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摩爾定律已死在28nm 晶片越來越貴的秘密找到了

快科技2月5日消息,Google集成電路封裝部門主管Milind Shah的最新研究顯示,2012年的28nm工藝節點之後,電晶體的平均成本已經不再下降,自然導致晶片的成本和價格居高不下。 他指出,28nm及之前,電晶體平均成本在每一代新工藝上都會降低30%,但28nm之後,每一代都基本不變,甚至還略有增加,直到最新的3nm才相比5nm略有下降,只是幅度非常小。 其實早在2014年,3D半導體集成公司MonolithIC 3D的執行長Zvi Or-Bach就曾得出過同樣的結論,可以說“摩爾定律”已經停止在了28nm節點上,不再真正有效。 電晶體或者晶片成本居高不下,一個重要原因就是先進工藝越來越復雜,所需要的製造設備、工廠都價格高昂,比如一台先進光刻機估計要2億美元,一座先進晶圓廠要200-300億美元。 正因為如此,整個行業都不再過於熱衷最求最先進的工藝,而是大力發展各種封裝技術,從而更好地平衡性能、功耗、成本等等。 當然,先進工藝仍舊非常重要,但不再是為了讓晶片更便宜,也會有越來越少的企業和產品能夠承受。 來源:快科技

過去十年晶片沒有變得更便宜:單位電晶體成本下降定格在28nm

半導體行業先驅、英特爾聯合創始人戈登·摩爾(Gordon Moore)在1965年提出:未來十年裡,晶片的電晶體數量會每年翻倍。後來戈登·摩爾對之前的說法進行了修正,周期變成了兩年,後來加州理工學院的教授Caverns Mead將其總結為半導體行業的規律,稱之為「摩爾定律」。 近年來,隨著半導體工藝技術疊代更新速度放慢,加上先進工藝的成本大幅度上升,不少人認為傳統上的摩爾定律已經不存在了,比如英偉達創始人兼執行長黃仁勛。英特爾執行長帕特-基爾辛格(Pat Gelsinger)在去年的一場公開活動中,也承認摩爾定律的周期已放緩至三年,實際上已大大落後於原來的速度。 據TomsHardware報導,MonolithIC 3D執行長Zvi Or-Bach早在2014年就提交了一份分析報告,顯示每個電晶體成本在28nm時代就已停止下降。近期谷歌的Milind Shah驗證了這種說法,指出28nm以後1億個電晶體的單位實際成本其實是略有上升,並沒有變得便宜,之後各個製程節點疊代之間基本持平。 很長時間以來,業界一直擔心新的製程節點的單位電晶體成本回報遞減,因為製造更先進的晶片需要更好的技術,晶圓廠也需要更復雜的設備,成本也是不斷上漲,現在要建造一座具備尖端半導體技術的晶圓廠,成本大概在200億道300億美元之間。晶片設計公司和製造商嘗試通過其他方法來解決這個問題,比如利用小晶片設計和2.5/3D封裝等創新技術來增加電晶體數量,像AMD的EPYC系列處理器就是一個成功的例子。 事實上,情況可能不是那麼簡單:首先多晶片設計往往比單晶片更耗電,對於小型移動設備來說不是一個好的選擇;其次,多晶片集成也是一項艱巨的工程任務,同樣會增加成本;最後,先進封裝的成本很高,現階段產能也是一個問題。雖然成本沒有降低,但先進工藝加上分解設計,對晶片發展仍然很有意義。 ...

中芯國際將建設28nm晶片產線 總投資88.7億美元

9月3日消息,今日午間,中芯國際發布公告稱,公司於9月2日與上海臨港管委會簽訂合作框架協議,雙方將成立合資公司,規劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目。中芯國際聚焦於提供28納米及以上技術節點的集成電路晶圓代工與技術服務。 公告顯示,項目計劃投資約88.7億美元,該合資公司注冊資本金擬為55億美元,其中中芯國際擬出資比例不低於51%,上海市人民政府制定的投資主體擬出資比不超過25%。 公司與上海自貿試驗區臨港新片區管委會共同推動第三方投資者完成剩餘出資,後續根據第三方投資者出資情況對各自出資額度及股權比例進行調整,由中芯國際負責該合資公司的運營及管理。 公告稱,此次合作的目的是把握臨港自由貿易區發展集成電路行業的戰略機遇期,推動公司業務發展。 中芯國際認為,該項目有利於促進本公司擴展生產規模和提升納米技術服務,從而獲得更高回報。 據媒體報導,目前,中芯國際上海建有一座200mm晶圓廠,以及一座擁有實際控制權的300mm先進位程合資晶圓廠。 除此以外,在北京還建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm晶圓廠,此外,中芯國際在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。 來源:cnBeta

大家還在用5nm晶片?out了 Intel計劃投產1.8nm

在智能終端設備越來越普及的如今,其核心部件之一的晶片也逐漸變得為眾人所知。我們總是能在各種產品的介紹中看到,某款處理器採用了xx納米製程工藝,大家也大致明白,xx數值越小,很大程度上代表著這款處理器會更加先進、性能更佳。 現在很多廠商的量產晶片都是5nm和7nm兩種,而英特爾已經在計劃生產1.8nm晶片了。 近日,英特爾CEO基爾辛格和技術開發高級副總裁凱勒透露了英特爾的未來計劃。據了解,英特爾目前制定了非常激進的年度產品更新計劃,預計該公司今年秋天將推出Alder Lake晶片,將高功率和低功率核心融合在一起;將目前的4nm晶片Meteor Lake晶片遷移到tile設計,並融合英特爾的3D堆疊晶片技術Foveros。 除此之外,英特爾為它的3nm晶片設計了一項新技術,將會使用高能製造工藝簡化晶片製造流程。 同時。英特爾還規劃了20A和18A的產品,這是英特爾埃米級技術的新產品,1埃米為十分之一納米,18A就是1.8nm。預計18A產品將在2025年投入生產,相應的產品將會在2025年-2030年間正式上市。 來源:快科技

台積電28nm大舉擴產 月產能目標15萬片

近日市場傳出,晶圓代工龍頭台積電為了滿足車芯晶片、CMOS圖像感測器(CIS)、驅動晶片、網通晶片、射頻元件等客戶需求,規劃積極擴大成熟製程的28nm產能,預計未來兩到三年,28nm總產能每月有望擴增10萬到15萬片。 根據業內信息顯示,台積電有意擴增28nm產能的地點,涵蓋台灣中科園區、中國南京,還有台積電仍在與當地政府討論新設廠房計劃的日本熊本和德國的德勒斯登(Dresden),合計四大據點。 針對上述傳言,因台積電將於周四(15日)舉行法說會,該公司表示,目前處於法說會前緘默期。 台積電向來在全球晶圓製造領域扮演技術領先者的角色,在今年技術論壇上,大秀代表先進技術領導地位的5nm、4nm和3nm技術,同時宣布4nm提早一季,將預計於本季開始試產,3nm製程則依照計劃於2022年下半年量產。 不過,自去年下半年以來的半導體缺貨潮,主要出現在晶圓代工廠紛紛暫緩擴產的成熟型製程,迫使各大代工廠回頭擴增成熟型製程的產能,其中以聯電、力積電腳步最快。 台積電在今年4月下旬的董事會上,通過將斥資28.87億美元,在南京廠新增每月2萬片28nm產能,目標在2023年中前達到4萬片月產能。 此前雖有傳聞稱,美國正在向台積電施壓,希望台積電取消投資28.87億美元,在南京廠新增每月2萬片28nm產能的計劃。對此,台積電也表示,目前處於法說會前緘默期,不回應市場傳言。 由於目前日本、德國等都在邀請台積電前往設廠,市場傳出,台積電內部搭配在其他國家的設廠計劃,重新調整未來產能規劃,28nm製程被視為擴產重點,未來二到三年內,28nm總產能可望擴增每月10萬片到15萬片。 市場傳出,台積電計劃在中科廠房以增加機台的方式,新增2萬片以上28nm產能;原本就計劃擴產的南京廠,除原定的每月4萬片外,還計劃再增加2萬片,最高將達到每月6萬片。 還在與當地政府討論設計細節的日本和德國新廠,則分別規劃配置每月約3萬片的28nm產能,藉以滿足當地車用、CMOS影像感測器等客戶的需求。 在傳出台積電擬擴大28nm產能的同時,也傳出台積電5nm和3nm的機器設備的移入廠區進度有放緩跡象,目前仍在觀察是否為暫時現象,或是機器設備成本過高、還是客戶端需求改變所致。 根據之前的規劃,台積電4nm本季度將試產,3nm製程將於明年下半年量產。 根據預期,因高性能計算客戶需求強勁,將成為5nm之後,台積電營運成長的主要動力。 只是隨著先進位程成本提高,台積電擴大投資,法人對台積電毛利率表現看法相對分歧。部分外資預期,台積電明年及後年因資本支出大增影響,毛利率恐低於50% 關卡。不過,多數投資人對台積電先進位程效率提升仍深具信心,預期台積電毛利率可望維持在50%以上水準。 另外,台積電美國亞利桑那州5nm製程的12吋廠已開始動工,預計2024年量產,後續是否進一步設立先進封測廠,就近提供客戶完整服務,備受關注。 根據台積電7月9日公布的6月業績顯示,當月營收達1,484.71億元新台幣,月增32.1%,年增22.8%,創單月業績歷史新高。這也使得其第2季營收達到了3721.44 億元新台幣,季增2.68%,同樣創下了歷史新高紀錄。 來源:遊民星空

台積電28nm大舉擴產:月產能目標15萬片

近日市場傳出,晶圓代工龍頭台積電為了滿足車芯晶片、CMOS圖像感測器(CIS)、驅動晶片、網通晶片、射頻元件等客戶需求,規劃積極擴大成熟製程的28nm產能,預計未來兩到三年,28nm總產能每月有望擴增10萬到15萬片。 根據業內信息顯示,台積電有意擴增28nm產能的地點,涵蓋台灣中科園區、中國南京,還有台積電仍在與當地政府討論新設廠房計劃的日本熊本和德國的德勒斯登(Dresden),合計四大據點。 針對上述傳言,因台積電將於周四(15日)舉行法說會,該公司表示,目前處於法說會前緘默期。 台積電向來在全球晶圓製造領域扮演技術領先者的角色,在今年技術論壇上,大秀代表先進技術領導地位的5nm、4nm和3nm技術,同時宣布4nm提早一季,將預計於本季開始試產,3nm製程則依照計劃於2022年下半年量產。 不過,自去年下半年以來的半導體缺貨潮,主要出現在晶圓代工廠紛紛暫緩擴產的成熟型製程,迫使各大代工廠回頭擴增成熟型製程的產能,其中以聯電、力積電腳步最快。 台積電在今年4月下旬的董事會上,通過將斥資28.87億美元,在南京廠新增每月2萬片28nm產能,目標在2023年中前達到4萬片月產能。 此前雖有傳聞稱,美國正在向台積電施壓,希望台積電取消投資28.87億美元,在南京廠新增每月2萬片28nm產能的計劃。對此,台積電也表示,目前處於法說會前緘默期,不回應市場傳言。 由於目前日本、德國等都在邀請台積電前往設廠,市場傳出,台積電內部搭配在其他國家的設廠計劃,重新調整未來產能規劃,28nm製程被視為擴產重點,未來二到三年內,28nm總產能可望擴增每月10萬片到15萬片。 市場傳出,台積電計劃在中科廠房以增加機台的方式,新增2萬片以上28nm產能;原本就計劃擴產的南京廠,除原定的每月4萬片外,還計劃再增加2萬片,最高將達到每月6萬片。 還在與當地政府討論設計細節的日本和德國新廠,則分別規劃配置每月約3萬片的28nm產能,藉以滿足當地車用、CMOS影像感測器等客戶的需求。 在傳出台積電擬擴大28nm產能的同時,也傳出台積電5nm和3nm的機器設備的移入廠區進度有放緩跡象,目前仍在觀察是否為暫時現象,或是機器設備成本過高、還是客戶端需求改變所致。 根據之前的規劃,台積電4nm本季度將試產,3nm製程將於明年下半年量產。 根據預期,因高性能計算客戶需求強勁,將成為5nm之後,台積電營運成長的主要動力。 只是隨著先進位程成本提高,台積電擴大投資,法人對台積電毛利率表現看法相對分歧。部分外資預期,台積電明年及後年因資本支出大增影響,毛利率恐低於50% 關卡。不過,多數投資人對台積電先進位程效率提升仍深具信心,預期台積電毛利率可望維持在50%以上水準。 另外,台積電美國亞利桑那州5nm製程的12吋廠已開始動工,預計2024年量產,後續是否進一步設立先進封測廠,就近提供客戶完整服務,備受關注。 根據台積電7月9日公布的6月業績顯示,當月營收達1,484.71億元新台幣,月增32.1%,年增22.8%,創單月業績歷史新高。這也使得其第2季營收達到了3721.44 億元新台幣,季增2.68%,同樣創下了歷史新高紀錄。 來源:快科技

聯電28nm晶圓漲出天價 明年升至2300美元

全球半導體市場產能緊張已經持續半年多了,代工廠紛紛開始漲價,7nm、5nm等先進產能倒是漲的不多,反而是28nm這樣的成熟工藝漲價漲價,其中UMC聯電已經多次漲價,消息稱明年會漲到2300美元。 從2010年底台積電量產算起,28nm已經問世10年了,在全球晶圓代工市場上,28nm的產值依然有上百億美元,其中第一大廠台積電占了差不多60%的份額,他們的28nm代工價格也是最高的,此前也有消息稱台積電取消了報價優惠,變相漲價。 另外一個28nm工藝代工大廠就是UMC聯電了,雖然此前報價比台積電低,但是漲價幅度上聯電要比台積電高多了,這半年來多次傳聞漲價,每次都是20%到40%地低價。 最新消息稱,聯電的28nm晶圓代工會在7月1日再次漲價,從現在的1600美元漲價到1800美元,漲幅13%。 此外,聯電還計劃從明年Q1季度之後再次漲價,價格會從1800美元提升到2300美元,漲幅28%,相比之前沒漲價的水平,價格已經高出50%-100%,非常夸張。 目前聯電還沒有對傳聞發表評論,按照之前的慣例,公司通常不會確認傳聞中的漲價說法。 來源:遊民星空

聯電28nm晶圓漲出天價:明年升至2300美元

全球半導體市場產能緊張已經持續半年多了,代工廠紛紛開始漲價,7nm、5nm等先進產能倒是漲的不多,反而是28nm這樣的成熟工藝漲價漲價,其中UMC聯電已經多次漲價,消息稱明年會漲到2300美元。 從2010年底台積電量產算起,28nm已經問世10年了,在全球晶圓代工市場上,28nm的產值依然有上百億美元,其中第一大廠台積電占了差不多60%的份額,他們的28nm代工價格也是最高的,此前也有消息稱台積電取消了報價優惠,變相漲價。 另外一個28nm工藝代工大廠就是UMC聯電了,雖然此前報價比台積電低,但是漲價幅度上聯電要比台積電高多了,這半年來多次傳聞漲價,每次都是20%到40%地低價。 最新消息稱,聯電的28nm晶圓代工會在7月1日再次漲價,從現在的1600美元漲價到1800美元,漲幅13%。 此外,聯電還計劃從明年Q1季度之後再次漲價,價格會從1800美元提升到2300美元,漲幅28%,相比之前沒漲價的水平,價格已經高出50%-100%,非常夸張。 目前聯電還沒有對傳聞發表評論,按照之前的慣例,公司通常不會確認傳聞中的漲價說法。 來源:快科技
再見三星8nmNVIDIA下代顯卡統一上台積電5nm

再見三星8nmNVIDIA下代顯卡統一上台積電5nm

NVIDIA Ampere安培家族首次使用了兩種製造工藝,面向數據中心、深度學習的A100是台積電7nm,面向遊戲的RTX 30系列則是三星8nm。 從目前情況看,三星8nm的表現確實一般,無論良品率還是性能都差強人意,最直接的體現就是RTX 30系列始終供貨嚴重不足,而且頻率上不去,幾乎無法超頻。 反觀全線使用台積電7nm工藝的AMD RX 6000系列,則是在工藝不變的情況下,大大提升了頻率、性能、能效。 無論NVIDIA是處於何種原因選擇了三星8nm,擔心台積電產能不足,抑或三星報價更低,這一代都算不上成功。 至於有人說會再出一代7nm工藝的Ampere遊戲卡,顯然可能性極低,那等於重新設計流片一次,成本和時間都不允許。 展望未來,NVIDIA的下一代GPU代號為「Hopper」,取自計算機軟件工程第一夫人、編譯語言Cobol之母Grace Hopper(格蕾絲·赫柏)。 據曝料高手kopite7kimi得到的消息,Hopper一代將會全部上馬台積電5nm,包括數據中心級的H100核心、遊戲級的GH20x系列核心。 不過他也留了個底,稱現在為時尚早,一切都可能會有變。 奇怪的是,NVIDIA遊戲卡的核心代號在使用新架構後第一代都是10x系列,不知道這里為什麼直接就是20x系列。 事實上今年3月份kopite7kimi就曾經說過Hopper會上台積電5nm,一如蘋果A14,當時用的代號還是GH100。 難道,Hopper已經悄悄改到了第二版? - THE END - 轉載請註明出處:快科技 #NVIDIA#三星#顯卡#台積電#5nm#8nm 責任編輯:上方文Q作者:上方文Q來源:快科技
幹掉友商7nm RTX 3090用上「落後」8nm工藝 三星10億美元到手

幹掉友商7nm RTX 3090用上「落後」8nm工藝 三星10億美元到手

NVIDIA的RTX 30系列顯卡已經發布一天多了,,帶給顯卡市場的沖擊還在繼續,很多謎題都要等待評測發布之後才能有詳細解釋。 此前泄漏的消息中,RTX 3090等高端顯卡的GA102(暫定)核心一直傳聞是台積電7nm工藝,此前AIC廠商的規格表上都是如此,顯示它跟數據中心的A100核心一樣都是7nm生產的。 然而我們現在都直到了,RTX 3090這樣的高端卡也是三星8nm工藝,雖然是NVIDIA定製的,但三星8nm工藝本質上是基於10nm工藝改進而來的,跟7nm工藝其實有一代的代差。 由於兩家的工藝沒有直接可比性,但是從晶體管密度來說,台積電的7nm工藝至少是9600萬晶體管/mm2,而三星8nm大概就是6100萬景晶體管/mm2,差了50%的密度,不說性能,光是核心面積上就會差很多了。 當然,NVIDIA用8nm工藝的結果現在看起來還不錯,RTX 3090顯卡的頻率依然提升到了1.7GHz,集成了280億晶體管,核心面積沒公布,但能效是前代圖靈的1.9倍(這個算法也有玄機,實際應該沒這麼高)。 至於為何選擇8nm工藝,成本會是一個重要的考慮,台積電的7nm工藝 12英寸晶圓代工報價不低於8000-10000美元,三星8nm作為一種落後一代的成熟工藝,差價至少有30%,這也是RTX 30系列顯卡價格能降低的重要因素。 當然,對三星來說,拿到NVIDIA的主力GPU代工訂單也是一次突破,不僅從台積電手中搶到肉吃,也證明了自己的實力。 根據業界估算,NVIDIA的RTX 30系列芯片訂單價值至少是10億美元,這筆生意使得三星半導體進一步減少了對記憶體、閃存等存儲芯片的依賴,加強了代工業務。 作者:憲瑞來源:快科技
RTX 30系顯卡GPU全來自三星8nm 改良後性能二次提升10%

RTX 30系顯卡GPU全來自三星8nm 改良後性能二次提升10%

今晨,NVIDIA正式發布RTX 30系列顯卡,首發三款分別是全新面孔的RTX 3090、旗艦之選RTX 3080和中流砥柱RTX 3070。 即便是3899元的RTX 3070,號稱平均性能也強過了RTX 2080 Ti,着實令人刮目相看。 這一代RTX 30系顯卡看點不少,比如公版的正反雙風扇別致造型、對PCIe 4.0的支持、引入美光的超高速GDDR6X顯存等。 當然,稍稍有些遺憾的是,核心GPU並非7nm、更不是5nm,而是8nm。 理論上說,8nm其實就是10nm級,屬於方便市場營銷的改良型製程,類似於從Volta延續至今的12nm。 不過,三星和NVIDIA表示,通力合作後將8nm工藝進一步「壓榨」,較之前8nm下的老芯片,有了10%的工藝層面性能增加。 其實,NVIDIA選擇三星8nm也能理解,主要就是出於成本考慮。三星的7nm EUV時間節點和產能應該是難以滿足需求,台積電的5nm、7nm價格高、又被蘋果、AMD等搶占一空,8nm可以說是最實惠的選擇了。 這在一定程度上似乎也解釋了,RTX 30系首發三款顯卡的GPU頻率遠未達2GHz,但功耗都紛紛增加。 作者:萬南來源:快科技
GeForce安培顯卡核心降級 NVIDIA改用三星8nm工藝

GeForce安培顯卡核心降級 NVIDIA改用三星8nm工藝

基於GA100安培核心,NVIDIA已經發布了A100加速計算卡等產品。不出意外的話,就在這一季度,面向消費級用戶的GeForce遊戲卡也將問世。 不過,頗為靠譜的爆料人kopite7kimi透露,GeForce安培顯卡的GPU並非GA100的台積電7nm,而是轉為由三星8nm LPP打造。 三星8nm實際就是10nm的改良版,2017年開發完成。作為10nm過渡到7nm的改良製程,此前高通用的較多,比如驍龍665、驍龍730G等,三星的Exynos 9820同樣也是。 所謂RTX 3080公版設計圖 按照三星說法,8nm LPP相較於10nm LPP,減少了10%的功耗,也縮小了10%的面積。 根據此前傳言,GeForce安培顯卡首發的三款將是RTX 3090/3080 Ti、RTX 3080、RTX 3070,均基於GA102核心。不過,既然是8nm,說明核心頻率不會夸張的高,NVIDIA應該還是藉助架構底層的改變、CUDA數量的劇增以及更大容量、帶寬更高的顯存(GDDR6X?)來保證兩位數(30%~50%?)的性能提升。 另外,8nm的產能和綜合成本優勢,可能也是打動NVIDIA的關鍵,希望老黃可以控制下價格漲幅。 優惠商品信息>> 作者:萬南來源:快科技