Tag: QLC

快科技3月28日消息，在中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了他們的QLC快閃記憶體PE壽命，表現非常不錯。 據悉，採用第三代Xtacking技術的X3-6070 QLC快閃記憶體達到了4000次P/E的擦寫壽命，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtacking精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，要看品質和良率。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 來源：快科技

快科技3月22日消息，近日的中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了一系列產品和技術解決方案。雖然因為種種原因，太多東西不能說，但依然有驚喜。 比如新一代QLC 3D NAND快閃記憶體，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。 它的IO接口速度達到了2400MT/，相比上代的1600MT/提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。 更不可思議的是可靠性和壽命，P/E編程擦寫循環居然能做到驚人的4000次，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右的P/E，TLC快閃記憶體初期僅為100-150次，成熟後不過1000次左右，企業級增強版也只有3000次。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtackig精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，僅限企業級產品，而且要看良品率，消費級最高可以做到2000次左右。 具體到實際產品中，情況也會有所不同，要看產品定位和設計，要結合寫入放大因素，比如長江存儲自有品牌的首款QLC產品，，估計只有600次左右。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 除了QLC快閃記憶體外，長江存儲還展示了企業級SSD和嵌入式UFS/eMMC等產品。 來源：快科技

快科技1月23日消息，，Solidigm去年7月份就發布的企業級SSD D5-P5336終於開啟預售，那是相當的貴。 Solidigm D5-P5336系列提供多種版本，其中15mm U.2形態的容量7.68TB、15.36TB、30.72TB、61.44TB，E1.L形態的容量15.36TB、30.72TB、61.44TB，E3.S形態的，容量最高30.72TB。 它是第一款採用U.2、E1.L形態的QLC SSD，192層堆疊，企業級品質，號稱最大寫入壽命可達65PBW，五年質保期內平均每天可以寫入最多35.6TB，甚至能夠堅持使用長達70年都不會壞。 價格方面，U.2 61.44TB PCNation給出的預售價是3975.16美元(￥28510)，Tech-America則是3692.00美元(￥26480)。 其實對比8TB的產品，單位容量的價格其實還低了一些。 這種產品想用在桌面上也沒問題，部分高端主板自帶U.2接口，沒有的插個PCIe轉接卡就行了。 具體發貨時間都沒有明確，Solidigm的說法是今年晚些時候。 來源：快科技

隨著手機遊戲的不斷發展，影像系統的逐年升級......如今，手機存儲的需求也跟隨著電腦的步伐在與日俱增。雖然現在高達1TB的手機內置存儲容量對於普通用戶來說已經較為「恐怖」了，但廠商還在不斷嘗試推進手機存儲容量的發展。 近日，digitimes報導稱，有業內消息人士透露，包括蘋果和OPPO在內的手機供應商正在積極評估在大容量1TB智慧型手機型號中使用Quad-Level Cell（QLC）NAND快閃記憶體。 相信對於電腦用戶來說，QLC這個名詞並不陌生。它是存儲設備中的一種存儲顆粒，相較於目前在SSD中廣泛使用的TLC顆粒有著成本低、存儲密度大的優點，非常適合應對目前手機內部寸土寸金的現狀，而缺點則是壽命相對較短、性能一般。雖然其發布至今已經過去了多年，但目前仍處於推廣與發展中的狀態。 不過，近年來QLC技術也取得的不少的進步，如SK海力士在Tech Field Day 2022技術峰會上就放出了192層堆疊3D QLC快閃記憶體的預覽，展現出了強勁的速度、吞吐量以及耐久度，有著取代企業級HDD之勢。雖然在SLC Cache用光之後QLC的原始速度離TLC還有一段距離，但可以看出QLC的性能是在穩步提升的，而且，想一次性耗盡SLC Cache的場景會逐步減少，尤其是對於使用場景沒有電腦端復雜的手機平台，QLC對於日常使體驗用的影響應該會相對更小。 存儲晶片製造巨頭之一的鎧俠曾在2022年初就推出利用了自家的存儲密度為1Tbit（單顆Die容量為128GB）的BiCS FLASH 3D快閃記憶體和QLC技術，已經向OEM客戶提供512GB的樣品，以滿足由更高解析度圖像、5G網絡、4K視頻等驅動的移動應用日益增長的性能和密度要求。 ...

雖然大家都不情不願，但一如TLC，QLC終將普及開來，出現在各種SSD產品中。 現在，英睿達發布了一款採用QLC快閃記憶體的移動SSD X9，將取代此前的X8，定位於主流市場，高於入門級的X6而低於專業級的X9 Pro、X10 Pro。 相比於Pro版本，英睿達X9將外殼材質從金屬改成ABS塑料，長寬尺寸仍然是65x50毫米，保留掛繩孔，功能方面去掉了AES-256加密，沒有了LED指示燈，不支持防水防塵，只有2米高防跌落。 快閃記憶體是美光的176層堆疊3D QLC，容量1TB、2TB、4TB，搭檔群聯U17原生快閃記憶體主控，接口是USB 3.2 Gen2，也就是USB 3.1 10Gbps。 性能方面，讀取速度是1050MB/，1TB版本讀取300GB需要5分鍾。 寫入速度未公開，只說150GB、300GB寫入分別需要2.5分鍾、14.2分鍾——顯然前者依賴緩存可達到約1GB/的寫入速度，後者耗盡了緩存平均速度僅為350MB/。 英睿達X9 1/2/4TB的價格分別為90/140/280美元，約合人民幣660/1020/2050元。 來源：快科技

快科技9月8日消息，達墨預熱了許久的1TBTF卡終於來了，現在已經多平台開啟預售，定價389元。 這個價格可以說是標準的價格屠夫了，市面上同等容量的主流品牌都要600元左右，相比之下幾乎腰斬。 當然，低價相應的就會有所縮減，達墨這款1TB採用了QLC顆粒，性能官方此前已經公布出來。 搭配超頻讀卡器可實現136MB/、124MB/的讀寫速度、4K隨機讀取可達1904 IOPS，4K隨機寫入可達966 IOPS。 搭配普通讀卡器，該卡可實現93MB/、89MB/的讀寫速度；4K隨機讀取可達2161 IOPS，4K隨機寫入可達808 IOPS。 不過，對於需求最大的Switch、手機/平板擴容來說完全足夠，另外行車記錄儀、安防攝像頭等設備也完全夠用，並且還支持4K解析度的視頻存儲，放在運動相機上也能使用。 來源：快科技

快科技9月7日消息，達墨官方宣布，將於今天下午6點在京東等平台上架達墨白卡1T TF卡，售價389元。 同時，官方還首次公布了這款產品的規格參數。 首先顆粒確認是QLC，雖然說在性能上是差了點意思，但也正因此才做到389元的價格。 根據電商平台查詢，目前市面上1TB的TF卡普遍要600元左右，即便不在意品質，主流品牌最低的也要500元。 當然了，其實這種大容量TF卡最大的受眾就是Switch玩家，即便是QLC也足夠用了，並且1TB能滿足巨大多數普通玩家需求了。 官方測試顯示，該卡搭配超頻讀卡器可實現136MB/、124MB/的讀寫速度、4K隨機讀取可達1904 IOPS，4K隨機寫入可達966 IOPS。 搭配普通讀卡器，該卡可實現93MB/、89MB/的讀寫速度；4K隨機讀取可達2161 IOPS，4K隨機寫入可達808 IOPS。 超頻讀卡器實測數據： 普通讀卡器實測數據： 來源：快科技

快科技7月21日消息，在SSD跟HDD硬碟競爭的過程中，後者在容量上還是有優勢的，畢竟大容量SSD價格很貴，但是這方面突破是遲早的，Solidigm現在推出了世界上容量最大的SSD硬碟——D5-P5336，最高61.44TB。 SSD硬碟此前最大容量在30.72TB，Solidigm這次推出的61.44TB容量翻倍，主要為超高密度讀取密集型存儲應用而設計，比如邊緣人工智慧計算等市場。 它的容量能取得突破要歸功於SK海力士的192層QLC快閃記憶體，在容量大漲的同時性能也是頂級的，支持PCIe 4.0 x4，讀取速度達到了7000MB/，寫入速度也有3300MB/，QLC中已經很難得了。 超大容量帶來的還有超強的數據壽命，支持5年質保期內0.58 DWPD，也就是每天覆寫0.58次，數據壽命達到了65.2 PBW，這個數據不用計算了，正常是沒可能寫死的，Solidigm表示它已經不輸TLC快閃記憶體了。 另外功耗也達到了25W，不過待機時能降低到5W以內。 Solidigm 將提供三種尺寸的 D5-P5336：U.2/U3 15mm、E3.S 7.5mm 和 E1.L 9.5mm，容量范圍從7.68TB一直到61.44TB，不過只有U.2/U.3 和 E1.L才有最大61.44TB容量可選。 來源：快科技

快科技4月17日訊，對於存儲產品，無論是機械硬碟還是固態硬碟，發展脈絡都非常清晰，那就是千方百計提高存儲密度/容量，並降低單位成本。 從這個角度看，似乎就不難理解快閃記憶體廠商們推進多層堆疊以及QLC/PLC/HLC/OLC等技術的決心。 之前，Solidigm（SK海力士收購Intel快閃記憶體後成立的消費品牌，類似英睿達之於美光）營銷總監Tahmid Rahma指出，最新一代QLC快閃記憶體已經將耐用性提升了5倍，消費者大可比必擔心磨損過快的問題。 且來自多倫多大學對140萬塊企業級SSD的研究發現，99%的存儲系統在退役之時也才寫入理論值的15%而已。 同樣是圍繞在QLC上的爭議，性能也是部分消費者的一塊心病。 對於這一點，Solidigm數據中心產品營銷總監Roger Corell有不同看法，他指出其QLC SSD針對主流和讀取密集型的工作負載做了高效擴展，比TLC SSD讀取性能更好，關鍵這一切是在成本更低、容量更大的情況下實現的。 舉例而言，Solidigm的D5-P5316連續讀速可達7000MB/，採用TLC的鎧俠CD6-R則僅有5500MB/，領先了27%。 來源：快科技

快科技4月15日訊，如今，SLC和MLC顆粒的SSD已經非常少見，在消費級，更多主流產品採用的是TLC和QLC，按照演進，接下來還有PLC、HLC、OLC等。 對於QLC仍存在的一些爭議，Solidigm（SK海力士收購Intel快閃記憶體後成立的消費品牌，類似英睿達之於美光）產品營銷總監Tahmid Rahman有自己的一番看法。 比如被問到QLC快閃記憶體顆粒會磨損較快時，Rahman表示，一代又一代的改進後，如今的第四代PCIe 4.0 QLC快閃記憶體SSD的耐用性，已經是早期的5倍了。 他還援引統計數據表示，大約85%的數據中心SSD，每天全盤寫入次數（DWPD）都在1次甚至以下。大規模的樣本顯示，99%的存儲系統即便在退役時，也僅僅寫入了理論值的15%。 Rahman指出，對比TLC SSD，QLC的使用使得總擁有成本降低20%，對於用戶來說，是更高效的選擇。 來源：快科技

隨著固態硬碟的飛速發展，目前2TB以下的硬碟基本上都被固態硬碟壟斷了，不過在選擇產品的時候還是有玩家會糾結顆粒的選擇，畢竟電腦要長時間使用，萬一SSD損壞了數據丟失可不是鬧著玩的。 目前消費市場上的固態硬碟主要有TLC和QLC兩種顆粒，而SLC和MLC由於成本過高已經很難找到了，有很多玩家就非常排斥QLC固態，那我們真的有必要在QLC上糾結嗎？ 其實從SLC、MLC、TLC再到QLC，其寫入性能逐漸降低，P/E壽命也逐個減少，但是帶來的好處是容量大幅提升，成本大幅降低，不過這麼說對於玩家還是過於空洞。 具體來說，QLC固態的緩內速度因緩存而異，雖然有些可以達到2000MB/這樣的超高速，但這其實是緩存的功勞，真實的緩外速度大約在80MB/。 如果不經常復制大文件，體驗可能差別不大，但長時間使用之後還是會有降低，一些山寨固態降速後讀寫速度甚至不如CMR的機械硬碟。 在寫入壽命方面，QLC也要比TLC少很多，同樣是1TB容量版本的固態硬碟，TLC可以輕松達到400TBW，也就是全盤寫入400次以上，而QLC只有不到100TBW的寫入壽命，全盤寫入100次就掉速了。 但神奇的是，QLC並沒有比TLC的固態硬碟便宜很多，雖然市面上最便宜的固態基本上都是QLC，但只要稍微提高一點預算，就能享受到TLC帶來的優勢了。 所以結論很簡單，如果是給老筆記本升級，僅進行辦公和在線輕度娛樂等工作，且預算不高，那麼選QLC固態肯定沒問題，在體驗上也不會有明顯差異。其他情況下我都建議你選TLC固態硬碟，更穩定的壽命和更快的速度才是SSD應有的體驗。 來源：快科技

現在的快閃記憶體有SLC、MLC、TLC及QLC之分，SLC當然性能、可靠性最好，但是成本太貴，只有個別領域還有在用，MLC快閃記憶體都是稀罕物了，主流的是TLC及QLC，其中QLC更便宜，容量大。 有了這樣的優勢，QLC快閃記憶體不僅在消費級SSD遍地開花，現在也大量使用在企業級市場，存儲系統供應商NetApp日前就推出了經濟型全快閃記憶體陣列AFF C系列，全面使用QLC快閃記憶體，最高容量做到了106PB（1PB=1000TB）。 AFF C系列有三個型號，高端的C800系列採用4U機架，最多24個節點，總計可以容納1726個SSD硬碟，容量106PB，還有32個10Gbe網絡接口，20個100Gbe網絡接口，16個25Gbe網絡接口，功耗1463W。 其他的還有C400，容量最高71PB，C250則是35PB容量。 這樣的容量可以說是夢幻級別了，只可惜絕大多數個人用戶沒可能用得起。 來源：快科技

SK海力士收購Intel快閃記憶體業務後，新組建了名為Solidigm的消費級/企業級品牌，目前已經推出多款產品。 日前在Tech Field Day 2022技術峰會預覽下一代192層3D快閃記憶體晶片時，Solidigm明確指出，這是QLC顆粒（4bits/cell）。 面對部分消費者對QLC不耐用的質疑，Solidigm額外做了說明。 他們表示，目前全球出貨的數據中心SSD中，85%的DWPD數值都在1以下，也就是每日最多最多全盤寫入一次。 與此同時，99%的機器在服役周期內，寫入量只有極限值的15%。 Solidigm強調，QLC的PE（可循環擦寫次數）不構成任何風險，用戶別擔憂。 據悉，Solidigm的192層QLC顆粒，可以將數據中心SSD做到61.44TB的巨大容量，超越當下任何機械硬碟。與會人員還透露，30TB的QLC顆粒，持續70年循環進行視頻內容的擦寫，都不會壞！ 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

SK海力士在收購Intel快閃記憶體業務後成立了Solidigm，繼續銷售此前Intel在消費端和企業端的NAND SSD產品，並且技術研發也一直沒停下來，他們在日前的Tech Field Day 2022技術峰會上就放出了192層堆疊3D QLC快閃記憶體的預覽，使用新的快閃記憶體後他們能打造出30TB和61TB的SSD，並且展現出了強勁的速度和吞吐量，很明顯是想要取代企業級HDD。 Solidigm拿了基於新快閃記憶體的7.68TB的PCI-E 4.0 SSD和別家的TLC和QLC SSD進行了對比，這款SSD的隨機寫入達到了113000 IOPS，速度也有464MB/s，與對比的TLC SSD快了24%，比另一款QLC SSD快了6倍，延遲方面，它比TLC SSD降低了20%，和QLC SSD對比更是減少84%。 其實如果光看性能的話QLC SSD確實不算差，Solidigm的D5-P5316 QLC SSD 30.72TB的連續讀取能到7000MB/s，連續寫入3600MB/s，隨機讀取800000 IOPS，對於它所面向的讀取密集型和順序工作負載來說完全夠了。 至於大家所關心的耐久度方面，Solidigm的Value Endurance產品最大容量是30.72TB，耐久度能到32PB，而Essential Endurance級別的產品最大容量個61.44 TB，耐久度更是能到65PB，在5年的質保期內每天寫入量能到35.6TB，這寫入量肯定不成問題的。 當然這些都只是針對企業級和數據中心SSD來說的，它們有足夠大的容量，即使不用SLC Cache也能維持一個較高的連續寫入速度，對於消費級產品來說，現在的QLC SSD耐久度其實已經不是最大的問題了，主要問題還是SLC Cache用光之後較低的QLC原始寫入速度，當然這個速度也是在慢慢提升的，最初1TB QLC SSD的快閃記憶體原始寫入甚至比HDD還慢，最近的Solidigm P41 Plus 1TB這速度已經提升到了210MB/s，雖然離TLC SSD還有一段距離，但可以看出QLC的性能是在穩步提升的，而且雖然SSD容量的逐步增長，想一次性耗盡SLC Cache的場景會逐步減少。 ...

Intel把快閃記憶體業務賣給SK海力士後，後者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似於美光和英睿達。 日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D快閃記憶體晶片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。 看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，後者還指出，雖然當前出貨的快閃記憶體晶片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。 顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。 提到QLC大家最擔心的就是掉速和使用壽命問題，Solidigm此次的說法強調4K隨機讀寫和延遲比TLC都要優秀。 耐用性方面，30.72TB容量的總寫入量為32PBW，61.44TB的總寫入量能到65PBW。按照5年質保來算，每日可全盤寫入接近0.6次，的確不算差。 當然，這部分產品是企業盤，如果是普通消費級的話，恐怕就要再打個折扣了。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

三星今天（11月7日）宣布開始量產第8代V-NAND快閃記憶體晶片，堆到了236層。 上一代V-NAND其實只有176層，已經用在了旗艦SSD固態盤990 PRO上。 關於第八代V-NAND，有兩點值得一說，一是三星介紹單晶片現在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒（3 bits/cell）。 其實，部分廠商在進入到150+層的階段後，開始大肆製造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅守住了底線。 據悉，第8代V-NAND快閃記憶體晶片採用Toggle DDR5內部接口，傳輸速度2400Mbps，未來用於PCIe 5.0固態盤上，典型速度將能達到12.4GB/。 因為生產效率提升20%，最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是，三星這次並沒有透露商用產品何時首發。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

8月3號，Solidigm公司發布了旗下第一款Solidigm品牌的消費級固態硬碟——Solidigm P41 Plus。 Solidigm融合了英特爾和SK海力士兩家公司在技術、產品、產能等方面的優勢，致力於為市場帶來更加多樣化的消費級產品。 現在，這款新品已經來到我們評測室，下面為大家帶來圖賞。 Solidigm P41 Plus固態硬碟支持PCIe 4.0，採用144層的3D NAND，支持M.2接口，順序讀取速度最高可達4125MB/，順序寫入速度最高可達3325MB/。 產品耐久性上，Solidigm P41 Plus 512GB版為200TBW，1TB版為400TBW，2TB版為800TBW，質保五年。 Solidigm P41 Plus不僅有2280、2242、2230等多種外形規格，而且也提供512GB、1TB、2TB的容量選擇，以滿足OEM、在線零售渠道多樣化的需求。 對PC用戶而言，Solidigm P41 Plus擁有很高的性價比，可以更好適應日常工作、遊戲等各個方面的需求。 來源：快科技

全球經濟大形勢不好，今年PC及手機等行業需求都在急速下滑，其中存儲晶片今年的壓力更大了，不僅需求不足，同時也因為QLC快閃記憶體成本進一步優化，快閃記憶體廠商接下來要打價格戰，SSD硬碟要一路跌到年底了。 根據集邦科技的調研報告，隨著快閃記憶體廠商不再固守價格跌幅，Q3季度快閃記憶體的價格會加速下滑，之前預期下滑8-13%，現在要擴大到13-18%，也就是額外再跌5個點，而且這個價格跌勢會持續到今年Q4季度。 不同市場的快閃記憶體價格跌幅也不同，消費級SSD硬碟方面，Chromebook及筆記本的需求下滑，Q3季度的訂單已經下調了，更重要的還有快閃記憶體自身的變化，一個是廠商的176層堆棧的快閃記憶體供應量增加，另一個就是QLC快閃記憶體的成本進一步優化，導致廠商有了降價的基礎。 回頭看市場上的情況，QLC硬碟目前已經成為各大SSD品牌的主力，特別是大容量、低價格的型號中，現在只有中高端SSD才會用TLC快閃記憶體，用MLC快閃記憶體的幾乎是鳳毛麟角了。 來源：快科技

SSD用戶提起QLC快閃記憶體總會一副不屑的樣子，甚至有人說狗都不買，然而過不了多久大家可能就要喊著QLC真香了，因為比它還渣的PLC快閃記憶體已經成為快閃記憶體廠商的新寵，畢竟容量還可以再多25%。 SK海力士收購Intel快閃記憶體業務之後成立了合資公司Solidigm，日前在FMS全球快閃記憶體大會上，，採用浮柵極技術，可以兼容目前的QLC生產設備，但是具體規格一概沒提，上市時間也沒說。 PLC快閃記憶體就是5bit/cell快閃記憶體，是QLC快閃記憶體（4bit/cell）的下一代快閃記憶體類型，理論上容量可以增加25%，但PLC的電壓控制需要2的5次方，也就是32種變化，更加復雜，會導致更多的錯誤，更長的擦除時間，表現出來就是可靠性更差、寫入速度更低。 考慮到QLC快閃記憶體的真實寫入速度都沒有100MB/，PLC快閃記憶體的寫入速度恐怕連機械硬碟都不如——當然隨機性能還是秒殺機械硬碟的。 這也是大家對PLC快閃記憶體擔心的關鍵，不過未來3年里大家不用擔心買到PLC快閃記憶體，因為廠商在此之前恐怕無法量產PLC的SSD硬碟，倒不是快閃記憶體跟不上，而是PLC需要新一代的主控晶片，需要具備極強的糾錯能力，現有的ARM Cortex-R8內核主控滿足不了要求，新一代主控要到2023-2024年才能問世，PLC硬碟還得等等。 當然，PLC快閃記憶體還不是終點，快閃記憶體廠商早就在研究再往後的存儲6電位的HLC（hexa level cell）和存儲8電位的OLC（octa level cell），中間還有個7bit/cell的快閃記憶體，但是按照慣例命名會是SLC，跟1bit/cell的SLC會有衝突，因此業界一直沒有通用的命名。 來源：快科技

與HDD機械硬碟相比，SSD硬碟除了在價格上吃點虧，其他方面都是完勝，最大容量上也早就超過了，很多廠商都推出了30.72TB的SSD硬碟，目前能看到的容量記錄是128TB，三星5年前展示過一次，現在有望商業化了。 2017年的FMS全球快閃記憶體大會上，三星就展示了128TB容量的SSD，然而之後就沒了蹤影，今年的FMS展會上，三星再次展出了新的128TB容量SSD硬碟，2.5寸規格，還支持新的ZNS分區技術，主要面向PB級存儲，8個128TB就能實現1PB容量了，2Ux24盤位就有3PB容量，20個陣列就能實現61.4PB的伺服器空間。 當然，實現128TB容量並不容易，三星使用的快閃記憶體只有QLC類型才可以，即便如此也要用上雙PCB、每個PCB還是雙面封裝，一面有16組快閃記憶體，對核心容量級封裝技術要求很高，而且企業級SSD還要配備大量鉭電容防止意外掉電損失數據。 當然，這樣的128TB SSD硬碟價格恐怕也是難以承受的，三星現在應該可以做到技術上量產，但是否上市銷售就不好說了。 來源：快科技

對於NAND快閃記憶體，大家都知道SLC、MLC往後的TLC、QLC快閃記憶體存在性能越來越低、錯誤率越來越高的問題，但是容量更大，所以快閃記憶體廠商一直在研發更多的快閃記憶體，鎧俠的研究已經到了7bit/cell級別，需要在零下200度的低溫環境下才能試驗。 對於MLC快閃記憶體，有必要先說一些基礎知識，實際上SLC之後的都應該算作MLC快閃記憶體，快閃記憶體的類型是按照cell單元存儲的電荷位數來判定的，大家所說的MLC實際上是2bit/cell快閃記憶體，TLC是3bit/cell，QLC則是4bit/cell，在下面的是PLC快閃記憶體，5bit/cell。 鎧俠等快閃記憶體巨頭的研究更深入，去年鎧俠就公布過6bit/cell快閃記憶體的研究，也就是HLC快閃記憶體，今年的IMW 2022會議上，鎧俠又公布了7bit/cell快閃記憶體的研究成果。 不過7bit/cell快閃記憶體現在還沒正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC快閃記憶體。 跟之前的6bit/cell快閃記憶體一樣，7bit/cell快閃記憶體也是在77K溫度，也就是液氮環境中做測試的，大約是零下200度，這樣做是為了降低數據讀取時的干擾。 根據鎧俠的研究，在7bit/cell快閃記憶體中，溝道材料從之前的多晶矽換成了單晶矽，電阻更低，漏電流減少了，寫入及讀取操作時的閾值電壓波動可以最小化。 要知道7bit/cell快閃記憶體意味著有128級電壓變化，因此7bit/cell快閃記憶體寫入時控制電壓的難度大幅提升，稍有波動就有可能導致更多的錯誤，這也是快閃記憶體類型越升級，性能及可靠性越差的原因。 鎧俠沒有公布7bit/cell快閃記憶體的具體性能，畢竟現在是零下200度的測試，沒有實際使用的意義，但是大家對7bit/cell快閃記憶體的性能就不要有什麼指望，QLC快閃記憶體的原始速度都跌入100MB/以內了，7bit/cell快閃記憶體還要再渣幾倍，性能就別想了。 以後7bit/cell快閃記憶體的SSD硬碟就算是問世了，估計也只會用於讀取居多的場景，不適合頻繁寫入的需求。 來源：快科技

由於SSD硬碟容量不斷增大，NAND快閃記憶體也從之前的SLC、MLC逐漸轉向TLC、QLC，特別是QLC近年來是低端SSD繞不過去的選擇，它為人詬病的一個地方就是性能太慢，現在西數及鎧俠也新一代BiCS6快閃記憶體上優化了QLC性能，提升了5倍。 QLC快閃記憶體不被大家喜歡主要是兩個原因，一個是可靠性較差，另一個就是寫入性能很弱雞，這都是QLC快閃記憶體的特性決定的，畢竟cell單元內要控制4bit數據，編程寫入的時候比其他快閃記憶體要復雜很多，所以錯誤率高，速度慢。 大家也見過QLC快閃記憶體的硬碟性能，雖然廠商給出的寫入速度超過1GB/甚至2GB/，但那都是靠著SLC緩存及全盤緩存、DRAM緩存之類的技術提升的，QLC原始寫入速度非常低，緩存外性能比HDD硬碟都要差，超過100MB/的幾乎沒有。 西數及鎧俠目前的主力快閃記憶體BiCS5這一代中沒有QLC快閃記憶體類型，下一代的BiCS6快閃記憶體中會重新推出QLC快閃記憶體，並進行了大量性能優化，不僅核心面積低於其他廠商，而且編程速度（也就是寫入速度）提升到了60MB/。 這是什麼概念？雖然看起來還不高，但是上上代的BiCS4快閃記憶體中QLC編程速度只有9.7MB/，當前QLC快閃記憶體中編程速度最快的還是Intel的144層QLC快閃記憶體，速度40MB/，其他廠商的多在30MB/以內。 簡單來說，西數、鎧俠的BiCS6快閃記憶體中QLC速度比之前提升了5倍，比友商最快的QLC也提升了50%的性能，足以大幅改善QLC快閃記憶體SSD硬碟的寫入性能，具體要等成品再來看。 來源：快科技

大家都知道硬碟有價，數據無價，不論是HDD機械盤還是SSD固態硬碟，用戶都很擔心數據可靠性，尤其是如今超大容量的18TB、20TB硬碟開始上市，然而很多人沒注意到它們的數據壽命是在下降的，都跟QLC快閃記憶體的SSD差不多了。 Servethehome網站日前就關注了西數、希捷及東芝三大HDD硬碟廠商的數據壽命問題，最近西數上市了20TB的Red Pro系列硬碟，這是針對高端NAS及企業網絡打造的產品。 按理說，Red Pro系列硬碟的可靠性會很高，然而20TB的額定工作負載數據量也只有300TB，容量小一些的其他紅盤系列甚至只有180TB。 希捷這邊的情況也不秒，其高端NAS定位的IronWolf Pro 20TB硬碟也只有300TB/年的數據寫入量，東芝在這方面更差，N300系列的數據寫入量是180TB/年，它還是三年質保的，希捷、西數好歹是5年質保。 這些容量很大而且定位在高端NAS應用中的HDD硬碟數據寫入量只有180TB到300TB了，對於需要7x24工作的NAS來說顯然不太好，要知道它們企業級的硬碟依然維持在500TB/年的水平上，MTBF無故障間隔壽命也是250萬小時而非現在的100萬小時。 STH認為，這些超大容量的HDD硬碟，哪怕是定位這麼高了，數據壽命其實是在下滑的，更接近消費級QLC快閃記憶體SSD的水平。 來源：快科技

在當前的SSD硬碟中，TLC、QLC快閃記憶體的占比越來越多，QLC在一些低端型號中尤其受歡迎，然而大家對它的性能及可靠性一直不放心，現在Intel的660p QLC硬碟的原始性能被公開，緩存外只有60MB/，也就是U盤的水平。 Intel的SSD業務去年底已經被SK海力士公司收購完了，新設立的美國子公司將運營此次收購的英特爾SSD業務。該新公司的名稱定為「Solidigm」。 Solidigm公司高管日前接受了日本PCWatch網站的采訪，透露了接手Intel SSD之後的一些動向，這些暫且不提，他們確認Intel之前已有的SSD產品會繼續開售，並承擔質保。 更重要的是，采訪中他們透露了Intel的QLC快閃記憶體的硬碟的性能，大家知道Intel之前推出過660p、665p、670p等幾款QLC硬碟，前者是64層堆棧的3D QLC快閃記憶體，665p是96層3D QLC，670p則是144層3D QLC快閃記憶體。 以660p為例，紙面上的性能還是很強的，512GB的連續讀寫分別1500MB/和1000MB/、隨機速寫是90K和220K IOPS。1TB/2TB的連續讀寫均提升到1800MB/，隨機讀寫最高220K IOPS。 然而這些性能是基於SLC緩存模式下的，660p的512GB版有60GB靜態緩存，70GB動態緩存，但是用完緩存之後，原始的QLC寫入性能就很難看了，其中660p最低只有60MB/。 60MB/是什麼水平？這性能連HDD機械硬碟都打不過，現在隨便找個U盤的性能都不止於此了。 好消息是，隨著QLC快閃記憶體的不斷升級，原始性能也在改進，到了670p上，512GB的原始速度也有115MB/，1TB的可達220MB./，2TB版可達400MB/，性能已經很好看了。 來源：快科技

如今智慧型手機的快閃記憶體容量起步128GB了，大容量的超過512GB甚至1TB，傳聞iPhone 14系列還會上2TB，但代價就是廠商不可避免使用QLC快閃記憶體，鎧俠今天就宣布推出512GB的UFS 3.1快閃記憶體，QLC規格的。 這並不是首款QLC規格UFS快閃記憶體，不過512GB容量倒是目前最大的，鎧俠這款UFS 3.1快閃記憶體使用的是該公司密度最高的1Tbit QLC快閃記憶體，BiCS技術，單顆Die容量就是128GB了，512GB容量只需要4顆Die即可，可以減少空間占用。 鎧俠並沒有透露這款UFS 3.1 QLC快閃記憶體的具體規格，讀寫速度、隨機性能、可靠性等指標未知，只明確了是針對高解析度圖像、5G、4K+視頻等應用而生的。 鎧俠表示UFS 3.1 QLC快閃記憶體已經出樣給OEM客戶，但是他們沒有公布客戶姓名，估計下半年的智慧型手機，包括iPhone及安卓手機都有可能用上QLC快閃記憶體了。 來源：快科技

去年Intel推出的670p SSD確實讓QLC SSD的形象有所改觀，而且QLC快閃記憶體確實在慢慢侵蝕TLC快閃記憶體的市場，只不過這過程比當年TLC取代MLC要慢得多，昨天晚上美光宣布推出2400系列SSD，採用最新的176層QLC快閃記憶體，採用了PCI-E 4.0接口，最高讀取速度能到4500MB/s。 美光的176層快閃記憶體是在2020年底投產的，但此前都沒有QLC快閃記憶體的消息，與美光自家的96層QLC快閃記憶體相比，新的176層QLC可提供額外33%的I/O吞吐量並降低24%的讀取延遲。美光2400系列SSD提供512GB、1TB和2TB三種容量，不同容量的性能有所不同，性能最好的2TB連續讀取速度是4500MB/s，連續寫入速度4000MB/s，隨機讀寫分別為650K和700K IOPS，耐久度方面，是每512GB寫入量150TBW，美光表示較上一代QLC SSD相比，待機功耗降低了50%。 美光2400系列SSD有M.2 2230、M.2 2242和M.2 2280三種規格，也是全球唯一一款提供2TB的M.2 2230 SSD的方案，目前這些SSD已經向OEM廠家出貨，面向高性價比的台式機和筆記本市場，不知道美光的消費級品牌Crucial會不會跟進推出對應產品。 ...

隨著快閃記憶體的發展，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，這讓消費者很不爽，因為QLC快閃記憶體不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有緩存加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬碟。 QLC快閃記憶體性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現在的QLC快閃記憶體真實寫入速度也就100MB/，三星的870 QVO硬碟之前有人實測過，拷貝文件的速度也就160MB/，這個速度甚至還不如一些HDD機械盤快。 三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC快閃記憶體的性能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。 根據三星所說，新一代QLC快閃記憶體性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC快閃記憶體的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/。 不考慮緩存加速，320MB/的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。 來源：快科技

微網消息 9月14日，長江存儲營運長程為華在2021中國快閃記憶體市場峰會上發表了主題為《創新協作共築存儲生態》的精彩演講。他在演講中提到，雖然全球智慧型手機出貨量趨於穩定，但5G手機的市場滲透率卻快速提升，由此也帶動了嵌入式存儲市場規模快速增長。 從全球市場綜合發展來看，企業級SSD、電腦、智能手機將驅動SSD市場不斷增長，預計到2024年，SSD的需求會占據快閃記憶體總量的57.7%，智慧型手機對存儲器的需求占到27%。 為了把握市場機遇，長江存儲攜手生態夥伴共同打造更低成本、更高性能且多元化的存儲解決方案，目前，長江存儲64層快閃記憶體顆粒出貨超3億顆。 值得關注的是，長江存儲在去年4月宣布推出128層QLC 3D NAND 快閃記憶體，以及128層512Gb TLC（3 bit/cell）快閃記憶體。程為華在演講中透露，128層QLC已經准備量產，TLC良率做到相當高的水準，產品也已經進入高端智慧型手機和企業級的應用。 上述提到的兩款產品均採用長存自主研發的Xtacking® 2.0版本，其中，X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量。 程為華介紹到，長江存儲的Xtacking技術架構進入3.0階段，產能到明年年中將滿載。目前，長江存儲的第三代產品X2-9060已經獲得20多種控制器型號的支持，60多種存儲產品選擇該產品開案設計。 據了解，Xtacking創新架構在兩片晶圓上完成獨立的製造工藝，通過金屬互聯通道VIAs進行兩片晶圓的鍵合。該架構具有高性能、高密度和高品質的特性，實現更高的I/O速度，更大的吞吐量，更低功耗，以及更小的晶片面積，以嚴苛的檢測標準和縝密的驗證體系獲得高可靠品質。 程為華最後表示，「長江存儲正通過與產業鏈緊密協作，以創新驅動業務發展，致力於打造一個開放公平、全球化、多元化的創新平台。在共同研究、構建基礎的同時，也保持開放、敢於分享，與產業鏈的夥伴共同培養和挖掘市場需求。長江存儲歡迎與全球合作夥伴攜手，共同為產業鏈創造價值。」（ 來源：cnBeta

回顧過去十年的 SSD 發展史，可見固態硬碟的速度和性價比都變得越來越高。大約十年前，32GB / 64GB SSD 的價格可能高達 500 / 1100 美元。現如今，不到 150 美元就能買到 1TB 型號。然而隨著一項被稱作 X-NAND 的新技術的問世，這一趨勢還將得到進一步的延續。 X-NAND 詳細介紹（PDF） 為了在每個存儲單元塞入更多的數據位，快閃記憶體已從 1-bit 的 SLC，逐漸發展到了 2、3、4-bit 的...

2018年，三星發布了首款搭載QLC顆粒的固態硬碟860 QVO，定位入門級硬碟領域，發布之後消費者對QLC固態硬碟的評價褒貶不一。 經過一年的沉澱，三星發布了860 QVO的升級版本——870 QVO，1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量，新QVO系列可以說得到了口碑和性價比的雙豐收。 不過對於一些用戶而言，他們認為固態硬碟使用QLC顆粒就是一種「退步」。 那麼QVO系列的推出，究竟是固態硬碟發展史的進步，還是開了一次「倒車」呢？這里不著急先下結論，我們一步步來進行分析。 說在前面：QLC固態的使命，不是為了替代TLC 首先我們再來回顧一下NAND快閃記憶體存儲的基本原理：存儲單元通過施加不同變化的電壓實現信息存儲。 其實SLC/MLC/TLC/QLC顆粒的區別，就是按存儲單元可存放的數據量進行區分，TLC顆粒的一個cell單元可以存儲3bit信息，容量相比MLC顆粒增加1/3，擦寫壽命也降至1000-3000次。 而QLC顆粒的一個cell單元可以存儲4bit信息，容量相比TLC顆粒再次增加1/3，但是寫入性能、擦寫壽命同樣會相應減少。 目前，TLC顆粒占據著固態硬碟顆粒市場的大頭，縱觀固態硬碟從SLC顆粒到TLC顆粒的發展歷程，我們很容易就能得出「QLC固態硬碟即將替代TLC硬碟」的結論。 實際上，QLC固態的使命，並不是為了替代TLC固態，而是為了替代HDD硬碟。 大容量存儲時代，QLC未來可期 在QLC固態剛推出的時候，許多存儲廠商都將首發目標對准了企業級市場，而不是消費級，原因在於，NAND廠商把QLC顆粒的硬碟定位於大容量數據盤，用於取代企業級HDD硬碟的地位。 一旦QLC快閃記憶體顆粒大規模量產，除了在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多外，可以達到10-100TB的大容量。 在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多，但是隨機讀寫能力也可以遠超機械硬碟，這是固態硬碟的運行原理所決定的。 同時相比待機功耗，QLC硬碟更是低上不少，因此在企業級大規模數據陣列的應用上，QLC固態硬碟可以說完勝HDD硬碟。 那麼QLC快閃記憶體是如何將容量大幅提升的呢？除了上面所提到的每個cell單元的存儲數據量上升之外，3D-NAND技術也是其中不可或缺的一環，它的原理是通過在同一個晶片上垂直堆疊多層存儲單元，通過堆棧更高的層數，實現更大的存儲密度。 三星在3D-NAND快閃記憶體技術方面已經實現大規模成熟量產，此前首發的860 QVO就已經實現單顆粒1TB容量，如今發售新一代870 QVO甚至達到了最高8TB的存儲容量。 隨著成本的降低，未來QLC固態硬碟將會進入TB起步的大容量時代，是真正可能取代HDD硬碟的選擇。 對於普通用戶，最理想的使用場景就是使用一塊TLC的NVMe硬碟作為系統盤，大容量的QLC固態硬碟作為從盤（數據盤），這樣QLC快閃記憶體的優勢就能夠最大化的發揮了。 3D-NAND：提升QLC可靠性的良方 部分用戶不看好QLC固態硬碟的普遍原因就在於QLC快閃記憶體的壽命。前面也提及到，由於先天技術原理的原因，QLC顆粒的性能和可靠性確實會有所降低。但是要知道，現在是屬於3D-NAND堆棧技術的時代。 以往2D-NAND快閃記憶體想要追求容量提升，就需要依靠製程工藝，提高電晶體密度，就像一個房間里，所有人都變小了，才能裝得下更多人。 因此那段時間NAND快閃記憶體的製程工藝一路飆升，從50nm不斷升級最終發展到10nm工藝製程，不過人太多也會「喘不過氣」，隨著2D-NAND快閃記憶體工藝的提升，由於快閃記憶體的特性，其可靠性會隨之降低。 但是有了3D-NAND堆棧，情況就變得不一樣了，以三星870 QVO為例子，其採用的都是堆棧90層以上V-NAND快閃記憶體顆粒，不僅容量變得更大，可靠性也隨著堆棧層數的上升而提高。 因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW，這意味著即便一天讀寫1TB的數據，也可以用上接近8年。 即便主流消費者選擇的870 QVO 1TB版本，寫入壽命為360TBW，一般每天日常讀寫40G左右，同樣也能用上十幾二十年，所以關於壽命的問題。 目前主流的QLC固態壽命，已經可以滿足大部分用戶的需求。 新一代QVO的性能到底如何？ 在新一代870 QVO上市的時候，PConline也對其進行了評測，新一代QVO系列的顆粒和主控都有進行升級，並且增加了8TB的超大容量選擇。 讀寫性能方面，雖然QLC快閃記憶體的連續讀寫性能比HDD硬碟沒強上多少，但是可以通過智能TurboWrite技術，硬碟在數據傳輸過程中會創建一個固定空間的高性能SLC寫緩沖區，大幅提高寫入速度。 像三星870 QVO 4TB版本就擁有78G的動態SLC緩存空間，基本可以滿足日常的使用需求，可能有些大家會擔心寫入放大的情況，實際上動態SLC緩存並不會對同一區塊進行反復擦寫，而是會智能選取，所以這是一項性能與壽命兼顧的技術。 總結：QLC固態的誕生，順應了時代潮流 隨著時代發展和5G網絡的普及，未來我們對於大容量存儲的需求勢必進一步加大，而QLC固態硬碟的誕生正是順應了這股時代潮流，大容量、高隨機讀寫的特點無論在消費級還是企業級領域必然會有更廣闊的發揮空間。 反之，現在HDD硬碟為了實現大容量，開始採用SMR（疊瓦式磁記錄）技術，在擦寫可靠性方面的優勢已經不再，未來HDD硬碟被QLC硬碟所取代，可能只是時間問題了。 來源：快科技

固態硬碟越來越便宜的情況下，你的電腦要是沒有一塊SSD，你都不好意思跟人打招呼。但是對於SSD怎麼選，看著SLC/MLC/TLC/QLC可能很多人丈二和尚摸不著頭腦，別急，下面筆者就帶你走上DIY從入門到放棄之路。 心心念念的SSD還得懂一點顆粒知識 先來簡單介紹一下SSD的結構，不管是SATA形式還是M.2形式，甚至PCI-E形式，其主要部件都是主控晶片、緩存晶片（小容量SSD不必備）和存儲顆粒。我們經常提到的SLC/MLC/TLC/QLC說的就是存儲顆粒的不同種類。 不同顆粒的存儲信息不同 SLC：Single-Level Cell（單層存儲單元），每個Cell單元只存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，其特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間。 MLC：Multi-Level Cell（多層存儲單元），原用於對應SLC，本意可以包含2層以上的Cell，但出於習慣和方便區分，一般指代雙層存儲，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000，01，10，11四種變化，但電壓控制復雜一些，寫入性能也隨之降低，P/E壽命在3000-10000次左右。 三星的3D TLC顆粒 TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元），每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更復雜，速度也更慢，P/E壽命在1000-3000次左右。 QLC：Quad-Level Cell（四層存儲單元），同理每個單元存儲4bit信息，電壓從0000到1111有16種變化，寫入性能會進一步降低，P/E壽命也進一步減少至1000次左右。 價格從左到右變低，性能也是從左到右變低（圖片源自鎂光） 單純看字母很難區分誰是誰，那有沒有什麼方法記住他們呢？S代表single（單）很好說，M代表multi-（多）也很簡單，而T和Q則可以用遊戲中的Triple kill（三殺）和Quadro kill（四殺）來記憶，這樣是不是就簡單多了？ 記住這個順序有什麼用呢？從SLC、MLC、TLC和QLC按照順序其寫入性能逐漸降低（但仍然比機械硬碟高），P/E壽命也逐個減少，但是帶來的好處是容量大幅提升，成本大幅降低。 高端SSD會搭載更好的顆粒 一般來說，越高端的SSD使用的顆粒層數越少，可以提供更快的讀寫速度，更長的P/E壽命，當然價格也更貴，總體上還是一分價錢一分貨的。 可能有的玩家認為QLC的1000次P/E壽命太短，且寫入速度不如其他顆粒，QLC顆粒的SSD就不值得買了，實則不然，SSD顆粒的選擇還是和使用場景有關的，同樣也要受限於預算。 不同使用場景的需求也有區別 如果日常辦公和輕度娛樂，更注重於快的開機和反應速度，那麼QLC的固態使用起來不會有什麼問題，合格的QLC仍然是機械硬碟的升級替代產品。 但如果是重度遊戲玩家，或者注重於生產力，那麼TLC甚至MLC才是應該選擇的SSD顆粒。 相對於顆粒的類型，我們也應該關注的是SSD的品牌，另外，產品的質保（包括使用時長質保和寫入容量質保）也應該納入考慮范圍，畢竟顆粒的所有優勢都建立在沒有虛標，也沒有使用黑片或回收顆粒的前提下。 來源：快科技

2020年10月，英特爾宣布以90億美元的價格，將旗下NAND快閃記憶體業務出售給SK海力士，震驚業界。 但事實上，與其說是出售，不如說換個方式獨立運營，英特爾並未放棄對於NAND快閃記憶體的投入，仍然持續推進相關產品和技術，去年12月就全球首發了144層堆疊的QLC，以及多款相關產品，涉及消費級、數據中心。 根據規劃，英特爾將在未來幾年內，逐步將NAND快閃記憶體、SSD固態盤的設計、製造、運營轉移到SK海力士旗下，其推動NAND技術創新和對全球客戶的承諾不會改變。 當然，英特爾NAND快閃記憶體不會面面俱到，主要還是關注數據中心領域，兼顧消費級客戶端。 為了讓大家更深入地了解英特爾NAND快閃記憶體技術優勢，堅定對其前景的信心，英特爾近日也特別分享了一些深度資料。 這張「金字塔」結構圖大家應該都很熟悉了，代表著英特爾對於存儲體系的理解，從塔尖到塔底，容量越來越大，延遲越來越高，相鄰級別的容量、性能差都在10倍左右，適合不同冷熱等級的存儲需求。 其中，NAND SSD固態存儲，位於傳統機械硬碟、磁帶冷存儲之上，傲騰SSD之下，是一種高效率的存儲方式。 順帶一提，英特爾傲騰業務並沒有出售。 作為快閃記憶體技術的領導者，英特爾在快閃記憶體技術研發上已有30多年的歷史，尤其是近幾年在QLC上持續發力，是全球第一家出貨數據中心、消費級QLC PCIe SSD的企業。 20世紀80年代中期，英特爾就開始進軍NOR快閃記憶體，最初的製造工藝還是1.5微米，2005年開始轉入應用更廣泛的NAND快閃記憶體，製造工藝起步於65nm，2D時代如今已達1xnm級別，SLC、MLC、TLC、QLC一路走下來，堆疊層數也從32層一直到了144層。 QLC之後就是PLC，每個單元可以保存5個比特的數據，共有多達32種狀態，如何保持數據穩定性、持久性面臨更大的挑戰。在這方面英特爾一直是非常積極的，極為看好其前景，但何時量產應用還沒有明確的時間表。 英特爾3D NAND技術與產品是為高密度、高可靠性而設計的，其中高密度來自不斷增加的3D堆疊層數和陣列下CMOS(CuA)結構設計，高可靠性來自於浮柵單元設計。 先說高密度。英特爾快閃記憶體一直走浮動柵極+陣列下CMOS結構的路線，相比於友商的替換柵極結構，或者說電荷擷取快閃記憶體結構(CTF)，擁有更緊密、對稱的堆棧層，沒有額外單元開銷。 從對比結構圖可以看到，英特爾浮動柵極的Cell單元是均衡的，基本保持一致，更加緊湊，同時單元尺寸也更小，可以堆疊更多層數，而替換柵極會浪費一些空間，影響Cell單元的堆疊效率、密度。 陣列下CMOS，顧名思義就是將CMOS和周邊控制電路放在Cell單元陣列的下方，同樣有利於提高空間利用效率，當然堆疊層數增多之後，CMOS、Cell之間的聯系控制難度也會有所提高。 兩項設計結合，英特爾3D NAND的面存儲密度可以高出最多10％，繼而提高製造效率，每塊晶圓可以切割出更多容量，成本也能得到更好控制。 再說高可靠性。英特爾3D NAND快閃記憶體採用了成熟的垂直浮動柵極單元技術。不同的Cell單元之間是分離的，通過浮動柵極技術存儲電子路徑，好處就是單元與單元的干擾很小，對於漏電、數據保持也更有優勢。 每個單元的電子數量，相比2015年的2D MLC NAND增加了6倍左右，從而大大提高控制力，而龐大的電子數量可以更好地防禦漏電，減輕長時間後的數據丟失問題。 同時，英特爾利用離散電荷存儲節點，具備良好的編程/擦除閾值電壓窗口，可以有效保障存儲單元之間穩定的電荷隔離，以及完整的數據保留。 另外，英特爾幾十年來對於電子物理學有著深厚的研究和積累，已經非常熟練地掌握隧道氧化層工藝。 英特爾強調，半導體工藝中，最復雜的一環其實是刻蝕，因為對著快閃記憶體單元堆疊層數的增加、電子數量的增加，多層刻蝕就像挖一口深井，必須確保垂直下去，所有單元的一致性相當高，否則會造成不同單元性能差別明顯，整體快閃記憶體的密度、可靠性也就不復存在。 打個比方，這種操作就像是在艾菲爾鐵塔上扔下一顆實心球，落地後的偏差程度必須保持在厘米級，目前只有極少幾家可以做到。 SLC、MLC、TLC、QLC等快閃記憶體類型大家都很熟悉了，分別對應一個單元1個、2個、3個、4個比特，會分別形成2種、4種、8種、16種狀態，呈指數級增長。 這種變化會影響一個非常關鍵的指標，那就是讀取窗口，而隨著快閃記憶體單元比特、狀態的增加，讀取窗口越來越小，導致讀取准確性難度加大，一不小心就會分不清到底是1還是0，結果就反應在可靠性上。 看右側，在數據保留性能方面，對比FG浮動柵極、CTF電荷捕獲兩種結構，前者優勢更加明顯，從開始狀態到使用5年之後，電荷損失程度都更小，甚至是5年之後的電荷保留程度，都堪比CTF的最初狀態。 接下來的PLC快閃記憶體，每個單元要存儲5個比特，對應多達32狀態，讀取窗口進一步收窄，因此電荷損失的控制力度就更加至關重要，這也是英特爾快閃記憶體架構的優勢所在。 當然，時至今日很多人依然對QLC有很大的偏見，認為其壽命、可靠性過差，根本不堪大用。這個問題需要理性看待，就像當年大家都瞧不起TLC，現在則成了絕對主流。 由於天然屬性的緣故，QLC的壽命、可靠性指標確實是不如TLC，但這並不意味著它一無是處。 事實上，QLC並非要徹底取代TLC，至少短期內不是，它更適合讀取密集型應用，適合大區塊數據、順序數據操作，比如AI人工智慧、HPC高性能計算、雲存儲、大數據等等。 而在寫入密集型、讀寫混合型工作負載中，TLC自然是更佳選擇，二者是一種相輔相成的關系。 另一方面，QLC快閃記憶體的存儲密度、容量更大，可以大大節省存儲空間，比如使用英特爾QLC快閃記憶體、30.72TB最大容量的D5-P5316 SSD，在1U伺服器內就可以輕松做到1PB的總容量，而如果使用傳統16TB硬碟，則需要三個2U機架空間。 在全力推進QLC的同時，英特爾也會持續堅持TLC，第三季度就會發布新的144層堆疊TLC SSD，企業級的D3-S4520、D3-S4620。 總的來說，英特爾雖然將NAND快閃記憶體業務賣給了SK海力士，但這只是交易層面的，不會影響技術、產品層面。 未來，新公司承諾將持續在NAND快閃記憶體業務上大力投入，保持領先地位，其快閃記憶體產品的用戶、客戶也不必有任何憂慮。這一點，從近半年來不斷分享快閃記憶體技術、持續發布快閃記憶體產品，也可見一斑。 基於英特爾30多年來在快閃記憶體上的投入和積累，同時聯合SK海力士高超的快閃記憶體技術實力，強強聯合的前景也更值得期待。 至於快閃記憶體類型之爭，其實也可以更淡然一些。SLC早已成為江湖傳說，MLC只偏安在工業等特殊領域存在，TLC是當下絕對的主流，QLC的地位會越來越高，PLC也是呼之欲出。 結構屬性決定了快閃記憶體類型演化的同時，可靠性、壽命會有相對削弱，但一方面容量越來越大、單位成本越來越低，這是必然的方向，另一方面輔以各種架構、技術優化，別說滿足日常消費級需求，用在數據中心里也不是什麼事(當然也要看具體的工作負載，非要讓QLC大規模隨機寫入自然是強人所難)。 來源：遊民星空

HPE（中文名慧與，即惠普企業集團）是全球頭部的服務器、數據服務廠商。 日前，慧與副總裁Omer Asad與媒體分享了他對SSD、機械硬盤在企業存儲服務中的觀點。 Asad的觀點是，即便是QLC閃存的SSD，其單位成本仍舊高於HDD。在近線存儲市場（主要定位於客戶在線存儲和離線存儲之間的應用，就是指將那些並不是經常用到，或者說數據的訪問量並不大的數據存放在性能較低的存儲設備上。）混合型的存儲架構（如HPE Nimble）是更優的解決方案，會繼續在價格敏感的二級、三級存儲市場發揮重要地位。 不過，Asad也承認，對於存儲負載性能有極高要求的在線支付等已經全面部署成純SSD的環境。 至於PLC閃存（5bit/Cell），Asad認為當前的QLC有着低性能和低耐用性的潛在問題，某種程度上削弱了其較機械硬盤的優勢。PLC吹噓便宜，但至今仍未投產，也許因為屆時的價格優勢，它會有一些閃光點。 來源：遊民星空

雖然說QLC快閃記憶體目前的性能與耐久性都不盡人意，但它在存儲密度上還是占有絕對的優勢的，而且純讀取的話性能還是蠻強的，非常適合那些讀取密集型應用，群聯現在就推出了S12DC企業級SSD，它能在2.5英寸7mm厚的規格內提供15.36TB的容量，是企業級QLC SSD的存儲解決方案。 群聯S12DC QLC企業級SSD針對讀取密集型存儲應用，可提供更高的效能，更低的能源消耗，以及更高的伺服器機架存儲安裝密度。它是全球最高容量的2.5英寸盤，除了最高的15.36TB外，還有7.68TB、3.84TB、1.92TB等容量，採用SATA 6Gbps接口，最大連續讀取速度530MB/s，最大連續寫入速度220MB/s，隨機讀取90,000 IOPS，隨機寫入10,000 IOPS，最大功耗4.5W，耐久度是0.1 DWPD，支持全程資料路徑保護機制（End-to-End Data Path Protection）與硬體掉電保護機制，質保期五年。 群聯S12DC的目標是替換傳統的企業級HDD，它擁有更強的性能與更低的功耗，而且尺寸只有傳統3.5英寸HDD的1/8，可帶來更高的存儲密度。 TRENDFOCUS SSD研究副總裁Don Jeanette表示，自2020年起，QLC SSD在數據中心市場的採用率持續攀升，QLC快閃記憶體每單位4位的特性可提升SSD的存儲密度以降低單位存儲成本，並為這些讀取密集型應用客戶提供更多長期價值。此外，TRENDFOCUS也預估企業級SSD市場將維持每年1000萬片的市場規模，而尋求高容量低成本的SATA SSD存儲產品的企業伺服器與數據中心客戶，高容量的企業級QLC SSD將會是非常好的選擇。 群聯董事長潘建成補充到，群聯致力於為客戶提供能定製化且技術領先的存儲方案，這次發布的企業級S12DC 15.36TB QLC SSD，不僅是目前市場上最高容量的企業級QLC SATA SSD，更重要的是，群聯能為全球企業級SSD客戶提供完整的定製化服務，以滿足各種不同客戶的應用系統，進而提供最佳的效能優化以及產品差異性。 ...

Intel實際上是一家做存儲起家的公司，他們最早成功的產品其實是DRAM。所以Intel多年以來一直堅守在存儲領域，推動著存儲業界的發展。我們知道Intel在推動使用QLC這件事情上是非常堅定的，它的660p系列的出貨量非常恐怖。在今年的架構日活動上面，Intel自然是給出了存儲方面的最新進展，不僅包括NAND方面的，還有3D XPoint產品的。 3D NAND技術發展到現在，幾大主要NAND生產商都已經研發出或正在研發100+層堆疊的顆粒了，業界的目標大致是128層附近。 但Intel說，我們要比業界標準更高，我們仍然要按照64層到96層的50％密度提升來做下一代的3D NAND，所以我們要做144層堆疊的3D NAND。 實際上早在架構日之前，今年五月份的時候，Intel的非易失性存儲解決方案部門就已經公布他們的目標，在今年搞定144層NAND之後，明年他們會把144層的NAND套用到自家全系的SSD上面去。另外，他們還在積極開發PLC技術，以延續目前NAND存儲密度提升的趨勢。 Intel的傲騰記憶體可以說是目前的獨家產品，有非常強悍的隨機讀寫性能，但它的存儲密度實在太低了，成本也降不下來。既然是3D的，那麼要提升它的密度，繼續堆層數是最簡單的辦法了。於是Intel推出了4層的3D XPoint產品，計劃在第二代傲騰SSD中使用，它將會結合支持PCIe 4.0的新控制器，將IO吞吐量提高一倍以上。不過，4層的3D XPoint還沒有量產，要見到具體產品還要等上一段時間。 Intel的存儲產品線 除了傲騰SSD以外，前不久Intel還發布了新一代的傲騰記憶體，這代傲騰記憶體提供單根128GB、256GB和512GB三種容量，配合Cooper Lake上面經過改進的記憶體控制器，單槽最多能夠擁有4.5TB的DRAM。 存儲方面基本上就是把近來的進展給展示了一遍，沒有太多的新東西。 ...

Intel於去年推出了665p系列SSD，該系列是660p的後續型號，使用的同樣是QLC NAND，不過層數提升到了96層，在壽命方面有較大提升，另外Intel在665p系列上面提供了更大的SLC Cache，讓它能夠在更長時間內保持高性能狀態。不過這款正式上市才沒多久的產品在近日被Intel送入了End of Life名單，將在明年4月30日後停止出貨。 從停產通知中我們可以看到665p實際上一共有三種容量版本，其中的512GB版本沒有零售版包裝。零售的1TB和2TB版本在去年11月左右上市了，實測性能表現要比660p好一些，但它的價格相比起性能更好壽命更長的TLC產品來說，並沒有明顯的優勢。 665p的生命周期並不長，甚至比660p還要短，也沒有看到有OEM在整機產品中用它，反而還是660p更為常見一些。660p系列也是目前市場上面最為常見的QLC SSD，有段時間它的價格相當便宜，但665p在上市之後並沒有掀起當初660p的波瀾。 至於它的生命周期為什麼這麼短——Intel方面可能是出於推進新產品的目的把它列入了EOL，他們應該是准備好了144層堆疊的QLC NAND，並且打算在今年晚些時候推出相關的產品。在明年，Intel將會把自家的所有SSD產品切換到144層堆疊的顆粒上去。 不知道144層的QLC能否在性能上有明顯的進步，現在QLC那羸弱的緩外性能是阻擋它普及的一道門檻，當然如果價格足夠便宜的話就無所謂了…… ...

三星終於開始發布他們的下一代消費級存儲產品了，首先到來的是870 QVO，看型號就知道，它就是860 QVO的直接繼任產品，三星稱之為第二代QLC SSD，它仍然是2.5寸的SATA盤，不過這代的最大單盤容量可以達到8TB。 870 QVO的上代產品，也就是860 QVO發布於2018年，當時QLC才進入大規模商用不久，各種測試也指出QLC相比起TLC來，性能差距有點大，這也是讓QLC推廣速度較為緩慢的一個原因。三星的第二代QLC產品換用了92層的3D QLC，上代是64層的，但它在性能指標上面並沒有太大的進步，最高順序讀寫速度為560/530 MBps，比上代高了那麼10MB/s，但是它的緩外順序寫入速度跟上代一樣，都是80MB/s（1TB版本）或160MB/s（2/4/8TB版本）。那麼它有多大的SLC緩存呢？1TB版本有42GB，2~8TB版本有78GB。對了，三星倒是沒有省掉DRAM緩存，所有型號都是對應1TB/GB的DRAM緩存。 性能方面似乎沒有太大的提升，那售價降沒降？我對比了一下870 QVO和860 QVO的上市價格，其中1TB版本的870 QVO賣$129.99，相比上代便宜了20美元，2TB版本是便宜了50美元，4TB版本則是便宜了100美元，但總的來說還是太貴了一點，跟自家的TLC產品比起來並沒有太大的價格優勢。 目前國外多家媒體已經對870 QVO進行了測試，這是列表，有興趣的可以閱讀參考一下，總的看下來，QLC還是難堪重任。 三星870 QVO媒體評測文章列表： AnandTech: The Samsung 870 QVO (1TB & 4TB) SSD Review: QLC Refreshed Tom's...

現在市場上的SSD基本上都是使用TLC快閃記憶體，MLC的除了三星970 PRO和860 PRO之外幾乎在消費級市場上絕跡了，而QLC快閃記憶體目前還比較少，但也開始逐漸滲透SSD市場了，美亞上出現了三星的870 QVO SSD，從名字上就知道它是一款用QLC快閃記憶體的SSD，是現在860 QVO的繼任者。 三星870 QVO是一款還沒發布的產品，亞馬遜也只是開放預售而已，並沒有任何信息，估計它是860 QVO的升級版本，大機率換了快閃記憶體，此前的860 QVO是用三星64層堆疊3D QLC的，現在可能升級到96層或者更高的3D QLC，有更大的存儲密度，所以單盤最大容量從4TB漲到了8TB，速度方面嘛，連續讀寫受到SATA 6Gbps接口的限制，估計還是550/520 MB/s，SLC Cache的容量不知道三星有沒有調整，當然大家更加關心的應該是SLC Cache用完的速度，上一代860 QVO的速度確實有點沒法看，1TB的只有80MB/s，而2TB和4TB的也只有160MB/s，希望新的產品速度會快一些。 現在美亞上只有870 QVO的1TB和8TB兩個版本，估計2TB和4TB的也很快會上架了，1TB的售價是129.99美元，會在6月30日正式開賣，而8TB的售價則是899.99美元，要等到8月24日才會有貨。 ...

美光於近日宣布推出兩個新的SSD系列，分別是2300系列和2210系列。2300系列面向主流級，而2210系列則是面向性價比級的產品，和先前的2200系列一樣，它使用的是QLC。 美光2300系列SSD提供從256GB~2TB一共四種容量版本，其中512GB及以上的使用美光自產的96層TLC顆粒，而256GB使用的是64層的。官方標稱的順序讀寫速度分別為3300/2700 MB/s，除了256GB版本外其他三種容量版本均可以達到標稱的速度。隨機性能方面，最強的2TB有430K/500K IOPS的隨機讀寫性能，1TB版本和512GB的隨機讀取性能稍弱一些，分別為400K/225K IOPS，而256GB版本則為210K/355K IOPS。壽命方面，256GB版本為150TBW，其餘版本依次提高一倍，為300TBW、600TBW和1200TBW。2300全系列支持NVMe 1.3標準，是未來高性能的OEM盤之選。 美光2210系列SSD是2200系列的升級版，仍然使用的是來自美光原廠的QLC顆粒，提供從512GB~2TB一共三種容量版本。該系列提供著廉價、大容量的SSD選擇，性能方面也能夠滿足用戶的日常使用。性能方面，三版本都能提供最高2200MB/s的持續讀取速度，512GB版本的寫入要差一些，僅為1070MB/s，其餘兩個版本均為1800MB/s。因為有NAND的天生優勢，隨機性能要好看一些，但仍然受限於QLC的規格。壽命方面，512GB版本提供180TBW，其他兩個版本依次翻倍，為360TBW和720TBW。 美光的SSD產品多見於OEM市場，通過英睿達這個子品牌面向一般消費者，我們未來可能會在筆記本等OEM產品中看到這兩款新SSD的身影。 ...

Intel的非易失性存儲解決方案部門最近公布了他們的新動向，也就是目前和未來一段時間的發展計劃。目前其他各家NAND供應商都已經開始向1xx層數堆疊過渡，而作為主要NAND製造商之一的Intel自然是不會在這方面有落後，他們計劃在明年全面轉向144層堆疊。 首先使用144層堆疊NAND的產品會是Intel自家的QLC SSD，他們打算在今年晚些時候推出這些產品。另外，除了研究更高層數的堆疊技術外，Intel還在積極開發PLC，也就是單個單元存儲5 bit數據的新NAND，不過他們並沒有公布具體會在什麼時候推出PLC SSD。在將QLC SSD升級到144層NAND之後，下一步，在2021年，Intel會把全系列的SSD都升級到採用144層堆疊NAND。 初代雙層3D XPoint結構 另外，Intel還公布了與傲騰（Optane），也就是3D XPoint快閃記憶體相關的新動向，新一代傲騰SSD的代號為Alder Stream，它將會使用四層的第二代3D XPoint快閃記憶體，並且換上全新的控制器和PCIe 4.0。新一代傲騰SSD的最大容量可能將達到3TB，當然，這是企業級產品的容量。Intel非易失性存儲解決方案部分的負責人Rob Crooke表示，他們正在位於新墨西哥州的工廠進行3D XPoint技術的研發，並擁有多家能夠生產3D XPoint的工廠。不過他們也沒有放棄與美光之間的供應關系。 既然有第二代傲騰SSD的消息，那第二代傲騰記憶體也不會遠，新的傲騰記憶體代號為Barlow Pass，將會在今年晚些時候正式發售，預計是六月份。新一代傲騰記憶體有望在容量上實現突破。 ...