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從去年12代酷睿的Intel 7工藝開始，Intel未來幾年會有一波集中爆發，短短4年內就要推出5代CPU工藝，一直到2025年的18A工藝，各種路線圖很好很強大。 日前在美國銀行技術大會上，Intel高級副總S andra Rivera也談到了Intel未來的至強處理器路線圖，今年要推出的是第四代至強可擴展處理器Sapphire Rapids，使用的是Intel 7工藝，12代酷睿同代的Golden Cove架構，還支持DDR5、PCIe 5.0等。 Sapphire Rapids處理器性能會很好很強大，不過跳票也是麻煩，原定去年就要發布的，之前官方說的是今年上半年，現在看今年下半年能出貨就不錯了。 不過未來的至強CPU就順利多了，尤其是是Intel 4工藝量產之後，下下代的Granite Rapids會全面使用P性能核，原定是使用Intel 4工藝的，但是Intel測試之後認為Intel 4工藝的升級版Intel 3工藝更好，所以Granite Rapids直接會上Intel 3工藝，2024年量產。 來源：快科技

本周的WWDC上，蘋果發布了M2晶片，並搭載於新MacBook Air和13寸MacBook Pro上。 不過，M2雖然性能強悍，可依然是台積電5nm（第二代），這一方面證明蘋果設計開發M2時間很早，另一方面也給M2未來升級疊代的款式買下伏筆。 一名高級分析師Jeff Pu稱，蘋果將在年底前推出M2 Pro處理器，升級到台積電3nm製程工藝。M2 Pro的CPU核心將增加到12核，GPU也會更強大。 當前的M2設計為最高8核CPU+10核GPU，CPU性能提升18%，GPU性能提升了35%。 M2 Pro預計會用於新Mac mini和14寸MacBook Pro，至於M2 Max，最高12核CPU+38核GPU，預計將用於Mac Pro上。 有趣的是，昨天業內人士手機晶片達人還搶先偷跑了M3晶片，同樣3nm工藝，代號Palma，只是要等到明年三季度才能流片了。 來源：快科技

三星的晶圓代工業務在14nm節點還能跟台積電一戰，之後被迅速甩開，現在的7nm、5nm節點上也是台積電壟斷性優勢，三星寄希望於全新的3nm GAA工藝，可惜也傳出了良率不行、客戶轉單等問題，現在三星再一次洗牌高管，代工業務由2位記憶體專家掌管。 據韓國媒體報導，三星日前宣布了2項重大人事變動，其中快閃記憶體開發部門負責人Song Jae-hyuk擔任半導體研發中心的負責人，半導體設備解決方案部門的全球製造與基礎設施副總裁Nam Seok-woo則兼任了代工製造技術中心負責人。 這兩人之前都是三星的記憶體、快閃記憶體技術方面的專家，這也是三星半導體中最成功的業務之一。 去年12月份，三星在半導體業務方面就已經有一波大動作了，將原來的半導體、消費電子及移動通訊三大業務整合為半導體及消費電子兩個事業群，是2017年以來改革幅度最大的一次。 據媒體分析，三星再一次對晶圓代工業務的高層人才洗牌，旨在提升該業務的競爭力，特別是要盡快量產3nm工藝，相比台積電的3nm工藝，三星在3nm節點就上了GAA電晶體工藝，技術非常激進，目的就是要在2030年前成為全球第一大晶圓代工企業，超越台積電。 來源：快科技

三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體製造公司之一，3nm節點是他們的一個殺手鐧，之前一直被良率不行等負面傳聞困擾，日前三星公司終於亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產，比台積電還要早一些。 日前美國總統參觀了三星位於平澤市附近的晶片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝製造的12英寸晶圓，不過具體是哪款晶片還不得而知。 對三星來說，3nm節點是他們押注晶片工藝趕超台積電的關鍵，因為台積電的3nm工藝不會上下一代的GAA電晶體技術，三星的3nm節點就會啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。 根據三星的說法，與7nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。 根據三星之前的表態，3nm工藝將在2022年Q2季度量產，這個進度相比台積電的3nm工藝還要激進，後者今年下半年也只能小規模試產，明年才會大規模量產3nm工藝。 來源：快科技

最近一段時間，三星的新工藝負面新聞不斷，之前有傳聞稱良率只有35%，嚇跑了NVIDIA及高通等客戶，不過三星一直否認，現在又有報導稱3nm工藝已經量產，最關鍵的良率也在改善中。 這個喜訊是三星管理層向董事會報告的，顯示了三星對3nm工藝的信心，表示良率已經改善，但是現在依然沒有具體的細節泄露出來了。 此前的三星公布了2022年Q1季度財報會議，三星官方也否認了傳聞中的良率不行的傳聞。 三星表示，5nm工藝已經進入成熟階段，還在擴大服務，4nm工藝雖然良率提升過程出現了延遲，但已經進入了預定的良率曲線，未來的3nm工藝還在准備設立一條新的研發生產線。 對三星來說，3nm節點是他們押注晶片工藝趕超台積電的關鍵，因為台積電的3nm工藝不會上下一代的GAA電晶體技術，三星的3nm節點就會啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。 根據三星的說法，與7nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。 來源：快科技

不出意外的話，NVIDIA今年底會推出RTX 40系列顯卡，跟數據中心級別的Hopper架構不同，遊戲卡RTX 40系列會使用lovelace架構，製程工藝是台積電4N，4nm工藝的NVIDIA定製版。 RTX 40系列顯卡之後呢？那就應該是RTX 50系列了，GPU研發早就在進行中了，不過具體的代號還不確定，之前網上有張圖片流露出來，里面是各個科學家的名字，ruring、hopper、lovelace都是在用的了，大家可以猜猜還會用什麼。 RTX 50系列顯卡的工藝應該會升級到下一代的3nm工藝，不過NVIDIA的順序顯然比不過蘋果、intel這樣財大氣粗的客戶，消息稱NVIDIA預定的台積電3nm產能是在2024年底，也跟之前的傳聞相符，AMD也是在2024年獲得3nm產能分配。 這也意味著，RTX 50系列顯卡最快也要在2024年才能生產，RTX 40系列顯卡至少有2年的壽命周期。 來源：快科技

據DigiTimes的一份報告顯示，台積電下一代3nm工藝技術將優先給蘋果和Intel兩家「VIP」客戶供貨。AMD Zen 5可能被迫延期至2024-2025年才能發布。 報告稱，AMD現在有三條路線可選，其一是打破之前一直保持每2年發布新款處理器的節奏，Zen 5向後推遲到2024年底或2025年初發布。 其二是採用5nm工藝改良版的N5P工藝。與NVIDIA的4N工藝相比，N5P仍具有一定的優勢，但是由於Zen 5 本身就是一次重大的架構升級，如果缺少最新的N3工藝支持，整體會大打折扣。 其三就是硬上3nm工藝，只是在被蘋果和Intel兩家「VIP」搶占優勢產能的情況下，Zen 5初期的供貨將會嚴重受限。不過，AMD選擇這種路線的可能性較小。 目前還無法確認AMD Zen 5是否會採用3nm工藝製造。不過，已知AMD Zen 4將會採用台積電5nm工藝。至於AMD如何選擇，仍有待時間去檢驗。 另外，NVIDIA、聯發科等用戶也有望用上台積電3nm工藝技術，但是預計要等到2023下半年或更晚才會投產。 來源：快科技

三星在去年的「Samsung Foundry Forum 2021」論壇活動上，確認在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，分為早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度開始使用3GAE製造工藝進行大批量生產，在一份聲明中寫道： 「這是世界上首次大規模生產3nm GAA工藝來提高技術領先的地位。」 據三星介紹，MBCFET多橋-通道場效應電晶體工藝是其第一個使用的GAAFET工藝，作為一種全新的形式，不但保留了GAAFET工藝的優點，而且兼容之前的FinFET工藝技術。使用其3GAE技術生產的256Mb GAAFET SRAM晶片時，可實現30%的性能提升、50%的功耗降低以及電晶體密度提高80%（包括邏輯和SRAM電晶體的混合）。 三星表示，除了功耗、性能和面積（PPA）上的改進，隨著製程技術成熟，3nm工藝的良品率將會接近4nm工藝。不過鑒於過往這些年三星在5nm和4nm晶片製造上遇到的問題，這次3nm工藝的性能和功耗實際情況如何還有待觀察。暫時還不清楚誰將成為三星3nm工藝的首家客戶，畢竟過渡到全新的電晶體工藝是存在一定風險的，而且晶片設計人員需要開發全新的IP，價格並不便宜。 競爭對手之一的英特爾在Intel 7/4/3製程節點仍依賴FinFET，最早會在2024年才轉向新型電晶體（稱為RibbonFET）。另一個競爭對手台積電在N4和N3製程節點仍使用FinFET，要到N2製程節點才引入GAA工藝，大概會在2024年投入生產。 ...

從7nm製程節點開始，三星在工藝研發和生產上就一直不順利，過去兩年里5nm和4nm工藝生產的晶片，無論效能還是良品率都存在較大問題。雖然三星在2021年高調地進行半導體擴張計劃，確認3nm製程節點將引入全新的GAAFET全環繞柵極電晶體，並計劃2022年上半年量產第一代3nm工藝，不過似乎遇到了更大的困難。 據DigiTimes報導，有報告詳細介紹了三星在3nm製程節點和GAA技術上的進展，顯示3nm工藝也是困難重重，良品率徘徊在10%到20%之間，遠不及預期。目前三星在4nm工藝生產上已相當掙扎，雖然取得了Snapdragon 8 Gen 1的訂單，但是良品率也僅在35%左右，這也解釋了為什麼即便要加價，高通也打算將Snapdragon 8 Gen 1 Plus的訂單轉移給台積電。如果三星在3nm工藝上的生產情況屬實，將難以爭取訂單，很可能會失去高通和英偉達這些大客戶。 有消息人士透露，三星會首先將3nm工藝用在自家晶片的生產上，很可能是Exynos系列新產品。此前三星移動業務總裁TM Roh在內部會議上表示，將開發針對Galaxy系列設備的定製SoC，不清楚是否與之有關。 台積電計劃在N3製程節點仍使用FinFET電晶體，要到N2製程節點才會引入GAA技術，預計後者會在2025年末進入大批量生產。暫時沒有台積電因轉向GAA技術而遇到困難的消息，一般來說，台積電在晶片生產質量上要比三星好一些。 ...

從2021年Intel量產Intel 7（之前的10nm SF工藝）工藝之後，Intel就提出了一個目標，那就是在2025年之前推出5代CPU工藝，相比之前14nm工藝用了6年多的情況簡直是坐火箭一樣。 這5代CPU工藝是Intel 7、Intel 4、Intel 3、20A及18A工藝，其中前面三代工藝還是基於FinFET電晶體的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝，後面的2代工藝升級兩大核心技術，也就是RibbonFET和PowerVia，兩大突破性技術將開啟埃米時代。 RibbonFET是Intel對Gate All Around電晶體的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。 PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。 Intel 20A預計將在2024年推出，18A工藝則從2025上半年量產提前到了2024年下半年量產，也提前半年，同時意味著2024年Intel量產兩代先進CPU工藝，這種情況也不多見。 那4年升級5代CPU工藝就是Intel的所有了嗎？並不是，在日前的D1X工廠的開放活動中，Intel透露了他們中間還有一個Inel 3b工藝，也就是Intel 3工藝的技術測試版，但他也會使用20A才有的RibbonFET和PowerVia技術。 簡單來說，這個Intel 3b工藝算是20A工藝量產之前的測試，在Intel 3基礎上提前測試兩大新技術，加上這個工藝的話，Intel是在4年時間里掌握了6代CPU工藝。 不過Intel 3b工藝也只有測試的份兒，Intel表示他們不打算量產這代工藝，而且也沒有用它來給客戶設計晶片。 來源：快科技

台積電的5nm工藝已經量產一年多了，今年就要量產3nm工藝了，不過這代工藝歷經多次波折，台積電已經改變策略率先量產第二版的N3B工藝，今年8月份就要量產，可惜今年iPhone 14的A16晶片已經錯過機會了。 據《聯合報》消息，台積電的3nm工藝最近取得了重大突破，將於今年8月份在新竹12廠研發中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片量產。 此前我們也報導過，台積電的3nm會有多個版本，至少包括N3、N3E、N3B。 現在8月份要量產的是N3B版，2023年還會有增強版的N3E工藝量產。 據悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是電晶體密度會比N3版本低大約8％，相比N5仍然會高60％。 按照以往的慣例，台積電每代新工藝的首發客戶基本上都是蘋果，但是現在3nm工藝要到下半年才量產，今年iPhone 14用的A16處理器趕不上了，它使用的還是5nm改進的4nm工藝，因此會在去年5nm A15的基礎上繼續改進，是不是擠牙膏還不好說，就看具體能提升多少性能了。 來源：快科技

三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝製程的良品率，以致於高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用台積電生產驍龍8處理器。 不過從技術上來說，三星現在依然是唯一能緊追台積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節點上落後了一些，但在接下來的3nm節點三星更激進，要全球首發GAA電晶體工藝，放棄FinFET電晶體技術，而台積電的3nm工藝依然會基於FinFET工藝。 三星之前表示，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。 根據三星的說法，與7nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。 當然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰也不少，光是量產就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產，實際上並沒有，最快也是今年，而且首發的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。 據韓國媒體報導，三星已經准備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了，6、7月份動工，並及時導入設備。 按照這個進度，今年的3GAE工藝應該也只會是小規模試產，大規模量產也要到明年了，跟台積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產3nm工藝了。 來源：快科技

5nm工藝之後，台積電正在全力沖刺3nm，並且准備了多個版本，至少包括N3、N3E、N3B。 N3是常規標準版本，N3E原本應該是性能增強版(Enhanced)，2024年量產，現在卻變成了精簡版，規格上縮水，好消息是進度提前了。 據悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是電晶體密度會比N3版本低大約8％，相比N5仍然會高60％。 相比之下，N3的電晶體密度比N5要高70％。 N3E工藝將在本月底完成設計，而投產時間將從2023年第三季度提前到2023年第二季度。 N3工藝也安排在2023年，但暫時不清楚具體哪個季度。 至於N3B版本，目前只知道它是在N3的基礎上，針對特定用戶的改進，但其他一無所知。 來源：快科技

在全球晶圓代工行業，台積電是老大，工藝也是最先進的，三星則是第二，雖然規模比不上台積電，但是先進工藝也沒落後多少，也量產了5nm、4nm，甚至在3nm節點首發GAA電晶體工藝。 再加上代工價格比台積電低，三星近年來也拉攏了不少代工客戶，包括高通及NVIDIA、IBM等，然而最近的消息顯示，不僅NVIDIA會改用台積電5nm量產下一代GPU晶片，高通也把3nm工藝訂單轉給了台積電，放棄了三星。 大客戶紛紛跑路，三星到底出了什麼問題？韓國媒體nfostock Daily報導稱，三星已經啟動了內部調查研究5nm、4nm及3nm工藝的良率問題，內部已經注意到了晶片的產量跟訂單采購的晶圓數量不匹配。 簡單來說，三星高層這是要調查代工業務部門內部是否修飾了三星工藝的良率，是否存在造假問題。 調查的第二個重點就是三星巨資投入了工藝研發及製造，但是現在的情況有些不對，投資是否被挪用了也是調查的重點。 不過三星表示這些都是內部調查，不會對外界分享。 來源：快科技

相比於台積電，三星的製造工藝一直差幾個檔次，其代工的NVIDIA RTX 30系列顯卡、高通驍龍8系列處理器，甚至是自家的Exynos 2200手機晶片，無論性能還是能效頗受詬病。 據DigiTimes報導，三星電子現在陷入了一樁丑聞，部分在職員工、前員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝製程的良品率。 據悉，三星在批准5nm、4nm工藝的量產計劃後，無論是三星自己，還是第三方晶片代工客戶，都發現良品率明顯低於預期。 為此，三星已經開始對負責代工業務的三星設備解決方案(Samsung Device Solutions)事業部進行初步調查，包括相關投資是否使用到位。 不過三星強調，該問題影響並不嚴重，具體結果將在調查完成後公布。 就在日前，還有消息稱，台積電3nm工藝的良品率也存在問題，不得不多次修改路線圖。 據稱，蘋果、高通、Intel、AMD等都是台積電3nm工藝的客戶，其中高通將拋棄三星代工，全面轉向台積電，Intel則是首次引入台積電代工服務。 來源：快科技

過去幾年中高通的驍龍處理器都使用了三星代工，包括最新的驍龍8 Gen1，使用的是4nm工藝，現在的表現大家都懂得。好消息是高通驍龍下一代就要換了，全部放棄三星代工，轉向台積電3nm工藝。 來自數碼科技大V@的消息稱，高通公司已經決定將其所有3nm新一代應用處理器代工委託給台積電，而不是三星電子，將於明年商用。 這個3nm工藝的下一代驍龍不出意外就是之前傳聞的驍龍8 Gen2了，此前消息稱是三星3nm工藝代工，不過現在來看三星在代工驍龍上要出局了。 至於出局的原因沒有提及，但是三星的3nm工藝最近壞消息也不少，畢竟首發GAA電晶體工藝帶來的難度很高，高通現在急需的是性能、能效穩定的3nm工藝，而且產能也要大，在這方面台積電顯然更加穩妥一些。 此外，現在的4nm驍龍8 Gen1 Plus版也有傳聞稱會該用台積電的4nm工藝，而且在加班加點生產，預計CPU頻率、晶片能效等可能會有小幅提升，整體與驍龍8不會有太大差異。 來源：快科技

此前報導指，台積電（TSMC）將在2022年下半年量產N3製程節點，並計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝，將擁有更好的性能和功耗表現，量產時間為2023年下半年。此外，還可能推出成本和設計有所差異的N3B等方案。在去年末，台積電已經在Fab 18中啟動了3nm晶片的試生產。 據DigiTimes報導，台積電的N3製程節點方案未能順利推進，已不斷進行修正，但良品率等整體效能的提升進度仍低於預期，甚至在某些部分出現困難，需要重新安排，導致蘋果等多家客戶近期下單均以N5製程節點及其衍生的工藝為主，擴大了N4、N4P和N4X等工藝的使用。台積電N3製程節點專為智慧型手機和高性能計算（HPC）晶片而設計，在N5製程節點上進一步應用極紫外光刻（EUV）技術，光罩層數將超過20層。台積電承諾N3工藝相比N5工藝，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。 台積電總裁魏哲家曾表示，N3製程節點仍使用FinFET電晶體的結構，是為客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在台積電3nm工藝技術推出的時候，將成為業界最先進的PPA和電晶體技術，N3製程節點將成為台積電另一個大規模量產且持久的製程節點。早有傳聞指，英特爾和蘋果已率先獲得台積電N3製程節點的產能。前者計劃將該工藝使用在2023年發布的Meteor Lake上，製造GPU模塊；後者則首先用在2023年新款iPad搭載的晶片上，目前在時間上也非常勉強。 台積電的3nm計劃推進緩慢，甚至催生備用方案，本是三星追趕的好時機。不過三星在7nm及以下工藝上的研發也一直不順利，使得5nm客戶寥寥無幾，近期4nm工藝因效能問題也備受爭議。雖然三星在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，並計劃在2022年上半年量產第一代3nm工藝，不過外界並不看好。畢竟台積電在N3製程節點只是沿用FinFET電晶體，目前也遭遇了不小的困難，三星想越級使用，只會難上加難。盡管三星報價優惠，估計廠商普遍也不敢冒險使用。三星已在3nm計劃里投下巨資，如果不達預期，或許難以收回成本導致項目虧損。 ...

台積電在先進工藝代工上的優勢越來越明顯，這也讓Intel與台積電的關系微妙起來，整體方向上是競爭，但Intel也會加大與台積電在晶片代工上的合作，特別是今年底量產的3nm節點上。 大摩分析師Charlie Chan日前發表報告，預測台積電今年將從Intel、蘋果等公司手上贏得更多訂單，因此上調了台積電的評級，看好未來發展。 根據他的報告，台積電在2023年的3nm晶片代工市場上幾乎是壟斷性的，市場份額接近100%。 3nm工藝的VIP客戶依然是蘋果，不過Intel也會加入這次的首發大戰中，2024年他們的處理器中20%的需求都會依賴外包生產。 雖然Charlie Chan的報告中沒有提到Intel哪些處理器會使用台積電3nm工藝，不過之前消息稱Intel的14代酷睿、代號Metor Lake的處理器會首發，這一代處理器會使用小晶片封裝，其中CPU計算模塊是Intel自家的Intel 4工藝，GPU模塊很可能就是台積電3nm工藝代工的，畢竟Intel現在的ARC獨顯GPU使用的就是台積電6nm工藝代工。 來源：快科技

在3nm節點，三星為了跟台積電競爭，激進地選擇了下一代的GAA電晶體技術，台積電方面更穩妥一些，第一代3nm工藝依然在使用FinFET工藝，好處是今年下半年就可以量產。 在今天的財報會上，台積電也解釋了他們的3nm工藝的進展，強調3nm工藝發展順利，正按照計劃在下半年量產。 台積電強調，3nm繼續使用FinFET電晶體是綜合考慮在，能提供給客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本。 據台積電官方資料顯示，台積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。 此外，台積電也透漏了增強版的3nm工藝N3E，稱它會在3nm工藝量產一年後量產，也就是在2023年推出，會帶來更強的性能。 不過台積電對N3E的技術細節還是保密，沒有透漏是否會升級電晶體架構。 來源：快科技

最近十多年有業界廠商認為摩爾定律已經失效，半導體工藝演進面臨困難，不過台積電南京廠總經理羅鎮球日前表示摩爾定律仍在前進，明年台積電會量產3nm工藝，再下一代的2nm工藝進展順利。 羅鎮球22日在中國集成電路設計業2021年會上指出，即使在新冠疫情期間，半導體技術發展依然是沒有減緩，仍按原來步調持續前進。 他表示，雖然有很多人說摩爾定律（Moore's Law）在減速或者是在逐漸消失，但台積電正在用製程證明摩爾定律仍持續往前推進，7nm在2018年推出，5nm在2020年推出的，在2022年會如期推出3nm的製程，而且2nm的製程也在順利研發。 據台積電官方資料顯示，台積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。 至於未來的2nm工藝，台積電將在2nm節點推出Nanosheet/Nanowire的電晶體架構並採用新的材料。 來源：快科技

近年來，摩爾定律正在逐漸消失的說法不絕於耳。但台積電用工藝證明，摩爾定律不死，仍在持續往前推進。 工藝越先進，電晶體微縮越困難。此前，聯電、格芯相繼放棄10nm以下的先進位程的研發，Intel也在工藝製程上持續放緩。 據芯智訊消息，12月22日舉辦的中國集成電路設計業2021年會暨無錫集成電路產業創新發展高峰論壇上，台積電（南京）有限公司總經理羅鎮球表示，台積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續往前推進。 羅鎮球介紹，台積電的7nm是在2018年推出的，5nm是在2020年推出的，我們在2022年會如期推出3nm的工藝，而且我們2nm的工藝也在順利研發。 對於工藝製程來說，最關鍵的指標有三個：性能、功耗和密度（單位面積內的電晶體數量）。 羅鎮球稱，台積電從7nm到5nm再到3nm，單位面積里面的電晶體數相比上一代都是會增長1.7到1.8倍，性能部分每代都會提升高超過10%。同樣性能情況下，功耗可以降低20%以上。 對於3nm量產困難的傳聞，羅鎮球表示，那些都只是傳聞，會如期（2022年）量產3nm。 據台積電官方資料顯示，台積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。 來源：快科技

Intel CEO基辛格最近一段時間對台積電很不客氣，一方面是批評他們成本低是因為有地方部門的高額補貼，另一方面又喊話美國政府不應該補貼台積電。不過在嘴炮的同時，Intel於台積電的合作也沒少，下周就要擺放台積電面談代工合作。 據報導，基辛格預計下周會訪問台灣及馬來西亞，其中主要目的就是拜會台積電高層。 這一消息傳聞已久，不過Intel及台積電都沒有證實，台積電方面甚至表態稱不予置評。 據悉，基辛格此行主要是跟台積電的3nm工藝合作有關，該工藝將在2022年Q3季度量產，不過大規模出貨要到2023年。 首發台積電3nm的主要是蘋果，Intel同樣也需要3nm工藝，其14代酷睿Meteor lake的GPU核心據說會採用台積電3nm工藝，此次拜會台積電高層就是確保3nm工藝分配，避免被蘋果產能擠占。 來源：快科技

AMD最近幾年的CPU及GPU晶片代工都交給了台積電，已經是後者最大的7nm客戶，明年就要上台積電5nm了。不過AMD也不打算把雞蛋全放在台積電一個籃子里，3nm轉單三星代工的消息一直沒斷。 雖然AMD官方不會證實3nm工藝到底花落誰家，但是考慮到台積電3nm工藝優先保證蘋果這樣的VVIP客戶，再加上高昂的成本限制，AMD拉攏三星代工3nm晶片也不是沒可能。 只不過最新消息有所不同，AMD找三星代工會從4nm工藝開始試水，預計2022年首先推出一款CPU處理器，具體規格未知，但主打Chromebook市場，所以性能不會太高。 至於未來的3nm工藝，AMD也有可能使用三星代工，但不是大家期待中的CPU處理器，而是會上3nm GPU，現在肯定也沒有明確規格，考慮到RDNA3這一代的GPU會上5nm工藝，3nm GPU至少是RDNA4架構的了。 AMD的3nm GPU晶片要到2023-2024年間才能問世，而主力的3nm CPU依然會放在台積電這邊量產，畢竟三星的晶片代工保價可能便宜，但產能還是台積電穩妥一些，三星還是適合做備胎。 來源：快科技

作為全球晶圓代工市場的一哥，台積電在先進工藝上越走越遠，去年就量產了5nm工藝，下一步就輪到3nm工藝了，最新消息稱台積電的Fab 18工廠已經開始試產3nm晶片。 台積電在南科工業園的Fab 18晶圓廠是目前先進工藝的主力生產基地，5nm/4nm工藝工廠就有4座，3nm工廠有3座，第一代3nm工藝不會上GAA電晶體，還會繼續使用FinFET工藝。 相比三星直接上馬3nm GAA工藝，台積電的保守也確保了他們的進度更快，消息稱Fab 18晶圓廠已經開始試產3nm工藝，不過具體生產的晶片沒有公布。 首發台積電3nm工藝的也沒有別人，最可能的是蘋果，但不會是iPhone 14用的A16處理器，更可能的是第三代M系列電腦晶片，代號為Ibiza、Lobos和Palma，會首先出現在高端Mac電腦上，比如未來的14英寸和16英寸MacBook Pro。 除了蘋果之外，這次及時跟進3nm的可能還有Intel，雖然Intel CEO一直在噴台積電不安全、有補貼，但也照樣跟台積電做生意，而且大手筆搶下3nm節點訂單，主要是用於14代酷睿的3nm GPU核心。 其他廠商中，AMD、NVIDIA、高通等客戶也會跟進3nm工藝，但不會這麼快，至少也要2023年之後了。 根據台積電的說法，3nm工藝今年試產，2022年下半年量產（相比以往進度延期至少3個月），大規模貢獻收入則要到2023年上半年。 來源：快科技

三星、台積電都已經量產了5nm工藝，其中台積電的客戶數量及訂單規模都遠高於三星，不過在下代的3nm工藝上，三星有望扳回一局，AMD及高通這樣的大公司也有可能轉投三星，這給台積電不少壓力。 半導體設計公司選擇哪家代工廠的工藝是個復雜的問題，要綜合考慮到產能、成本、性能等問題，台積電此前在7nm及5nm工藝上占據優勢，不論技術還是產能都是遙遙領先，穩住了蘋果、高通、AMD等客戶，特別是蘋果這樣的超級大客戶，他們一家就占了台積電53%的先進產能。 在3nm節點上，三星因為在7nm、5nm上競爭不足，所以重點押注3nm工藝，還激進地上馬了GAA電晶體技術，也在合作夥伴上取得了突破，官方證實現在已經有12家合作夥伴深入合作，3nm工藝將於2022年上半年量產。 基於此，日前有消息稱AMD及高通也會轉投三星3nm工藝，雖然不是全部訂單，但下一代產品也會部分交由三星代工，比如3nm Zen5及驍龍8 Gen2處理器等。 對於三星搶走AMD、高通等客戶的消息，台積電官方表示不評價市場傳聞，不過聯席CEO魏哲家此前在財報會上表示，有信心3nm家族成為台積電大規模且長期需求的製程技術，也已開發完整平台支持高性能運算及智慧型手機應用，會是最具競爭力的技術。 來源：快科技

盡管AMD披露的路線圖中，工藝演進只到5nm，但毋庸置疑，往上更先進的3nm、2nm等晶片早就在研製中了。 日前有報導稱，由於台積電3nm被蘋果基本包圓，導致AMD考慮成為三星3nm的首批客戶。 實際上，由於三星「投機取巧」，將3nm分為3GAE(低功耗版)和3GAE(低功耗版)兩個版本，所以按照10月份三星代工論壇大會上的說法，3GAE會在2022年初就投入量產，比台積電早半年時間。 三星的3nm除了會使用GAA環繞柵極電晶體構造，工藝層面的指標包括面積縮小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。 關於AMD的3nm產品，Greymon55曾曝光了代號「Strix Point」的混合架構銳龍，採用3nm Zen5和5nm Zen 4D異構核心。 另外，除了AMD，高通也對拿下三星3nm的首發饒有興趣。 來源：快科技

這兩年，台積電、三星在先進工藝上你追我趕，下一步比拼的就是3nm、2nm。 三星此前已經宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量產，3nm 3GAP高性能版2023年初量產， 台積電CEO魏哲家最新公開表示，台積電3nm N3將在今年內風險性試產，2022年下半年大規模量產，2023年第一季度獲得實際收入。 台積電N3 3nm工藝將是N5 5nm之後的全新節點，號稱經過密度可增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，並且使用更多層的EUV光刻(不低於N5 14層)，因此更加復雜化，整個工藝流程的工序超過1000道。 N3還會衍生出一個N3E版本，可以視為增強版，有更好的性能、功耗、良品率，同時設計和IP上完全兼容N3，2024年量產。 台積電的N2 2nm工藝一直比較神秘，官方此前只是確認會考慮使用GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)，但從未明確是否真的上馬。 按照魏哲家的最新說法，N2工藝將在2025年量產，並強調無論集成密度還是性能都是業內最好的，但未給出具體指標。 之前預計台積電2nm 2024年就能量產，結果現在節奏也放緩了，和三星基本同步，就看誰的表現更好了，當然還有高昂的成本問題。 來源：快科技

盡管晶片供應短缺對業界發展造成了些許挫折，但台積電（TSMC）仍在不斷推進半導體工藝技術，並沒有因此而鬆懈。據DigiTimes報導，台積電有望在2022年下半年量產N3製程節點，並計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝，量產時間為2023年下半年。 台積電總裁魏哲家在10月14日的公司財報電話會議上指出，N3製程節點仍使用FinFET電晶體的結構，是為客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在台積電3nm工藝技術推出的時候，將成為業界最先進的PPA和電晶體技術，N3製程節點將成為台積電另一個大規模量產且持久的製程節點。N3E作為N3的擴展，將擁有更好的性能和功耗表現。 作為台積電的最大客戶，這對於蘋果來說是個好消息，至少不用擔心新款晶片會受到工藝延期拖累。此外，英特爾應該也會感到高興。之前有報導指，英特爾占據了台積電N3製程節點最多的產能，雙方在代工方面的許多合作都會在3nm工藝上進行。 據日經新聞報導，上周有關台積電和索尼合作在日本建設晶圓廠的傳聞有了進一步消息。這間晶圓廠將會在2022年開始建設，2024年投入使用。正如此前傳言的那樣，不會採用先進工藝，更多地專注於22nm和28nm工藝，主要生產圖像傳感器、圖像處理器和電動車所需的晶片。 來源：3DMGAME

三星在舉辦的「Samsung Foundry Forum 2021」論壇活動上，三星代工業務總裁兼負責人Siyoung Choi博士介紹了其半導體工藝的研發和量產情況，公布了新版的技術路線圖。這表明三星將繼續開發先進半導體製造技術，與台積電（TSMC）和英特爾競爭晶圓代工市場。 為了在半導體工藝上趕上台積電，三星在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，分為早期的3GAE以及3GAP。雖然在今年上半年已成功流片，但由於技術難度較高，第一代3nm工藝已推遲到2022年上半年量產，第二代3nm工藝將會在2023年量產。MBCFET多橋-通道場效應電晶體工藝是GAAFET工藝的全新形式，不但保留了GAAFET工藝的優點，而且兼容之前的FinFET工藝技術，新版技術路線圖中的2nm製程節點（MBCFET）將於2025投入生產。 三星表示，與原來的5nm工藝相比，首個採用採用MBCFET工藝的3nm GAA製程節點的晶片面積減少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積（PPA）上的改進，隨著製程技術成熟，3nm工藝的良品率將會接近4nm工藝。競爭對手之一的英特爾在Intel 7/4/3製程節點仍依賴FinFET，最早會在2024年才轉向新型電晶體（稱為RibbonFET）。另一個競爭對手台積電在N4和N3製程節點仍使用FinFET，要到N2製程節點才引入GAA工藝，大概會在2024年投入生產。 除此以外，三星還介紹了用於CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。這是28nm工藝的演進版，在28nm工藝基礎上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術，以相對低成本享受到新的技術優勢。與原來的28nm工藝相比，晶片面積可減少43%，性能提高39%或功耗降低49%。 ...

在代工市場上，唯一可以和台積電抗衡的，就是三星了(Intel高調殺入但還需進一步觀察)，雙方在先進工藝進展上也是互不相讓，7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。 在最新舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星就披露了最新的工藝進展和路線圖。 FinFET電晶體結構潛力幾乎已經被挖掘殆盡，三星的下一步是GAA環繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產。 對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。 2nm工藝沒有出現在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產。 這是三星第一次透露2nm工藝的規劃，但三星也警告說，新工藝進度還要看客戶的規劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產品上市的更合理時間。 台積電方面的2nm工藝有望在2024年量產，領先三星一年左右。 來源：快科技

按照台積電的計劃，2021年下半年才會量產3nm工藝，比早前預計的晚了3-4個月，蘋果明年的A16晶片也不會首發3nm工藝了，這還是近年來首次。 台積電3nm工藝進度比預期慢，一方面是量產難度的問題，不過另一方面也可能跟代工價格實在太貴有關。 有業內人士泄露了台積電3nm工藝的代價報價，由於EUV光罩層數高達26層，3nm工藝12英寸晶圓的報價高達3萬美元，相比5nm工藝的16900美元幾乎翻倍，是7nm工藝報價9346美元的3倍多。 此前7nm、5nm工藝下單顆晶片成本在233、288美元，3萬美元的代工價格將大幅提高晶片成本，即便3nm工藝的電晶體密度提升了70%，面積可減少42%，這樣算下來依然輕松達到300-400美元之間。 總之，3nm工藝就是一個字——貴，貴到首批用戶可能只有蘋果及Intel才能承受，畢竟他們的產品能賣出高價，對沖晶片代工的高成本。 來源：快科技

為爭奪晶圓代工頭把交椅的競賽已趨白熱化，台積電和三星都不惜撒下重金來獲得工藝上的領先。但是，在雙方全力爭奪的3nm工藝節點開發上，近期卻相繼有開發遇阻的消息傳來。在先進工藝已逼近物理極限之時，每進一步都要突破層層阻力。晶圓代工之間的爭奪，不單是資金投入的比拼，還是與時間的一場賽跑。 與時間賽跑 蘋果iPhone下一代的處理器無法採用台積電的3nm（N3）工藝了。這是台積電近期正式確認的消息，N3工藝的量產將會延遲3到4個月。而據相關媒體報導，三星的3nm開發也遇到了問題，其GAA工藝仍面臨著漏電等關鍵技術問題。 按照之前的規劃，台積電的3nm工藝將在2022年第三季度實現量產。3nm的具體量產時間是與客戶共同協商決定的，台積電總裁魏哲家此前這樣表示。蘋果是台積電3nm工藝的首批客戶，後有傳聞英特爾也成為了嘗鮮者，其GPU和伺服器晶片將採用3nm工藝。不過，這一傳聞在英特爾架構日上被破除，N5和N6將是台積電為其代工的首要工藝。 這一選擇不能直接說明N3工藝的進展問題，但結合工藝進展延遲的消息，多少還是讓人意外的。畢竟在4月15日的法說會上，台積電還表示N3已經提前至3月開始風險行試生產，並小量交貨，進度優與原先預期。 局外人很難知道延遲的真正原因，可以看到的是工藝進展的不易。業界知名專家莫大康就表示：「從N5向N3不是單一的光刻尺寸的縮小，涉及器件架構、互連金屬等，出現工藝延遲正常，要摸索工藝，需要通過更多的矽片生產來積累經驗。」 圖 台積電的工藝進展 三星方面也面臨著類似的問題。早在2019年三星就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，預計3nm GAA工藝會在2020年底試產，2021年實現量產。目前看來，這一目標是遠不能達成了。按照三星在今年6月完成3nm晶片Tapeout（流片）的進度來看，2022年將是其量產的初步時間。 圖 三星的工藝進展 不過一些英文媒體不看好三星能在2023年之前實現量產，依據就是疫情導致3nm工藝所需的極紫外光刻機（EUV）和其他關鍵生產設備的交付延期，進而推遲了量產的時間。 三星當初選擇GAA工藝，就是因為想通過提前布局，在3nm節點實現彎道超車。三星的3nm GAA工藝分為 3GAAE / GAAP (3nm Gate- AlI-Around Early/Plus) 兩個階段，被業界認為真正成熟的將是GAAP工藝，GAAE將可能只是用於自己的晶片上。 與之相比，台積電繼續在3nm節點選擇FinFET工藝，則是考慮到可以繼續挖掘現有工藝的優勢，在三星之前實現量產。有業內人士就指出，台積電在GAA架構的開發上落後三星12至18個月，因而積極推進的3nm FinFET策略可以彌補這一劣勢。 因此，三星的3nm工藝如果不能在2023年之前實現量產獲得客戶訂單，那麼將在代工領域處於不利地位。同理，台積電如果不能在時間上取得領先，也將面臨被動的局面。 對於雙方來說，都是一場與時間的賽跑。 要跨越技術鴻溝 3nm工藝的量產實現就像跨越鴻溝一樣。就以光刻為例，晶圓代工廠希望盡可能地實現EUV單次曝光，因為這將可以簡化工藝。然而，EUV單次曝光實現的間距極限是32nm到30nm 間，對應著5nm左右的工藝節點。要進展到3nm工藝，晶片製造商就要尋找新的方案。第一個選擇就是EUV雙曝光，第二選擇是開發高數值孔徑（NA）EUV 掃描儀，這是一個全新的系統。ASML的高數值孔徑EUV系統採用新的0.55數值孔徑透鏡，解析度提升了70%，仍在研發階段。 高NA EUV系統復雜且昂貴，並且給晶圓廠中引入很多風險。此外，該系統不會為2022年的3nm初始階段做好准備。根據最新的消息，這種新光刻機要在2025-2026年之間才能規模應用。因此，晶圓代工廠可能別無選擇，只能採用EUV雙曝光的方法。在雙曝光方案中，晶片分割在兩個掩模上並列印在晶圓上，既增加成本又會影響良率。 這還僅是開發3nm所面對的共同挑戰，考慮到台積電和三星所採取的不同工藝路徑，其各自都將面對不同的障礙。 台積電要將FinFET工藝從5nm遷移到3nm，就在理論上挑戰了FinFET工藝的極限。在進入3nm之後，FinFET電晶體的鰭片難以在本身材料內部應力的作用下維持直立形態，尤其是在能量更高的EUV製程導入之後，這樣的狀況會更為嚴重。三星面臨的困難也不少， GAA則是全新的架構，器件參數的不確定性會更大，很多影響將難以預估。 技術挑戰之外，3nm工藝還將面對巨大的成本壓力。IBS Research 2019 年的一份報告預測，雖然3nm晶片的每電晶體成本將降低，但晶圓和晶片模具的總體成本將增加。IBS在其研究中估計，10億個電晶體部分的單個電晶體部分將達到2.16美元，低於5nm工藝的2.25美元。不過，3nm單片晶圓的成本為15,500美元，比5nm增加3,000美元，模具將比上一代的23.57美元高出30.45美元。此外，由於3nm預計將採用25層EUV光罩，因為代工價格將可能達到30,000美元。考慮到不是每個客戶都能承受，因此台積電正評估啟動持續改善計劃（Coutinuous Improvement...

之前有消息稱，蘋果要成為台積電3nm工藝的首發廠商，不過現在來看A16是難產了。 根據Seeking Alpha的一份報告，台積電正在確認其3nm晶片（也被稱為N3）的生產延遲。這意味著預計用於2022年iPhone 14系列的A16仿生技術的量產已經推遲，蘋果將不得不使用上一代的節點來代替。 消息人士還透露，台積電3nm製程工藝的量產時間將推遲，最多推遲4個月。台積電方面也已經確認，他們這一製程工藝的量產時間將推遲。 此前報導稱，台積電正在全力推進3nm工藝的量產事宜，計劃在今年風險試產，明年下半年正式量產。 蘋果之後，3nm的第二大客戶是Intel，雖然是新人，但Intel很快就得到了台積電的照顧，至少有4款產品會用上3nm，包括三個用於伺服器領域的設計和一個用於圖形領域的設計。 AMD這兩年也是台積電的重要客戶，不過要想到用到3nm工藝，至少要到2023年了，按照進度應該是3nm Zen5架構處理器，會是明年的5nm Zen4處理器的繼任者，桌面版應該是銳龍7000系列了。 來源：快科技

業界普遍認為，蘋果是台積電（TSMC）在訂單方面的優先考慮對象，傳言不僅優先獲得了4nm工藝的產能，還獲得了3nm工藝的首批訂單。雖然有消息指，英特爾搶占了台積電大部分3nm製程節點的訂單，用於伺服器和圖形領域的下一代晶片，但蘋果仍然是台積電的第一大客戶。 M1晶片的成功讓蘋果充滿信心，希望更快地推進自研晶片計劃，以取代英特爾x86處理器，採用更先進的工藝有助於提高新一代自研晶片的性能。不過據Seeking Alpha的一份報導指出，台積電N3製程節點的生產將會延期，這意味著蘋果採用相關製程的晶片生產計劃也會推遲，比如iPhone手機的A系列晶片，將不得不改用上一代工藝來製造。iPhone是蘋果最賺錢的產品線，優先級也高於其他產品所採用的晶片，採用的半導體工藝也是最先進的。 另外據DigiTimes報導，三星也在3nm製程節點上也遇到了問題，同樣面臨延遲的情況。不少人認為台積電有可能利用這一機會，進一步拉開與三星之間的差距，鞏固領先優勢。據了解，目前三星3nm GAA工藝仍面臨漏電等技術問題，性能和成本可能也不如台積電的3nm FinFET工藝，生產時間也可能會推遲。 三星在2020年宣布攻克了3nm製程節點的關鍵技術GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，預計會在2022年正式推出新工藝，並在今年3月份的IEEE國際集成電路會議上，介紹了該工藝的相關細節。 ...

上周有報導稱，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung在一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者台積電之前，宣布GAA技術商業化。 當時他曾放下狠話稱：「我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」 但是根據最新報導，有業內人士表示三星目前的3nm GAA工藝依然面臨著漏電等關鍵技術問題，且在性能和成本方面可能也存在一些問題，或許將依然不敵台積電3nm FinFET工藝。 據此前消息，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。 根據三星的說法，與5nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。 不過，上述人士透露，三星可能最早於2022年將其3nm GAA工藝量產，但由於成本高和性能不理想，可能無法吸引到台積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶，同時他還稱台積電目前已經提前拿到了蘋果和英特爾的訂單。 來源：快科技

雖然目前來看，下一代晶片普遍依然採用5nm工藝打造，但是廠商卻一直在耗費巨資開發3nm工藝，其中台積電就表示將要在明年量產3nm工藝。 不過，消息稱台積電依然選擇FinFET電晶體技術，三星則選擇了GAA技術，並且還成功流片，距離實現量產更近了一步。 據韓媒Business Korea最新報導，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung在8月25日的一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者台積電之前，宣布GAA技術商業化。 他直言：「我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」 據悉，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。 根據三星的說法，與5nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。 三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，當時三星預計3nm GAA工藝會在2020年底試產，2021年量產，但現在顯然不能實現這個計劃了。 需要注意的是，有消息稱三星3nm GAA工藝如果拖到2024年量產，將會直接與台積電2nm競爭，到時候鹿死誰手還猶未可知。 來源：快科技

台積電掌握著全球最大也是最先進的晶圓製造業務，很多廠商的產品計劃都要考慮台積電的進度，2022年蘋果將會獨占台積電3nm產能，AMD的Zen5架構最快也要到2023年才能分配產能了。 按照台積電的規劃，明年就會開始量產3nm工藝，蘋果毫無疑問依然是3nm產能最大的客戶，台積電為了確保蘋果的供應，明年3nm產能全都給蘋果了。 不過蘋果首發3nm的處理器很可能並非iPhone 14系列要用的A16，而是Mac電腦的M系列，A16明年使用的可能是5nm增強版的4nm工藝。 蘋果之後，3nm的第二大客戶是Intel，雖然是新人，但Intel很快就得到了台積電的照顧，至少有4款產品會用上3nm，包括三個用於伺服器領域的設計和一個用於圖形領域的設計。 AMD這兩年也是台積電的重要客戶，不過要想到用到3nm工藝，至少要到2023年了，按照進度應該是3nm Zen5架構處理器，會是明年的5nm Zen4處理器的繼任者，桌面版應該是銳龍7000系列了。 當然，2023年是3nm Zen5量產的最早時間，實際是否發布還要看情況，AMD沒有蘋果、Intel那麼財大氣粗，7nm、5nm工藝都會用很久。 來源：快科技

8 月 13 日消息，隨著三星、英特爾、台積電、IBM 等半導體廠商相繼發布新電晶體結構的進展，半導體行業正處於電晶體結構轉變的前夜。雖然晶片行業從不急於採用新的電晶體結構進行量產，但如果想要生產 3nm 或 2nm 製程的邏輯晶片，英特爾、三星、台積電等廠商必須從當前的鰭式場效應電晶體結構（FinFET）逐漸過渡到納米片結構（Nanosheets）。 堀口直人是 IMEC（比利時微電子研究中心）邏輯 CMOS 微縮項目主管，曾在富士通實驗室和加州大學聖巴巴拉分校等機構任職。目前，堀口直人的研發重點就是 2nm 以下的 CMOS 器件。 以下是芯東西對堀口直人就 3nm 電晶體結構發展回顧的完整編譯。 ▲ IMEC 邏輯 CMOS 微縮項目主管堀口直人 納米片結構：進一步增強驅動電流兼具可變性 一直以來，為了追尋摩爾定律，半導體產業在微縮邏輯 CMOS...

據最新消息顯示，台積電供應鏈透露，Intel將領先蘋果，率先採用台積電3nm製程生產繪圖晶片、伺服器處理器。 報告中顯示，明年Q2開始在台積電18b廠投片，明年7月量產，實際量產時間較原計劃提早一年。 之前就有消息稱，Intel已經規劃了至少兩款基於台積電3nm工藝的晶片產品，分別是筆記本CPU和伺服器CPU，最快2022年底投入量產。 按照台積電之前的說法，相較於5nm，3nm工藝性能提升10~15%，功耗降低了25~30%。 業界有關Intel找台積電代工的傳聞早就存在，Intel之前也沒有明確拒絕過代工的方式，提到了外包或者自產的三個選擇原則，要全面評估成本、產能及生產彈性等三大因素。 3月份基辛格就任CEO之後，Intel的一大重點確實是提升自己製造先進晶片的比例，為此不惜投資200億美元建設兩座晶圓廠。 不過Intel目前透露的工藝路線圖最多延續到7nm、5nm，再往後的自研3nm一直沒信息，找台積電代工的可能性是不能排除的。 來源：快科技

隨著7nm Zen3產能的改善，AMD的銳龍5000系列供貨好轉，今年依然會是主力。但AMD接下來的路線圖還是非常精彩，2023年就要上3nm的Zen5架構了。 推特用戶Bullsh1t_Buster ​​​日前曝光了AMD的桌面、移動版處理器及顯卡的路線圖，信息量很大，簡單來看下。 桌面版處理器中，今年還會有一個特殊版的Zen3處理器，就是前不久AMD展示過的3D堆棧版Zen3，每一個計算晶片上都堆疊了64MB SRAM，官方稱之為「3D V-Cache」，可作為額外的三級緩存使用，這樣加上處理器原本集成的64MB，總的三級緩存容量就達到了192MB。 這個緩存加強版的處理器代號Brecken Rdige，今年底問世，預計遊戲性能可提升15%，對付Intel的12代酷睿Alder Lake應該不會吃虧。 2022年就輪到5nm Zen4出場了，代號Raphael，應該會是銳龍6000系列，記憶體也會從DDR4升級到DDR5，APU版集成的GPU核心也會升級到RDNA2架構。 2023年又要升級了，製程工藝升級到3nm，架構升級到Zen5，GPU倒是不會變，還是RDNA2。 移動處理器方面，今年的Cezanne系列不會升級了，明年會有6nm工藝的Rembrant，升級Zen3+架構、RDNA2顯卡、DDR5/LPDDR5記憶體。 2023年才會升級到5nm Zen4架構，代號Phoenix，不過GPU、DDR5/LPDDR5記憶體也不會變化，甚至到2024年的Strix Point處理器也不會變，只是CPU升級到3nm Zen5。 顯卡方面，今年還會是7nm RDNA2繼續補完，2022年升級RDNA3架構，用上革命性的小晶片封裝，但製程工藝有5nm、6nm兩種，可能IO核心是6nm工藝，計算核心為5nm工藝。 RDNA4架構的GPU要到2024年之後才會問世，升級更先進的小晶片封裝，工藝會升級到3nm、5nm。 來源：遊民星空