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其實在選平台的時候你也會遇到這樣的問題，主板和記憶體是選DDR4還是DDR5呢？DDR5的記憶體價格已經降了不少，主頻比DDR4高得翻了一倍不止，是不是應該無腦加價上DDR5平台了？ 這時候我就要說且慢了，雖然DDR5記憶體的頻率起步就達到了4800MHz，但可並不意味著其性能就比4代記憶體翻番，因為記憶體性能可不是主頻決定的。 玩家還需要關注的一個參數是記憶體的時序，因為時序關繫到記憶體的時延，更應該首先考慮。具體來說，記憶體延時=時序（CL x 2000 ）/記憶體頻率，也就是說在同樣的頻率下，記憶體的時序越低越好。 時序是由4個數字組成的一組數，我們只要知道它們指代記憶體中不同工作區的時間即可，不需要了解每個時序的含義。很多玩家忽視的是，目前大多數DDR5記憶體的時序達到了40以上，而DDR4記憶體的時序卻能控制在20以下，這樣一來DDR5的高頻率優勢就不復存在了。 來源：快科技

根據TrendForce集邦咨詢的最新調查，由於新冠肺炎疫情的持續，「宅家經濟」仍然強勁，所以遊戲機等遊戲產品的銷售和相關零部件的需求都保持在一個不錯的水平。然而，在過去的兩個月里，加密貨幣的價值急劇下降，導致圖形DRAM市場因此在21年第三季度進入熊市。 雖然現貨市場上的圖形DRAM價格可能會出現最嚴重的波動，但由於DRAM供應商仍然將伺服器DRAM的生產置於其他產品類別之上，而且絕大多數圖形DRAM的供應仍然被主要采購商壟斷，因此預計3Q21的圖形DRAM合同價格將按季度增長10-15%。 應該指出的是，鑒於圖形DRAM市場的高度波動性，與其他主流DRAM產品相比，圖形DRAM價格逆轉或經歷更劇烈的波動是比較正常的。因此，如果加密貨幣市場繼續看跌，那麼圖形DRAM的價格不太可能在4Q21出現進一步上漲。相反，TrendForce預計4Q21的價格將與第三季度基本持平。 最近對圖形DRAM產品現貨交易的觀察表明，這個市場的變化與以太坊（ETH）的價值變化密切相關，因為顯卡是處理這種加密貨幣的挖礦算法的關鍵工具。由於ETH價格在兩個月內下跌了50%以上。相應地，加密貨幣礦工和投資者對ETH的興趣也大大降低。加密貨幣礦工的需求暴跌也意味著大量的顯卡被推向了二手市場。TrendForce的調查顯示，在過去一個月或更長時間里，顯卡的現貨價格下降了約20-60%。跌幅的差異取決於品牌和技術的生成。此外，顯卡現貨價格的全面下跌，也嚴重製約了顯卡DRAM的現貨需求。 根據TrendForce的了解，盡管GDDR6晶片的現貨價格仍然高於合約價格，但兩者的差距正在迅速縮小。這又會對未來GDDR6晶片的總體價格趨勢產生不利影響。用於前幾代顯卡的GDDR5晶片的交易則更加低迷。現在的現貨價格實際上比GDDR5晶片的合同價格低20%左右。這里的差異表明，老式顯卡過剩，嵌入其中的GDDR5晶片不再有高需求。 整體而言，圖形DRAM現貨市場是一個反應極快的市場，其價格已經開始反映出終端產品領域的需求減弱，尤其是用於加密貨幣挖礦的顯卡。隨著二手顯卡供應的增加，一些顯卡製造商可能因此啟動促銷降價以促進銷售。此外，現貨市場的買家也可能開始預期更低的價格，這種預期可能會導致他們的顯卡需求大規模下降，或者導致這些買家對圖形DRAM採取投機態度。因此，TrendForce認為，GDDR6晶片的現貨價格和合同價格之間的差距將在3Q21開始縮小。 ...

今年的顯卡真是太難了。NVIDIA RTX 30系列、AMD RX 6000系列都是極為優秀的產品，但都被缺貨的魔咒緊緊纏繞，多少人持幣待購就是買不到，還經常遭遇黃牛肆意加價。 上一代的RTX 20系列停產速度過快，直接導致大面積缺貨，緊隨而來的就是漲價。 現在，顯存也不清淨了。 據業內人士從采購市場了解到，GDDR5顯存目前的報價很高，過去一個月一直都在上漲，采購成本已經翻了一番，來到5美元左右一顆。 目前的中高端顯卡都已經用上GDDR6、GDDR6X新一代顯存，繼續使用GDDR5的都是低端或老顯卡，尤其是N卡，比如GTX 1050 Ti、GT 1030、GT 730、GT 710。 這類產品原本就價格、利潤都不高，對成本極為敏感，現在隨着GDDR5顯存漲價，預計這些顯卡會從12月份開始被迫漲價，幅度預計至少在10-25元。 GDDR5作者：上方文Q來源：快科技

據外媒報道稱，由於種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5記憶體的平台了。 三星方面也已經表示，2021年量產DDR5記憶體，並且使用EUV工藝，製作將會在韓國平澤的新工廠進行，三星同時宣布第一批採用EUV工藝的DDR4記憶體已經出貨了100萬。 三星表示EUV技術減少了光刻中多次曝光的重復步驟，並提高了光刻的准確度，從而提高性能、提高產量，並縮短了開發時間。三星估計，使用EUV工藝生產DDR5記憶體，其12英寸D1a晶圓的生產效率會比舊有的D1x工藝的生產力提升一倍。 據悉，三星第四代10nm級（D1a）DRAM或高端14nm級DRAM開始全面導入EUV技術，明年會使用D1a工藝大規模量產DDR5和LPDDR5芯片，預計會使12英寸晶圓廠的生產效率翻倍。 DDR5記憶體的標準是在2019年發布的，標準帶寬是32GBps，至於這個記憶體更多的細節，目前還不清楚。 作者：雪花來源：快科技

近日，三星S20系列和小米10系列先後發布，全新的LPDDR5記憶體成為兩家的共同賣點之一，作為面向移動式電子產品的新一代記憶體芯片，LPDDR5與當前主流的LPDDR4X相比，性能暴漲的同時讓設備獲得更佳的綜合續航表現，部分媒體甚至喊出手機記憶體性能要全面超越PC的觀點。 一句話點評：1、LPDDR5是移動平台當前最新一代記憶體規范；2、DDR5是電腦平台的下一代記憶體規范；3、GDDR5是獨立顯卡的上一代顯存規范，三者分別是三個不同平台的動態存儲器規范。 手機中的LPDDR5帶來可觀性能增長的同時，也給不少朋友帶來了一些疑問，比如LPDDR5跟DDR5有什麼關系？顯卡顯存現在都用上了GDDR5了，手機為什麼才用LPDDR5？DDR、LPDDR和GDDR這三種名字中都帶有「DDR「的「記憶體」之間又有什麼關系？ 帶着這些疑問，本文將來談談DDR、LPDDR和GDDR三者之間的關系與區別，以及當前最新的記憶體技術都在怎樣的發展狀態。 DDR、LPDDR和GDDR這三位仁兄分別是什麼 DDR的規范名稱應該為DDR SDRAM，英文全稱Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文意思為雙倍速率同步動態隨機存儲器，是在SDRAM基礎上發展而來的存儲器，普通的DDR記憶體條主要用在PC上，當前PC市場上最主流的記憶體為DDR4記憶體，最新DDR5記憶體尚未投入大規模商用。 LPDDR是在DDR的基礎上多了LP（Low Power）前綴，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRAM），擁有比同代DDR記憶體更低的功耗和個小的體積，該類型芯片主要應用於移動式電子產品等低功耗設備上，主流的LPDDR4X是LPDDR4的省電優化產品，如無意外，最新一代的LPDDR5記憶體將搭載在本年度絕大部分的旗艦手機上。 GDDR是在DDR的基礎上多了G（Graphics）前綴，主要用於高速圖像處理的場合，比如計算器的顯卡中，可以簡單理解為專門為顯卡而做的DDR記憶體，這種記憶體與普通DDR相比，擁有更高的時鍾頻率和更小的發熱量，最新一代GDDR6顯存已經搭載在英偉達（NVIDIA）最新一代RTX20系顯卡和AMD最新一代5000系顯卡上，標準規范主要由GPU（起始位ATI和NVIDIA）廠商聯合制定。 通過上述簡單整理，大概可以了解到這三者之間的明顯區別，雖然同樣作為臨時數據存儲器，大部分衡量指標也類似，但具體應用場景還是有較大差異的，從應用場景來說，DDR主要應用在PC，LPDDR主要應用在便攜設備，GDDR主要應用在顯卡上。 DDR與LPDDR之間的秘密 使用場景相對接近的LPDDR和DDR，在發展過程中有較大的交集，LPDDR在LPDDR4之前都是基於同代的DDR發展而來的，同一代的LPDDR擁有比DDR更好的能耗比，但DDR擁有更高的性能上限。 而從第四代開始，兩者開始走上不一樣的發展道路，DDR主要是通過提高核心頻率來提升性能，而LPDDR繼續選擇提高Prefetch預讀取位數，而在投入商用的先後方面，LPDDR4搶在DDR4之前登陸消費者市場，兩者由類似從屬的關系開始演變變成兩套相對獨立的規范體系，分別根據自己的應用場景需求向前發展。 在兩者當前最新的產品線里，LPDDR跟DDR的規格差異已經比較大，LPDDR3和DDR3這種主要參數基本一致的情況已經不復存在，兩者之間的通用性也自然沒有前代這麼強。 拿LPDDR4和DDR4來說，LPDDR4是用兩個16位通道組成32位總線，而DDR4卻具備原生64位通道，LPDDR4的Prefetch預讀取位數為16bit，而DDR4為8bit，這在實際運算過程中，DDR4的性能利用率會更高，但LPDDR卻可以用更低的功耗來獲取更高的理論性能。 這些改變是兩個不同規范，針對兩個不同平台的實際應用需求作出的改進，但這些改進也影響了兩者之間的通用性，對其他硬件和軟件的兼容性提出了更高的要求，也是英特爾酷睿系列在第六代支持DDR4後，一直到第十代才加入對LPDDR4的支持的一個重要原因。 而最新的LPDDR5再次成功搶跑DDR5，在DDR5規范還沒正式確定的時候已經完成了量產，LPDDR5自然也不是根據DDR5的基礎上改進而來，而是在LPDDR4X的基礎上針對移動平台重新設計的新一代低功耗記憶體規范，未來的DDR5是基於DDR4演進而來的，兩者之間的差異將越來越大。 GDDR6比LPDDR5先進？ GDDR跟另外兩者幾乎沒什麼直接競爭關系，在應用場景上也鮮有交集，基本在默默輔助着顯卡們，跟隨着GPU技術的發展而不斷改進着自己性能，現在已經來到了第六代的GDDR6（Graphics Double Data Rate， version 6 ），這個「6「也是很多人的認識誤區的來源，GDDR6的看上去似乎比另外兩位「高級」一點，LDDR5似乎沒什麼厲害的啊。 但實際上，同為「5「代的GDDR5技術已經應用了十多年，與DDR4比都不在一個時代，更不用說剛開始商用的LDDR5技術，GDDR5、GDDR4、GDDR3都是基於DDR3記憶體技術開發而來的，而最新的GDDR6是基於DDR4記憶體技術開發而來的。 由於性能側重點的不同，三者發展路線是相對獨立的，雖然GDDR目前為止仍是基於相對較「舊」的DDR3/4規范，但是自身的代數已經率先演進到第六代的GDDR6，在數據位寬等最影響顯卡性能表現的參數方面，擁有遠超同期DDR的運行頻率，而其自身的發展基本不再需要很依賴DDR技術的向前演進。 上文提到的DDR和LPDDR目前為止還可以用同一數字就是同一代的方法來區分，但GDDR自GDDR3後，雖然名字里都有DDR，但不能再用後綴數字來區分它與DDR之間的代數關系。 總結 總結一下DDR、LPDDR、GDDR三者的關系，LPDDR和GDDR在起始階段都是根據自身的應用場景依照DDR規范發展改進而來，但都在後面根據自己的實際應用需求發展出不同「偏科「方向的獨立新規范，現在最新的DDR4、LPDDR5、GDDR6已經不可以簡單的進行性能對比或互為演進代數的參照。 在演進的速度方面，DDR是最慢的，GDDR的代數目前為止最多，但主要是其中部分規范，如ATI主導制定的GDDR4規范基本沒什麼存在感就被淘汰了，LPDDR近幾年由於手機等便攜平台的發展迅速，進入了高速發展迭代期，這也是從LPDDR4開始連續搶跑的源動力。 除此之外，PC平台最近今年的整體迭代速度也在放緩，記憶體也遠沒有到成為瓶頸的時候，但LPDDR記憶體由於在便攜設備的功耗占比較高，還承載着部分顯存的責任，其升級對移動平台的性能發揮和續航表現的影響，有着比DDR升級於PC更顯著的效果，用戶在日常使用中的感知也更強，自然也擁有更大的市場推動力。 而在具體性能方面，由於各有「偏科」，在各自最新一代規范中，雖然存在許多相同的參考標準，但都各有側重，單獨把某些性能拿出來對比並不能准確地比較出各自的優勢。比如LPDDR5目前在數據傳輸速率上，理論性能的確領先DDR4一個身位，但因為這個理由就鼓吹LPDDR5可以吊打DDR4其實並不合適，畢竟高通、蘋果和華為這幾年在ARM架構處理器上瘋狂提高移動設備的運算性能，也沒有讓英特爾和AMD在PC領域中受到太多的直接沖擊。 來源：快科技

美光於前日宣布已經開始向業界中的核心客戶出樣DDR5記憶體（RDIMM）了，目前他們在DDR5記憶體上面使用的是自家最新的1z nm工藝。 JEDEC於2016年就開始制定DDR5 SDRAM規范了，不過到目前為止，DDR5標準仍然處於完善期，JEDEC還沒有公布它的最終版本，預計它將會在今年正式完成DDR5標準的制定。反而是LPDDR5快了一步，在去年2月份標準就已經正式公布，並且有廠商已經推出了實際產品，並且在今年已經有移動處理器支持它了。 美光的DDR5技術文檔也得以讓我們一窺DDR5記憶體的特性。首先，在同樣的等效頻率下，DDR5記憶體能夠提供更高的有效帶寬，比如同樣處於3200MT/s下，DDR5-3200的有效帶寬比DDR4-3200的要高出36%；其次是DDR5（在JEDEC標準范圍內）的等效頻率能夠去到更高，可以達到DDR5-6400，而在DDR5-4800時，其有效帶寬就已經是DDR4-3200的1.87倍了。 最近幾年CPU的核心數在顯著的增多，不止是服務器端，桌面端在Coffee Lake和Zen、Zen 2的推動下也是有越來越多的核心，核心數是多了，但是記憶體帶寬仍然只有這麼點，這使得每個核心在同時間可以吃到的記憶體帶寬在減少，這將給處理器整體的性能帶來負面影響，目前在桌面端它表現的還不是非常明顯，可能也就是Ryzen 9 3950X這種用着雙通道DDR4記憶體的16核處理器上能夠看到。 美光還在計劃新的工藝節點，在目前的1z nm節點之後，他們規劃了1α、1β和1γ，將繼續提升記憶體的存儲密度，這也將是DDR5的一個重要特徵。 來源：快科技