Tag: LPDDR5X

快科技4月17日消息，三星開發出其首款支持高達10.7Gbps速率的LPDDR5X DRAM 內存，堪稱“業界最快”。 三星表示，這款10.7Gbps LPDDR5X內存基於12nm級工藝技術，相較上代產品性能提高25%以上，容量提高30%以上。 同時該內存將移動DRAM的單封裝容量擴充至32GB，滿足端側AI應用對高性能大容量內存的需求。 值得一提的是，LPDDR5X採用了專門的節能技術，可根據工作負載頻率調整和優化供電模式，以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。 這些改進使能效比上一代產品提高了25%，從而延長了移動設備的電池壽命，並通過降低伺服器處理數據時的能耗，最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。 經過與移動應用處理器（AP）和移動設備供應商的驗證之後，10.7Gbps LPDDR5X將於今年下半年開始量產。 來源：快科技

三星宣布，已開發出其首款速率達10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示，新款LPDDR5X是未來端側人工智慧（AI）的理想解決方案，預計將在PC、加速器、伺服器和汽車領域中得到更廣泛的應用，將鞏固其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。 三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示：「隨著對低功耗、高性能內存需求的增加，LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、伺服器和汽車等其他領域，傳統上說，它們需要更高性能和可靠性，三星將通過與客戶的密切合作，不斷創新，為即將到來的設備端人工智慧時代提供更優的產品。」 速率10.7Gbps的LPDDR5X採用了12nm級別的工藝技術，實現了三星現有LPDDR中最小的晶片尺寸。相比於上一代產品，這次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB，成為端側人工智慧時代里高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。 三星還採用了專門的節能技術，可根據工作負載頻率調整和優化供電模式，以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了進一步的提升，相比上一代產品提高了25%，延長了移動設備的電池續航時間，並降低了處理伺服器處理數據的能耗，最大限度地降低了總體擁有成本（TCO）。 在與設備供應商完成驗證後，三星計劃在今年下半年開始量產速率10.7Gbps的LPDDR5X。 ...

近日，美光推出了基於單顆32Gb晶片的128GB DDR5-8000 RDIMM內存模塊。據TomsHardware報導，美光還公布了未來五年的產品路線圖，分享了對高性能、高容量存儲技術的展望，其中包括了一些過去未曾公開討論的技術。 美光希望未來幾年繼續在HBM和GDDR類內存上努力，此前已推出業界首款帶寬超過1.2 TB/s、引腳速度超過9.2 GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，對應的應該就是路線圖上顯示的HBM3E。美光該款HBM3E將於2024年初到來，預計會在英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E晶片，將會在2025年推出。 更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發布，內存堆棧將採用2048位接口，帶寬超過1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之間，推出容量在36GB至48GB、12/16層垂直堆疊的產品。到了2028年還會有HBM4E，頻率將進一步提升，容量將增加至48GB到64GB，帶寬增加至2 TB/s以上。 下一個GDDR版本，也就是GDDR7將會在2024年末到來，每個數據I/O接口的速率達到了32 Gbps，容量為16Gb至24Gb。預計到2026年末，單個晶片的容量會超過24Gb，速率也會提升至36 Gbps。 美光預計在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率為8800 MT/s，然後在2026年或2027年提供容量超過256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率會攀升至12800 MT/s。同時美光准備推出支持CXL 2.0的內存模塊，容量在128GB至256GB，帶寬將達到36 GB/s，接下來還有支持CXL 3.x的內存模塊，容量超過256GB，帶寬超過72 GB/s。 對於低功耗應用，業界將繼續使用LPDDR內存。美光速率為8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X將繼續使用一段時間，然後從2025年開始提供基於LPDDR設計的LPCAMM2內存，速率為8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬還會有速率為9600 MT/s、容量超過192GB的產品。 ...

SK海力士宣布，開始向客戶提供應用於智慧型手機等移動產品的高性能LPDDR5XDRAM的24GB封裝產品。 SK海力士在去年已成功開發出全球首款集成HKMG工藝的LPDDR5X內存，採用1αnm工藝製造。相比上一代產品，該款LPDDR5X降低了25%的功耗，並在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行。此次SK海力士在原有產品基礎上，將容量提升至24GB的移動DRAM封裝，並開始供貨了。 據SK海力士介紹，24GB LPDDR5X DRAM封裝產品依舊在JEDEC規定的1.01V至1.12V超低電壓范圍下運行，數據處理速度為68GB/s，相當於每秒可以傳輸13部全高清級別的電影。自上個月進入量產後，已供貨給智慧型手機製造商OPPO，用於新款旗艦機型「一加 Ace2 Pro」，新品很快便會上市銷售。 SK海力士強調：「公司將HKMG（High-K Metal Gate）工藝引入LPDDR5X 24GB封裝產品中，可同時體現業界最高水平的能效和性能。此次將目前唯一的24GB高容量封裝產品添加到公司移動DRAM組合中，今後可以更廣泛地應對客戶的要求。」 相比於常規的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有競爭力的特性之一，SK海力士利用HKMG工藝，既提高了性能，又降低了功耗，實現了積極的擴展和高效率。SK海力士DRAM營銷擔當副社長朴明秀表示，這類型內存不僅適用於移動設備，也將擴展到PC、伺服器、高性能計算（HPC）和汽車等領域。 ...

快科技8月11日消息，24GB內存已經成為接下來安卓手機競爭的焦點，今天SK海力士也正式宣布量產業界首款24GB LPPDR5X內存，一加Ace2 Pro首發。 這款內存不僅是容量最大的，同時製造工藝上還使用了HKMG工藝，可以防止漏電流，提高速度的同時還降低了功耗，SK海力士也是首次將這種工藝應用到移動內存中的公司。 具體規格方面，這款24GB LPDDR5X內存電壓在1.01V到1.12V之間，帶寬68GB/，相當於1秒時間傳輸13部FHD電影。 在這次官宣之前，SK海力士的24GB LPDDR5X內存已經上個月出貨給OPPO，該公司的子品牌一加Ace2 Pro手機將首發這款內存。 一加之外，會上24GB內存的手機品牌至少還有4家，後續還會有大批廠商跟進的。 除了手機行業之外，大容量LPDDR5X內存還會應用在更多的市場中，比如PC、伺服器、高性能計算（HPC）和汽車等。 來源：快科技

SK海力士宣布，已成功開發出目前速度最快的移動DRAM：LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）。SK海力士在去年11月，推出了全球首款集成HKMG（High-K Metal Gate）工藝的LPDDR5X記憶體，採用1αnm（第四代10nm級別）工藝製造，而這次的LPDDR5T是在此基礎上進一步的性能提升。 LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行，同樣集成了HKMG工藝，並計劃採用1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X記憶體，LPDDR5T的速度提高了13%，達到了9.6 Gbps。為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了「T」作為後綴。 SK海力士計劃近期向客戶提供LPDDR5T記憶體樣板，為16GB容量的封裝，數據處理速度為77GB/s，最終在下半年推進產品的量產。在SK海力士看來，在推出8.5 Gbps的LPDDR5記憶體後，僅相隔兩個月就再次突破技術局限，為客戶提供多種容量的所需產品，可進一步鞏固其DRAM市場領導地位。 SK海力士相信在下一代LPDDR6問世之前，大幅度拉開技術差距的LPDDR5T記憶體可以主導市場，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存儲器的需求增長。LPDDR5T記憶體的應用范圍不僅限於智慧型手機，還能擴展到人工智慧（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。 ...

SK海力士宣布，已成功開發出全球首款集成HKMG工藝的LPDDR5X記憶體，採用1αnm工藝製造，最近剛剛推向市場。SK海力士表示，相比上一代產品，該款LPDDR5X降低了25%的功耗，並在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓范圍內運行。 相比於常規的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有競爭力的特性之一，這是由於移動設備功率有限，因此有必要盡可能地延長使用的時間，這就是降低功耗與提高運行速度同樣重要的原因。SK海力士利用HKMG工藝，既提高了性能，又降低了功耗，可謂是一石二鳥，實現了積極的擴展和高效率。 隨著低功耗LPDDR5X的引入，移動設備充電一次就可以使用更長的時間了。同時這次SK海力士的LPDDR5X數據傳輸速率提高到了8533 MT/s，比前代產品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽車高解析度增強現實/虛擬現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的記憶體性能。 近年來，SK海力士在移動DRAM上緊跟市場趨勢，研發投入相當大。去年SK海力士就量產了18GB的LPDDR5，這也是目前業界同類產品中最大的容量。隨著這次集成HKMG工藝的LPDDR5X的推出，以更少的電力消耗提供了更快的速度，SK海力士進一步鞏固了其在記憶體半導體領域的領導地位。 ...

2021年批量出貨1α(1-alpha)工藝產品後，美光今天宣布，採用全球最先進1β(1-beta)製造工藝的DRAM記憶體晶片已經送樣給部分手機製造商、晶片平台合作夥伴進行驗證，並做好了量產准備。 美光稱，1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 目前，美光已經在LPDDR5X移動記憶體上率先應用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最高速率8.5Gbps(等效於8500MHz)。 美光稱，新記憶體在性能、密度、能效上都有顯著提升，尤其可以改善拍照啟動、夜景模式和人像模式的成像速度和清晰度、無抖動的8K視頻錄制、手機視頻剪輯等應用的體驗。 另外，1β LPDDR5X記憶體還支持全新JEDEC增強型動態電壓和頻率調節擴展核心(eDVFSC)技術，從而更加節能。在高達3200Mbps的雙倍頻率層上添加eDVFSC，可改善節能控制，基於獨特的終端用戶模式實現更低功耗。 美光表示，除了移動應用，1β記憶體產品還具備低延遲、低功耗、高性能的特點，可滿足智能汽車、數據中心等應用所需的快速響應、實時服務、個性化、沉浸式體驗。 更多基於1β工藝的記憶體產品，將在明年推出。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

三星宣布，其最新的LPDDR5X具有業界最快的8.5 Gbps速率，並且已通過驗證，可用於驍龍移動平台。自LPDDR5X發布以後，三星一直與高通展開密切合作，為驍龍移動平台做優化。今年3月份，7.5 Gbps速率的LPDDR5X就率先通過了驗證，證明了三星在記憶體市場的領導地位。不少人猜測，這次8.5 Gbps速率的LPDDR5X可能會用於高通即將推出的驍龍8 Gen2平台。 8.5 Gbps的速率是目前LPDDR5（6.4 Gbps）的1.3倍，在三星採用14nm工藝以後，功耗也比LPDDR5降低了約20%。16Gbit的單晶片容量，最大封裝容量為64GB，以滿足移動領域更高容量的需求。此前三星已開始量產採用EUV（極紫外）技術的14nm工藝製造DDR5 DRAM，或許未來也會應用在LPDDR5X。 過去十多年來，三星一直推動高端智慧型手機的移動DRAM市場，讓更多的消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算能力。由於低功耗及高性能特性，LPDDR記憶體家族正迅速地在現代計算設備上普及，目前已遍布智慧型手機、PC、HPC、伺服器和汽車領域，在過去幾年中有著非常強勁的增長。 由於LPDDR系列記憶體在小尺寸中將低功耗和高性能相結合，可以幫助PC製造商，構建更小，更輕，更強大的筆記本電腦。三星認為，隨著自動駕駛功能更廣泛地應用，LPDDR系列這樣的高帶寬存儲器可以更快地處理車輛的數據。對於數據中心和邊緣伺服器，LPDDR系列記憶體也有助於降低功耗，減少熱量和碳排放，同時改善數據中心管理人員的總擁有成本（TCO）。 ...

三星在去年推出了業界首款基於14nm工藝、16Gbit的LPDDR5X，涵蓋5G、AI、AR在內的各種依賴高速數據服務應用。今天三星宣布，已驗證了這款LPDDR5X可用於高通驍龍移動平台（Snapdragon mobile platforms）。 三星表示，自從去年發布14nm的LPDDR5X以後，一直與高通展開密切合作，為其用於驍龍移動平台做優化。這款LPDDR5X速率為7.5 Gbps，是一般LPDDR5（6.4 Gbps）的1.2倍，可以提升超高解析度視頻錄制的性能，以及語音識別、圖像識別和自然語言處理等AI性能。通過採用先進的電路設計，以及動態電壓和頻率縮放（DVFS）技術，LPDDR5X的功耗降低了約20%。 三星相關負責人表示，其LPDDR5X解決方案在高通驍龍移動平台的成功驗證，再次證明了三星在DRAM技術方面的領先地位。三星希望這種高性能、低功耗記憶體的應用范圍，能夠從智慧型手機擴展到數據中心、PC和汽車領域，從而使更多設備和系統能夠以更高的效率運行。 根據JEDEC固態存儲協會去年公布的LPDDR5X的標準，其傳輸速率可提高到8533MT/s、提供更高的帶寬和簡化的架構、通過TX/RX均衡改善信號完整性、以及通過新的自適應刷新管理提高可靠性。此次三星的LPDDR5X速率為7.5 Gbps，未來應該會有更高速率的產品出現。 ...

今天三星半導體官方微博宣布，三星首款基於14nm的LPDDR5X記憶體已在高通驍龍移動平台上驗證使用。 三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用於驍龍移動平台。 LPDDR5X的速度比目前高端智慧型手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智慧型手機上提升超高解析度視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智慧功能。 此外，三星LPDDR5X記憶體採用先進的電路設計和動態電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。​ ​三星半導體執行副總裁兼記憶體全球銷售和營銷負責人Jinman Han表示：LPDDR5X解決方案在高通技術公司驍龍移動平台上的成功驗證，證明了我們在DRAM技術方面的先進地位。 我們預計這種高性能、低功耗記憶體的應用將從智慧型手機擴展到數據中心、個人電腦和汽車，使越來越多的設備和系統得以更高的效率運行。​ ​高通技術公司產品管理副總裁Ziad Asghar表示：高通在啟用和採用最新的LPDDR DRAM規格方面是行業專家。 在驍龍平台上使用LPDDR5X，用戶在使用移動端遊戲，相機，應用程式的過程中，能夠通過各種高通技術結合的最新AI引擎，感受新的特色和改善的性能，進一步增強移動體驗。 ​為了更好地滿足對高端DRAM解決方案日益增長的需求，三星將繼續追求低功耗DRAM產品的開發，提供更高的性能和更大的容量，以支持不斷更新的下一代系統。 來源：快科技

前幾頁聯發科發布的天璣9000 5G處理器亮點很多，除了首發新一代CPU、GPU架構之外，還率先支持了LPDDR5X記憶體，現在他們還跟美光聯合驗證了LPDDR5X記憶體，頻率可達8.533Gbps。 在天璣9000發布之後，美光也確認了他們跟聯發科合作驗證了自家LPDDR5X記憶體與天璣9000的兼容問題，首先驗證的是7.5Gbps的LPDDR5X記憶體，隨後還有更高的8.533Gbps的LPDDR5X記憶體，性能比上代LPDDR5高出33%。 據美光所說，他們的LPDDR5X記憶體基於最先進的1α(1-alpha) 節點工藝，專為高端及旗艦智慧型手機而設計，可提供60GB/的超高帶寬。 美光沒有提到他們的LPDDR5X記憶體什麼時候上市，不過天璣9000處理器的手機預計會在明年Q1季度上市，屆時也是LPDDR5X記憶體的首發了。 來源：快科技

——LPDDR5X（低功耗雙倍數據速率5X）。 根據三星的介紹，這款LPDDR5X記憶體採用了14nm工藝，功耗減少20%，速率可達8.5Gbps，是比上一代產品LPDDR5的運行速度6.4Gbps約快1.3倍，同時最高容量可達64GB。 這意味著未來的手機記憶體容量可達64GB，都要超過快閃記憶體了，不過實際上不會這麼快，手機今年最大才做到了18GB，明年24GB到32GB，達到64GB容量還得兩三年。 三星這款LPDDR5X記憶體除了手機之外，還有哪些領域可用？官方提到了5G及AI等市場，實際上還有一種可能就是筆記本電腦。 Intel在11代酷睿Tiger Lake上支持了LPDDR4X記憶體，12代酷睿Alder Lake支持的是DDR5及LPDDR5，支持LPDDR5X的是明年的13代酷睿Raptor Lake，這是在Alder Lake上的增強升級版。 用過11代酷睿筆記本的玩家可能會注意，使用DDR4-3200記憶體還是LPDDR4X-4266記憶體，核顯的性能差距很大，所以8.5Gbps的LPDDR5X明年要是用於13代酷睿筆記本，那麼對提高Xe核顯的性能很有幫助，搭配這樣的高頻記憶體，13代酷睿又要打一波雞血了。 來源：快科技

三星宣布推出業界首款基於14nm工藝、16Gbit的LPDDR5X，旨在推動記憶體的進一步增長，涵蓋5G、AI、AR在內的各種依賴高速數據服務應用。三星表示，除了智慧型手機外，LPDDR5X也將高性能、低功耗記憶體的使用范圍擴大，可以為伺服器或汽車等基於AI的邊緣應用程式帶來新功能。 該款LPDDR5X記憶體速率為8.5 Gbps，為目前LPDDR5（6.4 Gbps）的1.3倍。在利用了14nm工藝後，功耗也比LPDDR5降低了約20%。16Gbit的單晶片容量，最大封裝容量為64GB，以滿足移動領域更高容量的需求。此前三星已開始量產採用EUV（極紫外）技術的14nm工藝製造DDR5 DRAM，或許LPDDR5X也會採用。 在今年7月份，JEDEC固態存儲協會正式公布了JESD209-5B標準即LPDDR5X的標準，由JEDEC的JC-42.6低功耗存儲器小組委員會開發，三星也參與了相關工作。這是對LPDDR5的可選擴展，專注於提高性能、功耗和靈活性，旨在提高包括5G通信性能、汽車高解析度增強現實/虛擬現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的記憶體性能。 相比之前的LPDDR5，改進後的LPDDR5X在多方面做了更新，包括傳輸速率提高到了8533MT/s；通過TX/RX均衡改善信號完整性；通過新的自適應刷新管理提高可靠性；作為可選擴展，旨在提供更高的帶寬和簡化的架構。 ...