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SK海力士開用EUV設備量產1anm DRAM 效率直提25%

SK海力士宣布,本月開始量產基於1anm的8G LPDDR4移動DRAM,這是第四代10納米(1a)製程技術。由於半導體行業對10納米DRAM產品進行分類,以字母命名,因此1a技術是繼1x、1y和1z之後的第四代。SK海力士計劃從2021年下半年開始向智慧型手機製造商提供最新的移動DRAM產品,這是SK海力士在部分測試並證明尖端光刻技術的穩定性後,首次採用EUV設備進行量產。 SK海力士期待新技術能帶來生產力的提升,並進一步提升成本競爭力。該公司預計,與之前的1z nm節點相比,1anm 技術將使相同尺寸的晶圓生產的DRAM晶片數量增加25%。SK海力士預計,隨著全球DRAM需求的增加,1anm DRAM也可能有助於緩解全球市場的供需狀況。 新產品可以在4266Mbps下穩定運行,是標準LPDDR4移動DRAM規范中最快的傳輸速率,不僅如此,新產品還能降低20%的功耗。 SK海力士計劃明年初開始將其1anm技術應用在他們的DDR5產品上。 來源:遊民星空

威剛科技預計DRAM合約價格將在Q3出現兩位數環比上漲

記憶體模組製造商威剛科技(Adata Technology)預計,DRAM合約價格將在2021年第三季度出現兩位數環比上漲,其中低功耗DRAM價格將上漲逾15%。此前,產業鏈人士曾預計,DRAM的價格今年前三個季度將會持續上漲。此外,也有製造商預計,DRAM的價格今年上半年將上漲。 威剛科技設立於2001年5月,創辦人為擔任董事長兼執行長職務之陳立白先生。該公司營業初期系以記憶體模組為主要產品線,隨後著眼於快閃記憶體的應用推廣,遂投入快閃記憶體存貯器應用產品之開發。 該公司2021年第二季度的營收超過了100億新台幣,其中DRAM模塊的營收環比增長了近33%,達到了48億新台幣。(小狐狸) 來源:cnBeta

《原神》無盡驟戰第四日攻略

《原神》1.6版本新活動已經開啟,第四天的關卡有什麼好的陣容以及打法可以使用呢,想要了解的玩家請看下面「Dramaturge」帶來的《原神》無盡驟戰第四日攻略,希望能夠給大家帶來幫助。 關卡BUFF 關卡特性:角色對附近的敵人造成融化反應後,隊伍中所有角色獲得10%火元素傷害加成。該效果每1秒至多觸發一次,至多疊加5層。 該效果疊加至5層後,再次對附近的敵人造成融化反應時,將會在敵人的位置產生「灼燒之環」,造成火元素范圍傷害。每5秒至多通過這種方式,釋放一次灼燒之環。 氣勢祝福·一階:隊伍中所有角色的攻擊力提高25%; 氣勢祝福·二階:隊伍中所有角色的攻擊力提高50%; 氣勢祝福·三階:隊伍中所有角色的攻擊力提高100%。此外,角色對附近的敵人造成融化反應時,會產生「熾熱浪潮」,對周圍的敵人造成火元素傷害。每8秒至多通過這種方式,釋放一次熾熱浪潮。 氣勢祝福·三階的熾熱浪潮與關卡特性的灼燒之環的觸發間隔時間**計算。 怪物陣容 第1組(只刷一次):積分普通180,困難360,無畏540 普通敵人:冰史萊姆*10+大型冰史萊姆*2 狂熱敵人:冰霜騙騙花*1(擊敗8個普通敵人後出現) 第2組(只刷一次):積分普通180,困難360,無畏540 普通敵人:冰彈丘丘人*3+冰盾丘丘人*4+木盾丘丘人*4+冰丘丘薩滿*1 狂熱敵人:冰盾丘丘人暴徒*1(擊敗7個普通敵人後出現) 第3組(無盡刷新):積分普通180,困難360,無畏540 普通敵人:冰史萊姆*4+大型冰史萊姆*1+冰箭丘丘人*2+冰盾丘丘人*2+木盾丘丘人*2+冰丘丘薩滿*1 狂熱敵人:冰深淵法師*1(擊敗7個普通敵人後出現) 通關攻略 對應組數難度積分如下: 打法建議:為利用BUFF,可以多打一打融化反應。比如,在重雲E里行秋開Q平A,切香菱E,可以快速持續觸發融化。 推薦陣容:(1)國家隊:香菱,班尼特,行秋,重雲(2)任意火C配隊 隨手錄的視頻:香菱,班尼特,行秋,重雲 難度:無畏 分數:2160 來源:遊民星空

SK海力士使用EUV大規模生產1anm DRAM 供應手機廠商

記憶體廠商的新戰鬥正在悄悄打響,現在SK海力士官方給出消息稱,開始啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片。按照官方的說法,公司的第四代10nm(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移動端 DRAM(動態隨機存儲器)產品已經在今年7月初開始量產。 SK海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應採用1a納米級技術的移動端 DRAM。 在這之前,三星和美光也都表示,將啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片之後,不過美光時間上要更晚一些,其要在2024年生產新的EUV記憶體晶片。 去年SK海力士宣布斥資90億美元(約合600億元)收購Intel快閃記憶體部門,合並之後有望成為僅次於三星的第二大快閃記憶體巨頭,六大原廠將減少為五家。 來源:cnBeta

SK海力士使用EUV大規模生產1anm DRAM:供應手機廠商

記憶體廠商的新戰鬥正在悄悄打響,現在SK海力士官方給出消息稱,開始啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片。 按照官方的說法,公司的第四代10nm(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移動端 DRAM(動態隨機存儲器)產品已經在今年7月初開始量產。 SK海力士預計從下半年開始向智慧型手機廠商供應採用1a納米級技術的移動端 DRAM。 在這之前,三星和美光也都表示,將啟用EUV光刻機快閃記憶體記憶體晶片之後,不過美光時間上要更晚一些,其要在2024年生產新的EUV記憶體晶片。 去年SK海力士宣布斥資90億美元(約合600億元)收購Intel快閃記憶體部門,合並之後有望成為僅次於三星的第二大快閃記憶體巨頭,六大原廠將減少為五家。 來源:快科技

《原神》無盡驟戰第三日打法攻略

《原神》1.6版本活動無盡驟戰已經開啟了第三天的內容,本次的關卡有什麼打法可以參考呢,下面請看「Dramaturge」帶來的《原神》無盡驟戰第三日打法攻略,希望能夠幫助大家。 關卡BUFF 關卡特性:當前場上角色的攻擊命中敵人時,會在敵人的位置產生真空吸引場。 真空吸引場將牽引周圍小范圍內的其他敵人,並對真空場內的敵人造成基於該角色攻擊力200%的傷害。 每5秒至多通過這種方式,產生一次真空吸引場。 氣勢祝福·一階:隊伍中所有角色的攻擊力提高25%; 氣勢祝福·二階:隊伍中所有角色的攻擊力提高50%; 氣勢祝福·三階:隊伍中所有角色的攻擊力提高100%。此外,當前場上角色的普通攻擊與重擊命中敵人時,將會在敵人的位置產生一次元素爆破,對周圍的敵人造成元素傷害。元素爆破發生時,會隨機選擇雷、火、冰、水中的一種元素類型。每8秒至多通過這種方式,釋放一次元素爆破。 怪物陣容 第1組(只刷一次):積分普通188,困難376,無畏564 普通敵人:火之藥劑師*6+水之藥劑師*4 狂熱敵人:雷之藥劑師*1(擊敗3個普通敵人後出現) 第2組(只刷一次):積分普通188,困難376,無畏564 普通敵人:雜工*2+斥候*8 狂熱敵人:海上男兒*1(擊敗4個普通敵人後出現) 第3組(無盡刷新):積分普通188,困難376,無畏564 普通敵人:拳術師*2+火之藥劑師*2+水之藥劑師*2+斥候*4 狂熱敵人:粉碎者*1(擊敗4個普通敵人後出現) 通關攻略 對應組數難度積分如下: 打法建議: (1)打無畏難度需要保護好自己,為免吃到火之藥劑師和水之藥劑師的反應高額傷害,建議優先擊殺藥劑師。 (2)依然是打困難難度相對輕松,本關BUFF較為通用大家都能吃到。(不過困難難度怪物血比較薄,不用羽球刷BUFF也行會更快) (3)因為本關卡全是人形怪物,物理輸出角色有著非常不錯的表現,把BUFF疊個一兩層後追著砍就行...(甚至都不需要聚怪) 推薦陣容:盾輔+任意主C(建議選擇物理C) 推薦角色:溫迪,鍾離,行秋,迪奧娜,甘雨,優菈,雷澤,刻晴(物)等。 個人全四星通關陣容:雷澤(主C),行秋(副C,減傷),迪奧娜(盾輔),砂糖(聚怪) 難度:困難 分數:2632 來源:遊民星空

《原神》砰砰魔球總動員玩法與技巧攻略

《原神》砰砰魔球總動員活動已經開啟,本次活動有什麼樣的獎勵,玩法又是怎樣的呢,想要了解的玩家請看下面「Dramaturge」帶來的《原神》砰砰魔球總動員玩法與技巧攻略,希望能夠幫助大家。 活動獎勵 (1)活動商店:原石*240、「慶典·魔球」*1、6種藍色天賦書*4、大英雄經驗書*12、摩拉*160000。 (2)挑戰任務:原石*180。 活動玩法 在「砰砰魔球總動員」挑戰中,旅行者需要運用「嘟嘟光盾」回擊「砰砰魔球」,對「魔球嘟嘟堡」造成傷害。 根據「嘟嘟光盾」擊球的時機,回擊將被判定為「普通回擊」和「完美回擊」。「完美回擊」將造成更高的傷害。 「魔球嘟嘟堡」受到回擊時,將積攢「盛怒值」。「盛怒值」全滿後,「魔球嘟嘟堡」將進入一定時長的「盛怒時間」,發射「砰砰魔球」的頻率提升,且有更高的幾率發射特殊類型的「砰砰魔球」。「盛怒時間」中回擊獲得的積分將翻倍! 部分「魔球嘟嘟堡」可能生成護盾進行防禦。「魔球嘟嘟堡」處於護盾庇護下時,回擊「砰砰魔球」無法對其造成傷害,護盾只能通過「完美回擊」破壞。 多人遊戲狀態下,隊伍中玩家數量為兩人時,可進行「砰砰魔球總動員」的雙人挑戰。 挑戰中可能出現具有不同效果的「砰砰魔球」和「妙妙果實」。規避「砰砰魔球」的負面效果充分利用「妙妙果實」的特性,能使挑戰更加順利! 完成挑戰任務,獲取代幣「神秘齒輪」和原石,在活動商店中,用「神秘齒輪」換取更多獎勵。 活動技巧 (1)「嘟嘟光盾」的判定范圍比你想像的大很多,懶人完全可以站在魔球堡前狂按發射鍵掛機。依據運氣有1600~2200分。 (2)打出完美回擊時會有彩色五角星提示,同時獲得的積分會比普通回擊多。 *不需要特意去凹完美回擊,多打幾次自然就有了。 (3)聯機會讓挑戰變得很輕松。 (4)使用長腿角色+雙風+羅莎莉亞觸發夜行被動可以增加移動速度。 (5)「盛怒時間」中回擊獲得的積分將翻倍。 各種球回擊獲得的積分如下表: *擊敗一個魔球嘟嘟堡得100積分。 建議拾取「怒氣沖沖果」,快速進入「盛怒時間」刷分。 來源:遊民星空

美光表示全球疫情反復可能會影響DRAM、3D NAND供應鏈

今年春天,台灣的晶片和顯示面板的生產受到了嚴重的乾旱影響,台積電(TSMC)、聯華電子(UMC)和美光(Micron)等晶片製造廠商不得不通過各種方式,保證生產用水的供應,以降低對生產的影響。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在與分析師和投資者的財報電話會議上表示,已成功減輕了台灣乾旱的影響,美光的產能並沒有減少,同時近期開始有降水,應該會有足夠的供水滿足美光的製造需求。 不過在現今的製造業里,供應鏈可能會遍布全球各個地區,使得生產上會有更多不確定性,近期台灣、印度和馬來西亞等地區新冠疫情變得嚴重,又為供應和業務前景蒙上了陰影。美光目前在台灣的晶圓廠負責生產DRAM晶片,新加坡的晶圓廠負責生產3D NAND晶片,在馬來西亞則設有測試、包裝和組裝的業務,並在印度有研發設施。美光因為馬來西亞的新冠疫情變得嚴重,不得不減少產能,以確保生產的安全。 不同地區的新冠疫情反復似乎只是一個短期的問題,但對晶片的普遍高需求和供應的不確定性足以對未來幾個季度的3D NAND和DRAM晶片產生影響。美光表示,半導體行業在未來幾個季度幾乎無法滿足對晶片的需求,預計到2022財年供應仍會持續緊張,使美光處於有史以來最好的位置。 ...

《原神》雙雙島海灘魔環解謎攻略

《原神》1.6版本限時開放了海島區域,其中雙雙島的魔環解謎很多玩家不了解怎麼完成,下面請看「Dramaturge」帶來的《原神》雙雙島海灘魔環解謎攻略,希望能夠幫助大家。 這個【精緻的寶箱】異常消失的BUG修復了,大家可以去看看拿了沒。 魔環攻略: (1)初始盤面 (2)移動後盤面 來源:遊民星空

SK海力士承認部分DRAM晶圓出現問題,但認為有人藉此造謠並已報警

近期有報導指,SK海力士有24萬片DRAM晶圓存在缺陷,並已經在流通,將面臨2萬億韓元(約17億美元)的損失。SK海力士回應了這個傳言,承認了部分DRAM晶圓存在問題,但該缺陷在正常的質量問題檢查范圍內,並表示目前正在與少部分受影響的客戶進行溝通,以解決這個問題。同時SK海力士表示,現在評估潛在損失還為時過早,但損失應該不會那麼大,其缺陷在正常的質量問題檢測范圍內。 據韓聯社報導,SK海力士認為有人在此事上製造謠言,誇大事實,以損害其聲譽,目前已報警處理,希望警方對相關不實言論進行調查。 24萬片DRAM晶圓並不算是一個小數目,這種規模的事故可能涉及多個SK海力士的晶圓廠在數周內生產的產品,或者某個晶圓廠在過去幾個月內生產的DRAM,不過對於晶圓廠在不同製造階段的全面質量控制檢測機制,這兩種情況幾乎都不可能發生。 如果真的有24萬片DRAM晶圓出問題,很可能對全球供應和價格產生影響,特別是現階段個人電腦及其他方面對DRAM的巨大需求,早已處於供不應求的狀態。DRAM製造商的庫存一般都很低,通常只有三到四周,而PC製造商平均達到十周。根據相關調查機構的數據,2021年第二季度DRAM價格比第一季度上漲了18%-23%,預計第三季度會比第二季度再高3%-8%。 ...

《原神》1.6版本全贈禮擺設套裝一覽

《原神》1.6版本新增了大量的內容,其中包括新的家具擺設圖紙,想要了解新增物品的玩家請看下面「Dramaturge」帶來的《原神》1.6版本全贈禮擺設套裝一覽,希望能夠幫助大家。 說明1:本帖貼心地幫大家區分了擺設套裝需要散件的「最大數」和「總數」。舉個例子,如果套裝A,B,C分別需要X散件1件、2件、3件,則記「最大數」為3,「總數」為6。如果你需要同時擺出套裝A,B,C,則要按「總數」來收集散件;如果你只要擺出套裝A領完獎勵後收起來,再擺出套裝B領獎勵(即時分復用各散件),那麼你只需要按「最大數」來收集散件即可。 說明2:標紅的內容為1.6新增的擺設圖紙。 說明3:後面會發套裝帶圖版的,現在手上寶錢不夠,買不了散件摳圖,只能先上表格啦~ 室內6套 (1)按最大數降序排序 (2)按總數降序排序 (3)按套裝順序排序 (4)按二級分類排序 室外9套 (1)按最大數降序排序 (2)按總數降序排序 (3)按套裝順序排序 (4)按二級分類排序 來源:遊民星空

SK hynix承認部分DRAM產品存在缺陷 網絡謠傳誇大影響范圍

一線 DRAM 晶片製造商 SK hynix 已經證實,其生產的部分 DRAM 產品確實存在缺陷。在給媒體 The Register 的一份聲明中,該公司表示:「 我們可以確認,在一些DRAM產品中發現了缺陷。目前,我們正在和受影響的有限數量用戶交談,以解決這個問題。雖然現在估計潛在的損失還為時過早,但我們認為損失不會太大,因為該缺陷屬於典型的質量問題檢查范圍」。 隨後,SK hynix 補充道目前網絡上流傳的缺陷產品數量被嚴重誇大了。公司補充道:「謠傳中所提到的潛在損失規模絕對不是真的,而且被誇大了」。此前,網絡傳言該公司不得不處理大約 24 萬塊有缺陷的記憶體晶圓,這是一個巨大的數字,尤其是在全球晶片嚴重大規模短缺的時候,這是一個令人擔憂的巨大原因。 因此,這家晶片巨頭的股票下跌了0.78%,至127,500韓元。該公司顯然對整個情況感到不安,已要求警方進行調查,以了解誰可能在散布這種謠言。 來源:cnBeta

在將HyperX賣給惠普之後 金士頓為DRAM和SSD重新啟用了FURY品牌

上周,我們報導了惠普以3.25億美元的價格完成了對金士頓HyperX遊戲品牌的收購,這一收購備受期待。正如我們所指出的,該交易的條款不包括任何HyperX品牌的DRAM、快閃記憶體或存儲產品,這恰好是金士頓的最重要業務,因為該交易更側重於遊戲配件業務以及品牌價值。 我們現在已經了解到,金士頓正在將其保留的DRAM和存儲產品線重新命名為FURY系列。 金士頓計劃在2021年7月19日正式宣布該品牌。FURY系列對金士頓的用戶來說並不陌生,因為它早在2014年就作為其實惠版記憶體系列之一亮相,主要為預算有限的遊戲玩家設計。現在由於HyperX漸行漸遠,金士頓已經重新命名了自己的系列,為其重振以消費者為中心的DRAM和存儲產品的新起點和營銷策略做准備。 從新的產品系列來看,金士頓FURY Renegade記憶體系列的速度將達DDR4-5333 MT/s,有RGB和非RGB兩種選擇。重新命名的FURY Beast系列將作為其以遊戲為中心的DRAM產品的新入門款,其DDR3和DDR4產品的速度達3733 MT/s。 而FURY Impact系列則為筆記本電腦、NUC和其他類型的小尺寸系統提供DDR3和DDR4-3200 SO-DIMMs。不過,金士頓目前還沒有公布任何有關其即將推出的FURY存儲產品的細節。 目前還沒有關於FURY品牌記憶體可用性或價格的消息,但只需要等到7月19日就可以看到更多細節。 來源:cnBeta

創見發布無DRAM緩存的嵌入式固態硬碟產品線

作為業內領先的嵌入式存儲器製造商之一,創見(Transcend)剛剛刷新了面向工業應用的高性價比固態硬碟產品線。為滿足智能邊緣類應用不斷增長的市場需求,其中涵蓋了 PCIe NVMe / SATA III 接口的 2.5 英寸與 M.2 外形的 SSD 新品,特點是採用了無 DRAM 緩存的設計、輔以 96 層 3D NAND 快閃記憶體。 除了注重高性價比,上述 SSD 新品還能夠在相對惡劣的工況下長期穩定工作,很適合幫助客戶保持高度競爭力,並在 AIoT...

《原神》塵歌壺室內擺設套裝參考 負載占用及仙力提升一覽

《原神》的室內擺設會為玩家帶來仙力的提升,但是在擺設時要注意家園負載值。下面請看由「Dramaturge」帶來的《原神》塵歌壺室內擺設套裝參考,一起來看看吧。 來源:遊民星空

《原神》塵歌壺室外擺設套裝推薦

《原神》在1.5版本更新後,已經能夠在塵歌壺中建設自己的家園了,那麼在室外可以選擇哪些比較漂亮的擺設套裝呢?請看玩家「Dramaturge」分享的《原神》塵歌壺室外擺設套裝推薦,希望能為各位玩家帶來一些幫助。 今天給兄弟們帶來【擺設套裝·室外篇】,不知道兄弟們需不需要這樣的整理。歡迎糾錯(老粗心鬼了)。 說明 (1)本帖只統計到洞天寶鑒·第三回。 (2)新手注意:擺設套裝圖紙只能讓你一鍵擺出好看的組合,並沒有任何額外加成,套裝和散裝擺設提供的洞天仙力是相同的。 (3)洞天寶鑒·第四回中有一個任務,需要你放置10個不同的擺設套裝。 來源:遊民星空

韓國DRAM三巨頭被美國集體起訴 疑因操控記憶體價格

businesskorea消息,三星電子、海力士與美光因操縱記憶體價格在美國被起訴。 美國哈根斯伯曼律師事務所於5月3日向美國加州北部聯邦地區法院提起消費者集體訴訟,被告包括美光、三星以及海力士。哈根斯伯曼稱這些公司私下串通,使得DRAM晶片價格暴漲。 這家律師事務所在請願書中宣稱,美光、海力士與三星幾乎100%控制了全球DRAM市場,它們將DRAM價格提高了一倍多,以賺取巨額利潤。哈根斯伯曼稱,由於兩家公司的沆瀣一氣,使美國消費者蒙受了損失。 韓國半導體業不同意美國律師事務所的說法,他們稱,截至2020年第四季度,三星電子、SK海力士和美光分別占全球DRAM市場的42.1%、29.5%和23%。他們的市場份額總和雖然遠遠超過90%,但這是基於公平競爭的市場經濟邏輯的結果,是不存在合謀的。 來源:遊民星空

《原神》導能原盤·緒論玩法介紹

《原神》1.5版本新活動導能原盤·緒論已經開啟,玩家們可以通過活動獲取大量獎勵以及迪奧娜角色,想要了解活動玩法的玩家請看下面「Dramaturge」帶來的《原神》導能原盤·緒論玩法介紹,希望能夠幫助大家。 1.活動規則概括 (1)收集導能原盤碎片,這些碎片將在後續秘境挑戰中提供增益效果。 (2)你擁有一個取決於所有角色等級的「驅動力」,用「驅動力」可以選擇最多11個不同的BUFF(導能原盤碎片)來打挑戰活動秘境(這個秘境類似1.2版本中的「無相交響詩」),不同BUFF消耗的「驅動力」不同,想要用更強的BUFF強化隊伍就需要更多的「驅動力」。 (3)你可以通過向好友借取角色,為自身原盤提供驅動力。(類似1.4版本的「龍蜥尋蹤」活動) (4)可以聯機挑戰 2.導能原盤介紹 導能原盤能夠導引人們的力量轉化為「驅動力」。驅動力與所有角色等級的總和相關,等級之和越高,驅動力越大。 驅動力用於激活地脈之果碎片,消耗越多的驅動力就能激活更多、更高品質的地脈之果碎片。被激活的地脈之果碎片,能夠使角色在活動秘境中獲得極大的增幅。 導能原盤擁有11個槽位用於裝配地脈之果碎片,但只有正中央的槽位能夠承受碎果殘塊的能量。 3.好友角色借取 可以向好友借取最多三名角色,為自身原盤提供驅動力。 4.多人方案 在多人狀態下進入活動秘境,原盤將自動切換為多人方案,因此須提前配置多人方案中的地脈之果碎片。 5.秘境挑戰 最後階段會進行類似「無相交響詩」的秘境挑戰,共有4個秘境,可以自由選擇不同難度和挑戰條件進行挑戰。難度越高、條件越艱難,相應挑戰成功獲得的挑戰積分也會越高。 5.活動獎勵 完成活動可以獲得「碎果數據」(活動代幣),用來換取活動商店獎勵,可以換取「貓尾特調·迪奧娜」。 來源:遊民星空

DRAMless固態硬碟:半魔半神的存在

三星是唯一一家集主控、快閃記憶體、緩存、PCB板及固件算法等自主研發的固態硬碟廠商,也是固態硬碟行業的締造者之一。 三星推出的SSD產品,往往具有風向標的意義。近日,三星發布一款NVMe M.2 SSD新品,命名為980。沒有PRO、EVO、PLUS等後綴傳統,不由讓人心生好奇,這是一款什麼樣的產品? 確實,三星980較之前的產品來說是一款比較特殊的SSD,它並沒有配備DRAM緩存晶片,即我們所說的「DRAMless固態硬碟」。 在固態硬碟中提到「緩存」,一般有兩種:一是SLC緩存,二是DRAM緩存。 SLC緩存,這個相信大家都有所了解吧。即TLC、QLC或MLC快閃記憶體模擬成SLC快閃記憶體,以此提升SSD寫入速度的一種技術。 目前市面上我們能買到的SSD,都有SLC緩存策略。這讓SSD寫入速度很快,當寫滿SLC緩存後,速度就會降下來。 DRAM緩存的話,像在機械硬碟里就見到它了,主要用於提速。 而固態硬碟使用的NAND快閃記憶體本身性能出眾,無需利用緩存來提升性能,但是NAND快閃記憶體需要「快閃記憶體映射表」才能正常工作。這DRAM緩存晶片,即用來存儲這個表的。 顧名思義,無外置DRAM緩存是指通過固件適應省去了DRAM晶片的解決方案。 但要注意,無外置DRAM緩存並不意味著完全沒有緩存。 實際上,同樣需要「快閃記憶體映射表」,只是表的結構不同,容量也小了,可存儲於主控內集成的小容量SRAM當中。 像早些年推出的東芝TR200,目前在售西數SN550就是DRAM-Less固態硬碟,類似於產品在市場上也越來越多。 為什麼三星980會採用無DRAM緩存設計呢?我認為還是跟產品定位有關。無外置DRAM緩存固態硬碟的成本更低,在處理好性能與成本關系的基礎上也能取得更好的性價比。 三星980支持最新NVMe協議,走PCIe 3.0x4通道,持續讀寫速度達到3500、3000MB/,4K隨機讀寫達到500K、480K IOPS,這個性能表現輕松擠身PCIe 3.0 SSD的頂尖行列。 我用CrystalDiskMark軟體測試1TB版本,達到標稱值。 以這個速度來看,雖然不及PCIe 4.0 SSD 三星980 PRO,但是介於三星970 EVO和970 EVO Plus之間的,比970EVO強得多。 為了減少無DRAM緩存對性能負面影響,三星980支持NVMe協議中Host Memory Buffer特性。 這樣做的話,可以在Windows10系統中允許共享最多64MB容量的主機記憶體給固態硬碟使用。 去掉了DRAM緩存後,三星980的PCB背面銅箔標簽、主控表面的鍍鎳金屬層都有保留,這些都是增強散熱的舉措。 況且三星980 1TB只用到一顆NAND快閃記憶體顆粒,可以跟主控保持較大的距離,遠離主控這個大火爐,過熱限速的幾率就小了很多,以上都是一些可喜的改變。 而SLC緩存直接影響SSD的性能。三星980 1TB給足SLC緩存空間,容量達到160GB。 但是跟帶DRAM緩存的SSD不同,這個大容量緩存在寫入停止之後,並不會立刻進行釋放。或者准確的點說,它釋放的速度會比較慢。 如果你一下子對它進行重負載,比如一次寫入160G以上數據,停止寫入後,你又想向里面寫新數據,這時消耗盡的SLC緩存空間來不及釋放,以應付下次的操作,寫入速度就暴降。 你需要慢慢地等它釋放,才能恢復到正常速度。 但是吧,換個角度來看,像我們日常的辦公,玩遊戲,不可能一次性寫入超量的數據,寫入間隔時間往往又長,這就給三星980主控充分的時間來恢復SLC緩存空間。 我也算是一位資深遊戲黨,使用一段時間,沒有感受到三星980忽然變慢的情況,一直很順暢。 當然,如果你是重度使用者,像專業的設計者,影像剪輯師等人群,時時會給SSD寫入大量的數據,由於無DRAM緩存會給重負載使用性能造成嚴重的影響,建議你還是考慮三星980 PRO,970EVO或970 EVO Plus等帶DRAM緩存顆粒的SSD。 對比同級產品,像同樣無DRAM緩存的西數SN550等,三星980具備性能上絕對優勢,又提供五年質保,加上三星SSD一如既往的高品質,不失為一款值得推薦的產品。 來源:快科技

《原神》全擺設及擺設圖紙獲取方法整理

《原神》1.5版本為大家帶來了家園模式塵歌壺,我們可以建造房子以及實用家具布置房間,那麼家具及擺設都該怎麼獲得呢?現在為大家帶來「Dramaturge」分享的《原神》全擺設及擺設圖紙獲取方法整理,希望對大家有所幫助。 雜項 (1)「松木折屏-『雲來帆影』」(★4)(擺設):網頁活動「丘丘夢工坊」解鎖12件擺設時獲取。 (2)「煙霞雲夢榻」(★3)(擺設):網頁活動「丘丘夢工坊」解鎖15件擺設時獲取。 (3)「闊面石制爐灶」(★4)(擺設圖紙):購買「繞塵紀行」的珍珠之歌獲取(128元)。 任務獎勵 (1)開放式烘爐工坊(★4) (擺設):「翠石砌玉壺·其一」任務獎勵。 (2)天圓燈籠-「明燭蘭芳」(★3)(擺設圖紙):「翠石砌玉壺·其一」任務獎勵。 (3)生意平穩的水果攤位(★3)(擺設圖紙):「翠石砌玉壺·其一」任務獎勵。 信任等階獎勵 (1)多重拱門的蒙德建築(★3)(擺設圖紙):信任等階1 (2)璃月民房「梁懸千石」(★3)(擺設圖紙):信任等階2 (3)懸挑閣樓的蒙德民居(★3)(擺設圖紙):信任等階3 (4)璃月驛站「古道茶香」(★3)(擺設圖紙):信任等階4 (5)丘丘簡易草棚(★2)(擺設圖紙):信任等階5 (6)不懼潮濕的蒙德公寓(★3)(擺設圖紙):信任等階5 (7)丘丘前哨小屋(★3) (擺設圖紙):信任等階6 (8)璃月民居「月臥檐上」(★3)(擺設圖紙):信任等階6 (9)丘丘螺旋瞭望塔(★3) (擺設圖紙):信任等階7 (10)抗擊狂風的蒙德舊屋(★3)(擺設圖紙) :信任等階7 (11)蒙德宅邸「向風的莊園」(★5)(擺設) :信任等階7 (12)璃月古宅「畫閣朱樓」(★5)(擺設) :信任等階7 (13)丘丘雙層警戒台(★3)(擺設圖紙) :信任等階8 (14)璃月民居「笙磬同音」(★3)(擺設圖紙) :信任等階8 (15)「丘丘領袖大殿」(★4) (擺設圖紙):信任等階9 (16)「花鳥噴泉」(★4)(擺設圖紙) :信任等階9 (17)「牧歌與風車」(★4)(擺設圖紙) :信任等階10 (18)璃月民居「歲不我與」(★3)(擺設圖紙):信任等階10 擺設商人:蒙德城·歌德 (1)枯木方向標(★2)(擺設圖紙):25000摩拉 (2)硬頂避雷帳篷(★3)(擺設圖紙):50000摩拉 (3)簡易單人帳篷(★3)(擺設圖紙):50000摩拉 (4)冒險家的臨時營地(★4)(擺設圖紙):50000摩拉 擺設商人:輕策莊·路爺 (1)「冒險家難逃之重」(★3)(擺設圖紙):50000摩拉購買 (2)孤獨而謹慎的冒險家(★4)(擺設圖紙):50000摩拉購買 (3)朽木與磐石的對談(★4)(擺設圖紙):50000摩拉購買 來源:遊民星空

預計2021第二季度DRAM價格將上漲18-23%,主要原因是旺季需求量大

DRAM供應商和主要的OEM廠商目前正處於關鍵的時期,雙方為2021年第二季度需要敲定的新合同價格進行談判。盡管談判還有不少細節需要敲定,但根據現階段的價格走勢,漲價是在所難免。目前DDR4 1GB*8 2666Mbps模塊的平均價格環比增長了25%,比業界預測的20%左右的漲幅還要大。另一方面,今年第二季度各種不同類別的DRAM價格也在上漲,無論是移動端的還是GPU使用的,特別是PC和伺服器的DRAM。 據TechPowerup報導,TrendForce將2021年第二季度DRAM的價格漲幅預測,從13-18%調整到20-23%。 2021年第二季度PC使用的DRAM價格上漲高於預期,主要是OEM廠商正在積極地擴大生產。此外,每年的第二季度一般都是筆記本電腦生產的旺季,估計今年第二季度筆記本電腦產量將增加約7.9%。由於新冠疫情持續,不少地區繼續會較大規模存在遠程教育和在家辦公的情況,對筆記本電腦需求的增加,會進一步擴大DRAM價格的漲幅。 DRAM供應商方面,由於逐漸出現壟斷的趨勢,將在新合同的談判中掌握更大的主動權,有更多議價能力。因為除了消費類市場,企業市場也呈現較為積極的發展情況,所以對伺服器使用的DRAM采購量增加,這與雲服務等需求高於預期有關,預計價格按季度上漲20-25%,高於原來20%的預期。在2021年第一季度,DRAM已經開始出現供應短缺的情況,個別企業可能擔心未來的供應情況而提前備貨,這會進一步推動第二季度的需求量。 來源:超能網
芝奇發布專為英特爾Rocket Lake而打造的DDR4-5333記憶體套裝

TrendForce:旺盛需求或讓2021年2季度DRAM價格上漲18~23%

集邦咨詢(TrendForce)調查發現,主力 DRAM 供應商和 PC OEM 廠商正處於 2 季度合約價談判的關鍵時期。最新的交易數據顯示:盡管這些議價尚未敲定,但截至目前,主流 1G*8 DDR4-2666 記憶體模組的平均售價,已較上一季度增長近 25% 。作為參考,TrendForce 早前預測的漲幅僅為「接近 20%」。 與此同時,2021 年 2 季度的各類 DRAM 產品價格也在不斷上漲,涵蓋了 DDR3 / DDR4 規格的移動...
今年不是組裝新PC的好時機 美光放出DRAM缺貨漲價預警

今年不是組裝新PC的好時機 美光放出DRAM缺貨漲價預警

如果你想要在今年組裝一台新PC,那麼最好不要這麼做,因為實在是太不劃算了。 近日,美光公司首席執行官Sanjav Mehrotra在財報電話會議期間向投資者發出警告稱:「在強勁的需求和有限的供應之下,當前的DRAM市場正面臨着嚴重的供不應求局面,從而導致了DRAM價格的迅速上漲,且貫穿整年都會進一步趨緊」。 隨着在線生活已經成為了更多人的常態,以及數據中心、雲和PC客戶需求的不斷增長,美光正在努力滿足所有訂單。 尷尬的是,目前美光的庫存非常緊缺,盡管有一些成品,但其嚴重依賴於庫存的製品或原材料。 盡管美光的生產尚未受到影響,但該公司不得不通過其它方式獲取水源,並加大了保障工作,意味着事情可能在水源供應好轉前變得更加糟糕。 最後,除了顯卡和記憶體,其它配件的價格也都面臨着一定程度的缺貨漲價局面,因而目前並不是構建DIY PC主機的好時期,性價比甚至遠不如購買品牌機。 作者:雪花來源:快科技

美光放出DRAM缺貨漲價預警 2021年不是組裝新PC的好時機

COVID-19 大流行遇上加密貨幣挖礦熱潮,GPU 等芯片供應短缺已經對 PC 市場造成了巨大的沖擊。然而對於想要組建一套 PC 遊戲主機的玩家們來說,2021 年或許仍不是下手的一個好時機。美光公司首席執行官 Sanjav Mehrotra 在財報電話會議期間向投資者發出警告稱: DRAM 製造商全球營收占比(圖自:Statista) 「在強勁的需求和有限的供應之下,當前的 DRAM 市場正面臨着嚴重的供不應求局面,從而導致了 DRAM 價格的迅速上漲,且貫穿整年都會進一步趨緊」。 隨着在線生活已經成為了更多人的常態,以及數據中心、雲和 PC 客戶需求的不斷增長,美光正在努力滿足所有訂單。 尷尬的是,目前美光的庫存非常緊缺,盡管有一些成品,但其嚴重依賴於庫存的製品或原材料。 此外台灣正經歷着 56 年以來最嚴重的的乾旱,加劇了本就十分困難的局面。 預計當地半導體行業的缺水狀況將持續到 5 月份,且最近又對包括兩個工業園區在內的水資源實行了進一步的限制。 盡管美光的生產尚未受到影響,但該公司不得不通過其它方式獲取水源,並加大了保障工作,意味着事情可能在水源供應好轉前變得更加糟糕。 最後,除了顯卡和記憶體,其它配件的價格也都面臨着一定程度的缺貨漲價局面,因而目前並不是構建 DIY...
研究機構稱PC DRAM合約價格Q1上漲3-8% 預計Q2漲幅更高

研究機構稱PC DRAM合約價格Q1上漲3-8% 預計Q2漲幅更高

產業鏈人士和供應商此前曾表示,在去年下半年下滑之後,DRAM的合約價格在今年一季度就將開始上漲,二季度仍將延續上漲的勢頭。而研究機構在最新的報告中表示,PC DRAM合約價格,在二季度的漲幅,將遠高於一季度。 從研究機構的報告來看,全球PC DRAM的合約價格,在一季度上漲3%-8%,二季度預計環比再漲13%-18%,明顯高於一季度的漲幅。 PC DRAM合約價格在一季度和二季度持續上漲,與強勁的需求,相對偏低的供給有關。 研究機構在報告中就表示,終端市場對PC DRAM的需求依舊強勁,同時數據中心應用的需求也開始也已開始回升。但在供給方面,主要的DRAM供應商對增加額外的產能仍持謹慎態度,導致全球DRAM的供應增長有限。 與此同時,PC DRAM買家的庫存水平相對較低,約為4-5周,在價格上漲預期的推動下,他們將繼續囤貨。另外,PC製造商和品牌供應商,對今年的出貨量普遍持樂觀態度,上調了今年的產量目標,導致對DRAM的需求增加。 來源:cnBeta

產業鏈人士:DRAM合約價格二季度至少上漲5% 最高10%

產業鏈人士此前曾透露,DRAM(動態隨機存儲器)的合約價格在今年上半年將上漲,預計會持續到三季度,在四季度開始調整。英文媒體最新援引產業鏈人士的透露報道稱,全球DRAM的合約價格,在二季度最少將上漲5%,最高則會達到10%。 值得注意的是,產業鏈人士此前就曾預計,全球DRAM的合約價格,在一季度就將上漲5%-10%,二季度的漲幅若達到他們的預期,全球DRAM的合約價格,就將連續兩個季度上漲5%-10%。 DRAM的價格持續上漲,也將推升相關廠商的業績。 DRAM製造商南亞科技,此前也預計,在去年下半年下滑之後,DRAM的合約價格在今年一季度就將開始上漲,二季度也將上漲,他們2月份的營收,也有明顯增加,同比增長近27%。 來源:cnBeta
後悔沒早上車 DRAM合約價格二季度至少上漲5% 最高10%

後悔沒早上車 DRAM合約價格二季度至少上漲5% 最高10%

3月27日消息,據國外媒體報道,產業鏈人士此前曾透露,DRAM(動態隨機存儲器)的合約價格在今年上半年將上漲,預計會持續到三季度,在四季度開始調整。 媒體最新援引產業鏈人士的透露報道稱,全球DRAM的合約價格,在二季度最少將上漲5%,最高則會達到10%。 值得注意的是,產業鏈人士此前就曾預計,全球DRAM的合約價格,在一季度就將上漲5%-10%,二季度的漲幅若達到他們的預期,全球DRAM的合約價格,就將連續兩個季度上漲5%-10%。 DRAM的價格持續上漲,也將推升相關廠商的業績。 DRAM製造商南亞科技,此前也預計,在去年下半年下滑之後,DRAM的合約價格在今年一季度就將開始上漲,二季度也將上漲,他們2月份的營收,也有明顯增加,同比增長近27%。 來源:快科技

SK海力士預測存儲未來:3D NAND600層以上 DRAM10nm以下

在最近的IEEE國際可靠性物理研討會上,SK海力士分享了其近期和未來的技術目標願景。SK海力士認為,通過將層數增加到600層以上,可以繼續提高3D NAND的容量。此外,該公司有信心藉助極紫外(EUV)光刻技術將DRAM技術擴展到10nm以下,以及將記憶體和邏輯芯片整合到同一個設備中,以應對不斷增加的工作負載。 SK海力士首席執行官李錫熙說:「我們正在改進DRAM和NAND各個領域的技術發展所需的材料和設計結構,並逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎,並取得創新,將來有可能實現10nm以下的DRAM工藝和堆疊600層以上的NAND。」 3D NAND未來將達到600層以上 歷史的經驗早已證明,3D NAND無論是在性能還是在可拓展方面,都是一種非常高效的體系結構,因此,SK海力士將在未來幾年繼續使用它。早在2020年12月,SK海力士就推出了具有1.6Gbps接口的176層3D NAND存儲器,且已經開始和SSD控制器製造商一起開發512GB的176層存儲芯片,預計在2022年會基於新型3D NAND存儲器進行驅動。 就在幾年前,該公司認為可以將3D NAND擴展到500層左右,但是現在它已經有信心可以在不久的將來將其擴展到600層以上。隨着層數的增加,SK海力士以及其他3D NAND生產商不得不讓每一層變得更薄,NAND單元更小,並引入新的電介質材料來保持均勻電荷,從而保持可靠性。 SK海力士已經是原子層沉積領域的領導者之一,因此其下一個目標是實現高深寬比(A/R)接觸(HARC)刻蝕技術。同樣,對於600層以上的3D NAND,可能還需要學會如何將多層晶圓堆疊起來。 行業何時才能有600層以上的3D NAND設備以及如此驚人的層數將帶來的多大的容量,SK海力士沒有給出具體預測,不過該公司僅憑借176層技術就已經着眼於1TB的產品,因此600層以上的產品容量將是巨大的。 DRAM的未來:EUV低於10nm 與美光科技不同,SK海力士認為採用EUV光刻技術是保持DRAM性能不斷提高,同時提高存儲芯片容量、控制功耗最直接的方法。藉助DDR5,該公司不得不推出容量超過16GB的存儲設備,數據傳輸速率可達6400GT/s,這些存儲設備將堆疊在一起以構建大容量的DRAM。 由於未來的存儲器產品必須滿足高性能、高容量以及低功耗等要求,因此先進的製造技術變得更加重要。為了成功實施EUV技術,SK海力士正在開發用於穩定EUV圖案和缺陷管理的新材料和光刻膠。另外,該公司正在尋求新的電池結構,同時通過使用由高介電常數材料製成更薄的的電介質來保持其電容。 值得注意的是,SK海力士現在也在尋找減少「用於互連的金屬」電阻的方法,這表明DRAM晶體管的尺寸已經變得非常小,以至於其觸點將成為瓶頸。藉助EUV,晶體管將縮小尺寸,提升性能並降低功耗,接觸電阻將成為10nm以下的瓶頸。不同的芯片生廠商用不同的方式來解決這一問題:英特爾決定使用鈷代替鎢,而台積電和三星則選擇了選擇性鎢沉積工藝。SK海力士未詳細說明其抗接觸電阻的方法,只是表明正在尋求下一代電極和絕緣材料並引入新工藝。 融合處理和記憶體的近記憶體處理 除了使DRAM速度更快並提高容量外,SK海力士還期待融合記憶體和處理技術。如今,用於超級計算機的尖端處理器使用通過插入器連接到它們的高帶寬(HBM),SK海力士將此概念稱之為PNM(近記憶體處理),並斷言下一步將是處理器和記憶體存在於單個封裝中的PIM(記憶體中處理),而該公司最終將尋找CIM(記憶體中計算),將CPU和記憶體集成到一起。 SK海力士的CIM在很大程度上與今年2月推出的三星PIM(記憶體處理)概念相似,並可能滿足HJEDEC定義的工業標準。三星的HBM- PIM將以300MHz運行的32個支持FP16的可編程計算單元(PCU)嵌入到4GB記憶體裸片中。可以使用常規存儲命令控制PCU,並執行一些基本計算。三星聲稱其HBM-PIM記憶體已經在領先的AI解決方案提供商的AI加速器中進行了試驗,該技術可以使用DRAM製造工藝製造,對於不需要高精度但可以從數量眾多的簡化內核中受益的AI和其他工作負載意義重大。 目前尚不清楚SK海力士是否將根據三星提出的即將發布的JEDEC標準實施CIM,或者採用專有技術,但可以確定的是,全球最大的DRAM製造商對融合的存儲器和邏輯設備都抱有相似的願景。 邏輯和記憶體的融合對於利基應用非常有意義,同時,還有更多常見的應用程序可以從記憶體,存儲和處理器更緊密的集成中受益。為此,SK海力士正在開發緊密集成異構計算互連封裝技術,這些封裝包含處理IP、DRAM、NAND、微機電系統(MEMS)、射頻識別(RFID)和各種傳感器。不過,該公司尚未提供許多詳細信息。 來源:cnBeta

SK海力士的未來計劃:用EUV來造DRAM,還有600層堆疊的3D NAND

SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國際可靠性物理研討會(IRPS)上作了主題演講,講述了SK海力士產品的未來計劃,分享了一些概念性技術,比如用EUV光刻生產的DRAM和600層堆疊的3D NAND。 目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND,看起來600層還很遙遠,目前他們還只是在研究這種可能性,在達到600層堆疊前還需要解決各種問題。SK海力士致力於確蝕刻技術實現高縱橫比,以實現業界所需的高密度技術,此外他們還推出了原子層沉積技術,以進一步改善單元的電荷存儲性能,並在需要時把電荷放出,同時開發新的導電材料讓電荷在一定程度上保持均勻。除此之外為了解決薄膜應力問題,控制了薄膜的機械應力水平,並優化了單元氧化氮材料。為了應對在有限的高度上堆疊更多電池時發生的電池間干擾現象和電荷損失,SK Hynix開發了隔離電荷陷阱氮化物結構來增強可靠性。為了對應在有限高度內堆疊多層時發生的單元間電荷干擾與電荷損失,SK海力士開發了隔離電荷陷阱氧化物結構,以提高可靠性。 在DRAM方面,SK海力士引入了EUV光刻設備來解決以往DUV光刻的局限性,製程工藝能輕松達到10nm以下,以此來提升生產效率。當然還有問題要解決的,比如為了保持單元電容,他們正試圖改善電介質厚度,開發具有高介電常數的新材料,並採用新的單元結構。這些單元互連需要盡可能低的電阻,他們正在尋找新一代電極與絕緣材料,並推出新工藝。 來源:超能網

韓國兩巨頭占據全球DRAM芯片市場逾七成份額

市場調研機構TrendForce周五發布的數據顯示,韓國半導體行業兩大巨頭——三星電子和SK海力士在2020年第四季度全球DRAM芯片市場上的份額合計達到72%,分列冠亞軍。數據顯示,四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%,達176.5億美元。 其中,三星電子市占率為42.1%,銷售額環比增長3.1%至74.4億美元。SK海力士市場份額為29.5%,銷售額環比增長5.6%至52億美元。其後是美國美光科技(23%)和台灣南亞科技(2.2%),其餘企業的市場份額均不足1%。 TrendForce預測,全球主要DRAM采購商將在庫存調整結束後重啟采購,而受美光工廠停電等因素影響,DRAM價格已開始上升。但考慮到季節性淡季等因素,今年一季度的銷售額可能只有小幅增長。 來源:cnBeta

TrendForce:量增價跌走勢持續 2020年第四季DRAM總產值僅增1.1%

據TrendForce集邦咨詢最新報告,2020年第四季DRAM總產值達176.5億美元,季增1.1%。整體市況歸因於中國智能手機品牌Oppo、Vivo、小米(16.34, -0.36, -2.16%)(01810)積極加大零部件采購力道,欲搶占市場份額,因而帶動第四季各家DRAM供應商出貨表現。 然受到server業者仍持續庫存調節的影響,DRAM價格受到壓抑,多數原廠2020年第四季營收表現與上季差異不大,僅美光受到營運天數不同而有明顯下滑。 展望2021年第一季,包括PC、mobile、graphics及consumer DRAM在內的需求仍維持穩健。歷經兩季庫存調整,部分server DRAM業者重啟新一輪備貨,加上2020年12月初美光跳電事件影響,今年第一季DRAM產品價格全面正式起漲。TrendForce集邦咨詢預估第一季將呈現量平價漲的走勢,不過由於是市況反轉的第一個季度,且需求面仍位處淡季,估計量與價成長幅度不大,整體DRAM產值可能較去年第四季小幅成長。 2020年第四季DRAM價格持續走跌,原廠獲利皆受壓縮 以營收表現來看,本次韓系DRAM廠與美光的表現再度有所分歧,主要是美光第四季的財務周數由前次高基期的十四周回歸正常的十三周,使其在出貨量與平均銷售單價呈現「量價齊跌」;韓系廠商則持續呈現「量增價跌」,顯示拉貨力道有所回溫。三星(Samsung)及SK海力士(SK Hynix)在出貨增幅皆優於原先預期的情況下,抵銷報價的跌幅,營收分別上揚3.1%及5.6%。美光因出貨量衰退,營收走跌7.2%,導致其第四季市占下滑至23%。展望2021年第一季,由於DRAM報價正式走揚,加上美光在報價策略上最為積極,有機會拉近與前兩大的市占差距。 以獲利表現來看,由於2020年第四季的DRAM均價跌幅落在5~10%,導致所有廠商的獲利表現皆有所收斂。以三星而言,營業利益率由上季41%跌至36%;SK海力士由上季29%跌至26%;而美光本次財報季區間(9月至11月)的報價跌幅約略等同於韓廠,其營業利益率亦由上季25%縮減至21%,廠商的成本優化幅度皆不足以彌補該季的報價跌幅。展望2021年第一季,受到DRAM報價反彈的支撐,預計原廠獲利能力也將觸底反彈,正式重啟新一波的上漲周期。值得一提的是,以DRAM龍頭廠三星為例,其在報價底部的獲利水平仍高達三成,連規模相對小的南亞科(Nanya Tech)亦有近10%的獲利,顯示DRAM產業在新進中國業者加入以前,都將在寡占格局下維持整體獲利的生態。 台廠方面,南亞科同樣呈現量增價跌的表現,其2020年第四季營收小跌0.7%,而營業利益率亦隨着報價走跌而下降,由上季的13.5%進一步收斂至8.8%。華邦(Winbond)方面,NOR Flash的占比持續提升,不過以第四季營收季增0.8%來看,主要是NAND Flash業務受到壓縮,加上DRAM營收在利基型存儲器市況率先好轉的幫助下而有所提升,然漲幅不高是因供貨有限而非需求不佳所致。力積電(PSMC)營收僅計自家生產之標準型DRAM產品,2020年第四季持續受到包含PMIC(電源管理IC)、Driver IC、CIS在內的邏輯產品需求暢旺,而壓縮到DRAM產能,使其DRAM營收下滑約1.7%。 TrendForce集邦咨詢表示,三家台廠仍將重心擺在自身最具優勢的產品,各自強化所屬領域的競爭力,如南亞科積極開發1A/1Bnm,期能於2021年底前送樣;華邦在持續精進DRAM新製程25nm良率的同時,產能擴建仍以需求暢旺的NOR Flash為主;至於力積電在當前邏輯IC需求極佳的環境下,將持續產能滿載專攻毛利較高的邏輯產品代工。 來源:cnBeta

美光宣布批量出貨1α工藝節點DRAM,實現新的技術突破

美光宣布使用新型1α製造工藝生產的DRAM開始批量出貨,這是目前世界上最先進的DRAM製造技術。1α製造工藝最初會用於8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4記憶體生產上,隨著時間的推移,未來將用於所有類型的DRAM,有望顯著降低DRAM成本。 到目前為止,美光已將其DRAM生產的很大一部分轉移到了1Z nm節點,該節點既提供高位密度(較低的單位成本)又提供高性能。美光表示,從利潤率和產品組合角度來說,現在的感覺相當好。美光的1α製造工藝預計將比1Z(成熟的成品率)將記憶體密度提高40%,這將相應降低生產者的單位成本。  此外,該技術的功耗降低了15%,而且性能更高。美光1α製造工藝其中很重要的一點是,印證了僅靠光刻技術的改進,不足以使DRAM製造成本降低。像上一代產品一樣,美光的1α節點繼續使用6F2位線設計。 與行業內很多企業不同,美光不打算在短期內使用EUV光刻技術來生產存儲晶片。美光接下來的三個DRAM工藝節點將繼續使用深紫外線(DUV)光刻技術,不過會不斷進行評估,時機成熟的時候會適當引入。 即使沒有EUV光刻技術,美光也承諾在下一代存儲設備中提高性能和功耗,盡管難度越來越大。 1α製造工藝首先會在台灣的桃園和台中的工廠中使用,最先出貨的是面向超算市場的DDR4記憶體以及英睿達 (Crucial) 消費級DRAM產品。美光同時也已開始向移動客戶提供LPDDR4樣片進行驗證,將在2021年內推出基於該技術的更多新產品。 ...
Nolan North和Troy Baker:歐美遊戲配音界一哥二哥的「fallout drama」

Nolan North和Troy Baker:歐美遊戲配音界一哥二哥的「fallout drama」

不知道大家有沒有那種一起玩遊戲多年的好友,你們共同度過了無數的快樂時光,無論是在線上還是線下。但有一天,這個朋友突然消失了,也許因為某日打遊戲打急眼了,也許僅僅是ta需要一些獨處空間,抑或是你們中的一個選擇離開遊戲世界,步入柴米油鹽的真實的生活。而你所存留的,就只剩那些充滿歡笑的記憶。 普通人會如此,名人也可能經歷,即使是吃遊戲這碗飯的人。Nolan North和Troy Baker的故事便是這樣一個例證,他們曾經是互相仰慕的同行,多次合作的同事和彼此扶持的摯友。然而他們的友情衍生產品Retro Replay,恐怕並不為中文世界的玩家們所熟知。而發生在去年的這場著名的fallout drama,就更不見報導與傳播。今天,我們就稍稍復盤一下這段歷史,以紀念NN和TB,和他們曾經一同為我們帶來的歡笑與眼淚。 誰是Nolan North和Troy Baker 估計機核的各位朋友對這兩位美國聲優應該非常熟悉了。就算是不知其人,但聞其聲,相信很多玩家也都會一拍巴掌:「這嗓音耳熟!」 而更多時候,由於二位專業聲優音域之廣嗓音之多變,恐怕要打開IMDB你才會意識到,「原來是他」。 North和Baker二人即使被稱作如今的歐美遊戲動畫配音領域的巨擘人物,也可能不會遭到很大非議。這得益於兩位配音演員在專業領域的深厚造詣和勤奮工作:他們不僅為遊戲貢獻了大量精彩絕倫的聲音演出,展現出無限的天賦,在產出作品的量上更是少有人能出其右。這其中,無數令人難以忘懷的角色陪伴著玩家走過遊戲旅途,也走入了玩家們的內心。在優秀的劇本和故事編排之外,角色的深入人心,很大程度上依靠配音演員的功力,而Nolan North和Troy Baker就為我們貢獻了許多這樣留在玩家記憶中揮之不去的重要角色。 Nolan North 美國演員,1970年出生在康乃狄克州,90年代在公共電視台的肥皂劇中嶄露頭角,在2003年劇集完結後轉向配音表演領域。遊戲代表作品有《刺客信條》系列的戴斯蒙·邁爾斯(Desmond Miles),《神秘海域》系列的內森·德雷克(Nathan Drake),《最後生還者》一代的David,《命運》(Destiny )系列的Ghost,多部漫威遊戲中的死侍(Deadpool)等。動畫代表作有《少年正義聯盟》(Young Justice)中的小超(Superboy),樂高DC宇宙的超人等等。內森·德雷克為North帶來了兩次VGA最佳配音提名,三次BAFTA Game提名,和一次TGA獲獎。 2018年,他被BAFTA授予「遊戲表演傑出貢獻獎」。 Troy Baker 美國演員、歌手,1976年出生在德克薩斯州。早期在家鄉達拉斯做些電台廣告配音之類的工作,後接受了專業的配音表演訓練,進入動畫配音行業。相較於North的配音工作主要專注於歐美遊戲,Baker的履歷表則中有不少日廠作品。其遊戲代表作有《薄暮傳說》英文版中的尤利(Yuri Lowell),《凱薩琳Full Body》英文版的文森特(Vincent Brooks),《中土世界:暗影魔多》(Middle-Earth: Shadow of Mordor)和《中土世界:戰爭之影》(Middle-Earth: Shadow...

美光桃園廠房意外停電,可能會DRAM記憶體報價產生影響

最近NAND與DRAM的報價都疲軟,所以大家能夠用很便宜的價格買到SSD和記憶體,喜歡陰謀論的朋友又會說之後會發生什麼了,別說美光那邊還真停電了,美光證實昨天位於台灣桃園的DRAM廠區發生了停電事件。 圖片來源:美光 美光桃園林口長昨天下午大概停電了1小時,本次停電並非又地震、火災等外部因素引起,目前廠區設備在恢復供電後已經正常運作,預計幾天內會恢復產能。美光在桃園林口廠區主要以生產DDR4和LPDDR4為主,從第三季的生產狀況來看,1X nm工藝的占了70%,1Y nm工藝的占20%,是美光的DRAM生產重鎮,月產能12.5萬片,占全DRAM總產能的10%,本次停電必然會對還在生產線上的晶圓造成影響,損失還在評估中。 實際上前段時間才傳出由於DRAM的出貨價疲軟,各個生產廠有打算控制產能讓價格走穩的消息,現在美光就來玩這個,這事情對DRAM市場的影響應該不小,有趣的是這消息出來後美光的股價漲了2%,就是因為可能有利於DRAM記憶體的定價。 ...

由於市場需求低迷,DRAM和SSD價格或將崩盤

Digitimes日前發布了一篇關於DRAM以及SSD晶片的新報導,指出三星等知名品牌目前擁有著非常大量的DRAM以及NAND庫存,這些主要的晶片廠商積壓了多達四個月的DRAM和NAND庫存。受此市場需求降低的影響,相關市場長期都沒能夠降下來的產品可能會面臨崩盤。 報導指出,包括NAND和DRAM在內的存儲晶片價格預計將在第四季度進一步下降10%,下降趨勢將持續到2021年上半年。價格下降的原因是由於供需關系。市場上的記憶體太多,製造商不買。西部數據和美光公司都是僅有的兩家減慢購買速度的公司。 報導指出,受到今年新冠肺炎疫情的影響,今年上半年的智慧型手機出貨量出現了比較大幅度的下滑,並且到了今年下半年也不會出現太大幅度的回升。這個情況一定程度上影響了存儲晶片的出貨,存儲晶片製造商的業績已經出現了明顯的下滑,比如說南亞科技8月份營收同比、環比均出現不同程度的下滑。 除了以智慧型手機為代表的消費級市場之外,數據中心對於存儲晶片的需求同樣出現了下滑,兩大需求疲軟導致了存儲晶片的庫存積壓,存儲產品市場將會面臨價格崩盤。 不過,像固態硬碟、記憶體的價格降下來之後,各位DIY玩家或者遊戲玩家就可以把成本更多地安排到顯卡上,畢竟老黃上周也從自家廚房里面拿出了RTX 3070、3080以及3090三張新顯卡,性能相較於上代產品有著非常大的提升,看起來是非常值得升級的一代產品。另外,像AMD Zen 3 Ryzen處理器和Big Navi圖形卡等新品,看起來也會很快就推出的樣子。 ...

存儲市場供應過剩,但用於筆記本電腦的各種晶片供應持續短缺

說起PC硬體中價格彈性大的,大多數人都會首先想起存儲,特別是記憶體,很多DIY愛好者都經歷過同樣規格的記憶體其價格從低谷時候的某個價格上漲幾倍的情況。至於現在的存儲市場,已經算是穩定了很長一段時間了,而且基本屬於低谷期,是很適合有需求的用戶添置存儲的。至於之後的一段時間內,對於消費者的好消息是,估計存儲市場仍然會處於供過於求的情況,價格繼續維持低谷。 據DigiTimes報導,正如台灣存儲模塊製造商宇瞻科技的總裁張家騉所表示的一樣,直到2021年上半年,DRAM和NAND市場將繼續供過於求。雖然目前的全球發展來看,居家上班與線上教學、購物等遠端應用帶動雲端、網通與個人電腦的需求強勁,但是新型冠狀病毒的全球傳播已嚴重打擊了消費設備市場,從而削弱了對記憶體的需求。 另一方面,由於家庭和遠程學習對工作的需求不斷增長,有業內消息人士稱,基於ODM產品的筆記本用晶片及組件(包括處理器,LCD面板和電源晶片)出現供不應求,並且問題日益嚴重,今年第三季度的差距可能擴大至15-20%。 這些筆記本生產所需的某些IC零件短缺,是8英寸晶圓廠產能不足的原因。業內消息人士稱,由於對顯示驅動器IC和電源管理晶片的強勁需求,8英寸晶圓廠的產能將到2021年將一直保持緊張。 ...

SK海力士宣布啟動HBM2E DRAM的量產,等效頻率跑在3.6Gbps

HBM DRAM擁有超高的數據帶寬,是計算密集型晶片的不二之選。我們也看到這種類型的DRAM在各種計算卡、AI加速器等領域中有著越來越廣泛的應用,這也推動著它繼續升級疊代。去年三星和SK海力士都宣布自己開發出了HBM2記憶體的小幅升級版本,即HBM2E記憶體,今天SK海力士終於正式宣布他們開始量產HBM2E記憶體了。 SK海力士的HBM2E記憶體具有3.6Gbps的等效頻率,配合上1024-bit的位寬,它能夠實現超過460GB/s(3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s)的傳輸帶寬。三星目前的HBM2E默認跑在3.2Gbps的等效頻率下,所以SK海力士的HBM2E在默認情況下能夠提供更高的帶寬,不過三星的HBM2E還可以跑更高的頻率。如果像是NVIDIA A100加速卡那樣使用六個堆疊的話,那麼這組HBM2E記憶體能夠提供高達2.7TB/s的帶寬。SK海力士的HBM2E每組堆疊可達到16GB的容量,每顆DRAM晶片的容量較HBM2時代翻倍,為16Gb(2GB)。 對於市場來說,現在有第二家能夠提供HBM2E記憶體的廠商了,有競爭才有降價,HBM記憶體本來就很貴了,現在也只有專業領域能用的起它。此前只有三星一家能夠提供HBM2E記憶體,而HBM2時代是有兩家。美光也已經計劃進入HBM2的市場,稱將在年內發售他們的HBM2記憶體。未來在專業領域中,HBM會起到越來越大的作用,它的高帶寬特性在熱門的AI加速器、深度學習等領域中是不可或缺的。 ...

南亞對於第三季度DRAM市場看好,預計合約價格將持續上漲

記憶體的價格低谷已經過去,據taipeitimes報導,台灣最大的DRAM廠南亞科技總經理李培瑛昨(28)日接受采訪表示,新冠肺炎疫情帶來的居家辦公等遠端及線上應用的強勁需求可延續至第3季,DRAM價格下季將持續看漲,有助帶旺南亞科技營運。 南亞科技昨天舉行股東常會,報告了去年度財報,去年每股純收益3.23元,決議每股配息1.5元,以昨天收盤價60.7元計,現金增值利率約2.47%,並且今年並無董事改選議案。有股東關心大陸發展DRAM存儲對南亞科技的影響,南亞科技董事長吳嘉昭表示,南亞科技密切觀察對岸發展狀況,但目前得到的資訊顯示,競爭對手並沒有太大的進展。 他強調,南亞科技本身必須在技術方面加速研發,同時做好留才、育才措施,提升競爭力。 吳嘉昭表示,這次股東會通過將盈利撥出8億新台幣給員工分紅,雖然比去年少,但仍是台灣晶圓廠中僅次於台積電的廠商。以南亞員工3,300人估算,每人可領超過24萬新台幣,公司也希望研發人員能由目前的800人,再增至千人。 談到DRAM後續市場,李培瑛表示,居家上班與線上教學、購物等遠端應用第一季度帶動雲端、網通與個人電腦需求強勁,目前相關需求依然不錯,並可望延續到第三季度。他預期,第3季DRAM合約價仍有機會上漲。 李培瑛表示,新冠肺炎疫情發展、美中貿易摩擦,以及美國擴大管制華為,是未來產業景氣三個變數,不過這些變數都僅造成短期影響,長期來看,DRAM是各項電子產品的關鍵零組件,應用會持續成長,幾大供應商也理性控制產出,尤其很多大廠很大比重獲利是來自於DRAM,不會殺價競爭,產業長期發展是相當健康。 至於美國擴大圍堵華為,李培瑛說,不評論特定客戶,不過,南亞將會在法規許可范圍內,盡量配合客戶需求。 ...

美光正擴增1znm DDR4 DRAM的生產線,主要生產用於PC上的16Gb顆粒

目前DRAM記憶體的製程處在10nm級工藝,其中第三代10nm級工藝被業界稱為1znm工藝,該工藝節點是當前DRAM記憶體在量產方面的最新節點,三星最早去年三月份首發了1znm工藝的8Gb DDR4 DRAM記憶體,美光隨後在八月份宣布他們的1znm製程也開始量產了,並且是用於16Gb顆粒的生產,現在美光正在積極擴大其1znm DDR4 DRAM生產線。 據DigiTimes報導,有知情人士稱,存儲器製造商美光(Micron)正在對其台灣工廠的1znm DDR4 DRAM生產線進行大量投資。1znm工藝是存儲器行業中最新的節點尺寸,具有更高的密度,更高的效率和更快的速度。 據報導,在這個1znm的生產增長階段,美光專注於生產用於台式機和筆記本電腦的16Gb顆粒的DDR4記憶體產品,生產在台中進行。同時,美光還計劃在其桃園工廠推動1ynm記憶體產品的批量生產,美光在廣島的工廠現在致力於生產用於移動平台的低功耗記憶體產品。 預計該公司還將在1znm節點上生產其大部分早期DDR5產品,不過暫時美光的主要重點仍然是DDR4。 1znm工藝屬於10nm級工藝,但10nm級工藝並不是10nm製程,這是由於20nm節點之後DRAM的工藝升級變得困難,所以DRAM記憶體工藝的線寬指標不再那麼精確,於是有了1xnm、1ynm及1znm之分,簡單來說1xnm工藝相當於16-19nm,1ynm工藝相當於14-16nm,1znm工藝大概是12-14nm級別,而在這之後未來還有1α及1β工藝等待被研發和應用。 ...

一季度記憶體單價上漲但是銷量下跌,總產值仍然小幅下跌

去年年底就有行業分析師稱2020年記憶體的平均銷售價格將上升30%。去年年底的時候記憶體基本上已經止跌了,波動幅度非常小,記憶體價格基本上已經探底。DRAM顆粒廠商隨後也縮小了供應以減少自己的虧損幅度,在供過於求的階段結束之後,記憶體價格就會開始呈現上漲態勢,從今年第一季度的情況來看記憶體單價確實在開始上漲,不過由於疫情的影響其整體銷量並不好,所以一季度記憶體行業的總產值還是小幅下跌了,但是受阻的出貨量預計會在第二季度顯示出來,屆時二季度產值有望上漲20%。 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,第一季DRAM供應商庫存去化得宜,季末的庫存水位與年初相比已經顯著下降,因此降價求售壓力不再,整體DRAM(記憶體)均價相較前一季上漲約0-5%。然而,因應新冠肺炎疫情,各國祭出封城鎖國政策,導致物流受阻,DRAM的位元出貨也受到影響。所以雖然均價小幅上漲,但第一季DRAM整體產值季衰退4.6%,達148億美元。 集邦咨詢指出,第一季受阻的出貨將遞延至第二季,因此在DRAM均價上漲幅度擴大且出貨量同時提升的情況下,集邦咨詢預測第二季DRAM整體產值將季增超過兩成,原廠的營收與獲利能力將持續成長。 DRAM均價小漲帶動原廠第一季獲利能力提升 第一季因疫情導致出貨受阻,「價漲量縮」的情況下,三大DRAM原廠第一季營收均呈現小跌,三星跌幅約3%、SK海力士約4%,美光則約11%(本次財報季區間為2019年12月至2020年2月)。市占方面,三星約44.1%、SK海力士為29.3%,美光則為20.8%。展望第二季,由於產能規劃大致相同,因此集邦咨詢預期市占比例不會有太大變化。 三大原廠的獲利受惠於第一季DRAM均價上揚而維持成長。三星去年第四季的營業利益率受惠於一次性認列而大增,墊高基期,所以雖然第一季營業利益率下滑至32%,但實質的獲利能力仍持續提升。SK海力士第一季營業利益率為26%,與上季的19%相比明顯改善。美光本次財報季區間的報價漲幅小於韓廠,加上當前因開發1Z製程導致成本增加,使得營業利益率小幅下滑,但預計下次財報區間(3月至5月)會有明顯改善。 三大原廠產能規劃保守,資本支出續降 觀察各廠產能與技術能力,三星持續將部份產能(Line13)由DRAM轉向圖像傳感器(CMOS image sensor),不過平澤二廠預計下半年投入DRAM生產,彌補Line13的投片下滑,同時提高1Z製程的比重。整體而言,考量疫情對需求面的沖擊,三星審慎規劃產出,2020年產能增加幅度不高;SK海力士持續將M10廠的DRAM投片轉向圖像傳感器,並增加M14的產出,另將於下半年小幅提高無錫廠的產能。但全年的整體產能增加幅度不高,主要由1Y納米製程比重提升貢獻;美光的投片與產能與去年相較沒有太大改變,今年度資本支出將著重1Z製程的量產與產出提升,目前正值OEM積極驗證階段,很快就能導入實際量產。 整體而言,三大原廠先進位程的開發與導入雖有遞延,但大致順利,沒有重大質量異常情況發生。今年整體DRAM產能沒有明顯成長,資本支出也持續下降,供給位元成長主要來自於1Y與1Z納米等先進位程的轉進,並非實質投片增加。 台廠重心皆為先進位程的研發與轉換 南亞科第一季出貨量雙位數成長,帶動營收較前一季增加近10%,加上研發費用的控制,營業利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季,在均價上揚的挹注下,獲利能力將持續進步;華邦第一季量價大致持平,因此DRAM營收變化幅度不大,成長力道以NAND Flash(快閃記憶體)較為明顯;力晶科技第一季仍以影像傳感器需求較為強勁,排擠DRAM產能,因此營收小幅下滑3%(營收計算主要為力晶本身生產之標準型DRAM產品,不包含DRAM代工業務)。 盡管營收表現分歧,但台廠今年重心都在下一代製程的研發,如南亞科宣布不使用美光授權後專注於1A/1B納米,華邦持續提升25納米新製程的良率和產品多樣性,力晶則專攻25納米DDR4產品的穩定度與兼容性。 ...