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美光宣布，已開始量產232層QLC NAND快閃記憶體，並已經在選定的關鍵SSD中發貨。除了消費客戶端產品外，還會向企業存儲客戶及OEM廠商提供對應的產品，比如Micron 2500 NVMe SSD。 美光表示，這次四層單元的NAND快閃記憶體新品是一項突破性的成就，提供了前所未有的層數和密度，可實現比以往NAND快閃記憶體更高的存儲密度和設計靈活性，並縮短了訪問時間。美光232層QLC NAND快閃記憶體通過利用以下重要功能，為移動、客戶端、汽車、邊緣和數據中心存儲的用例提供無與倫比的性能，包括： 全球位密度最高的OEM量產型NAND快閃記憶體，密度比起自家上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了30%。 業界領先的位密度，領先於競爭對手的最新產品，結構更為緊湊，相比提升了28%。 業界領先的NAND快閃記憶體I/O接口速度，達到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。 讀取性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了24%。 寫入性能比上一代176層QLC NAND快閃記憶體提高了31%。 存儲解決方案和定製企業級SSD設備製造商Pure Storage的總經理Bill Cerreta表示，美光的232層QLC NAND快閃記憶體是其大容量DirectFlash模塊的關鍵，在美光的推動下，讓Pure Storage在2028年之前完成取代數據中心所有機械硬碟的目標上又向前邁進了一步。 ...

去年10月，美光推出了使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%。 現在美光宣布，帶來適用於智慧型手機的LPDDR5X新版解決方案，在保持9.6 Gbps的速率同時，將功耗進一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光還表示，新的LPDDR5X解決方案也能用於標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2）。 美光表示，在新的LPDDR5X解決方案里，利用了增強型動態電壓和頻率擴展內核（eDVFSC）和第二代high-k金屬柵極（HKMG）技術來提升節電效率，從而顯著改善了功耗表現，並能靈活地提供工作負載定製的功耗和性能，這樣的改進為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 根據消費者調查報告，顯示智慧型手機的續航能力是選購時最關心的功能，超過了其他關鍵指標，前三位分別是電池續航時間（61%）、拍照質量（48%）和5G網絡連接（24%）。美光認為隨著人工智慧用例和應用引入到旗艦智慧型手機，對於計算相關硬體的能效要求會更加高，市場研究顯示到2027年，全球預計會有超過10億台AI智慧型手機出貨，並滲透到中端設備上。 目前美光已經向移動生態系統提供樣品，包括為人工智慧密集型應用提供持續的高帶寬功能，並進一步提高電源效率。 ...

美光宣布，推出車規級4150AT，這是全球首款四埠SSD，能夠與多達四個SoC連接，為軟體定義的智能汽車集中存儲。美光表示，4150AT SSD結合了市場領先的功能，比如單路輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe 4.0接口和堅固耐用的汽車級別設計，為智能汽車生態系統提供了數據中心級別的靈活性和強大功能。 美光嵌入式產品和系統副總裁Michael Basca表示：「隨著存儲需求競相跟上以人工智慧和先進算法為特色的豐富車載體驗，以實現更高水平的自主安全，這個時代需要一種新的汽車存儲模式來匹配。在我們與重新定義下一代汽車架構的創新者合作的基礎上，美光重新構想了存儲，推出了世界上第一款四埠SSD，為行業提供了靈活性和動力，以推出即將到來的變革性技術。」 相比於一般的車規級單埠SSD，4150AT在沒有車規級PCIe交換晶片的情況下，就能實現多系統間共享單個實體硬碟的容量；美光還針對車用多虛擬機環境進行了優化，4150AT支持運行多達64個虛擬機；以BGA封裝形式提供，採用176層TLC NAND快閃記憶體，可配置為SLC或高耐久性SLC（HE-SLC）模式；支持NVMe 2.0規范，通過了ASIL-B和ASPICE L3認證；隨機讀取和隨機寫入分別為600K/100K IOPS；提供了220GB、440GB、900GB和1.8TB四種容量，對應TBW分別為160TB、320TB、640TB和1280TB。 在美光看來，4150AT這類高性能SSD能夠同時有效地管理來自多個SoC的數據流，讓其成為更多車輛的理想解決方案，從先進的駕駛輔助系統（ADAS）到到車載信息娛樂（IVI）再到人工智慧座艙體驗，為消費級汽車帶來了企業級的速度。 ...

去年6月，美光宣布未來幾年內對其西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣。其中包括收購力成半導體在西安的封裝設備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，並引進全新且高性能的封裝和測試設備。 圖：美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra 今天美光宣布，位於西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工，進一步強化了公司對中國運營、客戶及社區的不懈承諾。美光還在奠基儀式上宣布，公司將在西安建立美光首個封裝和測試製造可持續發展卓越中心（CoE），推動公司在環境、社會和治理（ESG）方面的合作夥伴關系，實現全球可持續發展目標。美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra以及全球運營執行副總裁Manish Bhatia，均出席了奠基儀式。 這次美光追加的投資里，包括加建這座新廠房，引入全新產線，製造更廣泛的產品解決方案，包括但不限於移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現有的DRAM封裝和測試能力。此外，美光還將在西安工廠投資多個工程實驗室，提升產品可靠性認證、監測、故障分析和調試的效率，從而幫助客戶加快產品上市時間。 新廠房預計在2025年下半年投產，並根據市場需求逐步增產。落成後，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米（140萬平方英尺），同時將額外增加500個就業崗位，使美光在中國的員工總數增至4,800餘人。 美光也在推進收購力成半導體（西安）有限公司（力成西安）的資產，並將向力成西安1,200名全體員工提供新的就業合同。 ...

上周美光在英偉達GTC 2024上，展示了單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。這是針對英特爾下一代伺服器產品設計的，比如代號Granite Rapids的至強可擴展伺服器處理器。 據TomsHardware報導，這次美光展示的單條256GB的DDR5-8800內存屬於非標准高度的款式，當然美光也准備了為1U伺服器設計的標准高度款。高款內存採用了32Gb DDR5晶片，每一面有40塊晶片，兩面加起來共80塊；標准高度款同樣採用了32Gb DDR5晶片，不過是2層堆疊封裝，在空間較小的情況下，運行溫度會更高一些。兩款高度不同的內存的功耗一樣，大概為20W。這功耗水平並不高，作為對比，美光128GB的DDR5-8000運行在DDR5-4800時的功耗為10W。 MCRDIMM是由英特爾和SK海力士及瑞薩合作開發的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合並陣列雙列直插內存模組），初始的規格為DDR5-8000。據了解，AMD也准備了一個類似的產品，叫做HBDIMM，不過兩者存在一些差異。 根據去年英特爾的展示，Granite Rapids與DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊搭配，在雙路系統里的內存帶寬將達到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道內存子系統，每個通道支持兩個內存模塊，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM內存模塊，意味著可以提供3TB（12個插槽）或6TB（24個插槽）的容量。 據了解，美光目前已經向廠商提供了單條256GB的DDR5-8800內存樣品。 ...

美光目前在高帶寬存儲器（HBM）市場處於相對劣勢，但隨著手握英偉達的供應協議，供應用於H200的HBM3E，憑借工藝上的優勢，情況看起來正在迅速發生變化。美光正磨拳擦掌，大有大規模搶奪HBM市場的態勢。 近日美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra在2024財年第二財季財報會議上表示，美光2024年的HBM產能已經售罄，2025年大部分產能的供應也已經分配完畢，預計HBM產品的出貨占比將在明年大幅度攀升。2024財年美光將從HBM產品上獲得數億美元的收益，從2024財年第三財季開始，HBM產品收入將增加並提高整體毛利率。 由於需要更多地製造HBM，極大影響了美光其他DRAM的產能，限制了普通內存產品的供應。Sanjay Mehrotra坦承，在同一製程節點生產同等容量下，HBM3E的晶圓消耗量是標准DDR5的三倍，隨著性能及封裝復雜程度的提高，未來HBM4的消耗量會更大。 這一定程度上與HBM的良品率更低有關，由於需要多層DRAM通過TSV堆疊，只要其中一層出現問題，就意味著整個堆棧報廢。現階段HBM的良品率也就在60%到70%之間，明顯低於普通的DRAM產品。 不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的巨大需求推動下下，2024年的HBM產能已經排滿。 ...

美光公布了2024財年第二財季財報（截至2023年2月2日），季度營收為58.2億美元，相比於上一個財季的47.3億美元有所增長，環比增長了23%，也高於上一財年同期的36.9億美元，同比增長了57.7%；淨利潤約為7.93億美元，上一個財季淨虧損為12.34億美元，上一財年同期淨虧損為23.12億美元；每股攤薄收益為0.71美元，上一個財季每股攤薄虧損為1.12美元；運營現金流為12.2億美元，上一個財季為14億美元，上一財年同期為3.43億美元。 美光預計2024財年第三財季的營收在66億美元左右，上下浮動2億美元，高於59.9億美元的市場平均預期，每股攤薄收益為0.17美元，上下浮動0.07美元。美光認為，人工智慧（AI）的蓬勃發展帶動市場對HBM產品的需求，同時預計DRAM和NAND快閃記憶體定價在本年度內將進一步提高，有可能讓美光在下一個財年實現創歷史新高的業績表現。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，美光在2024財年第二財季實現了重新盈利，無論是收入、毛利率還是每股收益，都高於原來業績指引的上限，正面了美光團隊在定價、產品和運營方面的出色執行力，相信卓越的產品組合使美光能夠在2024年下半年實現強勁的營收，而美光也將是人工智慧帶來的多年機遇中最大受益者之一。 ...

在人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的影響下，近兩年HBM產品發展逐漸加速，也推動著存儲器廠商的收入增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位，大量供應HBM3用於英偉達的各款人工智慧晶片。 據Korea JoongAng Daily報導，美光之所以率先獲得英偉達用於H200的HBM3E訂單，在近期競爭中占據主動，憑借的是工藝上的優勢。目前SK海力士占據了54%的HBM市場，而美光僅為10%，但隨著手握英偉達的供應協議，形勢可能很快會發生變化。 與SK海力士在HBM3遙遙領先不同，到了HBM3E情況似乎出現了變化，美光和三星的加入讓市場競爭變得越來越激烈。去年美光、SK海力士和三星先後都發送了HBM3E樣品給英偉達，用於下一代AI GPU的資格測試。這也是英偉達為了保證下一代產品供應，規劃加入更多的供應商的舉措。 美光在去年7月，推出了業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層堆疊的24GB容量HBM3E，採用了1β（1-beta）工藝製造。隨後美光透露，其HBM3E樣品的性能更強且功耗更低，實際效能超出了預期，也優於競爭對手，讓客戶大吃一驚。美光還准備了12層堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，容量增加了50%。 作為HBM市場的領頭羊，SK海力士也不會坐以待斃，近期已向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品，以進行產品驗證測試。近期三星也官宣了同類產品，容量為36GB的12層堆疊HBM3E。下一代HBM4有望在2026年到來，相信HBM市場競爭會變得更加激烈。 ...

美光宣布，委任前英特爾執行長Robert「Bob」Swan為董事會成員。美光表示，Robert Swan在半導體、技術和工業領域擁有傑出的職業生涯，目前擔任Andreessen Horowitz的運營合夥人，為成長型投資組合公司提供建議。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示：「Robert Swan在一些世界領先的技術公司推動增長和卓越運營方面的記錄對美光來說將是無價的，因為美光會繼續擴大業務規模，鞏固在內存和存儲行業的前沿地位。我們非常歡迎Robert Swan加入到董事會，並期待他為美光的戰略方向和長期成功做出貢獻。」 除了在美光的新職位外，Robert Swan還是耐克、Flexport和GoTo Group的董事會成員，過往還曾擔任eBay、Applied Materials、英特爾和Skype的董事會成員。Robert Swan的職業生涯始於通用電氣，在15年中曾擔任多個高級財務職位。 最為人熟知的，當然是Robert Swan曾擔任英特爾的財務長及執行長。2021年1月14日，英特爾宣布Robert Swan將於2021年2月15日離任，接替他的是當時VMWare的執行長Pat Gelsinger。自擔任英特爾執行長後，非技術出身的Robert Swan備受爭議，在與AMD競爭中承受了很大的壓力，加上製程工藝上連續受挫，使得英特爾面臨的形勢雪上加霜，業界認為Robert Swan由於財務出身而缺乏技術敏感性。 Robert Swan在紐約州立大學布法羅分校獲得了學士學位，在紐約州立大學賓漢姆頓分校獲得了工商管理碩士學位，2022年還獲得了榮譽博士學位。 ...

美光在2022年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售。不過美光並沒有放棄自有品牌內存，2023年就推出了英睿達品牌的Pro系列內存，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 到了2024年，美光在英睿達Pro系列上帶來了超頻版（Crucial DDR5 Pro Memory：Overclocking Editio）產品，首款產品來自DDR5-6000 32GB（16GB x2）套裝。目前新產品已登陸電商平台，並開啟了預售，顯示預售價為899元，定金50元，聯系客服有驚喜，京東地址：點此前往>>> 該款產品在外觀上也延續了之前的設計，配備了黑色的鋁制散熱模塊，採用折紙工藝設計，有著時尚酷炫的造型，同時PCB為黑色，而且沒有RGB燈效，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。這次提供的超頻版32GB套裝（16GB x2）有著更低的時序，為CL36-38-38-80，運行電壓為1.35V，同時支持Intel 3.0和AMD EXPO技術。 美光稱，超頻版比起同樣是DDR5-6000的標准版降低了25%的延遲，可以進一步提高1080P和1440P解析度下內存密集型遊戲的運行幀率，比如《賽博朋克2077》和《彩虹六號：圍攻》等。按照美光的說法，接下來超頻版還會有48GB套裝（24GB x2）可選。 ...

美光去年推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，稱可以為智慧型手機提供業界最強性能，包括快速啟動、應用程式啟動和視頻下載，並在下半年開始批量生產。這是其首個基於232層3D TLC NAND快閃記憶體的移動解決方案，也是世界首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品。 今天美光宣布，開始送樣增強版UFS 4.0移動解決方案，不但具有突破性專有固件功能，並採用業界領先的緊湊型UFS封裝（9 x 13 mm），同樣基於232層3D TLC NAND快閃記憶體技術。尺寸更小巧的UFS 4.0為下一代折疊及超薄智慧型手機設計帶來了更多可能性，製造商可利用節省出來的空間放置更大容量的電池，加上能效提升了25%，讓用戶在運行AI、AR、遊戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續航時間。 增強版UFS 4.0移動解決方案提供了三種容量可選，分別為256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。此外，美光還提供多項專有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一鍵刷新（OBR）和分區UFS（ZUFS）。 美光表示，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智慧型手機實現更快的響應速度和更靈敏的操作。相比前一代產品，新的增強版UFS 4.0移動解決方案性能提升一倍，為數據密集型應用帶來了更出色的優化使用，用戶能更快地啟動常用的生產力、創意和新興AI應用。其中在生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%，為用戶與AI數字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 ...

美光宣布，已開始批量生產HBM3E，將用於英偉達H200，該GPU計劃在2024年第二季度開始發貨。美光表示，這一里程碑讓其處於業界的最前沿，以行業領先的HBM3E性能和能效為人工智慧（AI）解決方案提供支持。 早在去年7月，美光就宣布推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3E，採用了其1β（1-beta）工藝製造，性能相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。據介紹，美光HBM3E產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光稱，其HBM3E的功耗比競爭對手SK海力士和三星的同類產品低了30%。 美光還准備了12層垂直堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，提供的容量增加了50%，隨著技術的進步，美光將矽通孔（TSV）增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，加上節能的數據路徑設計，因此讓能效得以提高。 下個月英偉達的GTC 2024上，美光將會帶來36GB容量HBM3E，並分析更多的產品信息。 ...

美光宣布，帶來兩款英睿達品牌的存儲新品，分別是單條容量為16GB的Crucial Pro系列DDR5-6000內存，另外還有T705 PCIe 5.0 SSD。前者之前已經推出了單條容量為24GB的產品，後者也被曝光過。 Crucial Pro系列內存分為DDR4和DDR5產品，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。近期美光更新了Pro系列產品線後，帶來了頻率更高的DDR5-6000內存，這次提供的是32GB套裝（16GB x2），外觀上也延續了之前的設計，還分為普遍款和超頻款，後者的時序更低，為CL36-38-38-80，運行電壓為1.35V。 T705 PCIe 5.0 SSD比起之前的T700系列還要更快一些，搭載了美光自家的232層TLC NAND快閃記憶體，最高連續讀取和連續寫入速度分別達到了14500 MB/s和12700 MB/s，最高4K隨機讀取/寫入分別為1550K IOPS和1800K IOPS，提供了1TB、2TB和4TB容量可選。之前有消息稱，新款SSD可能採用了群聯電子最新的E26 Max14um主控晶片，這是E26的改進款。 T705 PCIe 5.0 SSD有裸條和帶散熱器的版本可選，除了傳統的黑色款，另外還有限定版白色款。 美光表示，新款Crucial Pro系列DDR5-6000內存將會在2024年2月27日上市，提供終身保修，而T705 PCIe 5.0 SSD則會在2024年3月12日通過指定零售商和全球渠道合作夥伴銷售，提供五年保修。 ...

美光宣布，推出業界首款標准低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），容量從16GB到64GB不等，為PC提供更高的性能和能效、節約更多的空間、以及模塊化的設計。目前LPCAMM2內存模塊已經出樣，並計劃在2024年上半年投產，這是自1997年推出SO-DIMM規格以來，客戶端PC首次引入顛覆性新外形尺寸。 新款LPCAMM2內存模塊可以支持的數據傳輸速率達9,600 MT/s，遠高於DDR5 SO-DIMM的6,400 MT/s。盡管LPDDR5X在延遲方面不如DDR5，但可以利用更高的數據傳輸速率抵消。與焊接式LPDDR5X內存子系統相比，模塊化外形不會增加LPDDR5X內存的延遲。 美光表示，將LPDDR5X DRAM集成到LPCAMM2外形中，與SO-DIMM產品相比，功耗降低了61%，PCMark 10基本工作負載（比如網頁瀏覽和視頻會議）的性能提高71%，節省了64%的空間。與DDR5同等速度下，LPDDR5X每條64位總線的有效功耗降低了43%-58%，待機功耗降低了80%。與DDR5內存模塊一樣，LPCAMM2內存模塊也帶有電源管理IC和電壓調節電路，為模塊製造商降低產品功耗提供了更多途徑。 去年12月，JEDEC宣布，Dell的CAMM正式成為了JEDEC標准規范，被命名為「CAMM2」，未來將取代SO-DIMM內存模塊。CAMM2有兩種設計，除了常規的DDR5，還能用於LPDDR5(X)。其實三星在去年9月，就推出了基於LPDDR設計的LPCAMM內存模塊，不過當時JEDEC尚未確立最終的規范標准。 ...

美光公布了2024財年第一財季財報（截至2023年11月30日），季度營收為47.3億美元，相比於上個季度的40.1億美元有所增長，環比增長了17.9%，高於市場45.4億美元的預期，比起上一財年同期的40.9億美元，同比增長了15.6%；淨虧損約為12.3億美元，上一財年同期淨虧損為1.95億美元；每股攤薄虧損為1.12美元；運營現金流為14.4億美元，上個季度為2.49億美元，上一財年同期更是高達9.43億美元。 美光預計2024財年第一財季的營收在53億美元左右，上下浮動2億美元，高於49.9億美元的市場預期，每股攤薄虧損為0.45美元，上下浮動0.07美元，低於0.76美元的市場預期。美光認為，目前已度過了最低迷的時期，人工智慧（AI）的蓬勃發展也帶動了數據中心對存儲晶片的需求，很快會重新盈利。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，強大的執行力和定價能力推動了2024財年第一財季的財務業績，最終超出了預期，預計業務在2024年會得到改善，針對人工智慧應用推出的高帶寬內存產品展示了美光的技術實力，目前已做好充分准備，抓住人工智慧各終端市場帶來的巨大機遇。 ...

幾天前，英偉達公布了2024財年第三財季（截至2023年10月29日）的財報，其中數據中心業務再次成為了亮點，收入為145.1億美元，遠遠高於去年同期的38億美元，也高於市場預期的127億美元，同比增長324%，環比增長38%。Omdia的統計數據顯示，英偉達在2023年第三季度大概售出了50萬塊A100和H100計算卡。 以往英偉達的支柱業務是遊戲業務和數據中心業務，不過後者現在在營收上遠遠拋開前者，顯然才是英偉達未來幾年的重點所在。目前英偉達的高性能計算卡需要大量HBM類晶片，為了更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達規劃加入更多的供應商。據TrendForce的研究顯示，三星的HBM3（24GB）預計在今年12月在英偉達完成驗證。 根據TrendForce匯總的信息，美光已經在今年7月底提供了8層垂直堆疊的HBM3 Gen2（24GB）樣品，SK海力士隨後在8月中旬也提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，而三星則在10月初提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。 由於HBM驗證過程繁瑣，一般要耗時兩個季度，預計最快會在今年年底得到驗證結果，2024年第一季度三大廠商都將完成驗證。 值得注意的是，英偉達的驗證結果最終會影響2024年的采購權重分配，對各大廠商的訂單會有不小的影響。明年英偉達的計算卡產品線會更為細致化，將推出使用6顆HBM3E的H200以及8顆HBM3E的B100，並同步整合自家基於Arm架構的CPU與GPU的產品，帶來GH200以及GB200。 此外，HBM4也計劃在2026年推出。隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了要求現有的12層垂直堆疊，還會往16層垂直堆疊發展（計劃2027年推出），估計會帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。未來HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主晶片之上。 ...

近日，美光推出了基於單顆32Gb晶片的128GB DDR5-8000 RDIMM內存模塊。據TomsHardware報導，美光還公布了未來五年的產品路線圖，分享了對高性能、高容量存儲技術的展望，其中包括了一些過去未曾公開討論的技術。 美光希望未來幾年繼續在HBM和GDDR類內存上努力，此前已推出業界首款帶寬超過1.2 TB/s、引腳速度超過9.2 GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，對應的應該就是路線圖上顯示的HBM3E。美光該款HBM3E將於2024年初到來，預計會在英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E晶片，將會在2025年推出。 更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發布，內存堆棧將採用2048位接口，帶寬超過1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之間，推出容量在36GB至48GB、12/16層垂直堆疊的產品。到了2028年還會有HBM4E，頻率將進一步提升，容量將增加至48GB到64GB，帶寬增加至2 TB/s以上。 下一個GDDR版本，也就是GDDR7將會在2024年末到來，每個數據I/O接口的速率達到了32 Gbps，容量為16Gb至24Gb。預計到2026年末，單個晶片的容量會超過24Gb，速率也會提升至36 Gbps。 美光預計在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率為8800 MT/s，然後在2026年或2027年提供容量超過256GB的MCR DIMM內存模塊，數據傳輸速率會攀升至12800 MT/s。同時美光准備推出支持CXL 2.0的內存模塊，容量在128GB至256GB，帶寬將達到36 GB/s，接下來還有支持CXL 3.x的內存模塊，容量超過256GB，帶寬超過72 GB/s。 對於低功耗應用，業界將繼續使用LPDDR內存。美光速率為8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X將繼續使用一段時間，然後從2025年開始提供基於LPDDR設計的LPCAMM2內存，速率為8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬還會有速率為9600 MT/s、容量超過192GB的產品。 ...

美光宣布，推出使用最新1β（1-beta）工藝節點生產的LPDDR5X內存，容量高達16GB，速率也達到了9.6 Gbps，相比前代產品的峰值帶寬提高了12%，同時提供了先進的省電功能。目前該款LPDDR5X已經開始交付樣品，將會與高通最新的第三代驍龍8移動平台搭配使用，為移動生態系統提供了在邊緣釋放生成式人工智慧（AI）所需的性能。 美光公司副總裁兼移動事業部總經理Mark Montierth表示：「通過為旗艦智慧型手機提供強大的大型語言模型，生成式人工智慧將為智慧型手機用戶帶來前所未有的生產力、易用性和個性化。經過優化後，搭載第三代驍龍8移動平台的智慧型手機可以在本地運行強大的生成式人工智慧模型，從而解鎖新一代基於人工智慧的應用和功能。 啟用設備上的人工智慧還能提高網絡效率，降低能耗要求，減少成本更高的雲端解決方案的開銷。」 美光是在去年末推出了1β工藝節點，讓LPDDR5X提供了業界最先進的節能功能，比如增強的動態電壓等技術，可提供近30%的能效改進，並靈活地提供工作負載定製的功率和性能。美光稱，這些節能措施對於能源密集型、人工智慧驅動的應用尤其重要，使用戶能夠在延長電池壽命的同時獲得生成式人工智慧的好處。 ...

美光宣布，推出7500系列SSD，相比之前的7450系列SSD，性能有所提升。新產品沿用了PCIe 4.0 x4接口，主要面向數據中心存儲應用，包括了雲伺服器和企業伺服器，是全球目前唯一一款搭載200+層NAND快閃記憶體的主流數據中心SSD。 7500系列SSD和7450系列SSD採用了相同的主控解決方案和平台，不過帶有新的固件，並改用了232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片，具有低於1ms的服務質量（QoS）延遲，延遲時間也會更低，同時順序和隨機讀寫性能更高。其最大順序讀取速度可達7000 MB/s，順序寫入速度可達5900 MB/s，最大隨機讀取為1100K IOPS、最大隨機寫入為410K IOPS，表現略高於7450系列SSD。 美光的232層3D TLC NAND快閃記憶體晶片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有助於降低成本。其引入了業界最快的I/O速度，達到了2.4 GB/s，比176層的NAND快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。同時還是全球首款量產的六平面TLC NAND快閃記憶體，不但比其他同類TLC NAND快閃記憶體有著更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。 7500系列屬於U.3/U.2 SSD，15mm厚度的規格，這是最近伺服器存儲設備流行的尺寸，提供的容量大小從800GB至15.36TB，寫入壽命為3 DWPD。此外，7500系列SSD符合TCG Opan 2.01規范，得到了SPDM 1.2認證，採用了基於AES-256的硬體數據加密。 ...

美光是世界上最大的半導體公司之一，剛剛慶祝其成立45周年。與此同時，美光宣布其位於馬來西亞檳城Batu Kawan的新建封裝和測試廠落成，採用了智能製造應用程式來優化效率、產量和生產質量，以確保美光繼續提供高效、可靠的產品。 此前美光投資了10億美元，未來幾年內將繼續增加10億美元的投資，包括建設和全面裝備這個新工廠，將工廠面積增加到150萬平方英尺。擴建後，美光可以提高產能，並進一步加強其組裝和測試能力，使其能夠提供領先的NAND、PCDRAM和SSD模塊，以滿足對人工智慧、自動駕駛或電動汽車等變革技術不斷增長的需求。 美光表示一直關注可持續性，新設施的設計符合能源與環境設計領導力評級系統（LEED），這是世界上使用最廣泛的綠色建築認證。與美國供暖與空調工程師協會（ASHAE）的標准相比，這種具有環保意識的方法使得美光新工廠的能耗降低了25%以上，為環保半導體製造樹立了一個高標准。 馬來西亞的工程是美光全球網絡中第一個100%使用可再生電力的工廠，運營方面也將支持美光的可持續發展目標，即到2050年實現淨零排放，到2030年實現危險廢物零填埋。 ...

美光宣布，推出使用最新的1β（1-beta）工藝節點批量生產的16Gb DDR5內存，速率達到了7200MT/s。美光表示，新款DRAM晶片採用了high-k CMOS器件技術，相比上一代產品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，現已交付給所有數據中心和PC客戶。 美光是在去年末推出了1β工藝節點，無論性能、位密度還是電源效率上都有顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。基於1β工藝節點打造的DDR5內存覆蓋了4800MT/s至7200MT/s的范圍，允許將計算能力推向更高的性能水平，支持跨數據中心和客戶端平台的人工智慧（AI）訓練和推理、生成式人工智慧、數據分析和內存資料庫（IMDB）等應用。 美光核心計算設計工程集團公司副總裁BrianCallaway表示，採用1β工藝節點的DDR5內存進入大批量生產及應用是行業內的一個重要里程碑，與生態系統合作夥伴及客戶合作將推動高性能內存更快地被採用。美光將會有多款產品採用1β工藝節點，除了DDR5外，還包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。 美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智慧驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據了解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。 ...

美光在今年7月，推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。 據相關媒體報導，美光在近日的財報電話會議上透露，已經向客戶提供了HBM3 Gen2的樣品。其性能更強且功耗更低，實際效能超出了預期，以至於美光的一些客戶在實際測試之前都不相信這些數據，與競爭對手的樣品相比，更是讓他們大吃一驚。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，人工智慧（AI）業務將帶來數以億計美元的收入，希望這股熱潮能帶美光走出財務困境。同時美光一直與英偉達緊密合作，預計HBM3 Gen2將會在2024年英偉達面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。 據美光的介紹，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解決方案的基礎是其1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。 此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。 ...

美光公布了2023財年第四財季財報（截至2023年8月31日），季度營收為40.1億美元，相比於上個季度的37.5億美元小幅度增長，環比增長了7%，高於市場39.3億美元的預期，比起上一財年同期的66.4億美元，同比下降40%；淨虧損約為14.3億美元，上一財年同期淨利潤為14.9億美元；每股攤薄虧損為1.31美元；運營現金流位2.49億美元，上個季度為2400萬美元，上一財年同期更是高達37.8億美元。 美光預計2024財年第一財季的營收在44億美元左右，上下浮動2億美元，高於42.1億美元的市場預期，每股攤薄虧損為1.07美元，上下浮動0.07美元。美光預計整個2024財年的資本支出將「略高於」2023財年的水平，同時定價和盈利能力會有所改善。 美光同時還公布了2023財年的財報，顯示營收為155.4億美元，相比於上個財年的307.6億美元大幅度下降，減少了49%；DRAM產品的營收減少了51%，跌至110億美元，占美光總收入的71%；NAND快閃記憶體產品的營收減少了46%，跌至42億美元，占美光總收入的27%；淨虧損約為58.3億美元，上一財年淨利潤為86.9億美元；每股攤薄虧損為5.34美元；上一財年每股攤薄收益為7.75美元。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，庫存負擔已大幅減輕，除了數據中心製造商外，目前其客戶的訂購量已反映了消費端的需求，在部分細分領域，個別廠商正在增加每種產品的訂單量和庫存量。預計PC和智慧型手機明年都將恢復增長，不過增幅只是在個位數的中低水平，存儲晶片市場在2024年將迎來復蘇。 ...

美光在去年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌內存的生產和銷售。不過美光並沒有放棄自有品牌內存，今年就推出了英睿達品牌的Pro系列內存，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 Crucial Pro系列內存分為DDR4-3200和DDR5-5200/5600多種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。現在美光更新了Pro系列產品線，帶來了頻率更高的DDR5-6000內存，不過暫時僅提供48GB套裝（24GB x2），售價為166.99美元（約合人民幣1217元），外觀上也延續了之前的設計。 與一般的Classic系列不同的是，Pro系列內存支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。雖然美光在Pro系列內存上更多地遵循JEDEC規范，而且看起來更傾向於專業類型產品，不過設計上也針對遊戲玩家。 這次Crucial Pro DDR5-6000 48GB（24GB x2）套裝的時序CL為48-48-48，運行電壓僅為1.1V，相比於許多同頻率的產品的1.35V電壓更低一些，這意味著可能會有更高的超頻潛力。 ...

去年9月份，美光宣布未來10年將投資約150億美元，在美國愛達荷州博伊西新建一座內存晶片製造廠。這也是美國20年來本土首個新建內存晶片製造廠，同時也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。美光預計該項投資將在2030年前，為愛達荷州創造1.7萬個就業機會，其中2000個屬於直接崗位。 據相關媒體報導，美光已要求政府出資，幫助其建造位於愛達荷州博伊西和紐約州克萊市的新工廠。 資金當然是來自《美國晶片法案》的520億美元預算，這意味著美光和英特爾一樣，希望能說服政府，獲得比競爭對手更多的資金份額。此前英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特爾的重要研發工作都在美國本土完成，而且在此處擁有規模龐大的自有工廠，應該拿到更多補貼才對。 英特爾和美光的做法也引來了爭議，有人認為《美國晶片法案》的資金主要來自於納稅人，在半導體市場疲軟的趨勢下，這些半導體企業以包括擴大產能等各種理由申請大量補助資金，其實是讓別人掏腰包去填補其自身的業績虧損。 2021年10月，美光宣布在未來十年內，計劃在全球范圍內投資超過1500億美元，用於內存製造和研發，包括提高晶圓廠的產能，以滿足內存不斷增長的需求。美光認為，內存和存儲晶片在全球半導體行業中所占的比重正不斷增長，目前約占半導體市場的30%份額。 ...

美光宣布，推出CZ120內存擴展模塊，已經向合作夥伴和客戶提供了相關的樣品。其基於Compute Express Link（CXL）2.0Type 3標准打造，容量為128GB和256GB，採用了PCIe 5.0 x8接口，外形為E3.S 2T規格，內部搭載了Microchip的SMC 2000微控制器，使用的DRAM晶片採用了1α工藝節點進行生產。 CZ120內存擴展模塊提供了高達36GB/s的帶寬，相比於一般相同容量的DDR5-4800 RDIMM（帶寬為38.4GB/s）只是稍慢一些。目前AMD第四代EPYC伺服器處理器（代號Genoa）支持12通道DDR5-4800內存子系統，提供高達460.8GB/s的帶寬，而英特爾第四代Xeon伺服器處理器（代號Sapphire Rapids）支持8通道DDR5-4800內存子系統，提供高達307.2GB/s的帶寬。一般情況下，這些處理器都具有足夠的帶寬，但某些工作負載需要更大容量的內存和更高的帶寬，比如資料庫軟體，這時候CZ120內存擴展模塊就能發揮作用了。 據美光的介紹，如果在一台配備12條64GB DDR5內存的系統上增加四個256GB的CZ120內存擴展模塊，可以使伺服器處理器的內存讀寫帶寬提高24%，而且多出的內存容量可以讓其每天多處理96%的資料庫查詢。 美光表示，一直使用英特爾和AMD的平台開發和測試CZ120內存擴展模塊，希望通過其產品創新與CXL生態系統的合作，讓新標准更快地被接受，以滿足數據中心及其內存密集型工作負載不斷增長的需求。美光暫時還沒有透露CZ120內存擴展模塊的具體定價，以及出貨計劃，估計要等各方完成驗證和認證工作後才能進行，應該要等到2024年。 ...

今年年初，美光推出了符合DDR5-5200和DDR5-5600標準的第二代DDR5內存模塊，除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用戶選擇，支持XMP 3.0和EXPO技術，使用1α工藝節點進行批量生產。這也是市場上首批24GB和48GB內存模塊，從側面證明了美光在存儲領域的實力。 據TomsHardware報導，美光希望繼續保持在DRAM市場的領先優勢，已經計劃在2024年上半年量產32Gb DDR5晶片，為打造1TB大容量內存模塊奠定基礎。盡管美光沒有透露新款DRAM晶片的數據傳輸速率，不過考慮到這是第三代DDR5內存模塊，頻率應該會進一步提升。 32Gb DDR5晶片將採用美光去年推出的1β（1-beta）工藝節點生產。這是目前美光在存儲晶片上最先進的半導體工藝，有可能是其最後一個沒有採用極紫外（EUV）光刻技術的製造工藝，此前已經向特定的智慧型手機製造商和晶片組合作夥伴運送了DRAM晶片樣品。 與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內全面使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲晶片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上。 32Gb DDR5晶片首先會用於數據中心的內存模塊，這是對內存容量需求最為迫切的地方。據了解，美光明年首先會提供128GB的DDR5內存模塊，然後再推出192GB和256GB的產品。512GB和1TBDDR5內存模塊暫時還沒有安排，不過有可能提前向特定客戶提供。 ...

美光宣布，推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。 美光表示，HBM3 Gen2產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智慧（AI）數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，並提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解決方案的基礎是其1β（1-beta）工藝，在行業標准封裝尺寸內將24GB DRAM晶片組成了8層垂直堆疊的立方體。 此外，美光還在准備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM晶片，與現有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。美光在技術方面的進步，讓能效提升成為可能，矽通孔（TSV）技術增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，以及節能的數據路徑設計，因此能效得以提高。 根據美光公布的最新技術路線圖，2026年的「HBMNext」將進一步提高容量，可達到36GB至64GB，帶寬也會提升至超過1.5TB/s至2+TB/s。此外，美光明年也會帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個數據I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。 ...

此前美光和群聯電子聯手打造的英睿達T700系列PCIe 5.0 SSD已經上市銷售了，1TB和2TB版本分別為1699元和2699元，帶有散熱器的版本還要貴上100元。目前4TB大容量版本也已登陸電商平台，顯示價格為4699元，曬單送200元E卡，提供五年有限質保。 T700 PCIe 5.0 SSD 4TB，京東地址：點此前往>>> 美光官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，帶有4GB獨立緩存，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0 SSD，連續讀/寫速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe...

美光公布了2023財年第三財季財報（截至2023年6月1日），季度營收為37.5億美元，相比於上個季度的36.9億美元略微增長，環比增長了2%，高於分析師36.5億美元的預測平均值，不過比起上一財年同期的86.4億美元，同比下降57%；淨虧損約為19億美元，上一財年同期淨利潤為26.3億美元，每股攤薄虧損為1.73美元；運營現金流大幅降至2400萬美元，上個季度為3.43億美元，上一財年同期更是高達38.4億美元。 美光預計2023財年第四財季的營收在39億美元左右，與市場預期值基本一致，每股攤薄虧損為1.34至1.41美元。美光在2023財年第三財季的資本支出為13.8億美元，前三個財季累計資本支出為62.15億美元，預計整個2023財年的資本支出約為70億美元，這意味著第四財季的資本支出規模會縮減。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra稱美光在2023財年第三財季的收入、毛利率和每股收益均高於指導區間的平均值，認為存儲器行業已經度過了收入的低谷期，隨著行業供需平衡的逐步恢復，預計利潤率將有所提升。Sanjay Mehrotra也承認，網信辦對美光作出不予通過網絡安全審查的結論是一個重大的「逆風險」，中國大陸和香港的收入占其全球收入的四分之一，其中一半面臨風險影響。 ...

過去一段時間里，不少半導體企業深陷產業不景氣的市況中。雖然有個別企業受益於AI需求的熱潮，不過總體上仍處於低迷。分析咨詢機構Omdia一項最新研究顯示，半導體市場在2023年第一季度的收入繼續下跌，這已經是連續五個季度下滑。據了解，這也是Omdia自2002年展開此項追蹤統計以來，半導體市場出現的最長一次下跌行情。 根據統計，半導體市場2023年第一季度的收入為1205億美元，相比2022年第四季度下降了9%。半導體市場是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期間，隨著全球處於疫情階段，市場需求增加，經過了多個季度連續上漲。 內存和MPU是重災區，直接影響了整個半導體市場的收入。2023年第一季度MPU市場的收入為131億美元，規模僅為2022年第一季度（200億美元）的65%。內存市場情況更糟糕，2023年第一季度的收入為193億美元，規模僅為2022年第一季度（436億美元）的44%。在2023年第一季度里，內存和MPU兩個細分市場的收入合計下降了19%，拖累整個半導體市場環比下降9%。 過去三個季度里，存儲器市場遭遇動盪也讓市場份額排名出現了變化。 一年前，按收入計算的前五家半導體公司中有三家來自內存領域，分別是三星、SK海力士和美光，現在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光沒有進入前十名是在2008年，這說明了以內存產品為重點的半導體公司現今所面臨的困境。 ...

此前美光已宣布，計劃未來幾年內對其西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣。其中包括收購力成半導體在西安的封裝設備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，並引進全新且高性能的封裝和測試設備。 近日，美光宣布將在印度古吉拉特邦興建封裝和測試設施，這也是其在印度的首座工廠。美光表示，新設施將分階段建設，預計會在今年內動工，第一階段包括50萬平方英尺的潔淨室，並於2024年底投入運營，屆時將根據全球需求趨勢逐步提高產能。該項目的第二階段將在2025年後開始，規模和設施與第一階段基本一致。 美光兩個階段的投資總額在8.25億美元，並會在未來數年內創造多達5000個直接在美光工作的新崗位，另外還有15000個社區工作崗位。根據印度政府的補貼政策，美光會從印度中央政府獲得項目總成本50%的財政支持，同時從古吉拉特邦獲得項目總成本20%的獎勵。這意味著美光自身加上政府機構的補助，總投資額將達到27.5億美元。 美光全球封裝和測試運營高級副總裁Gursharan Singh表示，該項目是美光與印度政府官員進行了長達一年多的討論才決定的，新工廠將專注於將晶圓轉化為球柵陣列（BGA）集成電路封裝、存儲模塊和固態硬碟。 ...

美光宣布，推出其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，目前正在向部分智慧型手機製造商和產品供應商發送樣品。美光表示，最新的移動快閃記憶體在幾個關鍵的NAND基準測試中領先於競爭對手，可以為智慧型手機提供業界最強性能，包括快速啟動、應用程式啟動和視頻下載。 美光移動業務部副總裁兼總經理Mark Montierth表示：「美光最新的移動解決方案將我們一流的UFS 4.0技術、獨有的低功耗控制器、232層NAND快閃記憶體和高度可配置的固件架構緊密結合在一起，提供了無與倫比的性能。這些技術將美光置於提供客戶所需的性能和低功耗創新的最前沿，從而為旗艦智慧型手機提供卓越的用戶體驗。」 美光的UFS 4.0快閃記憶體提供了三種容量，分別為256GB、512GB和1TB，這是其首個基於232層3D TLC NAND快閃記憶體的移動解決方案，也是世界首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品，提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。 美光表示，2023年下半年將開始批量生產UFS 4.0存儲產品，為移動生態系統提供高性能移動快閃記憶體，以助力下一波5G和人工智慧的創新與設備體驗。 ...

美光宣布，推出96GB大容量DDR5 RDIMM，目前已可以批量生產，速率達到了4800MT/s，與普通的DDR4同類產品相比，帶寬增加了一倍。美光表示，通過解鎖下一代單片機技術，其高密度內存解決方案的整合增強了人工智慧（AI）和內存資料庫工作負載的能力，並消除了對昂貴且增加延遲的晶片堆疊需求。 96GB DDR5-4800 RDIMM可以滿足AMD第四代EPYC伺服器處理器的要求，比如可用於Supermicro 8125GS，這是一個高性能計算、人工智慧和深度學習培訓以及工業伺服器工作負載的優秀平台。 美光公司計算產品部副總裁兼總經理Praveen Vaidyanathan稱，提供大容量內存解決方案，能為計算密集型工作負載提供合適的性能，而這次推出的內存模塊為客戶建立了一個新的優化總擁有成本的解決方案，加上與系統供應商的密切合作，可以利用各自的優勢，為客戶提供最新的內存技術，以解決最具挑戰性的數據中心需求。 今年不少內存廠商開始提供單條容量為24GB、48GB和96GB的DDR5內存，這意味著內存容量將改變過往以2次冪遞增的歷史。這類產品被認為是新一代伺服器和工作站的最佳選擇，因為系統可以更為精確地平衡內存容量和處理器內核數量，增大內存容量的同時，還可能帶來更低的成本。 ...

此前美光推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，涵蓋了DDR4和DDR5產品。目前這些新品已登陸電商平台，開啟了預約搶購，還有首發限時福利，DDR5產品曬單送50元E卡，DDR4產品曬單送20元E卡。 Crucial Pro DDR5-5600 32GB（16GB x2）套裝，價格為699元，京東地址：點此前往>>>Crucial Pro DDR4-3200 32GB（16GB x2）套裝，價格為449元，京東地址：點此前往>>>Crucial Pro DDR4-3200 64GB（32GB x2）套裝，價格為899元，京東地址：點此前往>>> 首批英睿達Pro系列記憶體分為DDR4-3200和DDR5-5600兩種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。另外與之前Classic系列不同的是，Pro系列記憶體支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。 新款Pro系列DDR5-5600記憶體的工作電壓為1.1V，時序為CL46-46-45-45，DDR4-3200記憶體的工作電壓為1.2V，時序為CL22-22-22-22，相比於許多同類產品並不是十分突出。 美光在去年改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌記憶體的生產和銷售。這並不意味著美光放棄自有品牌記憶體，這次推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，進一步拓展了產品線，未來可能會帶來更多或更為高端的發燒級記憶體產品。 ...

美光作為全球重要的記憶體和快閃記憶體晶片的研發、生產企業，同樣擁有自己的記憶體和SSD品牌，名為Crucial，也就是英睿達。曾經在該品牌下面還有個子品牌名叫Ballistix，中文名是鉑勝。不過在數年前，美光將Ballistix品牌獨立，不再從屬於英睿達，而是平行發展，專注於超頻和高性能遊戲記憶體。 不過在去年，美光改變了消費市場的銷售策略，選擇將重點放在英睿達品牌上，結束了Ballistix/鉑勝品牌記憶體的生產和銷售。這並不意味著美光放棄自有品牌記憶體，這次就推出了英睿達品牌的Pro系列記憶體，涵蓋了DDR4和DDR5產品，進一步拓展了產品線。 首批Crucial Pro系列記憶體分為DDR4-3200和DDR5-5600兩種規格，均配備了黑色的散熱模塊，沒有RGB燈效，不過前者為綠色PCB，後者為黑色PCB，這與之前基本款的Classic系列是一樣的。另外與Classic系列不同的是，Pro系列記憶體支持官方超頻技術，DDR4產品支持Intel XMP 2.0，DDR5產品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，為用戶帶來更強的性能。 新款Pro系列DDR5-5600記憶體的工作電壓為1.1V，時序為CL46-46-45-45，DDR4-3200記憶體的工作電壓為1.2V，時序為CL22-22-22-22，相比於許多同類產品並不是十分突出。兩者均提供了32GB（2x 16GB）套裝，DDR5-5600款提供了32GB（2x 16GB）套裝，價格為114.99美元（約合人民幣596.73元）。DDR4-3200款提供了32GB（2x 16GB）和64GB（2x 32GB）套裝，價格為69.99美元（約合人民幣363.21元）和價格為141.99美元（約合人民幣736.85元）。 ...

雖然首批PCIe 5.0 SSD已經在市場上銷售，但美光和群聯電子聯手打造的英睿達T700系列PCIe 5.0 SSD有著更強的性能，以提供更快的存儲解決方案。事實上，這款新品過去一段時間里已經多次預熱，展現了不俗的性能。 目前，英睿達官方已開始接受T700系列PCIe 5.0 SSD的預訂，提供了1TB、2TB和4TB三種容量，價格分別為179.99美元（約合人民幣1244.11元）、339.99美元（約合人民幣2350.04元）和599.99美元（約合人民幣4147.19元）。另外英睿達還提供了帶有散熱器的版本，1TB、2TB和4TB對應的價格分別為209.99美元（約合人民幣1451.47元）、369.99美元（約合人民幣2557.41元）和629.99美元（約合人民幣4354.55元）。 官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0 SSD，連續讀/寫速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe...

此前LinusTechTips發布了一段視頻，對英睿達即將推出的新款T700 PCIe 5.0 SSD進行了簡單的測試。雖然首批PCIe 5.0 SSD已經在市場上銷售，但美光和群聯電子聯手打造的這款新品有著更強的性能，將提供更快的存儲解決方案。 近日有網友就放出了更多英睿達T700PCIe 5.0 SSD的資料，官方稱該產品為「世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD」，採用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭載了群聯電子的E26主控晶片，支持NVMe 2.0，針對高性能遊戲、圖片和視頻編輯設計，合作夥伴還包括有AMD、英偉達和華碩。其特點如下： 連續讀/寫速度高達12400MB/s和11800MB/s。 接近於PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍 提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是針對遊戲和UHD/8K+視頻 與英特爾第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列處理器相兼容 向後兼容PCIe 3.0/4.0 採用美光232層TLC NAND快閃記憶體 提供了被動散熱器，同時也會有不配備散熱模塊的產品銷售 利用微軟DirectStorage技術可減少遊戲紋理的加載時間 使用TCG Opal 2.01進行了硬體加密，保證存儲安全 目前市面上銷售的PCIe 5.0...

2023年03月31日晚上20時30分，網信辦發布公告，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防範產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據國家安全及網絡安全方面的法律法規，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網絡安全審查。 公告發出後，美光股價在2023年3月31日下跌4.36%，收盤價為每股60.340美元。 美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，成立於1978年，其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、SSD固態硬碟和CMOS影像傳感器，總公司（Micron Technology, Inc.）設於美國西北部愛達荷州的首府博伊西。 幾天前，美光公布了2023財年第二財季財報（截至2023年3月2日），季度營收為36.9億美元，低於分析師預期的37.1億美元，也低於上個季度的40.9億美元及上一財年同期的77.9億美元，同比下降53%；淨虧損為23.1億美元，上一財年同期淨利潤為22.6億美元，每股攤薄虧損為2.12美元；運營現金流為3.43億美元，上個季度為9.43億美元，上一財年同期為36.3億美元。 這是美光過去二十年來最嚴重的季度虧損，上一次出現如此規模的季度虧損是2003財年第二財季，當時淨虧損為19.4億美元。美光預計2023財年第三財季的營收在39億美元左右，高於市場預期的37.5億美元，每股攤薄虧損為1.51至1.65美元，也高於分析師預期的虧損0.84美元。 ...

美光公布了2023財年第二財季財報（截至2023年3月2日），季度營收為36.9億美元，低於分析師預期的37.1億美元，也低於上個季度的40.9億美元及上一財年同期的77.9億美元，同比下降53%；淨虧損為23.1億美元，上一財年同期淨利潤為22.6億美元，每股攤薄虧損為2.12美元；運營現金流為3.43億美元，上個季度為9.43億美元，上一財年同期為36.3億美元。 這是美光過去二十年來最嚴重的季度虧損，上一次出現如此規模的季度虧損是2003財年第二財季，當時淨虧損為19.4億美元。美光預計2023財年第三財季的營收在39億美元左右，高於市場預期的37.5億美元，每股攤薄虧損為1.51至1.65美元，也高於分析師預期的虧損0.84美元。 美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示，在充滿挑戰的市場環境中，美光第二財季的收入在美光的指導范圍內，客戶的庫存狀況正在好轉，美光預計行業的供需平衡將逐步改善。美光對長期需求仍有信心，並正在審慎投資以保持其技術和產品組合的競爭力。 美光財務長Mark Murphy認為，美光即將迎來季度營收增長的轉折點，接下來將專注於大幅提高盈利能力，而且會在2024財年內實現正向自由現金流。 美光同時宣布，除了高級主管減薪、全面停發2023財年年度獎金外，裁員的比例從整體員工數的10%提高至15%，而且2023年12月底之前不會補充空缺的崗位。此外，美光會進一步削減2023財年的資本支出，預計投資額在70億美元左右，相比上一財年減少超過40%，其中晶圓廠設備的資本支出預計減少超過50%，2024財年很可能還會繼續縮減。 ...