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昨天我們報導過三星會在2月18日至22日在美國舊金山舉行的ISSCC 2024上介紹其最新的GDDR7顯存技術，速率達到了37Gb/s，為16Gbit模塊，而另一家韓國半導體巨頭SK海力士自然也不會錯過在這次大會上展示肌肉。 SK海力士將會成為繼三星之後第二家展示GDDR7顯存晶片的公司，它們家產品的速度是35.4Gbps，比三星的慢，不過存儲密度是相同的，都是單顆16Gbit。與三星的一樣，SK海力士的GDDR7同樣採用PAM3信號編碼機制，擁有專門的低功耗設計，不知道它是否類似三星的四種低時鍾狀態。 GDDR7是給下一代遊戲顯卡所准備的，而AI HPC領域則需要HBM3E，海力士會在會議上展示他們最新的16層堆棧48GB HBM3E晶片，新的設計理論上能讓單顆晶片速度達到1280GB/s，採用四顆HBM3E就能達到192GB容量和5.12TB/s的超高帶寬。新的HBM3E採用全新的全功能TSV(矽通孔)設計和6相讀書節隊列選通方案，以實現矽通孔面積優化。 最後SK海力士還為移動設備帶來了LPDDR5T內存，頻率高達10533MHz，內存電壓1.05V，如此高的數據速度得益於獨家的寄生電容降低技術和電壓偏移校準接收器技術，新的高頻LPDDR5T內存能為智慧型手機、平板電腦和輕薄筆記本提供更好的性能。 ...

SK海力士宣布，已正式向客戶供應LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）的16GB容量套裝產品，數據傳輸速率高達9.6Gbps，這是迄今為止世界上最快的商業化移動DRAM產品。 LPDDR5T的16GB容量套裝產品可在國際半導體標准化組織（JEDEC）規定的最低電壓1.01至1.12V標准范圍下運行，同時集成了HKMG工藝，並採用了1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高了13%。其數據處理速度為77GB/s，相當於1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級別的電影。 自今年1月推出LPDDR5T以來，SK海力士就開始與全球各地的移動應用處理器（AP）製造商展開性能及兼容性的驗證工作，以便讓LPDDR5T在不同平台都能發揮出最好的性能，推進商業化進程。SK海力士在今年8月和10月，分別在聯發科天璣9300和高通第三代驍龍8移動平台上完成了性能及兼容性的驗證。近期SK海力士正式向vivo交付了16GB容量套裝的LPDDR5T產品，用於X100和X100 Pro最新款智慧型手機。 SK海力士表示，LPDDR5T內存的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR），未來將繼續開發高性能DRAM，將端側AI技術引入智慧型手機。 ...

快科技11月13日消息，SK海力士今日宣布，開始向客戶供應LPDDR5T內存，運行速度可達每秒9.6Gbps，遙遙領先普通DRAM。 據悉，相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高了13%，為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了“T”作為後綴。 根據國際半導體標准化組織（JEDEC）規定，LPDDR5T的16 GB產品可在最低電壓1.01~1.12V標准范圍下運行，它的數據處理速度為每秒77GB，相當於每秒可傳輸15部全高清電影。 vivo X100系列將會首發LPDDR5T內存，已在天璣9300平台完成性能驗證，vivo X100系列將擁有聯發科天璣9300處理器＋LPDDR5T新內存＋UFS 4.0快閃記憶體的新性能鐵三角。 此外，LPDDR5T內存的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。 來源：快科技

SK海力士宣布，其LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）已在高通第三代驍龍8移動平台上完成了性能及兼容性的驗證，速率高達9.6Gbps，這是世界上最快的商業化移動DRAM。 SK海力士表示，自今年1月推出LPDDR5T以來，SK海力士就與高通展開了兼容性的驗證工作，讓LPDDR5T和第三代驍龍8平台都能發揮出最好的性能。隨著驗證工作的完成，今後移動設備中LPDDR5T的布局將迅速擴大。SK海力士計劃提供容量為16GB的套裝產品，數據處理速度為77GB/s，相當於1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級別的電影。 LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行，同樣集成了HKMG工藝，並採用了1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高了13%。為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了「T」作為後綴。 SK海力士相信在下一代LPDDR6問世之前，大幅度拉開技術差距的LPDDR5T內存可以主導市場，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存儲器的需求增長。LPDDR5T內存的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。 ...

SK海力士宣布，其LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）已在聯發科下一代天璣旗艦移動平台上完成了性能驗證，速率高達9.6Gbps，是世界上最快的移動DRAM。 SK海力士在今年年初推出了LPDDR5T，兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行，同樣集成了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，並計劃採用1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高了13%，達到了9.6 Gbps。為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了「T」作為後綴。 根據SK海力士說法，早在今年2月份，就已經將LPDDR5T的樣品提供給了聯發科進行測試。從描述的內容來看，很可能是天璣9300移動平台，預計會在今年年內發布。此前SK海力士曾透露，計劃向客戶提供容量為16GB的LPDDR5T樣品，數據處理速度為77GB/s。 SK海力士相信在下一代LPDDR6問世之前，大幅度拉開技術差距的LPDDR5T內存可以主導市場，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存儲器的需求增長。LPDDR5T內存的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。 ...

SK海力士宣布，已成功開發出目前速度最快的移動DRAM：LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）。SK海力士在去年11月，推出了全球首款集成HKMG（High-K Metal Gate）工藝的LPDDR5X記憶體，採用1αnm（第四代10nm級別）工藝製造，而這次的LPDDR5T是在此基礎上進一步的性能提升。 LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行，同樣集成了HKMG工藝，並計劃採用1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X記憶體，LPDDR5T的速度提高了13%，達到了9.6 Gbps。為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了「T」作為後綴。 SK海力士計劃近期向客戶提供LPDDR5T記憶體樣板，為16GB容量的封裝，數據處理速度為77GB/s，最終在下半年推進產品的量產。在SK海力士看來，在推出8.5 Gbps的LPDDR5記憶體後，僅相隔兩個月就再次突破技術局限，為客戶提供多種容量的所需產品，可進一步鞏固其DRAM市場領導地位。 SK海力士相信在下一代LPDDR6問世之前，大幅度拉開技術差距的LPDDR5T記憶體可以主導市場，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存儲器的需求增長。LPDDR5T記憶體的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。 ...

今天，SK海力士宣布，成功開發出了現階段全球最快的移動DRAM（記憶體）：“LPDDR5T”（ Low Power Double Data Rate 5 Turbo），並已經向客戶提供了樣品。 與此前推出的LPDDR5X相比，LPDDR5T的運行速度快13%，高達9.6Gbps，這也是它名字中“Turbo”的由來。 此次作為樣品提供的LPDDR5T在國際半導體標準化組織 （JEDEC）規定的最低電壓1.01~1.12V下運行，數據處理速度可達每秒77GB，相當於每秒處理15部Full-HD（1080P）電影。 據悉，SK海力士計劃採用第4代10納米工藝生產LPDDR5T，並預計在今年下半年推進該產品的量產，這意味著我們並不需要等待太久，就能夠體驗到這款DRAM的出色表現。 此外，SK海力士在本次產品中也採用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工藝，實現最佳性能表現。 目前來看，SK海力士期待LPDDR5T能夠憑借與同類產品的技術差異， 在下一代LPDDR6問世之前，主導市場。 因此，LPDDR5T的應用范圍將不僅限於智慧型手機，還將會擴展到人工智慧、機器學習、AR/VR等領域。 來源：快科技