Tag: JEDEC

快科技12月11日消息，JEDEC組織官方宣布，Intel、戴爾等聯合提出的CAMM筆記本內存形態，已經被正式吸納為行業標准，命名為“CAMM2”，從而和DDR5、HBM3、GDDR6等技術並列。 CAMM全稱為“”，相比傳統的SO-DIMM內存，厚度變薄了57％，單條容量最高可達128GB，而頻率已經做到6400MHz。 它還有一個好處，那就是單條就能組成雙通道。 只不過，它的面積增大了不少，也貴得多。 CAMM2內存目前支持DDR5、LPDDR5/5X兩種版本，後者甚至可以做成獨立內存而不一定非要集成在主板上，但現階段還是以DDR5為主。 成為行業標准有助於推動CAMM2的普及，但暫時只有戴爾一家在做，其他PC、內存廠商均未表態。 來源：快科技

SODIMM這個記憶體標準已經在筆記本上用了很多年了，只要你的筆記本是可以更換記憶體的話，就一定能看到它。而它將會在未來被一個新的標準所取代。 援引Liliputing和PCWorld的消息，JEDEC理事會成員，同時也是戴爾高級傑出工程師的Tom Schell稱，JEDEC正准備用CAMM替換掉已經用了25年的SODIMM標準。他們已經投票決定讓CAMM 0.5作為SODIMM的潛在替代品。JEDEC的目標是在今年的晚些時候推出更新的CAMM 1.0標準，並在明年推出CAMM記憶體的筆記本。 CAMM是由戴爾在2022年4月研發的，全稱為Compression Attached Memory Module（壓縮附加記憶體模塊）。跟SODIMM相比，雖然CAMM占據的面積更大，但是它比SODIMM薄了57%。其次，CAMM能提供更高的記憶體頻率和容量。SODIMM難以支持超過6400MT/s的記憶體速度，而這對於CAMM來說並非難事。CAMM還支持單條128GB記憶體。 另外，CAMM除了能為未來的遊戲本和工作站這些筆記本帶來更高的性能外，它還能搭載LPDDR記憶體，更薄的體型意味著它能被安裝在輕薄本中。考慮到目前絕大多數的輕薄本都是直接把記憶體焊在主板上，CAMM的推出可能讓輕薄本的可升級性得到提高。 當然，目前CAMM的標準還在討論制定中，再考慮到各家廠商的跟進情況，也許CAMM的普及還是需要一段相當長時間的。不過作為CAMM的研發者和推進者，也許戴爾會是採用CAMM記憶體最積極的那一個。 ...

JEDEC宣布，已經與CXL聯盟簽署諒解備忘錄（MOU），正式確定兩個組織之間的合作。 根據協議的內容，雙方將組建一個聯合工作組，加強互相間的信息交流，以幫助各自組織制定的標準可以相互增強。如果要加入到JEDEC和CXL聯盟的聯合工作組，必須是兩個組織的成員級別，這可以與各自的智慧財產權政策做綁定。 CXL聯盟主席Siamak Tavallaei表示： 「JEDEC和CXL 聯盟之間的諒解備忘錄將建立一個持續溝通的框架，以協調兩個組織之間的未來。聯合工作組將就外形尺寸、管理、安全以及DRAM和其他記憶體技術相關的解決方案展開合作。」 JEDEC董事會主席Mian Quddus表示： 「在數十家行業領先公司的支持下，此次合作將幫助兩個組織優化各自標準的開發，並將支持JEDEC創建針對CXL連接的記憶體模塊和組件的標準。」 近期CXL聯盟推出了Compute EXpress Link（CXL）3.0規范，在前代技術基礎上做了進一步擴展，以提高擴展性並通過先進的交互功能、高效的點對點通信、以及跨越多個計算領域的細粒度資源共享優化系統級數據流。幾乎同一時間，OpenCAPI聯盟宣布，將會把OpenCAPI和OMI規范以及OpenCAPI聯盟的資產轉讓給CXL聯盟。 去年末，Gen-Z聯盟宣布將其所有技術規格和資產轉讓給CXL聯盟。加上此次CXL聯盟與JEDEC加強合作，意味著CXL聯盟不但一統I/O互連標準，而且未來很可能會進一步擴大應用的范圍。 ...

今天JEDEC發布了HBM3高帶寬記憶體標準，相比現有的HBM2和HBM2e標準有大幅的提升。這個新的HBM記憶體標準版本為JESD238 HBM3，目前相關技術文檔已經可以從JEDEC下載。 JEDEC表示，HBM3是一種創新的方法，是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案，對於高數據處理速率要求的應用場景來說至關重要，比如圖形處理和高性能計算的伺服器。新一代HBM3記憶體主要屬性包括： 將經過驗證的HBM2架構擴展到更高的帶寬，將HBM2的每引腳數據速率提高一倍，並定義高達6.4 Gb/s的數據傳輸速率，相當於819GB/s。 將獨立通道的數量從HBM2的8個增加到16個，每個通道有兩個偽通道，HBM3實際上支持32個通道。 支持4層、8層和12層TSV堆棧，並為未來擴展至16層TSV堆棧做好准備。 支持單層8Gb到32Gb的存儲密度，意味著容量從4GB（4層8Gb）到64GB（16層32Gb），預計第一代HBM3設備將基於單層16Gb。 為了滿足市場對高級平台RAS（可靠性、可用性、可維護性）的需求，HBM3引入了片上糾錯技術（ECC），以及實時錯誤報告和透明度。 通過在主機接口上使用低擺幅（0.4V）信號和較低 （1.1V）工作電壓來提高能效。 技術營銷總監兼JEDEC HBM小組委員會主席Barry Wagner表示，憑借HBM3記憶體更強的性能和可靠性，將對需要海量記憶體帶寬和容量的新應用提供有力的支持。此外，美光、SK海力士和Synopsys等企業的負責人也對HBM3記憶體標準的發布感到高興。 在去年10月份，SK海力士已宣布成功開發出了HBM3記憶體，成為全球首家開發出新一代HBM記憶體的公司。SK海力士提供了兩種容量，一個是12層矽通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，均提供819 GB/s的帶寬，前者的晶片高度也僅為30微米。 ...

JEDEC固態存儲協會在2019年初正式發布了JESD209-5標準Low Power Double Data Rate 5即LPDDR5的標準，速率為6400MT/s，相比第一版LPDDR4的3200MT/s速率，直接翻了一倍，即便與LPDDR4X的4266MT/s速率相比也快了50%，這將明顯提升包括智慧型手機、平板電腦和超輕薄型電腦等應用場景的記憶體效率。 LPDDR5為了提升性能重新設計了架構，轉向16Banks可編程和多時鍾架構，並引入了Data-Copy和Write-X兩個新的指令，另外考慮到汽車與相關市場的需求，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯功能。LPDDR5的電壓和LPDDR4X一樣是1.1V，信號電壓250mV，不過閒置狀態下電流將降低40%，可大幅降低功耗。 今天JEDEC固態存儲協會正式公布了JESD209-5B標準即LPDDR5X的標準，由JEDEC的JC-42.6低功耗存儲器小組委員會開發，這是對LPDDR5的可選擴展，專注於提高性能、功耗和靈活性，旨在提高包括5G通信性能、汽車高解析度增強現實/虛擬現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的記憶體性能。 此最新版的主要更新包括了：1、速率提高到了8533MT/s。2、通過TX/RX均衡改善信號完整性。3、通過新的自適應刷新管理提高可靠性。4、LPDDR5X作為可選擴展，旨在提供更高的帶寬和簡化的架構。 美光、三星和Synopsys都參與了LPDDR5X的標準制定工作，各方都希望新標準可以為下一代智慧型手機、筆記本電腦和其他移動計算設備鋪平道路，打開5G和AI應用的大門，為遊戲、攝影和流媒體等記憶體密集型應用提供更好的用戶體驗。 ...