝技術，表明了這種產能擴張是多元化的。中國大陸地區引領了這一擴張，2023年的產能增長了12%，達到了每月760萬片晶圓，預計2024年將有18座新建晶圓廠投產，增速將提高至13%，產能至每月860萬片晶圓。 台灣是半導體產能第二高的地方，2023年產能為每月540萬片晶圓，預計2024年將增至每月570萬片晶圓。韓國和日本緊隨其後，其中韓國預計2024年的產品為每月510萬片晶圓。 ...

此前有報導稱，台積電（TSMC）將為台灣新竹科技園的2nm晶圓廠安裝設備，計劃2024年4月開始執行，這預示著N2工藝項目的重大進展。這里毗鄰台積電負責N2工藝開發的R1研發中心，顯然也是為了方便試產的工作。近期台積電也再次強調，下一代2nm製程節點會在2025年實現量產，將為旗下半導體工藝首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術。 據ctee報導，台積電第二間2nm晶圓廠位於台灣高雄科技園，可能提前完成准備工作。其一期工程的生產線計劃於2025年開始進入量產階段，這比預期的2026年要更早一些，與新竹科技園的2nm晶圓廠時間上很接近。有消息稱，二期工程也已獲得了所有必要的許可。 由於台積電通常不會同時間部署兩間採用先進工藝的新建晶圓廠，所以對該項目的進度情況應該要有所保留。此外，還有兩個大問題需要考慮：首先，台積電最近幾個季度對資本支出的增加持謹慎態度，不太可能提前投資完成配套准備工作；另外即便真的安裝好了生產設備，考慮到2nm工藝昂貴的報價，不一定有足夠客戶的訂單來支撐。 如果說台積電有這麼動力盡早提升2nm工藝的產能，大概只有一個原因：來自三星和英特爾的代工服務競爭加劇，並確保能夠為所有願意為最新半導體技術支付溢價的大客戶提供服務。顯然這樣的客戶並不多，可以說是屈指可數。 ...

英特爾在以色列一直設有開發中心，承擔了相當部分的技術研發工作。2021年初，帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）擔任英特爾CEO不久，就制定了擴張計劃，打算在海法的馬塔姆科技園建造一個占地數千平米的新開發中心（IDC21），距離英特爾原有的設施（IDC9）不遠。不過在今年初，英特爾取消了該項目，但這並不代表其減慢了在當地投資的步伐。 據相關媒體報導，英特爾將在以色列南部建造新的晶圓廠計劃在2028年投產，並運營到2035年，投資總額達到250億美元，這是以色列有史以來最大的外國投資。英特爾的擴張旨在加強全球半導體供應鏈，實現多元化戰略，減少對單一地區的依賴。新工廠為Fab 38，毗鄰英特爾在基耶蓋特附近的Fab 28，這里距離加薩走廊約42公里。Fab 28採用了Intel 7工藝生產晶片，Fab 38很可能採用Intel 18A工藝。 根據以色列鼓勵投資的相關法律，英特爾還將獲得投資額12.8%的補助，大概是32.5億美元。此外，英特爾將獲得7.5%的企業稅率減免。在政府的大力補貼下，英特爾的目標是通過擴大生產規模，重新確立對AMD和英偉達等競爭對手的市場主導地位。 據了解，目前英特爾在以色列的員工大概有12000名，另外Mobileye還有2000名員工。預計新項目會為當地創造數千個就業機會，同時英特爾還承諾未來10年裡從以色列供應商處購買價值約166億美元的商品和服務。 ...

近日台積電（TSMC）在IEEE國際電子元件會議（IEDM 2023）上再次強調，下一代的2nm製程節點會在2025年實現量產，將為旗下半導體工藝首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術。 據LTN報導，台積電將為台灣新竹科技園的2nm晶圓廠安裝設備，計劃2024年4月開始執行，這預示著台積電N2工藝項目的重大進展，屬於重要的里程碑。為晶圓廠安裝設備一般的周期為一年，會有多台來自ASML的極紫外（EUV）光刻工具，然後還需要時間驗證。由於台積電從未公布過2nm晶圓廠的時間表，外界只能從其他方面的蛛絲馬跡了解到其中的進展情況。 台積電為了站穩先進位程的領先位置，內部已組建了名為「One Team」的團隊，沖刺2nm製程節點的開發、試產和量產等工作，包括推動其位於台灣新竹寶山和高雄兩地晶圓廠的同步試產及2025年的量產。團隊里除了研發人員，還有前期負責生產的晶圓廠工程師。 此前有報導稱，台積電在台灣的北部（新竹寶山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投資，興建2nm晶圓廠。其中位於新竹科技園寶山用地二期會興建Fab20晶圓廠，共規劃了四座12英寸晶圓廠（P1-P4），是新一代N2工藝的啟動點，將安排在2024年下半年進入風險性試產。 ...

“反龍潭科學園區第三期擴建案自救會”爆料稱，在與竹科管理局、台積電的三方會談後，台積電已決定放棄在龍潭建1.4nm晶圓廠計劃。 此前報導顯示，主要為台積電2nm以下製程晶圓廠用地的竹科管理局規劃龍潭科學園區擴建第三期計劃，預計徵收158.59公頃土地，提供約5，900個就業機會. 但因有88%為私人土地，引發當地居民組成“反龍潭科學園區第三期擴建案自救會”，並從10月初開始前往竹科管理局抗議，要求撤回擴建案。 “反龍潭科學園區第三期擴建案自救會”發文指出，竹科管理局、台積電及自救會三方代表進行會談，會中台積電代表明確表示，對因龍潭科學園區第三期擴建案而引發的龐大社會爭議，台積電深感不安，並認同龍潭在地鄉親愛護土地及家園的強烈情懷，決定放棄原本在擴建案內的設廠計劃。 針對自救會發文內容，台積電本周正值法說會前的緘默期，並沒有給予正面響應。但台積電此前有官方回應表示，台積電是科學園區土地的企業租戶，園區規劃為政府權責，尊重居民及主管機關，無法進一步評論。 竹科管理局表示，園區擴建是為引領台灣產業聚落升級，非為單一廠商征地，但將重新調整擴建范圍，兼顧產業發展與民眾權益，以達到雙贏局面，並重新評價計劃用地需求，聽取及整合民眾意見，評價調整擴建計劃范圍，盡最大努力兼顧民眾權益，而原訂10月舉辦的第二次公聽會將延期。 原本龍潭科學園區第三期擴建案攸關台積電1.4nm晶圓廠設廠計劃，原定2026年建廠，並將在2027年至2028年間量產. 依照目前來看，台積電龍潭設廠計劃生變，後續就必須另覓新地電來建造1.4nm新廠。 來源：快科技

目前台積電（TSMC）正在美國亞利桑那州建造新的晶圓廠Fab21，原計劃第一階段工程完工後，生產線會在2024年開始投入使用，採用的是N4和N5系列工藝。不過由於受到多重因素影響，Fab21大規模生產的時間可能會延後至2025年。 雖然擁有先進工藝的晶圓廠，不過在當地缺乏相對應的封裝設施，隨著半導體電路小型化變得更加困難，Chiplet技術變得越來越重要，先進封裝成了不少代工廠近期關注的重點。據相關媒體報導，台積電已經就建設先進封裝廠與亞利桑那州當地政府談判，探討相關的可能性，以便在未來打造擁有垂直整合的晶片生產鏈。 過去的幾個月里，以ChatGPT為首的人工智慧工具在全球范圍內掀起了一股熱潮，對英偉達A100和H100這樣的數據中心GPU的需求大幅度提高，這也讓台積電的先進封裝產能變得緊張，為此還緊急訂購新的設備，以滿足英偉達不斷增長的需求。 現階段台積電本身就有擴大先進封裝產能的需求，而且Fab21是面向當地客戶的晶片生產基地，配套打造先進封裝設施似乎也在情理之中。不過台積電並沒有承認有關先進封裝廠的談判，只是對未來幾年建立更加緊密的合作表示樂觀。 ...

俄勒岡州一直是英特爾重要的全球半導體技術研發基地，有著大量的技術開發和製造設施。英特爾在去年宣布，將為D1X-Mod3擴展項目投資30億美元，擴建俄勒岡州D1X工廠，致力於半導體研發（R&D）領域的領導地位。 據TomsHardware報導，英特爾已經提交了一份許可證申請，概述了園區的擴建計劃。其中提及，除了會有新的D1X-Mod4擴展項目，還將重建已有數十年歷史的D1A研發工廠，新設備的安裝最早於2025年開始，直到2028年完成。不過英特爾在申請里沒有提及這些擬議項目的財務范圍，考慮到D1X-Mod3擴展項目的規模，新計劃應該需要更大規模的投資。 英特爾在7月份向俄勒岡州環境質量部提交了一份長達1100頁的空氣品質許可證申請，其中概述了這些計劃中的改進措施，名為「Ronler Acres的戈登-摩爾公園」的園區可能會進行大規模擴建，對周邊環境產生重大影響。按照英特爾的說法，溫室氣體排放量將增加一倍以上，所在地區的製造業將成為周邊地區受管制污染物的「主要來源」。 不過英特爾的申請不代表最終的計劃或者承諾，只是表明了未來的意圖。目前英特爾在該園區共有五間工廠，包括最頂尖的D1X工廠，負責製造工藝的開發；D1A工廠是英特爾上世紀80年代負責開發製造的地方；D1B和D1C工廠，生產10nm產品；D1D工廠，生產7nm產品。英特爾在俄勒岡州的投資歷史超過了50年，是其在世界上最大的設施和人才集中地，擁有員工約為22000名，是俄勒岡州最大的企業僱主。 ...

此前，英特爾已從德國聯邦政府得到了近68億歐元的補貼，用於馬格德堡的晶圓廠項目。不過隨著地緣政治形勢的變化及市場對半導體的需求下降，加上通貨膨脹的因素，最終會推高了成本，晶圓廠的造價已從最初的170億歐元增加到300億歐元。為此英特爾要求額外增加40億至50億歐元的補貼，從而引發爭議，導致整個項目暫緩。 經過了多方磋商，英特爾與德國聯邦政府終於達成了協議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書，計劃投資超過300億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國聯邦政府已同意提供100億歐元補貼，其中包括激勵措施。 英特爾已於2022年11月購入該項目用地，預計歐盟委員會批准相關方案後的四到五年內，第一家晶圓廠就會投入生產。考慮到英特爾的投資規模和時間表，這些設施內的生產設備可能比最初設想的還要先進，將擁有進入埃米時代的技術，為英特爾旗下產品及其代工客戶提供先進的晶片製造服務。 英特爾執行長Pat Gelsinger表示：「感謝德國聯邦政府、總理和馬格德堡市所在的薩克森–安哈特州政府的合作與共同承諾，將努力讓德國和歐盟半導體產業實現充滿活力、可持續、領先的的願景，向歐洲平衡和彈性供應鏈邁出重要一步。」 ...

英特爾已從德國聯邦政府得到了近68億歐元的補貼，用於馬格德堡的晶圓廠項目。不過隨著地緣政治形勢的變化及市場對半導體的需求下降，加上通貨膨脹的因素，最終會推高了成本，晶圓廠的造價已從最初的170億歐元增加到300億歐元。為此英特爾要求額外增加補貼，金額達到了40億至50億歐元，這意味著德國聯邦政府要為該項目最高補貼近120億歐元。 據相關媒體報導，德國聯邦政府不願意為英特爾提供更多資金，因為其預算中並沒有準備這筆錢。德國財政部長Christian Lindner表示，政府現在的目標是努力鞏固預算管理，而不是擴大預算。 英特爾要求額外增加補貼在德國聯邦政府間也引起了爭議，一方面總理Olaf Scholz和經濟部長Robert Habeck對增加補貼持開放態度，因為英特爾的投資總額變得更高，另一方面Christian Lindner反對這麼做，堅持認為需要確定額外資金的來源。德國的一些經濟學家認為，補貼是浪費納稅人的錢，而有部分人擔心，鑒於半導體供應鏈的復雜性，減少晶片行業對亞洲供應商的依賴是具有挑戰性的。 英特爾拒絕就此事發表評論，但表示「目前存在成本差距，我們正在與政府合作，研究如何縮小差距」。 ...

此前有報導稱，台積電（TSMC）已確立德國建廠模式，將與全球最大的汽車零部件供應商博世合作，在德勒斯登建設新晶圓廠。據稱，博世承諾會承擔人力、工會和生產效率等方面的責任風險。 據相關媒體報導，台積電正就對德國投資建廠所需的大量投資進行談判，最快會在8月通過建廠方案，其歐洲首座晶圓廠將採用面向汽車晶片使用的28nm特殊製程。知情人士稱，台積電參與的新項目投資金額約為100億歐元（約合110億美元）。為了匹配這一金額，吸引戰略投資，歐盟委員會將會對相關國家補貼開綠燈。 據了解，除了博世以外，台積電還會與恩智浦半導體、英飛凌合作，為晶圓廠提供廣泛的基礎，分散投資的風險。這些合作夥伴將幫助台積電規劃和籌集國家援補貼資金，取得當地政府在水電、土地和減稅等各方面的政策優惠，整個項目的預算至少為70億歐元，總投資可能接近100億歐元。在巨額補貼之下，台積電和其合作夥伴的計劃很難被拒絕。 雖然PC玩家對28nm製程嗤之以鼻，不過日常生活里使用的晶片不少採用的製程甚至比28nm還老舊。事實上，台積電大力鼓勵使用成熟製程的客戶，將晶片的製程提升至28nm的水平。台積電非常謹慎，即便談判深入到接近達成協議的階段，也不排除出現其他變數，最終讓計劃落空。 ...

美光在最近的財報電話會議上證實，該公司的記憶體晶圓廠產能利用率目前處於歷史最低水平。 據供應鏈消息稱，鑒於短期SSD等存儲價格繼續走降價路線，美光這個產能利用率有望更低。 之前，美光發布的財報顯示，2023財年第二季度營收同比下降約53%，至36.9億美元，淨虧損23億美元。 美光已進一步削減2023會計年度資本支出，目前預期將投資大約70億美元、較2022年度縮減超過40%；2023年度晶圓廠設備（WFE）資本支出預估將年減超過50%、2024年度預估將進一步縮減。此外，2023年裁員目標進一步擴大到15%，高於此前10%的目標。 3月31日晚，網信辦發布公告，宣布對美國半導體公司美光在華銷售產品啟動網絡安全審查。 網信辦表示，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防範產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網絡安全法》，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網絡安全審查。 美光回應《科創板日報》記者稱：“已知曉中國網絡安全和信息化委員會辦公室（網信辦）宣布對我們在華銷售的產品啟動網絡安全審查。我們正與網信辦進行積極溝通和全力配合。” 來源：快科技

近日，代表全球電子產品設計和製造供應鏈的行業協會組織，國際半導體產業協會（SEMI）發布了新的報告，預計2026年全球300mm晶圓廠產能增加至每月960萬片（WPM），將創下歷史新高。在經歷了2021年和2022年的強勁增長以後，由於記憶體和邏輯器件需求疲軟，今年300mm產能的擴張速度將放緩。 SEMI總裁兼執行長Ajit Manocha表示，雖然全球300mm晶圓廠的產能擴張正在減慢，但行業仍專注在增加產能以滿足對半導體強勁的長期需求。SEMI預計2022年至2026年之間，包括台積電、三星、聯華電子、格羅方德、中芯國際、華虹半導體、英特爾、SK海力士、鎧俠、美光、意法半導體和德州儀器都會增加300mm晶圓的產能，共有82個新設施和生產線開始運作。 中國地區將重點放在成熟製程節點上，全球份額將從2022年的22%增加至2026年的25%，300mm晶圓廠產能達到每月240萬片；由於記憶體市場需求疲軟，韓國300mm晶圓廠產能的份額從2022年的25%下滑至2026年的23%；台灣繼續維持第三的位置，不過份額會略微下降，從2022年的22%降至至2026年的21%；日本的300mm晶圓廠產能的份額預計也將下降，從2022年的13%降至至2026年的12%，這主要與其他地區的競爭加劇有關。 在政府主導的投資推動下，加上汽車領域的強勁需求，美洲、歐洲和中東地區300mm晶圓廠產能的份額將在2022年至2026年之間出現增長，其中美洲地區上升0.2%，達到9%；歐洲和中東的份額將從6%增長至7%；東南亞地區的份額則繼續維持在4%。 SEMI表示，模擬和電源領域的產能增長領先於其他領域，復合年增長率（CAGR）將達到30%，隨後依次為晶圓代工（12%）、光電（6%）和存儲器（4%）。SEMI共列出了366個設施和生產線，其中258個正在運行，108個正在計劃建設當中。 ...

上個月有報導稱，英特爾已從德國聯邦政府得到了近68億歐元的補貼，用於馬格德堡的晶圓廠項目。不過隨著地緣政治形勢的變化及市場對半導體的需求下降，加上通貨膨脹的因素，最終會推高了成本。為此英特爾要求額外增加32億歐元，希望得到共計100億歐元的補貼。 據相關媒體報導，雖然此前英特爾已要求得到更多的補貼，不過32億歐元似乎還遠遠不夠，目前已經將要求的金額提高到40億至50億歐元。促使英特爾向德國聯邦政府要求更多資金是多種因素綜合作用的結果，除了之前談及的問題外，英特爾還想彌補利率上升和能源價格飆升帶來的成本增加。有消息稱，晶圓廠的造價已從最初的170億歐元增加到300億歐元，增幅十分驚人。 英特爾在一份提供給媒體的聲明中寫道：「全球經濟動盪導致成本增加，從建築材料到能源都是如此。我們感謝與德國聯邦政府的建設性對話，目的是解決與在其他地方建廠存在的成本差距，並使該項目具有全球競爭力。」 德國經濟部拒絕就其與英特爾的討論發表評論，但表示，歐盟的目標是到2030年占據全球20%的半導體產能，為此德國聯邦政府已准備數十億歐元支持半導體產業的發展，不過任何額外的資金撥款都需要得到歐盟委員會的批准。 目前英特爾已經將德國馬格德堡晶圓廠及義大利封裝廠的計劃推遲，希望得到當地政府更多的資金支持。 ...

工業和車用晶片大廠英飛凌（Infineon）宣布，計劃投資50億歐元，在德國德勒斯登附近建造一座12英寸晶圓廠，這是英飛凌歷史上最大的單筆投資。該項提案已經得到了德國政府初步同意，不過英飛凌希望能夠獲得10億歐元的公共資金補助，這還需要等待歐盟執委會的調查結果。 英飛凌執行長Jochen Hanebeck表示，這座新工廠主要看準了再生能源、數據中心、汽車電動化的半導體市場需求，正呈現結構性的增長，同時英飛凌將持續加速提升產能，為的是抓住脫碳化、與數位化趨勢帶來的成長機會。英飛凌的投資對於實現歐盟的目標非常關鍵，即2030年以前達到全球半導體製造20%的占有率。 據了解，這座晶圓廠未來將生產模擬/混合信號和功率半導體，預計會在2026年完工，將創造1000個新的工作崗位。其中模擬/混合信號組件用於電源系統，比如節能充電系統、小型汽車電機控制單元、數據中心和物聯網（IoT）應用，功率半導體和模擬/混合信號組件的相互作用使得創建特別節能和智能的系統解決方案成為可能。 得益於先進的數位化和自動化，英飛凌希望在德勒斯登樹立新的製造標準，而且會配備最新的環保技術。2021年，英飛凌位於奧地利菲拉赫的新晶圓廠投入使用，是世界上最現代化的工廠之一，依靠全自動化和數位化運營，人工智慧解決方案將用於協助生產管理和預測性維護，同時80%的供暖需求通過散熱系統預熱回收來實現，避免了每年約兩萬噸的二氧化碳排放，廢水處理系統的廣泛使用使得排放量幾乎為零。相信這次英飛凌的德勒斯登新工廠也會延續這樣的設計思路，成為同類工廠中最環保的生產設施之一 ...

Intel CEO基辛格在2021年推出了IDM 2.0戰略，其中的核心就是投資上千億美元在美國及歐洲新建多座晶圓廠，確保公司2025年重新成為先進半導體工藝的領導者。 Intel在美國亞利桑那州及俄亥俄州分別投資200億美元建廠了，歐洲的晶圓廠主要位於愛爾蘭， EUV光刻機等設備已經安裝完成，今年量產Intel 4工藝。 在歐盟內部，Intel原本計劃在德國馬格德堡投資170億歐元，建設其在歐洲的大型晶片製造廠，計劃去年下半年開工，但是因為種種原因已經暫停，特別是在PC需求下滑之後。 Intel此前表示不會取消這個項目，但需要重新商談條件，這個條件就是德國政府的補貼，此前德國許諾給予68億歐元的各種補貼。 現在Intel開出的條件更高了，因為歐洲地區的能源成本大漲，他們希望得到至少100億歐元的補貼，約合730億元。 考慮到德國工廠的總投資也就200億歐元，這還是漲價後的，因此Intel要求的補貼差不多占到了工廠成本的一半，這樣可以極大地降低自己的成本，才能跟三星、台積電等亞洲晶圓廠競爭。 為了讓德國方面甘心多掏錢，Intel也提出了更好的條件，許諾工廠的工藝水平更先進，不過具體是多少nm工藝的還不知道。 來源：快科技

隨著13代酷睿的上市，Intel的處理器工藝已經切換到了Intel 7節點上，這是Intel 4年掌握5代CPU工藝中的起點，接下來的還有重頭戲，不過生產基地會轉向海外，由位於歐洲愛爾蘭的Fab 34晶圓廠接任。 Intel CEO基辛格日前在網上透露他上周去了Fab 34工廠訪問，擴建後的工廠面積翻了一倍，具備更高的產能，而這里的團隊會交付Intel最新的工藝，也就是Intel 4、Intel 3工藝，等效友商的4nm、3nm節點。 Intel 4工藝是Intel首個EUV工藝，其電晶體的每瓦性能將提高約20%，Intel表示該工藝將在今年下半年准備就緒，即將量產。 首發Intel 4工藝的是14代酷睿Meteor Lake系列，2023年上市，最快的話就是上半年發布。 Intel 4之後是Intel 3工藝，會在Intel 4基礎上再次實現每瓦性能上實現約18%的提升，這一代工藝也是Intel未來提供代工的主力。 Intel 3工藝會由伺服器級的至強處理器首發，其中代號Sierra Forest的處理器會使用效能核，代號Granite Rapids的至強則使用性能核架構。 15代酷睿Arrow Lake的CPU模塊預計也會使用Intel 3工藝生產（也由可能是20A工藝），不過這一代變數也很大，很多不確定消息。 來源：快科技

按照台積電（TSMC）的計劃，在2022年至2025年期間，將陸續推出N3、N3E、N3P、N3X等工藝，後續還會有優化後的N3S工藝，加上可以使用FINFLEX技術，可涵蓋智慧型手機、物聯網、車用晶片、HPC等不同平台的使用需求。台積電在3nm製程節點仍使用FinFET電晶體，不過到了2nm製程節點，即2025年量產的N2工藝將啟用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體。 據相關媒體的報導，台積電已做出了戰略決策，開始為1nm級別的晶片生產鋪路，決定選址台灣桃園附近的龍潭科技園區，興建新的晶圓廠。該地點距離台積電總部所在的新竹科技園區不遠，將為當地創造數千個高薪工作崗位。 目前先進半導體工藝的生產設備相當昂貴，估計這間晶圓廠的投資金額大概在320億美元。相比之下，台積電現有採用3nm和5nm工藝生產的晶圓廠，投資金額約為200億美元，新晶圓廠有著不小的增幅。 台積電暫時只披露了N2工藝的計劃，接下來更為先進的製造技術會如何發展還不清楚，有業內人士估計，1nm級別的工藝可能要到2027年至2028年才能量產，很可能會用到ASML最為先進的High-NA EUV光刻系統，將提供0.55數值孔徑。由於1nm級別工藝的晶片無論設計還是製造成本都非常高，不要指望很多公司和晶片會採用。 ...

台積電（TSMC）於2020年決定在美國亞利桑那州建造新的晶圓廠，目前正在建設當中，預計2024年投入運營，初始產能目標是每月約2萬片晶圓（WSPM），製程節點為5nm，也就是包括N5、N5P、N4、N4P和N4X工藝。 據TomsHardware報導，近日台積電創始人張忠謀也參加了在泰國舉辦的亞太經合組織（APEC）峰會，其確認台積電的美國工廠有更先進的工藝計劃，不過尚未敲定最終的方案。有半導體行業資深人士透露，台積電美國工廠第一階段為5nm製程節點，第二階段為3nm製程節點。由於台積電在美國有多位重要的客戶，相信投入運營後並不會缺乏訂單。 在亞太經合組織峰會期間，張忠謀與不少政界和商界領袖會面，其中有探討在其他地區擴張的可能性。傳聞張忠謀在上周末與多個重要領導人會面，這些地方都有台積電的晶圓廠項目。對台積電而言，在一個地方興建晶圓廠並不是一件容易的事，其中一個原因是合適的勞動力，其美國亞利桑那州的計劃已經證明非常不容易。 據了解，目前台積電在美國亞利桑那州的晶圓廠項目進展還算順利，已經准備好接收第一階段所需要的生產設備，12月6日將舉行首部設備的安裝儀式。不過相當部分業內人士仍然擔心，由於文化的差異，晶圓廠內部員工在實際工作中可能會出現分歧和摩擦。 ...

台積電要在美國大量生產3nm、5nm先進位程晶片？官方回應了，結果很尷尬了，因為還沒有確定。 對於此前有信息稱台積電創始人張忠謀表示，台積電已經“差不多敲定”計劃在位於美國亞利桑那州的新工廠生產3nm晶片，台積電今晚回應《科創板日報》記者稱：“本月9日台積電曾回應，目前正在建設的亞利桑那州晶圓廠，包含一部份可能用於二期廠房的建築，透過利用一期同時建設的資源來提高成本效益。 按照官方的說法，這座建築能夠讓台積電保持未來擴張的靈活性。但就目前為止，台積電公司尚未確定亞利桑那州晶圓廠二期的規劃。 有鑒於客戶對台積公司先進位程的強勁需求，我們將就營運效率和成本經濟因素來評估未來計劃。目前尚無進一步消息。 對於是否擴產，台積電也是比較猶豫，因為目前環境非常的尷尬，全行業需求正在快速減退。 事實上，隨著全球半導體產能從緊缺轉向過剩，台積電也今年的資本支出從400億美元砍到了360億美元，主要是減少了先進工藝的投資，3nm的量產時間一再推遲。 雖然台積電之前一直強調3nm進度良好，客戶也很踴躍，然而就算是3nm首發客戶蘋果也在削減支出，智慧型手機、平板及PC需求下滑，蘋果也放緩了3nm量產步伐。 來源：快科技

按照台積電（TSMC）的計劃，從2022年到2025年，將陸續推出N3、N3E、N3P、N3X等製程，後續還會有優化後的N3S製程，加上可以使用FINFLEX技術，可涵蓋智慧型手機、物聯網、車用晶片、HPC等不同平台的使用需求。台積電在N3製程節點仍使用FinFET電晶體，不過2025年量產的N2工藝將使用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體。 據相關媒體的報導，台積電正在做更長遠的准備，其N1工藝已處於早期規劃階段。第一個採用N1工藝的晶圓廠將建在台灣桃園的一個科學園區內，距離台北不到一小時車程。在同一個園區里，台積電已經有晶片封裝和測試設施，是一個籌建晶圓廠的合適地點，預計到2027年開始投入生產。據了解，台積電所謂的N1工藝最終可能是1.4nm的製程節點。 盡管全球經濟出現下滑趨勢，但台積電仍致力於推進半導體工藝的研發，並為此建造新的晶圓廠。台積電原計劃在本季度量產N3工藝，預計該製程節點在2023年將貢獻其總收入的4%到6%。台積電也很少透露N2工藝的情況，似乎電晶體結構和工藝進度都達到了預期。 台積電暫時還沒有證實任何細節，對相關報導進行回應。 ...

英特爾在今年初，宣布將投資超過200億美元，在美國俄亥俄州興建兩座新的晶圓廠。這是其IDM 2.0戰略的一部分，通過提高產能滿足市場對先進半導體不斷增長的需求，而且為英特爾新一代產品提供動力，並滿足代工客戶的需求。 日前，英特爾在俄亥俄州舉行新晶圓廠奠基儀式，英特爾執行長Pat Gelsinger、美國總統Joe Biden、俄亥俄州州長Mike DeWine、以及其他聯邦、州和地方官員也參加了此次活動。這是俄亥俄州歷史上最大的單一私營部門投資，預計該項目在初始階段和建設過程中，可以創造3000個英特爾的工作崗位，以及7000個建築工作崗位，並支持數萬個長期服務於當地供應商和合作夥伴的工作崗位。 英特爾原計劃於2022年7月22日，舉行新晶圓廠的奠基儀式，不過因美國國會未能按時就通過CHIPS法案達成一致，曾決定無限期推遲奠基儀式以示抗議。根據CHIPS法案的內容，半導體製造商可以獲得約520億美元的補貼。 此前英特爾還承諾，將追加1億美元用於與教育機構建立合作夥伴關系，通過打造人才通道支持該地區的科研計劃。隨著新晶圓廠破土動工，英特爾宣布為其俄亥俄州半導體教育和研究計劃提供第一階段的資金，共計1770萬美元，這是以半導體開發為重點的教育和勞動力計劃，涉及了辛辛那提大學、中央州立大學、哥倫布州立社區學院、肯特州立大學、洛雷恩縣社區學院、俄亥俄大學、俄亥俄州立大學在內的多所高等教育機構。 ...

三星去年宣布，將在美國投資約170億美元，新建一座先進位程晶圓廠，選址在德克薩斯州泰勒市。近期三星提交了多份申請，為晶圓廠設施申請減免稅款，新晶圓廠可以獲得約48億美元的稅收減免。三星還在這些申請中，描述了未來可能的計劃。 據相關媒體報導，三星表示考慮投資1920億美元，未來20年內新建11座半導體工廠，最早的設施會在2034年投入使用，其餘的要到2042年。據了解，三星打算將其中2座放在奧斯汀市，三星在當地已有運營多年的晶圓廠，另外9座則選在了泰勒市，兩地相隔約25英里。 如果三星的計劃得以順利實施，奧斯汀市的2座晶圓廠將帶來1800個新的工作崗位，以及245億美元的投資，而泰勒市的9座晶圓廠會獲得8200個新工作崗位，以及1676億美元的投資。目前德克薩斯州有四分之一的產出與半導體行業相關，未來占比還會繼續上升。 三星發言人Michele Glaze稱，目前還沒有具體的建設計劃，這是三星長期規劃的一部分，以評估在美國建造額外半導體設施的可能性。要滿足三星的建造需求，德克薩斯州當地的基礎設施也要有必要的升級，才能適配這些新設施在人力、電子傳輸、物流等多方面的要求。 ...

英特爾在今年初的時候，宣布將投資超過200億美元，在美國俄亥俄州興建兩座新的晶圓廠。這是其IDM 2.0戰略的一部分，這項投資將有助於提高產能，以滿足市場對先進半導體不斷增長的需求，為英特爾新一代產品提供動力，並滿足代工客戶的需求。 英特爾原計劃於2022年7月22日，舉行新晶圓廠的奠基儀式，不過隨著美國國會未能就通過CHIPS法案達成一致，英特爾決定無限期推遲奠基儀式以示抗議。據相關媒體報導，英特爾已向有關部門發出電子郵件，稱由於CHIPS法案進展緩慢，因而做出這樣的決定。 根據CHIPS法案的內容，半導體製造商可以獲得約520億美元的補貼。據了解，英特爾開始建設晶圓廠的時間將保持不變，不過其聲稱晶圓廠的建造規模和進度取決於CHIPS法案所提供的資金。如果最終這些補貼得不到落實，英特爾很可能仍繼續建造俄亥俄州的晶圓廠，只是速度較慢，且規模也充滿了不確定性。 該項目是俄亥俄州歷史上最大的單一私營部門投資，預計在初始階段和建設過程中，可以創造3000個英特爾的工作崗位，以及7000個建築工作崗位，並支持數萬個長期服務於當地供應商和合作夥伴的工作崗位。在年初的新聞稿件中，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）認為這是標志性事件，有助於建立更具彈性的供應鏈，並確保在未來幾年里可靠地獲得先進的半導體技術。 ...

南亞科技（Nanya）是屬於台塑集團旗下的動態隨機存儲器（DRAM）製造商，僅次於三星、SK海力士和美光，位居世界第四的位置。據相關媒體報導，近日南亞科技在台灣新北市為其新建的12英寸晶圓廠舉行了奠基儀式。 該項目是南亞科技過去十年里最大的一筆投資，投資總額達到了101億美元。相比於台積電（TSMC）動輒幾百億美元的投資，南亞科技的投資額要小得多，但DRAM的製造節點和台積電代工的晶片並不同，不像普通晶片那麼容易地在更先進的製程上受益。南亞科技的新晶圓廠與目前旗下的其中一間晶圓廠位置相近，預計會在2025年開始投入生產，傳聞月產能約為45000片晶圓。 據稱，南亞科技的新晶圓廠將採用10nm技術節點，不過可能會隨著使用而發生變化。南亞科技目前已經有採用10nm級別工藝的DDR5產品，正在按計劃進行量產。與其他競爭對手大多集中在16 Gbit芯粒不同，南亞科技似乎仍專注於較低容量的8 Gbit芯粒。南亞科技的目標是獨立於其他DRAM製造商開發其下一代10nm級別工藝，以避免向競爭對手支付專利許可費。 ...