Tag: OLC快閃記憶體

說起來，SSD和機械硬碟，提升容量的方式有些相似，前者主要靠提高每單元存儲的電位數量和增加堆疊層數，而後者則是靠增大碟片容量和碟片數。 快閃記憶體顆粒的演進我們已經看在眼里，MLC SSD已經基本在消費市場絕跡，目前主要是TLC尤其是QLC打天下。 所謂QLC就是每單元存儲4個電位，而取代它的將是存儲5電位的PLC（penta level cell）。 實際上，鎧俠（原東芝存儲）早在2019年就投入了PLC快閃記憶體技術的研究。鎧俠最近披露表示，PLC之後，還有存儲6電位的HLC（hexa level cell）和存儲8電位的OLC（octa level cell）。 因為要存儲多個電位，就需要不同的電壓狀態，QLC是2的4次方，也就是16個電壓狀態，PLC是32個，相應地，HLC需要多達64種電壓狀態，這對主控將是極大的考驗，畢竟64種電信號不能相互干擾。 盡管難度高，但HLC的存儲密度畢竟比QLC高出50%，對廠商的誘惑還是很大。 目前，鎧俠已經在-196°C的液氮環境中，實現了HLC快閃記憶體1000次PE（可編程擦寫循環）。預計量產後，恐怕會降到100次PE。 當然，大家不用太擔憂，因為HLC時代，存儲容量將非常夸張，堆疊層數也會在600~1000次甚至更多，這意味要寫滿一次SSD，需要的時間並不會比現在的TLC、QLC明顯差很多。 來源：快科技