Tag: HBM 2

2019年大家都在期待AMD及NVIDIA的7nm工藝顯卡，現在這個過程等得讓人心急，真要有耐性的話，等等黨可以一直等到明年，因為英特爾也要高性能GPU了，也會進入遊戲顯卡市場。目前我們能知道的是英特爾的高性能GPU會叫做XE，具體架構性能還不清楚，但XE顯卡的猛料還不少，最新爆料稱英特爾不僅搞定了10nm工藝，有些事還超過了預期，GPU也有可能用上3D堆棧，換句話說英特爾明年可能也會上HBM 2之類的3D顯存。 雖然英特爾的高性能GPU計畫沒有什麼詳情，但是近來傳聞可不少，HPC Guru日前又爆了一個猛料，那就是英特爾不僅搞定了10nm工藝大規模量產的事，還有些事是超過預期的，3D堆棧技術不只會用於存儲芯片，還包括GPU。 簡單來說，英特爾的高性能GPU除了上10nm工藝這個亮點之外，還有可能會使用3D顯存，不過HPC Guru沒有提供更多信息。 在技術上，英特爾使用3D堆棧存儲芯片沒什麼問題，其FPGA產品Stratix 10上就使用了8GB HBM 2顯存。當然，這里所說的3D堆棧芯片也不一定就欽定HBM 2了，因為英特爾還跟美光合作了另一種3D堆棧存儲芯片——HMC，在自家的至強Phi處理器中也有使用過。 假如這個爆料成真，那麼2020年英特爾推出的高性能GPU定位還真不低，不論HBM 2（明年可能有HBM 3了）還是HMC，3D堆棧記憶體都是高成本的，當然帶來的TB/s級帶寬性能也是頂級的。 不過英特爾應該也不會完全放棄GDDR6顯存的，他們的GPU不可能只有一款，主流而且成本更低的GDDR6顯存還是必須的，除非英特爾真的不打算做中低端遊戲顯卡市場，一門心思滿足高端遊戲玩家的需求。 來源：超能網

隨著三星、SK Hynix及美光先後宣布量產GDDR6顯存，更高頻率的GDDR6將在下一代顯卡上取代GDDR5顯存，NVIDIA新一代顯卡將會使用12GB GDDR6顯存。不過要說拼性能，HBM 2顯存依然領先於GDDR6顯存，只是目前HBM 2顯存的價格還是太貴了，在ISC 2018會議上三星提到他們的HBM 2產能已經翻倍，不過還是滿足不了市場需求。 第一代HBM顯存中，最早是AMD和SK Hynix聯合開發的，HBM 2顯存帶寬、容量翻倍，三星也加入了HBM 2生產陣營，宣布推出第五代HBM 2，容量可達8GB，採用了TSV矽穿孔方式，垂直堆疊了8塊1GB的HBM 2 Die，多達5000個穿孔考驗的就是廠商的量產能力，同時等效顯存頻率提升至2.4GHz，並且把工作電壓降低至1.2V。 在最近的ISC 2018國際會議上，三星也提到了HBM 2的進展，表示他們的HBM 2產能已經翻倍，不過目前依然是供不應求。 HBM 2產能增加也可以從AMD、NVIDIA近期發布的一系列高端顯卡中看出來，NVIDIA之前使用的HBM 2容量不過16GB，現在GV100大核心標配的HBM 2容量開始升級到32GB，AMD那邊RX Vega顯卡配備的才是8GB HBM 2，但是7nm Vega就使用了32GB HBM 2顯存，不僅僅是容量大增，顯存位寬也翻倍了，變成了4路HBM 2顯存而非2路HBM 2顯存。 不過HBM 2顯存依然不能普及，從三星的表態來看，困擾HBM 2顯存普及的一個關鍵還是產能，畢竟TSV技術製造難度比普通記憶體高得多，現在的產能跟成熟的GDDR顯存是沒得比的。 ...