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三星今日公布了世界首款基於MRAM（非易失磁阻記憶體）的記憶體內計算，相關論文也由《Nature》在線發表，同時會在即將出版的紙質版《Nature》雜誌上刊登。這篇名為《用於記憶體內計算的磁阻存儲器件的交叉陣列》的論文展示了三星在記憶體技術上的領先地位，以及在下一代人工智慧（AI）晶片中合並存儲器和半導體系統所做的努力。 該研究是由三星高級技術研究院（SAIT）與三星電子代工業務和半導體研發中心一起展開，由SAIT研究員Seungchul Jung博士、SAIT研究員、哈佛大學教授Donhee Ham博士、以及SAIT技術副總裁Sang Joon Kim博士帶領的團隊進行。 在現代標準計算機架構中，數據存儲在記憶體晶片中，數據計算在處理器中進行。相比之下，記憶體計算是一種新的計算方式，旨在記憶體網絡中同時執行數據存儲和數據計算。由於該方案可以處理存儲在記憶體本身的大量數據，而無需將數據傳輸，而且記憶體中的數據處理會以高度並行的方式進行，將可以大大降低功耗。因此，記憶體計算已成為實現下一代低功耗人工智慧半導體晶片最有前途的技術之一。 三星的研究人員通過架構創新提供了解決方案，成功開發了一種MRAM陣列晶片，應用了名為「電阻總和（resistance sum）」新型記憶體計算架構，解決了單個MRAM器件的小電阻問題。三星的研究團隊通過該MRAM晶片進行AI運算，並對其性能進行了測試，結果顯示在手寫數字分類方面的准確率達到了98%，而在場景中檢測人臉方面的准確率達到了93%。 三星認為，MRAM晶片未來還能作為下載生物神經元網絡的平台，因為其計算架構與大腦神經元網絡較為類似。 ...

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式隨機存儲器，在近幾年MRAM存儲器的容量也有了很大的提升，相對大容量的MRAM存儲器也開始量產，這也意味著MRAM存儲器可以進入更廣泛的應用場景。所以近日群聯就與Everspin進行合作，群聯將開發下一代eSSD控制器，以支持自旋扭矩磁阻隨機存儲器STT-MRAM緩存晶片。 圖片來自BusinessWire 群聯稱將推出企業級SSD控制器支持Everspin的STT-MRAM晶片，以作為寫入緩沖器，實現更高效的I/O管理。將緩存換為STT-MRAM可以提升SSD的I/O性能，使SSD製造商能夠更好地管理I/O流，從而實現更好地延遲確定性，提高QoS。同時STT-MRAM是具有非易失性的，所以可以在不適用超級電容器的情況下實現斷電保護，而且這也會簡化SSD的電路結構，並通過更多的3D NAND快閃記憶體封裝提升SSD的容量，最終達到提升SSD性能及可靠性的目的。 現款群聯PS5016-E16主控及SSD 在不久前Everspin宣布開始生產容量為1Gb的STT-MRAM存儲器，相對於此前同類產品的容量有了明顯提升，而且由於採用了標準8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC標準的BGA封裝，所以適用性也有了很大的提升。 雖然這些晶片作為SSD中的存儲晶片容量依舊不夠，但作為緩存晶片則擁有很多的優勢。此次群聯與Everspin合作，並為企業級SSD控制器帶來原生STT-MRAM存儲器提供原生支持，可以使得MRAM晶片向更廣的應用范圍推廣，而且隨著使用量的提高，成本也會逐漸降低。 ...

MRAM磁阻式隨機存儲晶片作為下一代存儲晶片，近幾年也是備受關注。從今年年初開始已經有如英特爾、三星等廠商宣布將量產MRAM存儲晶片。現在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存儲晶片進入試生產階段。 圖片來自BusinessWire Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩傳遞磁阻隨機存儲器）的研發工作，將進入試生產階段，採用28nm工藝製造。在去年Everspin就已經批量生產了256Mb的STT-MRAM存儲晶片，讓企業基礎設施及數據中心增強其可靠性及性能。此次試生產的1Gb容量產品大幅提升了這類產品的容量的同時，也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延遲確定性並允許存儲OEM提供商為他們的產品顯著提升服務質量。而採用1Gb容量的STT-MRAM存儲設備作為存儲和結構加速器、計算存儲及其他應用的持久數據緩沖器，也可以實現類似的優勢。 此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存儲器使用了8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC標準的BGA封裝方式，更增強了其適用性。 Everspin公司可能並不為讀者所了解，這家公司在2008年從飛思卡爾半導體剝離，專注於研發MRAM磁阻隨機存儲器，其研發人員此前一直都在研發MRAM。 本次Everspin將STT-MRAM的容量提升至1Gb是這類產品的一個里程碑，但這個容量依舊不是很大，即使MRAM具有非易失性存儲器的持久性，而且其隨機性能很強，但是作為SSD等產品容量依舊不夠，所以嵌入式設備更適合搭載MRAM存儲晶片。隨著今年開始越來越多的公司開始批量生產MRAM存儲晶片，未來我們會更快見到MRAM產品的推出。 ...

不管是DRAM記憶體還是NAND閃存，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發佈了2019年Q1季度DRAM記憶體價格趨勢報告。根據他們的報告Q1季度記憶體市場均價跌幅將達20%，Q2季度會再跌15%。而NAND閃存方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達50%，並且DRAMeXchange認為若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND閃存仍可能再跌50%。對於消費者來說，好消息還不止這些。 根據techpowerup的報導，EETimes上不久前發佈了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經准備好大批量生產。MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現數據的存儲，是一種非易失性存儲技術，這意味着即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸於DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低於DRAM。由於不管是DRAM記憶體還是NAND閃存，製程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來製程微縮仍有許多發展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM記憶體和NAND閃存。 週二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期，並可在超過100萬個開關週期內實現持久性。MRAM省電的特性，意味着英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用於移動設備上。並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。 來源：超能網