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Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式隨機存儲器，在近幾年MRAM存儲器的容量也有了很大的提升，相對大容量的MRAM存儲器也開始量產，這也意味著MRAM存儲器可以進入更廣泛的應用場景。所以近日群聯就與Everspin進行合作，群聯將開發下一代eSSD控制器，以支持自旋扭矩磁阻隨機存儲器STT-MRAM緩存晶片。 圖片來自BusinessWire 群聯稱將推出企業級SSD控制器支持Everspin的STT-MRAM晶片，以作為寫入緩沖器，實現更高效的I/O管理。將緩存換為STT-MRAM可以提升SSD的I/O性能，使SSD製造商能夠更好地管理I/O流，從而實現更好地延遲確定性，提高QoS。同時STT-MRAM是具有非易失性的，所以可以在不適用超級電容器的情況下實現斷電保護，而且這也會簡化SSD的電路結構，並通過更多的3D NAND快閃記憶體封裝提升SSD的容量，最終達到提升SSD性能及可靠性的目的。 現款群聯PS5016-E16主控及SSD 在不久前Everspin宣布開始生產容量為1Gb的STT-MRAM存儲器，相對於此前同類產品的容量有了明顯提升，而且由於採用了標準8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC標準的BGA封裝，所以適用性也有了很大的提升。 雖然這些晶片作為SSD中的存儲晶片容量依舊不夠，但作為緩存晶片則擁有很多的優勢。此次群聯與Everspin合作，並為企業級SSD控制器帶來原生STT-MRAM存儲器提供原生支持，可以使得MRAM晶片向更廣的應用范圍推廣，而且隨著使用量的提高，成本也會逐漸降低。 ...

MRAM磁阻式隨機存儲晶片作為下一代存儲晶片，近幾年也是備受關注。從今年年初開始已經有如英特爾、三星等廠商宣布將量產MRAM存儲晶片。現在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存儲晶片進入試生產階段。 圖片來自BusinessWire Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩傳遞磁阻隨機存儲器）的研發工作，將進入試生產階段，採用28nm工藝製造。在去年Everspin就已經批量生產了256Mb的STT-MRAM存儲晶片，讓企業基礎設施及數據中心增強其可靠性及性能。此次試生產的1Gb容量產品大幅提升了這類產品的容量的同時，也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延遲確定性並允許存儲OEM提供商為他們的產品顯著提升服務質量。而採用1Gb容量的STT-MRAM存儲設備作為存儲和結構加速器、計算存儲及其他應用的持久數據緩沖器，也可以實現類似的優勢。 此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存儲器使用了8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC標準的BGA封裝方式，更增強了其適用性。 Everspin公司可能並不為讀者所了解，這家公司在2008年從飛思卡爾半導體剝離，專注於研發MRAM磁阻隨機存儲器，其研發人員此前一直都在研發MRAM。 本次Everspin將STT-MRAM的容量提升至1Gb是這類產品的一個里程碑，但這個容量依舊不是很大，即使MRAM具有非易失性存儲器的持久性，而且其隨機性能很強，但是作為SSD等產品容量依舊不夠，所以嵌入式設備更適合搭載MRAM存儲晶片。隨著今年開始越來越多的公司開始批量生產MRAM存儲晶片，未來我們會更快見到MRAM產品的推出。 ...