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近年來高帶寬內存（HBM）的需求急劇上升，尤其是人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯，HBM產品的銷量節節攀升。雖然去年存儲半導體行情疲軟，但是HBM3這類高附加值產品需求激增，填補了存儲器廠商其他產品的損失。此前有報導稱，隨著英偉達和AMD等公司大量生產AI GPU，市場需求飆升了500%，而且價格創下了歷史新高。 TrendForce發布了新的調查報告，顯示由於HBM產品售價高、利潤高，讓存儲器廠家選擇擴大資本支出，預計至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2024年HBM產值占比將達到DRAM產業約20.1%，相比2023年8.4%大幅增長。 從HBM和DDR5的生產差異來看，在相同製程和容量的情況下，HBM晶片比起DDR5晶片的尺寸大了35%至45%，但是良品率卻低了20%至30%，生產周期也會多出1.5到2個月。由於HBM生產周期更長，加上投產和封裝部分，需要兩個季度以上才能完成生產。如果買家想保持充足的供應，需要更早地鎖定產能。據了解，大部分2024年的訂單都已遞交給供應商，除非有驗證無法通過的情況，否則這些訂單量均無法取消。 目前SK海力士和三星的HBM產能規劃都非常積極，三星HBM總產能至年底將達約130K（含TSV），而SK海力士約120K。雖然現在SK海力士占據了超過90%的HBM3市場，不過三星會在之後的幾個季度里放量，伴隨AMD的Instinct MI300系列到來。 ...

在去年颳起的人工智慧（AI）浪潮中，高帶寬存儲器（HBM）和先進封裝逐漸成為了半導體巨頭們新的戰場。目前SK海力士在HBM市場的處於領導地位，憑借對英偉達AI GPU的HBM3訂單，占據了HBM市場54%的份額。原本排在SK海力士和三星後面的美光，憑借更好的工藝，率先獲得了英偉達用於新款H200的HBM3E訂單，看到了趕超的希望。 去年美光、SK海力士和三星先後發送了HBM3E樣品給英偉達，用於下一代AI GPU的資格測試，目前只有三星還沒得到英偉達的訂單。據Wccftech報導，三星之所以落後於競爭對手，主要原因是HBM晶片良品率偏低，傳聞HBM3晶片的良品率僅在10%到20%之間，而SK海力士則是60%到70%。良品率作為晶片製造中的關鍵部分，決定了矽片中可用晶片的數量。 為了解決HBM晶片生產上的良品率問題，三星正在采購新的設備和材料，並改進HBM晶片的封裝技術。有消息稱，三星可能改用SK海力士早在HBM2E上就已引入的MUF技術，取代現有的NCF技術，不過隨後三星予以否認，表示將繼續依靠自己的封裝技術。 投資者也注意到三星在HBM競爭中處於不利的局面，這已經體現在股價上：三星今年以來股價累計下跌了7%，而SK海力士和美光在同一時期內，估計分別上漲了17%和14%。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動著對先進工藝和封裝技術的發展，市場需求在迅速增長。特別是去年以ChatGPT為首的人工智慧工具在全球范圍內掀起了一股熱潮，對數據中心GPU的需求大幅度提高，使得各個晶圓代工廠和晶片製造商更加重視封裝技術方面的投入，同時還選擇進一步擴大封裝產能。 最近負責SK海力士研發工作的副總裁Lee Kang-Wook接受了媒體的采訪，表示SK海力士正在加大在先進晶片封裝方面的支出，打算在韓國投資10億美元建造先進封裝設施，以進一步擴大先進封裝產能，希望能夠抓住市場對高帶寬存儲器日益增長的需求帶來的機遇，同時鞏固SK海力士目前在HBM市場的領導地位。 Lee Kang-Wook認為，半導體行業前50年的重點一直在前端，也就是晶片的設計和製造，而接下來的50年的重心將移到後端，即封裝部分。雖然SK海力士每月公布今年的資本支出預算，但行業分析師做了評估，預計金額約為14萬億韓元（約合106.88億美元/人民幣768.6億元），其中大概十分之一用於先進封裝技術，比重並不算小。 Lee Kang-Wook曾在HBM2E上採用了開創性的封裝方法，是SK海力士在2019年底贏得英偉達訂單的關鍵。 ...

目前英偉達為人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）應用銷售的晶片比業內其他企業都要多，這些高性能計算卡需要大量HBM類晶片，如果想保持這種狀態，就需要穩定的供應。為了更妥善且健全的供應鏈管理，同時為了保證下一代產品的供應，英偉達規劃加入更多的供應商，去年末三星、SK海力士和美光都參與到英偉達下一代AI GPU的資格測試中。 據DealSite報導，英偉達的資格測試似乎給HBM製造商帶來了困難，比起普通的內存產品，HBM類產品的良品率明顯較低，這一定程度上影響了供應。相比市場對於HBM類產品的巨大需求，目前存儲器製造商的產能有所不足，供應十分緊張，SK海力士和美光先後表示2024年HBM產能售罄。 HBM需要在基礎晶圓上通過矽通孔（TSV）連接多層DRAM，如果其中一層出問題就意味著整個HBM堆棧報廢。隨著堆疊層數的增加，良品率有可能會進一步降低。有消息人士稱，現階段HBM類產品的良品率約為65%，如果想要提高這一數字，產量就會下降。存儲器製造商之間的競爭就是在良品率和產量之間找到平衡，提供合適的解決方案。據了解，美光和SK海力士似乎在英偉達的資格測試中處於領先位置，其中前者已經通過了認證階段，開始為下一代H200產品生產HBM3E晶片。 目前SK海力士和三星都打算增加HBM類產品的產量，不過較低的良品率加上更高的需求，從長遠來看是個大問題。 ...

隨著生成式人工智慧（AI）市場的爆發，也帶動了AI晶片需求的暴漲。AI晶片龍頭英偉達業績更是持續飆升，最新公布的第四財季財報顯示，營收同比暴漲265%至221億美元，淨利潤同比暴漲769%至122.85億美元，持續突破歷史記錄，推動英偉達市值突破2萬億美元。 隨著AI晶片需求持續大漲，作為目前AI晶片當中的極為關鍵的器件，HBM（高帶寬內存）也是持續供不應求。繼此前美光宣布今年HBM產能全部售罄之後，最新的消息顯示，SK海力士今年的HBM產能也已經全部售罄。 SK海力士、美光今年HBM已全部售罄 雖然整個2023年全球半導體市場遭遇了“寒流”，特別是存儲晶片市場更是下滑嚴重。但是，受益於生成式AI帶來的需求，面向AI應用的DRAM依然保持了快速的增長。 SK海力士在2023年度財報當中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求，公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。 近日，SK海力士副總裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，雖然2024年才剛開始，但今年SK海力士旗下的HBM已經全部售罄。同時，公司為了保持市場領先地位，已開始為2025年預作準備。 金基泰解釋稱，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年內存市場有望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC、智慧型手機等設備對於的AI應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。 值得一提的是，在去年12月底財報會議上上，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益於生成式AI的火爆，推動了雲端高性能AI晶片對於高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。其中，2024年初量產的HBM3E有望於2024會計年度創造數億美元的營收。 技術優先，HBM4將成未來競爭焦點 “隨著生成式AI服務的多樣化和進步，對AI內存解決方案HBM的需求也呈爆炸式增長。HBM 以其高性能和高容量的特性，是一款具有里程碑意義的產品，它動搖了存儲半導體只是整個系統的一部分的傳統觀念。尤其是SK海力士HBM的競爭力尤為突出。”金基泰說到。 金基泰強調，HBM的銷售競爭力也是基於“技術”。這是因為，為了及時應對AI內存需求快速增長的市場形勢，首先確保客戶所需的規格最為重要。其次，察覺市場變化並提前做好准備也很有效。 HBM（高帶寬內存）：一種高價值、高性能產品，通過通過矽通孔（TSV）連接多個 DRAM 晶片，創新性地提高了數據處理速度。HBM已發展到第1代（HBM）、第2代（HBM2）、第3代（HBM2E）、第4代（HBM3），目前已發展到第5代（HBM3E）。HBM3E是HBM3的擴展版本。 此前SK海力士就曾對外宣布，該公司的HBM3E將在今年上半年發布。最新的報導也顯示，SK海力士於1月中旬正式結束了HBM3E高帶寬內存的開發工作，並且順利完成了英偉達（NVIDIA）歷時半年的性能評價，計劃於今年3月開始大規模生產HBM3E，並在4月針對英偉達供應首批產品。相比之下，其競爭對手三星電子和美光雖然很早也向英偉達提供了HBM3E樣品，但它們要到3月份才會開始最終的產品品質認證測試。 據了解，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/ 的數據傳輸速率，單個 HBM3E 內存堆棧可提供 1.2 TB/ 的理論峰值帶寬，對於由六個堆棧組成的內存子系統來說，帶寬可高達 7.2 TB/。 隨著人工智慧和高性能計算（HPC）行業的需求持續增長，因此具有2048位接口的下一代HBM4內存成為各家內存大廠發力的重點。SK海力士認為，HBM4將推動人工智慧市場的巨大增長。 據了解，下一代的HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個堆棧的理論峰值內存帶寬提高到 1.5 TB/...

現在人工智慧相關產業相當興旺，而想堆高AI算力是需要硬體支持的，這也導致了各種計算卡的銷售火爆，這也拉動了各種顯存的銷量，而大部分高端計算卡用的都是HBM，比如NVIDIA H200單塊就擁有141GB的HBM3e顯存，現在全球的HBM產能主要都由三星與SK海力士所包辦，他們確定通過升級現有設施並對當前和下一代工藝進行重大改進來重復利用這一巨大需求，看來他們已經開始享受市場對HBM的巨大需求的好處了 SK海力士表示，這幾個月HBM銷售破紀錄，2024年全年的HBM產能都已經售罄，這帶動了公司第四季度的盈利，並為存儲市場復蘇打響信號。 在官方新聞裡面SK海力士副總裁金起台分享了他們在HBM市場上的做法，他認為提前做好應對人工智慧時代到來的准備，是HBM在市場上獲得成功的重要原因。SK海力士已在HBM市場取得了領先地位，並計劃在2024年最大限度的擴展這一主導地位。為實現這一目標，公司新設立了HBM業務部門，整合了包括產品設計、設備研發、產品開發、量產及由金副社長領導的HBM銷售與營銷部門在內的所有部門。 隨著生成式人工智慧服務變得越發多樣化和復雜化，對人工智慧存儲解決方案HBM的需求也大幅增長。高性能、高容量的HBM是一款具有里程碑意義的產品，它顛覆了存儲半導體只是整個系統一部分的傳統觀念。特別是SK海力士的HBM競爭力非常出色，我們憑借高超的技術實力，在全球大型科技公司中備受青睞。此外他們還透露了HBM領域的驚人需求，聲稱今年供應已經售罄，SK海力士已經為2025財年的主導地位做好了准備 。這其實一點都不令人驚訝，因為已經可預見在2024年AI將出現巨大的繁榮，並隨著NVIDIA和AMD等公司為下一代解決方案做准備，對HBM的需求也非常巨大。隨著HBM3e和HBM4未來進入市場，我們可能會看到進一步令人震驚的收入數據。 積極爭取客戶的購買量，協商以更有利的條件銷售高質量產品，是半導體銷售的基礎。我們有了好的產品，接下來就是速度戰。今年HBM已經「售罄」，因此，盡管2024年剛剛開始，但為了保持市場領先地位，我們已經開始為2025年的市場做准備了。 　 ...

近年來高帶寬內存的需求急劇上升，尤其是隨著人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯，HBM產品的銷量節節攀升。與此同時，三星、SK海力士和美光都在加緊開發新產品，特別是HBM4等下一代技術，以搶占高附加值市場，提升公司業績。 去年存儲半導體行情疲軟，但是HBM3這類高附加值產品需求激增，填補了存儲器廠商其他產品的損失。據相關媒體報導，HBM產品正見證存儲半導體行業的大幅度的經濟反彈，隨著英偉達和AMD等公司大量生產人工智慧（AI）加速器，市場需求飆升了500%，而且價格創下了歷史新高。這種趨勢似乎在短期內野不會停止，預計未來一段時間內市場會迅速發展。 目前SK海力士和三星占據了市場地位，雙方合計擁有超過90%的市場份額。近期有報導稱，SK海力士制定了「One Team」戰略聯盟，拉攏了台積電（TSMC），雙方將合作開發HBM4晶片，後者極有可能負責封裝和測試部分，以提升產品的兼容性。 據市場調查機構的報告，顯示HBM市場預計在未來五年裡以45%的復合年增長率增長，這意味著巨大市場收入增長。市場樂觀的預期也提高了存儲器廠商的期望值，加上人工智慧的加持，很可能將HBM產品市場提升到新的高度。 ...

快科技2月4日消息，據媒體報導，中國領先的存儲企業長鑫存儲(CXMT)已經開始准備必要設備，計劃製造自己的HBM高帶寬內存，以滿足迫切的AI、HPC應用需求。 報導稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單采購製造、組裝、測試HBM內存的必要設備。 這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投產階段。 消息人士稱，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口HBM製造設備。 考慮到HBM內存需要先進、復雜的製造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得了突破。 目前，長鑫已經在合肥有了一座DRAM內存工廠，正在籌錢建設第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來製造HBM。 暫時還不清楚長鑫要生產的HBM是第幾代，可能是HBM3，而國際上已經有了更先進的HBM3E，SK海力士還計劃在2026年搶先投產HBM4。 根據規劃，HBM4將拋棄用了將近十年的1024-bit位寬，首次升級到2048-bit位寬，並有望堆疊更多層級，從而在容量、帶寬上都實現一次重大飛躍。 來源：快科技

HBM產品被認為是人工智慧（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智慧和高性能計算的影響下，HBM市場帶給了存儲器廠商新的希望，以推動收入的巨大增長。 據Wccftech報導，近年來高帶寬內存的需求急劇上升，尤其是隨著人工智慧熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK海力士和美光是HBM市場的三大巨頭，目前都在開發新產品，特別是HBM4等下一代技術受到了業界的極大關注，預計未來將占據主導地位。 市場研究機構的報告顯示，到2025年，HBM市場將達到高達49.76億美元，與2023年的數據相比，這幾乎是兩倍的增長。這個預測數字完全是基於當前和預期的行業需求，因為HBM銷售最多的關鍵領域是HBM產品在AI GPU中的應用。正如過去多次報導的那樣，AI GPU需求的突然增長造成了市場上HBM的短缺，而HBM是AI加速器的主要組成部分。 不過廠商對HBM的未來很樂觀，行業也在轉向更新的標准，HBM3e和HBM4等新產品將被製造商廣泛採用。比如英偉達就為2024年的數據中心產品制定了許多計劃，除了已經發布的H200，隨後還有基於Blackwell架構的B100，兩者都將採用HBM3e。 隨著人工智慧市場的蓬勃發展，存儲器製造商也看到了復蘇的跡象，可能會有更多帶動營收增長的機會。 ...

由於人工智慧（AI）需求激增，市場需要性能更強大的解決方案，英偉達計劃將新產品的發布周期從原來的2年縮短至1年，其高帶寬存儲器合作夥伴SK海力士有望延續HBM市場的領導位置，出現「贏家通吃」的局面。 上個月英偉達在投資者簡報中放出了產品路線圖，展示了2024年至2025年數據中心的規劃，下一代Blackwell架構GPU的發布時間從2024年第四季度提前到2024年第二季度末，並計劃在2025年發布後續的「X100」。據Business Korea報導，英偉達已經與SK海力士簽訂HBM3E優先供應協議，用於新一代B100計算卡。 雖然英偉達准備實現供應鏈多元化，美光和三星都向英偉達提供了HBM3E的樣品，完成驗證測試後就會正式簽約，不過有業內人士預計，SK海力士仍然會率先取得HBM3E供應合同，並從中獲得最大的供應份額。憑借與英偉達的交易，SK海力士在2023財年第四財季的營收有望時隔1年零3個月再次突破10萬億韓元。 明年英偉達即將推出的產品里，新增加的H200和B100分別會採用6個和8個HBM3E模塊。隨著英偉達產品線逐步向下一代產品過渡，HBM3E的使用量會增加，這也有利於SK海力士提升盈利能力。目前SK海力士以2025年為目標，積極開展HBM4的開發工作，以繼續保持競爭優勢。 ...

藉助人工智慧（AI）的東風，SK海力士成為了現階段HBM類產品的市場領導者，占據了最大的市場份額，也是英偉達數據中心GPU主要的顯存供應商。目前SK海力士正在開發下一代HBM4，同時計劃將相關配套技術擴展到DRAM領域，以更好地利用手上的技術資源。 據Business Korea報導，SK海力士准備2.5D扇出封裝，為下一代HBM和DRAM做准備，確保其技術保持領先的位置。SK海力士希望通過這種封裝方式，降低封裝的成本，而且能跳過矽通孔（TSV）工藝，同時增加I/O接口的數量。有業界人士認為，這種封裝技術很適用於GDDR這類圖形DRAM產品。 SK海力士打算將兩個DRAM晶片水平排列，然後組合在一起，像一個晶片那樣。由於晶片下面沒有添加基板，可以讓晶片變得更薄，會明顯減小了安裝厚度，SK海力士打算在明年公開披露使用該封裝製造的晶片的研究成果。 未來HBM會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。此前有報導稱，SK海力士目標是將HBM4以3D堆疊在邏輯核心上，有點類似於AMD的3D V-Cache技術，不過容量更高且更便宜，只是速度會慢一些。這不僅改變了邏輯和存儲晶片的互連方式，也將改變晶片的製造方式。 有SK海力士高層人士表示，在人工智慧時代，SK海力士將引領存儲半導體創新，針對每個客戶提供差異化的專業產品。 ...

幾天前，英偉達公布了2024財年第三財季（截至2023年10月29日）的財報，其中數據中心業務再次成為了亮點，收入為145.1億美元，遠遠高於去年同期的38億美元，也高於市場預期的127億美元，同比增長324%，環比增長38%。Omdia的統計數據顯示，英偉達在2023年第三季度大概售出了50萬塊A100和H100計算卡。 以往英偉達的支柱業務是遊戲業務和數據中心業務，不過後者現在在營收上遠遠拋開前者，顯然才是英偉達未來幾年的重點所在。目前英偉達的高性能計算卡需要大量HBM類晶片，為了更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達規劃加入更多的供應商。據TrendForce的研究顯示，三星的HBM3（24GB）預計在今年12月在英偉達完成驗證。 根據TrendForce匯總的信息，美光已經在今年7月底提供了8層垂直堆疊的HBM3 Gen2（24GB）樣品，SK海力士隨後在8月中旬也提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，而三星則在10月初提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。 由於HBM驗證過程繁瑣，一般要耗時兩個季度，預計最快會在今年年底得到驗證結果，2024年第一季度三大廠商都將完成驗證。 值得注意的是，英偉達的驗證結果最終會影響2024年的采購權重分配，對各大廠商的訂單會有不小的影響。明年英偉達的計算卡產品線會更為細致化，將推出使用6顆HBM3E的H200以及8顆HBM3E的B100，並同步整合自家基於Arm架構的CPU與GPU的產品，帶來GH200以及GB200。 此外，HBM4也計劃在2026年推出。隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了要求現有的12層垂直堆疊，還會往16層垂直堆疊發展（計劃2027年推出），估計會帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。未來HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

在今年開放計算項目（OCP）全球峰會上，三星先進封裝團隊向大家展示了未來更加集成的HBM設計。其中介紹了三星的HBM封裝，包括了2.5D和3D解決方案，並簡要概述了在半導體小型化成本不斷增加的前提下，引入光子學的重要性。隨著HBM的進一步發展，將通過光子學來解決其中的發熱及電晶體密度問題。 光子學基於一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術，不但能大幅度降低功耗，還能提升處理速度。 由於對當前計算環境有著諸多良好的特性，近年來英特爾、AMD、台積電、英偉達和博通等半導體企業都紛紛加入到光子學的研究中。據TomsHardware報導，目前業界通過兩種方法讓HBM與集成光子學取得明顯進展。 第一種是讓光子中介層夾在基礎封裝層和頂層之間，頂層包含HBM和GPU等邏輯晶片，充當相互之間的通信層。這種設計需要中介層，而且使用光子I/O配置本地HBM和邏輯晶片。第二種是將HBM與晶片封裝完全分離，無需處理中介層的晶片封裝復雜性，通過光子學將HBM連接到邏輯晶片。這種方法可以簡化HBM和邏輯晶片的製造及封裝成本，還省去了復雜的電路內數字到光學的本地轉換。 從表面上看，似乎第二種方法聽起來更好，不過這也意味著伺服器規范更深層次的重塑，HBM內存可能會安裝到指定的光子接口上。假設已經制定了標准化的通信接口，那麼HBM內存就變成「可升級」產品，處理方式就像現在的內存模組一樣。 ...

目前三星和SK海力士正圍繞HBM3領導地位展開了激烈的爭奪，為包括英偉達及AMD在內的客戶供應HBM3。雙方見證了來自人工智慧（AI）行業的大量訂單湧入，市場需求巨大或許超過了原先的預期。 據ZDNet Korea報導，由於英偉達H100等計算卡的需求大增，對存儲器廠商的產能安排帶來了很大的影響。今年本身存儲半導體行情疲軟，而HBM3這類高附加值產品需求激增能部分填補存儲器廠商其他產品的需求減緩，這也讓三星和SK海力士轉移了開發重點，加大了對HBM3的投入。SK海力士已表示，2024年的HBM3訂單已經排滿，而同樣的情況現在也出現在三星身上。 HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比提供了更快的數據傳輸速度，更高的帶寬和更大的容量。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中 HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本。SK海力士在今年8月宣布成功開發出HBM3E，而三星也在上個月宣布推出名為「Shinebolt」的HBM3E。 SK海力士是現階段HBM類產品的市場領導者，占據了最大的市場份額，最近獲得了英偉達和AMD的訂單，並開始向客戶提供樣品進行性能驗證。三星則打算利用其整體半導體解決方案提供商的優勢，提供結合下一代HBM、先進封裝技術和代工產品的定製服務，從而與SK海力士搶奪市場。 ...

近日，三星舉辦了「Samsung Memory Tech Day 2023」活動，展示了一系列引領超大規模人工智慧（AI）時代的創新技術和產品，包括HBM3E「Shinebolt」、LPDDR5X CAMM2和可拆卸的AutoSSD，以加速包括雲端、邊緣設備和汽車未來應用的技術進步。 三星宣布，推出名為「Shinebolt」的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智慧應用，提高總擁有成本（TCO），並加快數據中心的人工智慧模型訓練和推理速度。 HBM3E每引腳速度為9.8GB/s，意味著總帶寬超過了1.2TB/s。為了實現更高堆疊層數和改善熱特性，三星優化了非導電膜（NCF）技術，以消除晶片層之間的間隙，最大限度地提高導熱性。目前採用8層和12層堆疊方案的HBM3已經開始批量生產，HBM3E的樣品也正在向客戶發貨。三星還打算利用其整體半導體解決方案提供商的優勢，提供結合下一代HBM、先進封裝技術和代工產品的定製服務。 除了HBM3E外，本次發布會的其他重點產品還包括了業界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、業界首款32Gbps GDDR7、以及能顯著提升伺服器應用存儲能力的PB級別PBSSD。另外還展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、專門用於設備上人工智慧的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用於個人電腦的QLC SSD BM9C1。 ...

近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長。SK海力士上個月宣布成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E，並開始向客戶提供樣品進行性能驗證。隨後美光推出了業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。 HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM的高帶寬存儲器，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品，在正式進入市場不到10年的時間里就取得了長足的進步。據DigiTimes報導，下一代HBM4設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口。 自2015年以來，每個HBM堆棧採用的都是1024位接口，將位寬翻倍是HBM內存技術推出後最大的變化。暫時還不清楚HBM4的引腳速度是否還能保持在9GB/s的水平，如果能做到相同的速度，意味著帶寬將從現在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升會相當明顯。 目前像英偉達H100計算卡，使用了六顆HBM3/HBM3E晶片，每個對應的接口為1024位，也就是共6144位。如果單個HBM晶片的接口位寬增加，不知道廠商是否會在產品上繼續使用相同數量的HBM晶片，或者選擇適當地降低數量削減成本。 不少人擔心位寬翻倍後導致產能下降，畢竟存儲器需要數千個通矽孔（TSV）去做堆疊。不過相關報告稱，三星和SK海力士現在都很有信心，認為HBM4能保持原有的產量。 ...

近日，行業研究機構TrendForce發布了最新的市場調查報告，顯示由於英偉達AI GPU及其他雲端服務商自研晶片增加訂單，存儲器原廠正積極擴大TSV產線，以提高HBM內存的產能，預計2024年HBM出貨量將增長105%。 據分析，2023年至2024年為AI爆發期，AI晶片集中了大量的需求，並推動了HBM內存使用量拉升。存儲器原廠此刻正在面臨HBM擴產的抉擇，一方面需要滿足客戶的需求並擴大市場占有率，另一方面又但系過度擴產導致供過於求無法平衡價格。過去數年的半導體供應轉變讓存儲器供應商明白了一點，在買方預期可能缺貨的情況下，需求量隱含了超額下單的風險。 TrendForce指出，2023年市場主流需求已經從HBM2e轉向HBM3，需求比重預期分別為50%和39%。隨著HBM3大規模普通，2024年將出現大幅度轉向，直接超越HBM2e，比重達到60%。同時得益於HBM3更高的平均銷售價格（ASP），將帶動明年HBM營收顯著增長。 目前SK海力士的HBM3領先於其他供應商，主要負責向英偉達提供產品；三星著重於滿足雲端服務者的訂單，縮小了與SK海力士之間的市場占有率差距；相比於SK海力士和三星規劃擴產，美光重點放在了HBM3e的開發上，預計市場占有率會下降。TrendForce預計2023年至2024年，SK海力士和三星兩者相加將占有約95%的市場份額。 ...

近期由於半導體實況低迷，DRAM價格一路走低，像三星和SK海力士這樣的記憶體晶片大廠苦不堪言，後者2022年第四季度的財務報表顯示，甚至時隔十年再次出現單個季度虧損。 不過最近ChatGPT在全球范圍內掀起了一股熱潮，這款人工智慧工具在推出後，受到了不少人的關注。英偉達創始人兼CEO黃仁勛先生在近期的演講中表示，ChatGPT是人工智慧領域的iPhone時刻，也是計算領域有史以來最偉大的技術之一。 事實上，ChatGPT的出現似乎給存儲器製造商帶來了轉機。據Business Korea報導，今年年初以來，三星和SK海力士的HBM訂單量激增，價格也水漲船高，給低迷的DRAM市場注入了一絲活力。 相比於普通的DRAM，HBM通過堆疊方式實現了更高的帶寬，與CPU及GPU協同工作中，可以提高機器學習和計算性能。除了英偉達和AMD的計算卡，近期英特爾也發布了首款採用HBM記憶體的x86處理器Xeon Max，上面也使用了HBM2e，越來越多涉及AI的高性能晶片選擇HBM。 雖然HBM有著更強的性能，但比起普通DRAM出貨量要少很多，這是由於其平均售價是普通DRAM的三倍，需要復雜的生產工藝和先進的生產技術。隨著ChatGPT的出現，AI再次成為了熱點，對高性能計算晶片的需求增加，也讓HBM受惠。英偉達最新的H100計算卡採用了最新的HBM3，據了解，與最高性能DRAM相比，目前HBM3的價格最高上漲了五倍。 此外，存儲器製造商還在原有HBM基礎上集成AI引擎。此前三星就推出了HBM-PIM（Aquabolt-XL）晶片，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使記憶體晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。通過在每個記憶體模塊內注入了一個AI處理器，從而將處理操作轉移到HBM本身，從而減輕了記憶體與一般CPU之間轉移數據的負擔，未來還會擴展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3記憶體上。SK海力士也在去年宣布開發出具備計算功能的GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/記憶體加速器），將計算功能添加到速率為16 Gbps的GDDR6上。 有業內人士表示，存儲器製造商僅依靠製造工藝的時代已經過去，加入數據處理能力的AI半導體技術的發展將變得非常重要，可能決定晶片製造商的未來。從中長期來看，HBM-PIM這類型專用DRAM晶片的發展將使半導體行業發生巨大變化。 ...

我的世界HBM是遊戲中非常高端跟強力的玩法，如果掌握了HBM就能讓玩家掌握核科技，很多玩家都想知道怎麼玩，下面就來看看我的世界HBM怎麼弄。 《我的世界》HBM保姆級教程 多圖預告，流量黨注意 入門前話 (1).可以選擇關閉隕石生成和打開下界鈽礦石生成降低難度。隕石會破壞方塊，有可能會把你辛辛苦苦建好的建築破壞掉，甚至是反應堆的冷卻系統等重要設施，且隕石帶來的物品可以通過其他方式獲得（會麻煩一點），山頂洞人可不關。打開下界鈽礦石生成會稍微降低真實性，畢竟現實中鈽是沒有以礦物形式存在的，但卻可以快速獲得鈽。 在.minecraftconfig下找到hbm.cfg，右鍵選擇使用記事本打開 將B:1.10_enableMeteorSpikes=pue改為B:1.10_enableMeteorSpikes=false（隕石生成） 將B:1.02_enablePlutoniumNetherOre=false改為B:1.02_enablePlutoniumNetherOre=pue（鈽礦生成） (2).如果覺得HBM實在是太肝的話可以選擇打開簡易模式（BabyMode） 同樣是在hbm.cfg中把B:1.23_enableBabyMode=false改為pue 簡易模式下物品的合成表會變得簡單，部分機器產出也會增加 相反的，如果覺得HBM實在是太簡單了可以選擇打開528模式（自虐模式） 在hbm.cfg中把B:enable528Mode=false改為pue 528模式下物品的合成表會變得復雜，大部分合成需要鉭礦 (3).如果你玩過其他類型的科技類mod，可以考慮搭配HBM一起遊玩，如Mek、BC、IC2、RoC、IE等，HBM大部分礦物能與其他mod的礦物通用。 這類mod可以解決HBM無法做到的東西（如自動化），HBM超高的發電量也可以為其他mod內某些高耗能機器供能（需要支持RF能量或可以轉換RF能量，HBM中自帶了RF轉換器） (4).遊玩HBM強烈建議添加NEI，HBM中有大量合成表，因此務必添加。 前言：教程使用的是1.7.10版本MC，正常模式下的HBM。由於HBM沒有明確的發展方向，所以本教程會以製作出DFC反應堆為方向發展，中間會穿插各類其他機器的簡介。 一、入門篇 1.礦石 HBM內的礦石都只需木鎬以上便可挖掘 （1）金屬類礦石 從左往右分別是鈦、銅、鎢、鋁、鈹、鉛、稀土、鈷、鈳鉭鐵礦 這些礦石都在生存過程中十分重要，條件允許下建議大量採集。稀土礦挖掘後隨機掉落鑭、錒、鈮、釹、鈷、鈰、硼碎片直接掉落單質，這很hbm 鈳鉭鐵礦可以通過鈳鉭鐵礦指針尋找。 （2）非金屬類礦石 從左往右分別是硫磺、硝石、氟石、褐煤、石棉、硃砂礦 硫磺用於制氘、黃餅等核工業製品，硝石用於製作冷卻液，氟石一般用於製作六氟化鈾、六氟化鈽等，褐煤是劣等的煤礦，只能燒制6個物品，但存量大，石棉主要可以用於製作絕緣體，硃砂可以用於合成鈳鉭鐵礦指針也可以用於離心得到水銀 （3）礦簇 從左往右分別是鐵、鈦、鋁、銅礦簇，只有在被玩家挖掘後掉落對應的晶體。礦物晶體燒制後可以獲得2個錠，離心則可以獲得4倍的產物。 （4）核礦石 從左往右分別是鈾、釷、鈽，都是用於製作核燃料。 鈽礦石只有在打開配置後才會在下界生成 （5）下界類礦石 左四個是分別是鈾、鎢、硫磺、鈷，與主世界形態相同。右邊三個分別是火礦石、陰燃下界岩和燃燒下界煤礦，下界磷礦石和陰燃下界岩挖掘後均掉落火焰粉，陰燃下界岩有機率掉落煤炭；燃燒下界煤礦挖掘後掉落地獄煤炭，地獄煤炭是一種優秀的燃料，在熔爐中可以燒制24個物品。 （6）隕石類礦石 左邊八個分別是鈾、釷、鈦、硫磺、銅、鎢、鋁、鉛，與主世界形態相同，但鈾、釷直接燒制可獲得兩個錠、其餘的除硫磺以外的直接燒制後可以獲得三個錠。 最右邊兩個是鋰和星輝礦，其中星輝錠的唯一自然來源就是隕石，當然星輝錠也是可以合成的。 （7）頁岩類礦石 分別是鐵、金、鈾、銅、石棉、鋰、稀土、氣頁岩、石墨頁岩 （8）深層礦石 分別是深層硃砂、鋯、釹、鐵礦簇、鈦礦簇、鎢礦簇。 深層礦物只能被爆炸破壞（部分高級鎬也可以破壞），推薦使用HBM的采礦炸藥 （9）油類礦物與末地礦物 油岩會在地下連片生成形成油田，見到不必挖掘，記下坐標即可（你非要挖的也不是不可以）。瀝青在沙漠會大片生成，可以用於提取瀝青。 賽瑞克可用離心機離心成兩份鈽粉、兩份鈷粉、一份NITAN混合物和末地石 （10）定點礦物 從左往右分別是奧斯、魏丹、雷恩、難得素、達夫貢、韋德賽（現行版本只剩下奧斯） 這類礦物只在固定地點離散生成，數量有限。目前只能用來合成裝備，單機的話完全夠用。 礦石生成位置及預計數量 X軸坐標 Z軸坐標 預計數量 奧斯礦石 -400 -400 490 魏丹礦石 300 2800 雷恩礦石 2800 難得素礦石 200 -200 12480 達夫貢礦石 400 200 14890 韋德賽礦石 -300 200 4680 （11）核爆產物 前三個分別是鈾礦、下界鈾礦、鈾礦頁岩在核爆後轉化而來的Sa326礦石，機率極低。如果轉化失敗就會變成對應狀態的燒焦鈾礦，燒焦鈾礦無法再次轉化為Sa326礦石，只能像普通鈾礦一樣處理 （12）火山礦物 分別是含硫、氟石、石棉和火山寶石的玄武岩礦物，由火山岩漿冷卻後獲得 （13）溶洞礦物 目前有石棉和硫磺的鍾乳石和石筍，挖掘後掉落對應粉末 注意：HBM中挖掘煤礦、褐煤礦會產生煤塵（會有黑色的粒子效果），背包中持有煤粉也會有煤塵效果。玩家如果沒有裝備能防止空氣微粒的面罩或裝有能防止空氣微粒的過濾器的防毒面具/頭盔會使玩家得煤塵肺，煤塵肺將會產生各種debuff，例如虛弱，並且史蒂夫會不定時地咳血。 而玩家如果沒有裝備帶有能防止微粒的過濾器的防毒面具/頭盔開採石棉或持有石棉就會使玩家得間皮瘤，達到一定量就會使玩家當場去世。 挖掘地獄煤礦會釋放一氧化碳氣體（一段時間後會消散），玩家吸入一氧化碳會持續掉血，需要裝備能防止一氧化碳的過濾器的防毒面具或頭盔才可以免疫。 珍愛生命，遠離礦業 二.基礎工業設施 和一般生存流程類似，我們首先需要收集大量的礦石，尤其是鐵和煤。此外我們還需要有四個青金石。 為了防止你因采礦而患上煤塵肺，我們有必要製作一個簡易的防毒面具 在野外我們可以見到成群生長的大麻植株 然後合成布 手持布然後右鍵即可獲得沾有尿的布，即可合成戰壕面具 首先我們需要製作HBM的起點——火力鍛壓機 擺出來長這樣（別看那麼高，其實只占底部一格，上面的都是貼圖，視同空氣） 然後合成機器模板文件夾 接下來合成一個空白鍛模 空白鍛模有多種材質，只需要替換掉最底下一排的材料即可，磚塊和紅石不用變動。最開始我們先用鐵質，中期可以轉為黑曜石，大後期可以使用Sa326。 鍛模材質 耐久 石 10 鐵 50 鋼 100 鈦 150 黑曜石 170 Sa326 3000 合成空白鍛模後打開我們的機器模板文件夾，在背包內有鐵質空白鍛模的時候點擊一下鐵質板鍛模，就可以獲得一個鐵質板鍛模。 把挖到的銅礦燒製成工業級銅，右鍵火力鍛壓機打開GUI 我們需要8個工業級銅，如圖最左放入任何能燒的東西，左上角的儀表盤表示鍛壓機的狀態，指針到黃色才開始工作，指針越往右偏工作速度越快。最快可0.75s加工一個物品。 中間上面放入鍛模，底下放入材料，放入充足燃料等待製作完成即可。注意：火力鍛壓機會不斷消耗燃料，盡管其不在工作，多餘的燃料請及時取出，以免浪費。 你可以合成鍛壓機壓力預熱器來使火力鍛壓機保持基礎熱度，這樣你就不需要消耗額外燃料進行預熱，丟入燃料就可以直接開始進行鍛壓。 合成好後只需要把鍛壓機壓力預熱器緊貼著火力鍛壓機防止即可 然後使用我們至少需要製作兩個鐵砧或鉛砧（注意：該鐵砧是HBM的專屬鐵砧，鉛砧只需要把對應材料換成鉛即可） 右鍵打開GUI 左鍵選擇銅片，在背包中有足夠銅板時只要點擊中間的按鈕即可製作 接下來做用同樣的方法製作高爐 右鍵就可以打開GUI 最左邊的格子放入燃料 燃料 煤炭 煤炭塊 褐煤 褐煤煤球 焦煤 烈焰粉 烈焰棒 岩漿桶 可燒制次數 ≈0.55 5 ≈0.35 0.5 1 0.75 2.5 32 中間兩個格放入材料，右邊產出成品。燒制一次耗時20s。 材料 產物 鐵錠 煤炭 鋼錠*2 工業級銅 紅石 紫銅錠*2 鋼錠 紫銅錠 高級合金*2 鋼錠 鎢錠 高速鋼錠*2 鋼錠 鈷錠 高速鋼錠*2 鎢錠 Sa326粒 磁化鎢錠 鉛板 銅板 中子反射板 鎢錠 煤炭 中子反射板*2 鉛錠 工業級銅 中子反射板*4 土星錠 隕石粉 星輝錠*2 桶裝柴油 粘液球 桶裝凝固汽油B 合金板 金板 PaA合金板*2 鋼錠 鎝-99粒 鎝鋼合金錠 小提示： 1.初期推薦玩家使用高級合金套裝，絕對是前期性價比最高的套裝。（不過並不可以升級，可以在耐久消耗完畢後材料足夠下更換成鈷系列套裝） 高級合金類工具（除了鋤以外）都自帶連鎖挖礦(3)的技能（效果：挖掘半徑3格以內相連接的同種方塊），只需要手持工具右鍵就可以啟動工具能力，啟動後會帶有附魔的光澤。 高級合金劍攻擊傷害為+9，並自帶震撼(2)效果（效果：給予被攻擊目標2秒的緩慢和虛弱效果）。 高級合金裝甲套裝在穿著全套後獲得傷害-25%的修正。 2.你也可以選擇製作一把隕石劍，該劍沒有耐久，且會隨著你的遊戲進行可以一步步的升級它，最高可以達到+500的攻擊力！關於隕石劍製作升級請點這 3.在砧中你可以合成一些金屬的裝飾塊，它們有著特殊的紋理，或許你可以把它們用於建築或美化上。 4.你可以使用裝甲改裝台 三.電力時代 HBM中製作大部分機器和材料的製作離不開裝配機 首先我們需要製作紫銅線，與製作銅板類似，我們需要在火力鍛壓機中使用電線鍛模壓制紫銅錠獲得 然後使用紫銅線和鐵錠製作銅線圈 再使用銅線圈和鐵板或鋼板製作銅環形線圈 而後使用在鐵砧中製作馬達 使用鋁線、紅石和鋼板製作基本電路組件，並在火力鍛壓機中使用電路板鍛模鍛壓成基礎電路。 接下來在鐵砧中使用10個鋼錠升級另一個鐵砧（同理，更高級的砧也是使用類似的方法升級 ） 最後在鋼砧中使用玻璃板、馬達、基礎電路、銅塊和鋼塊合成裝配機 裝配機占據4x4x2的空間，如果空間不足會在放置後的瞬間被破壞變為掉落物 在裝配機兩側各有兩個電線接口，可連接電線為其供電 在裝配機前後擁有一個輸入口一個輸出口，可以把箱子放在入口和出口處。當模板格里放入模板時，機器會自動從箱子里抽取所需的材料（如果有的話）並把成品輸出到輸出口的箱子內 GUI 左邊八格物品欄放入原材料，中間放裝配機模板（放什麼模板就做什麼出來），可以放電池為其供電，裝配機自身可儲存100kHE電力。右側欄可放入機器升級，紅色升級加快加工速度，藍色升級增加能源儲量。完成後會在右下角輸出物品。 關於模板：裝配機模板需要在機器模板文件夾中製作，背包中需要紙與任意染料，在打開機器模板文件夾後點擊需要的模板便會消耗背包中的紙與任意染料，然後獲得對應的模板。 在背包在中按住shift時會顯示成品的樣子，滑鼠指針放在模板上會顯示所需要的原材料和加工需要時間。模板也可以轉換回紙，但不退還染料。 為了能使裝配機以及後面大量的工業設施正常運行，我們需要電力拋瓦！。 前期製作最方便的發電機是火力發電機 首先需要用鍛壓機製作鋼板與鈦板，然後合成鋼罐。 接著用鋼錠、紫銅錠、鋼罐和熔爐合成火力發電機 右鍵打開GUI 左邊放入水，沒有水就無法發電。中間放入一切可以在熔爐里用作燃料的東西。右邊可以放電池，火力發電機自身可以儲存100kHE電力。 發電量：25HE/t，即500HE/s 耗水量：1mb/t，即20mb/s 為了使火力發電機產出的能源可以傳輸到裝配機上，我們需要製作電線。 HBM的能源系統有點像工業，你可以用電線供電或者把機器貼在蓄電池、發電機邊上供電。HBM中有三種電線——紫銅電線、密封紫銅電纜、線纜，他們都沒有傳輸上限。 前兩種類似工業的電線，直接連接機器，是最常用的電線。使用絕緣體、銅線和銅錠製作。絕緣體通常使用紅磚製作，如果挖掘到石棉則可以使用石棉板製作。 紫銅電線與密封紫銅電纜區別僅在於體積大小，密封紫銅電纜占據一個完整方塊大小。 線纜一般用於長距離輸電，類似沉浸工藝。但需要搭配電力連接器、電線桿、大型輸電塔等使用 電線桿使用銅線圈、絕緣體、木板和密封紫銅電線合成使用木板、環形銅線圈、絕緣體和密封紫銅電纜製作。 實際只有一格大小，底下的方塊可以連結電線。 兩個電線桿使用電纜卷連結才能通電，使用鋼板和鋼錠合成。先右擊起始電線桿再右擊結束電線桿就可以連結，兩個電線桿之間不能超過25格 大型輸電塔連接距離有100m，可以用於遠距離輸電，但大型輸電塔只能與大型輸電塔連接，且大型輸電塔需要使用變電站才可以轉化為電纜的電力。如圖： 使用電線連接火力發電機與裝配機的電力接口即可供電 由於火力發電機需要不斷消耗水，經常的手動加水是不方便的。但HBM又與絕大部分的科技類mod不一樣，HBM中並沒有泵這一類機器，所以我們需要一個無限水罐魔法mod石錘 使用鋁板、水桶和鑽石製作，會退還兩個空桶。 將其放火力發電機中便可源源不斷的為機器補充水。 有些玩家可能在前期生存中找不到鑽石，但在HBM中鑽石是可以批量合成的。合成鑽石則需要涉及另一個重要的機器——粉碎機。粉碎機需要在裝配機中合成。 GUI 中間九個物品欄放入需要打粉的物品，右邊輸出對應的粉。需要兩個刀片才能工作（不一定是相同材質）。一次性粉碎9個物品，每粉碎一次就消耗刀片一點耐久，如果是同時大量粉碎一種物品，就把它們平均分配到九個格中，避免浪費耐久。 刀片有鋁、鐵、金、鈦、鋼、高級合金、CMB合金、Sa326、Desh等材質，前期建議使用高級合金刀片。 使用板和錠合成，在耐久為零時可以使用第二個合成公式修復。 粉碎機可以用於前期礦物增產，礦物粉碎後可以獲得兩份粉，礦石粉燒制後即可獲得對應的錠。注意：隕石類普通金屬礦物（除鋰以外），打粉依然與普通礦石一樣得到兩份粉，但是直接燒制可以得到三個錠。 如果物品沒有粉碎公式，則將變成廢料或灰塵。廢料和灰塵均可作為燃料使用，合成為廢品塊還可以增加燃燒時間。可以用於處理不需要的物品，如多餘的小麥種子。 礦石粉可以在工作檯中合成為對應的合金粉，配方與高爐一致，合金粉燒制即獲得合金錠。如：煤粉+鐵粉=兩份鋼粉。（此方法是中後期大量製作合金的主要方法） 合成鑽石： 使用粉碎機粉碎出煤粉和碎黑曜石，再與燧石一起合成為緻密煤 然後在鍛壓機中使用空白鍛模壓制即可獲得鑽石 接下來製作HBM中另一個必不可少的機器——化工廠 首先用鋼板合成兩個小型鋼殼 再用鋼錠合成大型鋼殼 使用基礎電路、銅線、石英粉、銅板在裝配機合成四個增強電路 使用增強電路、紫銅線、金粉、絕緣體合成兩個高級電路 再加上鋼錠、銅板、鋼罐、紫銅線、鎢線、絕緣體合成化工廠 與裝配機類似，有物品輸入輸出口，以及四個電力/流體埠（即可輸電也可以輸入輸出流體） GUI 使用方法也跟裝配機類似，放入模板才會開始工作。左上放入液體，每個槽最多儲存16000mb液體，左下四個槽放入原材料。成品輸出到右邊，液體會出儲存在兩個槽內，每個槽最多儲存16000mb液體。 在你製作完化工廠後就已經度過了HBM的入門階段，在進入下一個階段前你可以選擇製作以下的一些物品或機器。（以下內容涉及大量合成，故不一一貼出，請各位玩家自行使用NEI查看） 1.電池 你可以製作各類電池用於便捷的運輸、儲存、使用電力，絕大部分機器都支持使用電池供電，絕大部分發電機都可以給電池充電。前期你可以製作紅石電池或高級電池。 滑鼠放到電池上一般會顯示三個信息：當前電量/最高電量、充電速度、放電速度 2.蓄電池 用於儲存電網內富裕的電力，可以使用紅石信號切換電力的輸入輸出狀態。大部分蓄電池占據一格方塊大小，六個面都可以接電線。右鍵打開GUI，上方會顯示當前電量，左邊用於給電池充放電，右邊可以編輯不同紅石信號情況下的輸入輸出模式，點擊即可切換。 四種模式： 僅輸出 僅輸入 既不輸出也不輸入 同時輸入和輸出 3.流體儲存 化工廠以及其他機器可能會需要或產生流體。HBM中有用於儲存流體的物品，類似於IC2的通用流體單元。HBM中則有三種，一種是通用流體罐，可以儲存1000mb流體；另一種是流體罐，可以儲存16000mb流體；還有一種是危險品罐。 通用流體罐使用兩塊鐵板、六塊鋁板合成。 流體桶使用的兩塊鈦板、六塊鈦板合成。 4.流體運輸 前面說到化工廠有流體埠，該埠可以連接流體管道用於運輸，而在其他機器里你也許也會用到管道運輸。 使用四個鋼板和兩個鋁板製作通用流體管道。 流體管道製作出來默認是空白的，即無法運輸任何流體。這時候需要流體識別碼來指定需要運輸的流體，流體識別碼需要在機器模板文件夾中製作，與裝配機/化工廠模板類似，需要鐵板+任意染料。 你可以放置管道後手持流體識別碼右鍵管道，即可設置運輸的流體類型。也可以在工作檯中合成對應流體的管道，已經設置了也可以重新設置流體類型。 5.流體庫存 HBM中能儲存流體的機器有儲罐和各類桶 從左到右分別是儲罐、巨尻-9000 儲罐、重型磁約束儲罐、安全桶、鐵桶、鋼桶、磁約束反物質容器、被腐蝕的桶、六氟化鈾儲罐、六氟化鈽儲罐 右鍵可以打開GUI 6.更多的電力 （1）工業發電機（你的工業發電機又回來了！） 又換回了最早的模型（有調整） 曾經最強前中期發電機，目前仍是前中期最實用發電機之一，被修改過兩次。可以燒大部分燃料，中期發展石油工業後可以使用潤滑油增加發電量，發展核工業後還可以放入靶丸發電。 左邊橙色區域放入靶丸，中間四格放入燃料。右邊紅色槽放入液體燃料，可以通過流體識別碼改變燃料類型，右邊可以放入潤滑油提高效率。底下有個水槽，有水時也能提高效率。 有水時的發電效率約是沒水時發電效率的2倍，有潤滑油時約是沒有潤滑油的3倍。理論最高發電效率約為718.22kHe/s（全上最高效率靶丸和燃料的發電值，無實際參考意義） 如果需要電線導出只能在前後埠處導出 （2）太陽能鍋爐 前期較實用的發電機，搭建完就可以在白天白嫖電力。 定日鏡製作較為便宜，製作一個大型光熱發電廠效率相當可觀。 （3）地熱發電機 使用高速鋼錠、熱電元件、銅片和密封紫銅線纜合成 沒有GUI，上下兩個面所對的方塊中有岩漿或者岩漿源就會發電，並在一段時間內把該方塊的岩漿隨機變成圓石或黑曜石（黑曜石幾率比較大） 可以配合BC等可破壞方塊的mod來做的刷石/黑曜石發電機，雖然刷石的效率不是很高。但畢竟能刷黑曜石，所以可以考慮做成陣列。 （4）斯特林發電機 與火力發電機相比，斯特林發電機不需要消耗水，而且發電效率比火力發電機要強 首先我們需要准備一台燃燒室和一台斯特林發電機，燃燒室用於把燃料轉換為熱量（TU）。 斯特林發電機則把熱量轉換為電力，效率為50%，即2TU=1HE。 由於燃燒室導熱口在正上方中心，而斯特林發電機導熱口在正下方中心，所以我們需要像這樣把斯特林發電機放到燃燒室上面才可以正常使用。 燃燒室每刻產熱受燃料種類影響，煤炭的產熱為200TU/t，發電量即100HE/t 7.能量轉換 你可以製作HE→RF轉換器或RF→HE轉換器來轉換hbm與其他mod內的能量 HE→RF轉換器 RF→HE轉換器 以1HE=4RF的比例轉換能量。連上hbm的電線能傳導RF的電線和管道就能轉換，轉換器可以臨時儲存500000000HE/2000000000RF的能量。轉換器是單向轉換的，只能把一種能量轉換成另一種能量，若要反過來轉換則需要更換轉換器。 註：如果使用BC就需要木質能量管道才可導出 四.石化時代 石油是現代工業的血液，在解決基礎設施之後我們需要發展石油工業。在發展石油工業前我們需要找到油田。 在礦物篇中講過，如果遇到油田可以把記下來，是因為這樣可以方便以後開采。 進入石化時代後可以使用石油探測儀在地表探測油岩的位置 使用金線、鋼板、高級電路和工業級銅合成 右鍵後會彈出以下三句話的其中一句： 沒有油田 發現油田 油田在正下方 石油探測儀只能探測較大的油田，至少需要15個油岩方塊才會顯示發現油田（一般自然生成不會那麼少的） 當腳下的油岩高度超過三格且油岩總數大於15個時，就會顯示油岩在正下方。這是採油的必須條件。 採油需要鑽油塔或石油鑽機 這兩個雖然外觀和合成方式不一樣，但是功能上是一樣的 兩個機器都有四個接口，可以連接管道或電線 必須放在油田上，且右鍵放下的方塊位置使用石油探測儀顯示為油田在正下方才可以開采 GUI 通電就會開采，開采時會把下方的方塊替換為採油管道（挖掘不會掉落），每個油岩都會產出500mb原油和隨機量的天然氣（平均值大概在300mb左右），產出原油後油岩會變成空油岩 機器自身可以儲存128000mb的原油和天然氣 右邊可以放入機器升級，放入後機器會自動把採到的天然氣燒來發電（不建議，完全浪費了） 左上的標識若為紅色嘆號則表示機器電量不足，若為黃色嘆號則表示無法採油（原因一般是底下無油田或不是在正下方，也可能是採油管道遇到的無法替換掉的方塊），若是綠色的鉤則表明機器正在採油中，同時會有工作的聲音和動畫。 然後我們需要製作鍋爐為採到的原油加熱 使用鋼錠、銅片、鋼罐、熔爐合成 外觀 GUI 最左邊放入流體識別碼，放入什麼流體識別碼就加熱什麼（前提是能加熱，不然你的話你放進去就別想拿出來了） 左邊放入需要加熱的流體，可儲存8000mb，右邊輸出成品，也可儲存8000mb。 燒一切能燒的東西，初始爐溫20℃。每個燒制時間燃燒3s。 產熱：0.5°C/t，即10°C/s 耗熱：0.15°C/t，即3°C/s（基礎） 0.15°C/t，即5°C/s（到達沸點） 能加熱的物品： 一份水轉換為一百份蒸汽（沸點100℃） 十份蒸汽轉換為一份熱蒸汽（沸點300℃） 十份熱蒸汽轉換為一份超熱蒸汽（沸點450℃） 一份原油轉換為一份熱原油（沸點350℃） 把鍋爐使用流體識別碼設置為原油，然後加入燃料導入原油加熱即可獲得熱原油 然後把熱原油導入到煉油廠（其實就是個分餾塔） 在裝配機中合成，有八個接口，可以連接電線或管道，占據3*3*10的空間 GUI 中間的按鈕用來切換分餾類型，上面是熱原油，下面是熱裂解油。 自身可以儲存1000HE電量、64000mb熱原油及16000mb的分餾產物 可以把1000mb熱原油分餾為500mb重油、250mb石腦油、150mb輕油和100mb石油氣，有可能會獲得一個硫粉 煉油廠每分餾100mb熱原油消耗5HE電量（太良心了） 獲得的分餾產物便可以用於製作各類物品，而最重要的便是離心機和氣體離心機。 在化工廠內放入聚合物合成模板，然後使用流體罐/桶或管道把石油氣導入化工廠，並放入煤炭和氟石粉製作聚合物錠。 在製作出聚合物錠後就可製作離心機了。 占據三格高，電力埠在最底下 GUI 離心機可以用於增產礦物（大部分為3倍）以及離心各類物品（核廢料、礦石晶體等）。 為了進一步發展核工業，我們需要使用離心機離心紅石礦石，以獲得水銀。 然後以兩份硼、鑭和一份鋰、鈮、鈷、鈰、釹的比例混合粉末，獲得Desh混合物。 在化工廠中使用Desh混合物、輕油、水銀合成Desh錠。 獲得Desh錠後即可合成氣體離心機，至少需要兩個。 占據三格高，其中四面的一面為輸出端（黑色，與其他三面均不同，一般是玩家放下離心機時面向的方向），輸出端可以把離心機中的流體產物傳輸到下一級進行進一步分離。 GUI 只能使用 前期我們首先會用到的核燃料一般是鈾，然而天然鈾並不是一種良好的核燃料，這就需要我們對鈾進行處理。 與現實中類似，我們首先需要在化工廠中製作黃餅，然後製作六氟化鈾，接著使用氣體離心機進行離心。 前兩步在化工廠中進行，這里講解離心部分。上文說到，前期我們只需要兩台離心機，並如圖串聯起來（即一個離心機的輸出端對著下一個離心機）。然後我們使用管道向第一個離心機中通入六氟化鈾，並通電。 經過兩級離心，我們即可離心出鈾燃料粒。 在涉足核能領域之前你可以選擇製作以下的一些物品或機器。（以下內容涉及大量合成，不一一貼出，請各位玩家自行使用NEI查看） 1.無盡的石油 在地面有時可以發現一些草方塊被油泥或泥渣替換（沙漠中是油砂或紅色油砂，石頭地表則是多孔石），這意味著這底下有基岩油層，基岩油層可以產出無盡的原油但不可以被挖掘，我們需要使用水力壓裂塔對其進行開采。 水力壓裂塔占地7*7,高24格. 可以在底下鑽管位置連結管道或電線，以輸入壓裂液或電力。 右鍵打開GUI，與鑽油井類似。但水力壓裂塔運行時需要不斷提供壓裂液才能產出原油，壓裂液只能通過管道輸入。 注意：水力壓裂塔運行時會產生大量污染，會把附近100格左右未被水覆蓋的草方塊替換成油泥或泥渣（沙子則替換成油砂或紅色油砂） 這些污染物可以通過一系列處理提取出砷與原油。 2.分餾塔 3*3*3大小,底下有四個管道接口。 可以用於代替化工廠來處理部分石油產品，且運行時不需要電力。 右鍵可以查看配方，第一行是原料，第二三行是產品。手持流體識別碼shift右鍵可以改變配方。 可以進行：重油加工（10份重油→7份工業油+3份瀝青） 工業油加工（10份工業油→6份燃油+4份潤滑油） 石腦油加工（10份石腦油→4份燃油+6份柴油） 輕油加工（10份輕油→6份煤油+4份柴油） 你還可以像這樣把多個分餾塔堆疊以提高工作效率，只需要在最底下的分餾塔輸入即可。 反之，如果你希望堆疊的幾個分餾塔之間執行不同的配方，則可以使用分餾塔分隔器把他們分開。 3.催化裂化塔 占地5*5，高15格。 可以用於代替化工廠來處理部分石油產品，且運行時不需要電力。 右鍵可以查看配方，第一二行是原料，第三四行是產品。手持流體識別碼shift右鍵可以改變配方。 可以進行：瀝青裂化（6份瀝青+12份蒸汽→5份原油+1份石油氣） 工業油裂化（5份工業油+10份蒸汽→8份石腦油+2份石油氣） 柴油裂化（10份柴油+20份蒸汽→4份煤油+3份石油氣） 煤油裂化（7份煤油+10份蒸汽→4份石油氣） 天然氣裂化（9份煤油+6份蒸汽→4份石油氣） 4.礦物增產（摩多摩多） 前面提到離心機可以離心礦物，產量約為3倍。而HBM的礦物增產最高可以達到4倍，這需要使用到礦物酸化器。 可以用於製作各種礦物的晶體與玻璃纖維，需要消耗過氧化氫。 占地3*3*7，側面的兩個橙色接口可以連接管道和電線，產物可以從底部由漏鬥導出。 GUI 單次酸化加工需要消耗500mb的過氧化氫以及大量電力，礦物加工後會獲得對應晶體。 礦物晶體在離心機中離心即可獲得產物。 五.核裂變時代 從現在開始你便踏入的核科技的大門，玩到這一步才是真正的「HBM的核科技mod」 在接觸核能前你必須簡要地了解一些跟核能有關的知識 （1）輻射吸收量 指玩家/生物所吸收的輻射值，以Rad（拉德）為單位 玩家可以通過手持蓋革計數器或蓋革計數器測量自身的輻射吸收量。 當玩家或生物輻射吸收量大於200RAD小於1000RAD時會獲得放射性疾病的效果。 當玩家和大部分非亡靈類生物輻射吸收量大於1000RAD時會瞬間死亡，而村民會變成殭屍村民，牛會變成哞菇（果然是變異物種）。 可以通過玩家去污器或者消輻寧減少輻射吸收量。 （2）物品輻射值與環境輻射值 顧名思義物品輻射指帶有輻射的物品（鈾錠、鈽錠等）放出的輻射，環境輻射則指帶因各種原因（裂變堆運行、核爆等）在環境中存在的輻射 物品輻射只有在玩家背包中時會增加輻射，放入箱子中不會增加木板防輻射。 環境輻射可以靠輻射吸收器減弱或環境輻射發電機消除，在區塊中放置放射性方塊會增加環境輻射。 以上兩個輻射值均以Rad/s為單位，即每秒使玩家增加多少Rad的輻射吸收量 （3）放射性疾病 當輻射吸收量大於200RAD會隨機給你帶來以下效果(最壞情況): 緩慢IV0:04, 挖掘疲勞III0:04, 反胃0:04, 虛弱IV 0:04,失明1：00 飢餓IV 0:04,中毒III0:03,凋零0:02 （4）輻射抗性與輻射減免 指裝備抵禦輻射的能力，輻射抗性越高玩家受到的輻射就越少。 輻射減免與輻射抗性有關，呈一定比例上升，上限為99.99%。會減少玩家受到的輻射，如50%減免即減少50%的每秒輻射吸收量。 可以通過手持蓋革計數器或蓋革計數器查看輻射抗性。 輻射抗性與輻射減免數值曲線（雖然你們不一定會看，但還是放出來罷） 蓋革計數器 可以在手持和方塊兩個形式中轉換 當背包中有手持式蓋革計數器時會在左下角出現一個狀態欄，會顯示你當前所每秒受到的輻射與總輻射量。底下長條全部變滿時為1000Rad輻射，你在生存中一般沒有機會看到它變滿（？） 當右上角出現電離輻射警告標志時表明你正在受到至少2RAD/s以上輻射，該標志顏色越深表明你所收到的劑量越高，上面的是最高狀態。當你靠近放射源時會發出經典的嘎嘎聲（蓋革一響，爹媽白養），劑量越大頻率越快，手持蓋革計數器就算在沒有輻射的情況下有可能會突然響一聲（本底輻射？） 手持蓋革計數器右鍵會彈出以下詳細信息 接觸核工業前有必要製作一套防輻射服、一個玩家去污器和鎢長臂夾以及配套的厚橡膠手套(需要使用裝甲改裝台裝配至胸甲上)。 即便是最低級的防輻射服套裝也能為你減少約50%的輻射，去污器能在你接觸輻射物品後消除身上的輻射值，當胸甲裝備了厚橡膠手套時手持鎢長臂夾可以讓你在背包中持有標簽的物品時不會起火，同時可以減少一定輻射。 我們一般以鈾作為HBM核工業的切入點，在現實世界中也是如此。 首先需要通過打粉或者離心的方式處理鈾礦，獲得鈾粉。然後在化工廠中使用黃餅生產模板製作黃餅，接著使用六氟化鈾生產模板製作六氟化鈾。 接著放進之前說的氣體離心機中，即可離心出鈾燃料粒。 在HBM中有以下幾種反應堆 芝加哥反應堆 人類歷史上第一座人造核反應堆，現實中用於進行氚的性質和各種物質的中子吸收橫截面的實驗。而在HBM中則用於把鈾增殖為鈽。 該反應堆由石墨塊組成，在製作反應堆之前我們需要准備一定量的石墨塊以及手鑽和螺絲刀。 使用手鑽右鍵可以在石墨塊上鑽孔，變成鑽孔石墨塊並得到一份煤粉，孔的方向與右鍵位置有關。 手持芝加哥反應堆部件對准鑽孔石墨右鍵即可放入部件，手持螺絲刀右鍵可以拔出部件，手持手鑽右鍵則可以查看該石墨塊的當前狀態（芝加哥反應堆沒有GUI） 芝加哥反應堆使用以下7種部件——鈾棒、增殖鈾棒、鈽棒、鐳226-鈹中子源、控制棒、鋰燃料棒、控制/探測棒 鈾棒是裂變反應的燃料，在接收到中子通量後會開始嬗變，當嬗變程度在標簽。 熱的枯竭燃料是不能回收的，需要在乏燃料池中冷卻。使用鉛錠、鐵柵欄、四聯燃料棒製作乏燃料池 乏燃料池需要接觸水才能冷卻核廢料，周圍的水越多冷卻速度越快，但仍有很大的隨機性。 工作速度最快的乏燃料池冷卻一個核廢料的時間最低為2秒，最高為1小時，平均值為5分鍾。 右鍵打開GUI，乏燃料池中最多可以放入12個熱的枯竭燃料。冷卻後會變成枯竭燃料（如圖中黑色的即為冷卻的枯竭鈾燃料） 把冷卻後的枯竭鈾燃料丟入離心機處理即可獲得鎝-99，並用於合成鎝-鋼合金。 研究型反應堆與增殖反應堆 原來的小堆被改為研究型反應堆，用於為增殖反應堆提供中子用以增殖。 研究型反應堆GUI RBMK壓力管式石墨慢化沸水反應堆 這是HBM中最為復雜的反應堆 ，但也是最重要的反應堆，HBM後面的科技樹上有許多需要用到RBMK的產物，所以RBMK是一個跳不過去的科技。 RBMK反應堆是一個完全模塊化的反應堆，沒有尺寸限制（只要你電腦夠好），效率和性能也完全取決於您的設計。 首先你需要一個RBMK石墨式反應堆控制台 右鍵可以打開控制台GUI，右邊15*15的大螢幕用於顯示反應堆的狀態，左邊的彩色按鈕用於快速選擇控制棒組 在控制台上有一本書，在背包中沒有該書的情況下，右鍵單擊即可獲得一本RBMK反應堆操作指導書。 書中簡單地介紹了一些RBMK的知識。 首先我們來認識RBMK的主要組件： （1）RBMK反應堆燃料棒 這是RBMK中最重要的核心部件之一，用於放入RBMK燃料棒。RBMK燃料棒有Reasim和慢化兩種變種。 左側顯示燃料棒壽命，中間放入RBMK專用的燃料棒，右側顯示氙中毒程度。 RBMK燃料棒可以俘獲周圍中子，並使其中的燃料棒進行鏈式反應放出中子並產生熱量，是RBMK反應堆的熱源。 普通燃料棒向四個方向放出中子，中子距離釋放范圍為5格。Reasim燃料棒向八個方向放出中子，中子距離釋放范圍為10格。慢化燃料棒可以把放出的中子轉化為慢中子。 （2）RBMK反應堆控制棒 RBMK控制棒可以用於控制通過中子量，從而達到調節反應堆活躍程度的作用。RBMK控制棒有慢化和自動兩個變種 當控制棒完全插入時，就會阻擋全部的中子；同理，當升起50%時就會阻擋50%的中子。 這是普通控制棒，左邊的按鈕用於給控制棒分組，可以更方便地在RBMK控制台中選擇和控制燃料棒。中間顯示控制棒升起程度，右邊可以手動粗略地調節控制棒升起程度。 慢化控制棒可以使通過的中子變成慢中子。 這是RBMK自動控制棒，它可以以玩家的設定來自動地根據溫度來控制控制棒升起程度，無法被任何方式手動控制。 左邊的左側用於調節參數： 第一行 達到最高設定溫度時控制棒的升起程度 （不得大於最低溫度的升起程度，范圍是0~100） 第二行 達到最低設定溫度時控制棒的升起程度 （不得小於最高溫度的升起程度，范圍是0~100） 第三行 設定的最高溫度 （不得小於最低設定溫度，范圍是0~9999，實際會在到達9999之前就已經爆炸了） 第一行 設定的最低溫度 （不得大於最高設定溫度的，范圍是0~9999） 設定好後需要按參數底下的按鈕來保存設置，右側下方用於設定溫度與插入程度之間的對應關系，從上到下三個按鈕分別線性對應關系，平方對應關系，對數對應關系。 （3）RBMK反應堆蒸汽管道 這是RBMK中最重要的核心部件之一，通過吸收周圍部件的熱量，來使蒸汽管道中的水轉化成蒸汽，可以用於降低反應堆溫度並且用於發電的部件。 點擊左側可以設置蒸汽的產出種類，從上往分別是：蒸汽（100℃）、熱蒸汽（300℃）、超熱蒸汽（450℃）以及超濃密蒸汽（600℃），一個蒸汽通道只能產出1種蒸汽。 中間顯示蒸汽緩存，可以儲存各類的蒸汽1000000mb。右側是水的緩存，蒸汽通道內可以儲存10000mb的水。 你可以在蒸汽通道上下兩面通過管道來輸入水和輸出蒸汽，也可以在蒸汽通道的下一格位置放置RBMK反應堆蒸汽導出器來導出蒸汽。導出器與正常管道導出無異，只是更美觀。 （4）RBMK反應堆碳化鎢中子反射器 阻擋傳來的中子並將其沿原路反射回去，可以提高反應堆的中子利用率，因為如果中子一旦離開反應堆就會被浪費。 （4）RBMK反應堆硼中子吸收器 完全吸收傳來的中子並不會產生熱量。 （5）RBMK反應堆石墨慢化劑 可以把通過的快中子變成慢中子。 燃料棒反應時會放出快中子，但絕大部分燃料棒需要吸收慢中子才能維持鏈式反應發生，所以我們很有必要把傳來的中子慢化為慢中子。 （6）RBMK反應堆輻照通道 吸收傳來的中子並用於增殖部分物品，運行效率與入射中子量和中子種類有關，快中子僅有20%的效率。 （7）RBMK反應堆燃料棒存儲棒 用於配合RBMK起重機使用，當中可以放入16個燃料棒，起重機會提取出紅色格中的燃料棒，儲存的燃料棒會按下圖順序向空的格子移動。 （7）RBMK反應堆冷卻器 通過輸入冷凝膠使部件強行保持在750度以下，可以用來維持高熱反應堆運行。 （8）RBMK反應堆流體加熱器 另一種燒開水部件，原理類似壓水反應堆（RBMK歷史上本身是沸水堆，這里屬於作者魔改）。就是先把冷卻液加熱，然後使用高溫的冷卻液與水進行熱交換，從而使冷卻液降溫並把水燒開。 在現實中壓水堆比沸水堆有著更高的安全性，而在HBM中流體加熱器則比蒸汽管道有著更高的發電效率。 右鍵打開GUI，右邊可以查看流體儲量，左邊則可以更換冷卻液類型，目前僅支持兩種冷卻液——冷卻液和Mug牌樹根飲料。在吸收反應堆熱量後就會開始把冷卻液加熱。 RBMK流體加熱器需要搭配RBMK換熱器使用，只需放在加熱器底下一格即可。 換熱器工作時會把熱的冷卻液變成冷卻液並輸送回流體加熱器中，同時把水加熱為超熱蒸汽。 （9）RBMK反應堆結構棒 沒有實際用途，只能用來傳導反應堆部件之間的熱量。 RBMK反應堆跟其他反應堆一樣，需要靠燃料棒來進行反應，但RBMK反應堆的燃料棒比其他的要復雜許多。 下面我們簡單介紹一下RBMK中的燃料棒各類重要參數： 自燃 RBMK燃料棒中帶自燃標簽的燃料棒可以在沒有吸收中子的情況下自發地放出中子，這類燃料棒可以用來啟動反應堆。 燃料消耗 代表燃料的衰變程度，且隨著燃料消耗的增加，燃料棒放出的中子量將會下降，並間接導致反應堆輸出功率下降。 氙元素堆積程度 當反應堆低功率運行或接收到錯誤的中子類型時就會增加燃料棒的氙元素堆積程度，氙元素會吸收燃料棒射出的中子，從而使反應堆功率降低。 裂變所需/放出中子類型 根據燃料棒的材料不同，發生鏈式反應所需的要的中子種類有所不同（主要是需要慢中子，目前只有錼基燃料裂變需要快中子）； 而所有的燃料棒發生裂變反應後都一定是放出快中子。 中子放射函數/中子放射函數類型 中子放射函數體現的是在沒有各類衰減（氙元素堆積程度等）影響下入射中子量與出射中子量的關系，其中x為入射中子量； 中子放射函數類型簡要的表明了這個燃料棒的安全性與函數類型： 安全 這類燃料棒的安全很高，通常有一個中子輸出量的上限。除非你完全不會設計，否則相當難以熔毀。 中等 這類燃料棒的存在一定的危險性，沒有中子輸出量的上限，但是中子輸出量增長較為平緩。 危險 這類燃料棒相當危險，通常是一次或者二次函數。設計稍有不當中子輸出量就會激增，並導致熔毀。 氙元素產生函數/燃燒函數 與吸收中子通量有關，絕大部分燃料棒產生/燃燒函數相同。 滿功率時每tick產生的熱量 當燃料棒衰變程度為零時的最大產熱量，這個值越大的燃料棒瞬時產能就越高，同時往往反應堆溫度也會比較高。 表面溫度、核心溫度與熔點 表面溫度是一個燃料棒最重要的溫度值，其熔點就是表面溫度允許的最大值，如果反應堆中的燃料棒其表面溫度大於其熔點就會發生爆炸。 核心溫度實際上沒有什麼意義，你經常可以看到一些燃料棒在運行時溫度可以達到上萬度。所以完全不需要管它。 以上就是RBMK的一些簡單的基本概念（詳細版本可能會另開一篇教程，敬請期待） 接下來我將手把手的教會你建設一個小型的RBMK反應堆，以滿足前期的產能與產物需求。 我們教程中搭建的是一個5*5四燃料棒反應堆，首先需要准備以下材料： RBMK燃料棒*4 RBMK控制棒*1RBMK中子反射板*4RBMK石墨慢化劑*12 RBMK蒸汽通道*4 工業汽輪機*3（工業汽輪機蒸汽處理量更大，你也可以換成汽輪機，但需要更多的數量） 輔助冷卻塔*1 管道線纜若干 先放下一個控制棒 然後貼著控制棒放慢化劑 接著放上蒸汽管道和燃料棒 然後在燃料棒旁放慢化劑 最後放上中子反射板 本體就這樣完成了，但RBMK在運行時會放出大量輻射，所以我們需要一些防止輻射外泄的手段。 首先是覆蓋層，在hbm中有兩種覆蓋層——RBMK反應堆覆蓋層和RBMK反應堆玻璃覆蓋層。 兩種覆蓋層都能有效地阻止輻射外泄，區別是玻璃覆蓋層在反應堆爆炸後不會產生碎片。 如圖，我們只需要手持覆蓋層在部件上右鍵即可安裝上覆蓋層（控制棒與自動控制棒不需要安裝覆蓋層） 為了防止側漏，我們還需要使用方塊把反應堆的四邊包起來； 像這樣用有一定抗爆性能的混凝土包起來，就可以防輻射又可以防止爆炸時造成過大的損壞。 接著在蒸汽管道的上下面連上管道，並把蒸汽管道設置為超熱蒸汽檔。 然後連上汽輪機和冷卻塔，並通過管道給蒸汽通道加水 到這里反應堆大體上就完成了，理論上只要插入燃料棒就可以開始運行。 但為了更方便的控制反應堆，我們需要使用上面提到的RBMK反應堆控制台來進行操作。 首先需要製作一個RBMK石墨式反應堆控制台連接裝置，使用鐵錠和鉛錠合成。 壬寅然後擺出控制台，然後手持連接裝置先按住Shift右鍵反應堆的一個部件（建議選擇正中間的部件），接著按住Shift右鍵控制台即可連接。 但當你以為反應堆大功告成然後放入燃料棒並拉起控制棒時，你會發現反應堆毫無反應，因為RBMK絕大部分的燃料棒需要有中子入射時才會放出中子，而不會自發的放出中子。 所以我們需要使用中子源來激活反應堆，可以作為中子源的燃料棒通常要帶有自燃屬性且較為安全。 而我們常用的中子源為鐳226-鈹...

SK海力士日前宣布，，單顆容量16/24GB，內部堆疊多達12顆晶片，而厚度只相當於A4紙的三分之一，帶寬則高達819GB/，還支持ECC。 OCP Summit 2021峰會上，SK海力士第一次公開展示了HBM3記憶體，單顆容量24GB，運行速率6.4GHz，比最初規劃的5.2GHz提升了23％。 不過時至今日，JEDEC仍然沒有最終敲定HBM3記憶體規范，也不知道何時發布，SK海力士等於先走了一步。 現如今，HBM系列記憶體已經成為高性能計算產品的必備，比如AMD Instinct、NVIDIA A100、Intel Ponte Vecchio等等加速計算卡，都搭載了HBM2e，尤其是新發布的AMD Instinct MI250X，封裝了八顆HBM2e，頻率3.2GHz，總容量128GB。 台積電此前已經披露，將在2023年推出可以集成12顆HBM記憶體的CoWoS-S封裝技術，而到時候HBM3肯定能夠廣泛商用，單顆24GB總容量就可以高達288GB，帶寬更是恐怖的9.8TB/！ 來源：快科技

SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發進展，可知新一代記憶體標準不僅帶來了更高的帶寬，還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產 HBM2E 記憶體開始，該公司就已經在著手 HBM3 新品的研發。隨著今日的公告，我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。 （來自：SK Hynix 官網） 除了基於 8-Hi 堆棧的 16GB SKU，SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成...

HBM高帶寬記憶體雖然沒能在顯卡上普及，但已經成為高性能計算的中堅力量，特別是在人工智慧、機器學習方面應用廣泛。最新一代HBM3標準遲遲沒有確定，但各家廠商早已按耐不住。比如SK海力士宣稱他們的HBM3可以跑到5.2Gbps的速度、665GB/s的帶寬，對比HBM2E提升多達45％。 ...

AMD當前一代的遊戲卡是7nm RDNA2架構，計算卡是7nm CDNA架構，下一代GPU應該會使用5nm工藝（官方一直沒確認），不過Linux代碼中近日確認了另一件大事，那就是MCM多晶片封裝。 由於摩爾定律越來越失效，提高晶片集成度不能只靠工藝微縮了，AMD在7nm Zen2/Zen3處理器中就開始使用MCM多晶片封裝了，GPU跟進也是板上釘釘的，除了遊戲卡中的RNDA3之外，計算卡的CDNA2都會如此。 Linux內核修正檔中日前就泄漏了AMD下代計算卡的信息，應該是下一代的Radeon Instinct MI200，GPU代號Aldebaran（畢宿五星座，MI100代號是大角星），由2個MCM晶片組成，每個晶片集成4個統一記憶體控制器，後者又是8通道，每通道支持2GB HBM2或者HBM2e顯存。 這麼算起來，MI200加速卡配備的顯存將達到128GB HBM2/2e，非常強大，成本估計也高的可怕，不過MI200會用於AMD新一代的百億億次超算中，美國政府部門會買單，貴不是問題。 MI200加速卡是給HPC用的，但它用上MCM架構設計，意味著下代的RDNA3遊戲卡也會是雙芯設計，此前爆料稱其性能輕松翻倍，只不過配備的顯存不會是HBM2/2e這麼奢侈，還是GDDR6/6X了。 來源：遊民星空

SK 海力士剛剛公布了下一代高帶寬記憶體（HBM3）的技術規格，可知其在提升傳輸速率和增大容量的同時，還引入了散熱方面的最新改進。具體說來是，該公司的 HBM3 產品將提供高達 665 Gbps 的帶寬、翻倍的容量、以及下一代散熱解決方案。在官方產品頁上，SK 海力士還分享了一張對比圖表，以直觀地展示從 HBM2E 到 HBM3 的變化。 AMD Radeon Instinct MI100 計算卡就集成了 32GB HBM2 顯存 這家 DRAM 製造商表示，HBM3 有望實現 5.2...

三星電子宣布，新一代2.5D封裝技術「I-Cube4」(Interposer Cube 4)已經正式投入商用，可用於HPC、AI、5G、雲、數據中心等各種領域。 這是一種異構整合技術，可以在一個矽底中介層上，放置一顆或多顆邏輯晶片(CPU/GPU等)，以及四顆HBM高帶寬記憶體晶片，然後封裝在一起，作為一顆晶片使用。 沒錯，和當年AMD Fiji系列顯卡頗為相似，但顯然不是簡單復刻。 AMD Fiji GPU和HBM 在以往的類似封裝技術中，隨著晶片復雜度的增加，矽底中介層也會越來越厚，三星I-Cube4則將矽底中介層控制在了區區100微米左右，也就是僅僅0.1毫米，比一張紙還要薄，更方便在更大的面積上進行各種整合操作，提高產品質量。 另外，三星I-Cube4封裝還有獨特的架構和測試技術，可以有效提高散熱效率、產品良率，進而節約成本。 三星在2018年推出了I-Cube2封裝技術，2020年帶來了X-Cube，今年3月搞定I-Cube4，目前還在開發更復雜的I-Cube6，可同時封裝六顆HBM，以及更復雜的2.5D/3D混合封裝技術。4 來源：快科技

今天上午，三星電子宣布他們成功研發了新的12層3D-TSV晶片封裝工藝，這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而此前最大僅為8層。 目前比較多見的，運用到3D-TSV封裝技術的產品就是HBM顯存。TSV技術全稱矽穿孔（Through-silicon via），這種技術是在晶片內部通過打孔填充金屬導電材料的方式來實現多層晶片間的互聯，與傳統的PoP（Package on Package）方式相比，它具有更快的速度和更高的密度。因此，它對於採用3D堆疊的晶片意義非凡。 而三星在3D-TSV技術領域中一直是處於領先地位的，新的12層DRAM封裝技術需要在整個封裝中開超過60000個TSV孔，每個孔的厚度不超過一根頭發的二十分之一。 採用新的12層3D-TSV封裝的晶片厚度仍然與現在的8層HBM2產品相同，為720μm。保持相同的厚度使得客戶無需對現有的設計進行修改即可用上新的12層封裝產品，這意味著直接可以使用更大容量的產品。 三星電子TSP（測試與系統封裝）部門的執行副總裁Hong-Joo Baek表示： 隨著例如人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）等各種新時代應用的普及，確保超高性能存儲器所有復雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限，3D-TSV所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新晶片封裝技術的最前沿。而三星將憑借著這項業界頂尖的封裝技術來滿足市場對於大容量HBM的需求——它正在快速增長。並藉此鞏固三星在高端半導體市場中的領先地位。 ...

雖然缺少光線追蹤及AI單元，AMD發佈的RX Vega II顯卡還是有很多技術亮點的，不光是7nm工藝，還有16GB HBM2顯存，帶寬也達到了1TB/s，這可是目前帶寬最高的遊戲卡。從2015年首次推出Fury系列顯卡時，AMD就商業化了HBM顯存，不過HBM發展到兩代了還是擺脫不了成本高的問題，就連NVIDIA CEO黃仁勛也在采訪中表示HBM 2顯存太貴，相比之下他還是更喜歡GDDR6顯存。 在AMD的宣傳中，16GB HBM2顯存及1TB/s帶寬是個重點，不僅容量大，而且超高帶寬可以給一些專業應用提供了便利，特別是高分辨率的4K、8K創作、渲染等工作。 目前的RX Vega顯卡上使用的是2顆HBM 2顯存，容量8GB，帶寬484GB/s，RX Vega II能上16GB HBM2也是因為7nm工藝使得Vega 20核心縮小了68%，節省出了空間，使得AMD可以填補額外的兩顆HBM2顯存空間。 從技術上來說，AMD做到了1TB/s帶寬及16GB容量是個進步，但是代價呢？AMD官方一直沒公佈成本到底有多高。對於這個問題，NVIDIA創始人黃仁勛也在采訪中回應了友商顯卡採用HBM 2顯存的問題，老黃直言這個方案還是太貴了，雖然隨着時間推移成本會下降。 黃仁勛表示HBM沒有什麼問題，他也很喜歡HBM顯存，但更喜歡GDDR6顯存。 在NVIDIA的顯卡中，面向專業市場的Tesla V100等高價顯卡也使用了32GB HBM2顯存，消費級的有Titan V顯卡，使用了12GB HBM2顯存，不過現在的圖靈GPU使用的就是GDDR6顯存了，雖然也沒公佈過GDDR6的具體成本，但比HBM2顯存還是更低的。 來源：超能網

原料：普通麵粉500克，南瓜泥280克。 調料：鹽、花生油、五香粉各適量。 做法： 1.南瓜去皮切塊上蒸屜蒸熟。 2.用一根筷子能輕易的穿透南瓜就說明已經熟了，然後將火關到最小，用大勺子將南瓜按壓成泥， 不關火是因為要用熱南瓜泥將麵粉燙熟，燙面的五香餅好吃。 3.將熱的南瓜泥分次加入麵粉中，然後快速的用勺子攪拌。 4.把南瓜與麵粉攪拌成絮狀，等溫度不燙手時將面和成面團。 南瓜的水份很大，一定要分次加，我喜歡軟一點的餅，所以加的南瓜泥就多。 5.和好的面團蓋上濕布醒10分鍾。 6.然後將大面團分成自己喜歡的數個小面劑子，揉圓並按扁。 7.擀成薄薄的大面片。 8.在面片上刷一層薄油，並撒上一層鹽，一點點的五香粉。 9.然後將面片捲成圓筒狀。 10.將條狀的面再捲成圓形。 11.按壓至扁平。 12.最後再擀成薄餅狀，也不要太薄，有點厚度餅才更軟。 13.預熱好的電餅鐺，內部上下都刷一層薄油（不刷也行），放入餅坯合上蓋子。 14.2-3分鍾後，當電餅鐺冒著很大的熱氣時，掀開翻面，再蓋1-2分鍾至兩面都金黃。 15.拿出切塊即可上桌。 來源：生活妙招網