Tag: 海力士

SK海力士今日宣布已開始量產最新款內存產品HBM3E，並將於3月下旬供貨給主要客戶，其中包括擁有基於Hopper架構的H200和基於BlackWell架構的B200 GPU的英偉達。 SK海力士是首家HBM3E供應商，於2023年8月份完成HBM3E存儲器的開發，上個月向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品進行測試，如今宣布量產的HBM3E存儲器應該是8層堆疊的產品，容量為24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E產品在速度和熱量控制上是目前業界內最好的。最新款HBM3E每秒可處理1.18TB的數據，相當於在一秒內處理230多部全高清電影（每部 5GB）。同時，SK海力士的HBM3E產品在採用Advanced MR-MUF工藝後，與上一代產品相比，散熱性能也提高了10%，減少了積熱的可能性。 SK海力士HBM業務負責人Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量產完善了公司AI存儲器產品陣容，並希望以HBM產品線的成功經驗，進一步提升客戶對公司的信心，穩固與前者的關系，夯實公司在AI存儲器供應領域的領先地位。 之前也有報導稱，為了應對競爭更加激烈的存儲器市場，SK海力士曾擬計劃於美國印第安納州建造晶圓廠，以及在韓國本土投資10億美元建造先進的HBM封裝設施，如今率先量產HBM3E產品，無疑使SK海力士在未來存儲器市場里占得一定先機。 ...

這個月早些時候，Omdia最新的市場研究報告顯示，索尼繼續主導著全球CMOS圖像傳感器（CIS）市場，去年第三季度以24.42億美元銷售額，及51.6%市場占有率獨領風騷。排名第二的是三星，市場占有率為45.6%，第三至第五分別是豪威科技（9.7%）、安森美半導體（7%）和格科微電子（4%）。此外，鮮有人提及的SK海力士排在第六，市場占有率為3.8%，有機會進入前五。 據The Elec報導，SK海力士似乎打算在CMOS圖像傳感器市場發力，目前已重組其開發團隊，將擴大市場份額的重點轉移到高端產品上。過去SK海力士的CMOS圖像傳感器開發團隊是單一的組織，現在已另外創建了專注於圖像傳感器特定功能和特性的子團隊。 有業內人士表示，SK海力士現在的CMOS圖像傳感器開發團隊更像是一支研發隊伍，而不是銷售與宣傳的團隊。CMOS圖像傳感器廣泛用於智慧型手機和IT產品，而SK海力士以往只是一個專注於20MP或更低解析度低端產品的小玩家。SK海力士從2021年開始向三星供應CMOS圖像傳感器，比如用於Galaxy A系列產品。 由於受到經濟衰退及電子消費端需求低迷等影響，市場對CMOS圖像傳感器的需求有所下降，壓力主要來自於智慧型手機。對於面向中端機型的供應商來說尤其痛苦，單價也會因此而下降。傳言SK海力士近期一直在減少圖像傳感器的產量，同時減少庫存。 ...

TrendForce發布2022年第三季度企業級SSD營收報告，數據顯示盡管因伺服器行業物料供應改善及部分企業建設數據中心進度並未受明顯影響使整機出貨有所提升，但整體企業級SSD市場仍受NAND快閃記憶體降價影響，第三季度營收下跌至52.2億美元，環比下降28.7%。 三星（Samsung）第三季度企業級SSD營收為21.2億美元，繼續穩坐第一的位置，但其市場占有率由第二季度的44.5%下降至40.6%。營收下降的主要原因依然是快閃記憶體均價的下跌。 圖片來源TrendForce官網 SK海力士群組（SK海力士+Solidigm）第三季度企業級SSD營收為12.1億美元。不過隨著新成立的Solidigm逐步完成全系列企業級SSD的開發及定位 ，SK海力士群組的企業級SSD市占率有望增長。 西部數據（WDC）第三季度企業級SSD營收為6.7億美元。由於今年下半年西部數據憑借價格策略與北美客戶加強合作，報告預測西部數據第四季度營收表現可能會優於同行，但因其PCIe 4.0企業級SSD尚未完成客戶驗證，增長動力難以維系。 美光（Micron）第三季營收為6.6億美元，雖然美光早前推出了176層NAND的PCIe 4.0企業級SSD，但由於其驗證時程較預期延長，目前仍以SATA接口的企業級SSD為供應主力，所以176層NAND的PCIe 4.0產品對第三季度營收影響有限。 鎧俠（Kioxia）第三季度營收為5.6億美元，得益與其PCIe 4.0企業級SSD於第三季度開始放量及今年年底量產PCIe 5.0企業級SSD，鎧俠的市占率有望增長。 TrendForce預計伴隨NAND快閃記憶體價格的繼續下降，第四季度企業級SSD市場營收將會下跌超過兩成。 ...

作為NAND快閃記憶體巨頭之一，SK海力士不但做快閃記憶體，還親自下場做起了SSD，先後發布了SATA接口的Gold S31、PCIe/M.2接口的Gold P31。Gold P31已經誕生整整一年了，今天迎來了新版本，容量高達2TB，而之前只有500GB、1TB。 它依然採用了SK海力士自家的Cepheus主控方案、128層3D TLC快閃記憶體晶片，搭配自家的LPDDR4-4266緩存。 性能方面和之前的1TB版完全相同：持續讀寫最高3.5GB/s、3.2GB/s，隨機讀寫最高570K IOPS、600K IOPS。 但以上都是SLC緩存模式下的性能，而我們知道，SLC緩存一旦耗盡，TLC的性能經常不忍卒讀，因此廠商都視若機密，從不公布。 SK海力士就老實多了，真真切切地列出了緩外性能：持續讀取不變，持續寫入1.7GB/s，隨機讀寫最高500K IOPS、370K IOPS，分別損失47％、12％、38％。 最大寫入量1200TB，平均每天0.3次全盤寫入，對比500GB 0.5次、1TB 0.4次降低了一些，但相當於每天寫入600GB，其實更多，99.99％的人也不可能一天寫這麼多數據 價格方面，2TB型號要279.99美元，約合人民幣1815元，而之前的500GB 74.99美元、1TB 134.99美元。 來源：cnBeta

SK 海力士在 2021 年 2 季度財報中證實，該公司將與未來幾個月內開始量產 DDR5 記憶體顆粒。除了英特爾與 AMD 的多個下一代消費級平台引入對 DDR5 記憶體的支持，伺服器平台也將迎來 DRAM 存儲密度的進一步提升。 （來自：SK Hynix） 在 SK 海力士量產 DDR5 記憶體顆粒的同時，其合作夥伴也將於未來幾個月內陸續發布首批 DDR5 記憶體模組。 值得一提的是，該公司將開始用極紫外光刻（EUV）技術來量產 1a nm 的...

  全球第二大存儲晶片製造商韓國SK海力士公司周二表示，預計2021年剩餘時間存儲晶片需求將持續強勁，得益於數據中心的擴建和智慧型手機中更復雜晶片的使用。該公司表示，由於移動設備對數據存儲的需求增加，NAND快閃記憶體產品在今年下半年的增長將尤為強勁。 該公司DRAM營銷主管在財報電話會議上表示：「需求水平比我們今年年初預期的要強勁得多，尤其是來自5G智能手機和個人電腦的需求，預計這種有利的記憶體市場狀況將持續到2021年下半年。」 海力士當天發布的財報顯示，二季度營業利潤增長38%，至2.7萬億韓元（約合23億美元），創2018年四季度以來新高，因個人電腦和其他設備的記憶體晶片需求迅速增長，以及來自計算機伺服器運營商的需求恢復。營收增長20%，至10.3萬億韓元。 來源：cnBeta

SK海力士宣布，本月開始量產基於1anm的8G LPDDR4移動DRAM，這是第四代10納米（1a）製程技術。由於半導體行業對10納米DRAM產品進行分類，以字母命名，因此1a技術是繼1x、1y和1z之後的第四代。SK海力士計劃從2021年下半年開始向智慧型手機製造商提供最新的移動DRAM產品，這是SK海力士在部分測試並證明尖端光刻技術的穩定性後，首次採用EUV設備進行量產。 SK海力士期待新技術能帶來生產力的提升，並進一步提升成本競爭力。該公司預計，與之前的1z nm節點相比，1anm 技術將使相同尺寸的晶圓生產的DRAM晶片數量增加25%。SK海力士預計，隨著全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助於緩解全球市場的供需狀況。 新產品可以在4266Mbps下穩定運行，是標準LPDDR4移動DRAM規范中最快的傳輸速率，不僅如此，新產品還能降低20%的功耗。 SK海力士計劃明年初開始將其1anm技術應用在他們的DDR5產品上。 來源：遊民星空

記憶體廠商的新戰鬥正在悄悄打響，現在SK海力士官方給出消息稱，開始啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片。按照官方的說法，公司的第四代10nm（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移動端 DRAM（動態隨機存儲器）產品已經在今年7月初開始量產。 SK海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應採用1a納米級技術的移動端 DRAM。 在這之前，三星和美光也都表示，將啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片之後，不過美光時間上要更晚一些，其要在2024年生產新的EUV記憶體晶片。 去年SK海力士宣布斥資90億美元（約合600億元）收購Intel快閃記憶體部門，合並之後有望成為僅次於三星的第二大快閃記憶體巨頭，六大原廠將減少為五家。 來源：cnBeta

據tomshardware消息，SK海力士承認了其最近發貨的一些DRAM產品存在缺陷，並表示正在調查問題的嚴重程度。該公司否認了因存儲晶片故障而面臨約17億美元（108億元）的損失，但表示正在積極調查此問題。 6月7日，有傳言稱SK 海力士出貨了多達240,000片帶有缺陷記憶體的晶圓，價值高達17億美元。SK海力士稱，雖然它正在處理一些有故障的DRAM，但損壞的DRAM並沒有影響到240,000片晶圓。該公司稱這些謠言是嚴重損害了他們的聲譽，並致電當地警方，對這些身份不明的襲擊者提出誹謗和虛假信息指控，從而促使警方對謠言進行調查。 240,000片晶圓不是一個小數目，甚至超過了一個晶圓廠的月產能。這種規模的故障需要數個SK Hynix晶圓廠運行數周並生產故障組件，或者一個晶圓廠生產故障DRAM數月。考慮到晶圓廠在不同製造階段的全面質量控制檢查，這兩種情況發生的可能性其實不大。 換個角度說，如若真有240000片晶圓有缺陷，那必然會對市場和全球記憶體價格產生巨大影響，尤其在目前這種晶片已經因個人電腦和其他應用的大量需求而處於供應短缺之中的情況下。不過話說回來，不管 SK 海力士的記憶體晶片缺陷問題是否嚴重，DRAM價格在下半年可能都會上漲。 TrendForce報告稱，DRAM供應商的庫存很低，通常只有三到四個星期的庫存。相比之下，PC製造商的DRAM平均庫存高達10周，因此，分析師認為，盡管與2021年第一季度相比，2021年第二季度DRAM價格上漲了18%至23%，但與第二季度相比，第三季度可能還將上漲3%至8%。 來源：遊民星空

目前晶片代工商的產能普遍緊張，但還是難以滿足強勁的需求，汽車晶片、智慧型手機處理器、家電晶片等，目前依舊供不應求，急需擴大產能，以增加供應。存儲晶片製造商、也從事晶片代工的SK海力士，就在考慮擴大晶片代工產能。 英文媒體是援引SK海力士副會長、聯席CEO朴正浩透露的消息，報導SK海力士考慮提高晶片代工產能的，朴正浩稱他們正在考慮將晶片代工產能提高一倍的可行計劃。 從英文媒體的報導來看，在提高晶片代工產能方面，SK在考慮多種戰略選擇，包括增加設備、收購工廠、並購等。 SK海力士在2017年成立了一家負責晶片代工業務的全資子公司，目前也有多座工廠，但在SK海力士的營收中，所占的比重仍然較低，SK海力士目前來晶片代工等非存儲晶片業務的營收，只有2%，存儲晶片業務是他們營收的主要來源。 來源：cnBeta

SK-Hynix公司5月13日宣布，歡迎韓國政府當天早些時候披露的「K半導體戰略」，並將為此進行大規模投資。 海力士已經透露了它打算擴大對系統半導體的投資。該公司計劃將鑄造業的銷售份額提高一倍。一些專家預測，隨著SK-Hynix系統IC工廠的擴建，SK-Hynix可能會尋求並購交易。 SK海力士系統IC是SK海力士的全資子公司，從事鑄造業務。目前，該公司的非記憶體業務僅占SK Hynix總銷售額的2%至3%。該公司在中國無錫設有一家工廠，主要生產基於8英寸晶圓的CMOS圖像傳感器（CISs）和電源管理IC（PMIC）。 與此同時，SK Innovation表示，該公司2021年第一季度的銷售額達到92398億韓元，比上年同期增加15622億韓元。增長歸因於石油和石化產品價格的飆升。公司扭虧為盈，實現營業利潤5025億韓元。 然而，其稅前利潤達到5276億韓元的虧損，這是由於外匯相關虧損和電池訴訟和解金造成的10301億韓元的營業外虧損。 來源：遊民星空

SK Hynix 官員在 4 月 28 日的電話會議上表示，盡管當前尚無具體的規劃，但公司正在討論擴展 8 英寸代工業務的各種方法。據悉，作為該公司為擴大製造業務而付出的努力的一部分，SK Hynix 旗下代工廠 System IC 將從韓國青州遷至中國，以保持價格競爭力。與此同時，SK Hynix 表示尚無大規模推廣 12 英寸晶圓代工或先進工藝的投資計劃。 利川工廠資料圖（來自：SK Hynix） 電話會議期間，有人詢問在從英特爾手中收購了 NAND 快閃記憶體業務部門之後，SK Hynix 是否會出售其在日本半導體公司鎧俠（Kioxia）的股份以籌集資金。對此，該公司一位官員回答道，SK Hynix...

韓國存儲晶片製造商SK海力士，已在內部組建了晶圓廠設備研發團隊，由公司高層直接領導，還聘請了外部專家。SK海力士組建晶圓廠設備研發團隊的消息，是由韓國媒體開始報導的。韓國媒體的報導顯示，SK海力士新組建的設備研發團隊，已從外部聘請了一名專家，並從公司內部指定了一名執行副總裁領導這一團隊，直接向公司產品與生產總裁Jin Kyo-won匯報。 在報導中，韓國媒體還提到，SK海力士內部此前也有多個較小的研發小組，也是專注於晶圓廠的設備，但規模較小，也並未由公司的高層直接領導。 SK海力士新組建的設備研發團隊，將專注於晶圓廠的設備，將研究電路、工藝、設備的數據信號處理及測量系統。 知情人士透露，SK海力士此番高規格組建設備研發團隊，還聘請外部專家，是因為他們內部一致認為有必要增強對設備的了解，以保持他們在市場上的競爭力。 知情人士還透露，SK海力士內部認為，加強對設備的了解，有助於安排適當的工作，並提出設備領域相關的問題。新組建的晶圓設備研發團隊，也將擴大與國外設備製造商的合作，並與韓國國內的企業在設備開發方面進行合作。 來源：cnBeta

當地時間4月15日，SK海力士宣布開始量產新一代企業級SSD硬碟PE8110 E1.S，最高8TB容量，3月底完成了認證，5月出貨給客戶。2019年6月份，SK海力士全球首發了128層堆棧的4D快閃記憶體，並基於此快閃記憶體推出了新一代企業級硬碟，有多種規格，其中2.5寸SATA的是SE5110，PCIe的有三種——M.2、E1.L、E1.S。 與上一代使用96層快閃記憶體的PE6110系列硬碟相比，PE8110 E1.S系列的讀取速度提升了88%，寫入速度提升了83%。 性能方面，PE8110 E1.S硬碟1秒可以寫入4GB的高清電影，容量最大8TB，可以存儲2000部電影。 其他方面，PE8110 E1.S硬碟的性能大漲，但功耗與上代持平，能效更好，發熱也有所降低，質保時間也從3年延長到了5年。 來源：cnBeta

點擊右上方「關注」，第一時間獲取科技資訊、技能攻略、產品體驗，私信我回復「01」，送你一份玩機技能大禮包。 --------------------------------- 4月16日消息，據韓媒thelec報導，SK海力士於當地時間15日正式宣布，將量產新一代企業級固態硬碟PE8110 E1.S，最高支持8TB容量，5月開始出貨。 圖源：IT之家 PE8110 E1.S採用128層堆棧的4D快閃記憶體，與上一代採用96層堆疊的PE6110系列硬碟相比，新品讀取速度提升88%，寫入速度提升83%，1秒即可寫入一部4GB的高清電影。此外新硬碟功耗與上一代持平，發熱有所降低，質保從3年延長至5年。 企業用戶對於硬碟容量需求較高，固態硬碟的價格太貴，所以目前機械硬碟仍是首選。得益於QLC、TLC快閃記憶體顆粒的普及，這幾年固態硬碟價格不斷下降，企業級固態硬碟開始挑戰機械硬碟地位。 不過聽到PE8110 E1.S發布的消息，最開心的可能不是企業用戶，而是虛擬貨幣礦商。最近幾天，一種名為「Chia」（奇亞幣）的虛擬貨幣大火，比特幣、以太坊等主流虛擬貨幣需求顯卡算力，Chia則不然，它涉及大容量讀寫操作，對於硬碟的容量和讀寫速度需求更高。 儘管Chia還沒有正式開通交易，但已經有不少礦商盯上了這種虛擬貨幣，並且開始搶購硬碟，導致一時間大容量機械硬碟和固態硬碟集體漲價。按理說固態硬碟不適合反覆讀寫，否則會降低使用壽命，然而利益當前，礦商們已經管不了那麼多了。 嘉合勁威給出的清單顯示，光威、阿斯加特固態硬碟幾乎全系斷貨。這兩個品牌的硬碟屬於小容量消費級產品，都能賣到斷貨，大容量企業級硬碟又豈能逃脫礦商們的魔掌。原本就已是夕陽產業的DIY市場，經歷了顯卡和硬碟雙重漲價，真的是日薄西山氣息奄奄了。 目前海力士還沒有公布的PE8110 E1.S價格，按照現在的市場行情，估計8TB版本會在4000元左右。如果礦商們不停止搶購硬碟，這款產品的價格可能還會繼續上漲。 ---------------------------------- 作者：雷科技團隊，致力於聚焦科技與生活，關注並私信回復「01」，送你一份玩機技能大禮包。 來源：kknews比企業用戶更開心？海力士8TB SSD發布：礦商樂死了

韓國脈沖公司稱，美國的新制裁措施禁止向中國供應深紫外線晶片設備，韓國的三星和SK海力士公司擔心自身受到牽連。 3月初，美國國家安全委員會（NSC）稱，應限制向中國出售DUV設備。限制中特別提到了與氟化氬（ArF）有關的技術，氬氟浸沒式光刻技術對於16納米或更小尺寸的雙極型生產至關重要。 消息稱，三星和SK海力士在中國的工廠分別將這些技術用於NAND記憶體和DRAM，據悉，韓國半導體工業協會（KSIA）已經向美國政府提出，要對這兩家製造商做出例外規定，因為它們對韓國經濟至關重要。KSIA擔心美國對許多中國晶片製造商的制裁將擴大到所有在中國設有生產基地的製造商。 極紫外線光刻機（EUV）的銷售已被禁止，目前來說，ASML仍被允許向中國中芯國際提供DUV設備。 來源：遊民星空

在NAND快閃記憶體市場上，全球有六大原廠——三星、鎧俠（原東芝存儲）、西數（原閃迪）、SK海力士、美光及Intel，但去年SK海力士宣佈收購Intel快閃記憶體業務，市場格局變了。 SK海力士收購Intel花了90億美元，交易涵蓋Intel的SSD、NAND部件和晶圓以及Intel在中國大連的快閃記憶體工廠，但不會包括傲騰業務。 這筆錢分兩批支付，第一期支付70億美元從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關智慧財產權和員工）以及大連工廠。 第二階段預計在2025年3月份進行，SK海力士將支付20億美元餘款從英特爾收購其餘相關資產，包括NAND快閃記憶體晶圓的生產及設計相關的智慧財產權、研發人員以及大連工廠的員工。 90億美元對SK海力士來說也是一筆高額花費了，資金還是有壓力的，最近有傳聞稱SK海力士將賣掉在鎧俠中的股份以便回流資金收購Intel快閃記憶體業務，但官方予以否認，表示不會出售鎧俠中的股份。 在2018年東芝出售快閃記憶體晶片業務的180億美元交易中，SK海力士是重量級投資成員，出資4萬億韓元，約合35.5億美元或者232億人民幣。 總之，SK海力士現在的打算就是收購Intel的同時保留在鎧俠中的投資，至此全球六大快閃記憶體原廠中自己就參與了三個，收購Intel快閃記憶體業務之後就是僅次於三星的全球第二了，影響力更大。 來源：遊民星空

在NAND快閃記憶體市場上，全球有六大原廠——三星、鎧俠（原東芝存儲）、西數（原閃迪）、SK海力士、美光及Intel，但去年SK海力士宣布收購Intel快閃記憶體業務，市場格局變了。SK海力士收購Intel花了90億美元，交易涵蓋Intel的SSD、NAND部件和晶圓以及Intel在中國大連的快閃記憶體工廠，但不會包括傲騰業務。 這筆錢分兩批支付，第一期支付70億美元從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關智慧財產權和員工）以及大連工廠。 第二階段預計在2025年3月份進行，SK海力士將支付20億美元餘款從英特爾收購其餘相關資產，包括NAND快閃記憶體晶圓的生產及設計相關的智慧財產權、研發人員以及大連工廠的員工。 90億美元對SK海力士來說也是一筆高額花費了，資金還是有壓力的，最近有傳聞稱SK海力士將賣掉在鎧俠中的股份以便回流資金收購Intel快閃記憶體業務，但官方予以否認，表示不會出售鎧俠中的股份。 在2018年東芝出售快閃記憶體晶片業務的180億美元交易中，SK海力士是重量級投資成員，出資4萬億韓元，約合35.5億美元或者232億人民幣。 總之，SK海力士現在的打算就是收購Intel的同時保留在鎧俠中的投資，至此全球六大快閃記憶體原廠中自己就參與了三個，收購Intel快閃記憶體業務之後就是僅次於三星的全球第二了，影響力更大。 來源：cnBeta

ADATA威剛科技旗下高端電競品牌XPG，在近期推出了XPG龍耀D50重裝鎧甲RGB記憶體，是繼XPG龍耀D60G之後推出的新一代記憶體，D50擁有加厚的金屬一體成型拉絲工藝，幾何線條設計的散熱馬甲，特挑高性能超頻顆粒，以及XPG龍耀系列一如既往的炫酷燈效，頻率最高4800MHz可選和單條容量最高達32G。 D50記憶體在顆粒方面除了經過威剛層層優選的原廠顆粒版本外，更為玩家提供特挑的海力士CJR優選顆粒的版本。記憶體頻率從3200MHz起步，最高能到4800MHz，3200頻率時序CL16、3600頻率時序CL18、4800頻率時序CL19，記憶體支持XMP 2.0，支持Intel最新十代酷睿與AMD銳龍平台。 龍耀D50記憶體擁有不俗的超頻能力，配備單面1.95mm重裝散熱裝甲使得性能更強勁，這也讓D50更加堅固耐用，可提升記憶體散熱效能，散熱裝甲表面金屬拉絲處理，手感極佳。 龍耀D50重裝鎧甲RGB記憶體側面採用特別的幾何切割模式，勾勒出側面的三角燈帶，頂部為無覆蓋式的磨砂燈條設計，內部設有10顆高亮LED燈珠，能更完整的綻放炫光色彩，展現耀眼且奪目多層次光效。支持華碩、技嘉、微星等各大板廠的RGB同步控制，可通過燈效軟體，實現一鍵同步。 ...

從本月1號開始日本開始對韓國實施制裁，聚醯亞胺、半導體製作中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫這三種材料是重要管控對象，這正中韓國企業的軟肋，因為三星和海力士等韓國半導體公司從日本大量進口這些晶片生產所需的原料，缺乏這些東西可能會導致晶片陷入停產。 三星和海力士是全球存儲晶片的巨頭，全球75%的DRAM晶片和40%的NAND晶片來自於韓國，而他們都嚴重依賴來自日本的一些關鍵性化工品，韓國92%的光刻膠都是來自日本進口的，還有不到一半的氟化氫也來自於日本，而這種用於晶片氣體蝕刻的氟化氫是有毒的，並且有很強的腐蝕性難以長期儲存，難以保留大量庫存。 wccftech表示DRAM記憶體價格這個月出現今年來的首次上漲，在過去兩周內價格已經上漲了15%，分析師也越來越多的警告DRAM和NAND潛在價格飆升的可能，因為韓國和日本短期內很難達成任何協議。 伯恩斯坦分析師馬克紐曼認為，由於韓國占世界記憶體供應量的四分之三，所以記憶體價格可能會前所未見的速度大幅上漲，台積電也警告說，日本的動作是2019年下半年最大的不確定因素。 記憶體和快閃記憶體可能在未來幾個月內價格會上漲不少，韓國晶片製造廠現在也正在尋找代替方案，氟化氫的來源可能比較好找，中國和俄羅斯都有供應商，但成本可能會有所上漲。而光刻膠就很難輕易找到代替品了，日本供應商將嘗試最大限度的從日本以外的工廠生產光刻膠，但是他們對是否要加大投資增加海外工廠的產能有所猶豫，因為日本政府可能隨時撤銷制裁，這樣海外工廠的增產就會變得不必要，而且產能也不是說增加就增加的，因為要花大量的時間去擴建工廠。 ...

作為其2019年Q1財報業績公布的一部分，SK海力士宣布，公司將提高其第一代10納米級製造工藝（即1X nm）的DRAM產量，並將今年下半年開始生產、銷售其製造的第二代10納米級製造技術（又名1Y nm）的記憶體。加速向10納米級技術的過渡將使該公司能夠增加DRAM位輸出，最終降低成本，並為下一代記憶體做准備。 使用SK海力士1Y nm生產技術製造的首批產品將是其8 Gb DDR4-3200記憶體芯片。海力士表示，與使用其1X nm製造技術的類似器件相比，新的生產工藝能夠將8 Gb DDR4器件的芯片尺寸縮小20％，並將其功耗降低15％。此外，SK海力士即將推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有兩項重要改進：四相時鍾方案以及Sense放大器控制技術。四相時鍾提高了信號強度，可在高數據傳輸速率下保持穩定；同時，SAC降低了晶體管尺寸縮小時可能發生的數據錯誤的可能性。 雖然這些技術即使在現在對於DDR4也很重要，但據報道SK海力士將使用它的1Y nm工藝製造DDR5，LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此，海力士必須盡快提升其第二代10納米級製造技術，為未來做好准備。 SK海力士過渡到10納米級DRAM製造技術的速度相當緩慢。美光和三星的第二代10納米級的2款產品已經開始出貨了，SK海力士的第二代10納米級製造技術似乎將在2019年下半年才用於商業產品。而海力士2019年Q1季度財報顯示其利潤同比暴跌65%，雖然它預言今年第二季度將略有回升，第三季度的服務器需求將大幅增長，再加上5G手機的布局入市，也許記憶體價格真的已經摸到寡頭們的底線了？ 來源：超能網