Tag: QLC快閃記憶體

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND快閃記憶體一路發展下來，存儲密度越來越高，而壽命和可靠性不斷下滑，比如作為最關鍵的衡量指標，P/E(編程/擦寫循環)次數就越來越少。 根據維基百科的資料顯示，SLC快閃記憶體的P/E可以達到5000-10000次之多，MLC一般在1000-10000次范圍，TLC目前最高就只能做到3000次，QLC的話一般不超過1000次。 不過，長江存儲憑借獨特、優秀的Xtacking晶棧架構設計，走出了屬於自己的特色道路，快閃記憶體壽命可靠性大大提升。 比如長江存儲新一代的QLC 3D NAND快閃記憶體，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。 根據官方介紹，長江存儲X3-6070 QLC快閃記憶體的IO接口傳輸速度達到了2400MT/，相比上代的1600MT/提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。 更不可思議的是可靠性和壽命，它的P/E居然能做到驚人的4000次，是普通QLC快閃記憶體的4倍！ 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到這一點，一方面來自獨特的Xtacking晶棧架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都能達到這麼高的水平，一要看具體品質和良品率，而要看用在什麼領域，比如企業級SSD上使用的肯定壽命更長一些。 比如說去年9月份發布的致態Ti600，，面向消費級市場，其性能可媲美高端的PCIe 4.0 SSD。 它的具體P/E次數沒有公開。考慮到這類產品的寫入放大一般在3-5倍，再加上固件算法設置等因素，倒推致態Ti600 SSD的P/E大概在2000次左右，是普通QLC的兩倍左右，相當可靠了。 同時，致態Ti600 1TB版本的最大寫入量多達400TBW，按照五年保質期計算，平均每天可以寫入219GB，完全能夠滿足消費級用戶的使用。 值得一提的是，在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q SSD也將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等設備。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW。 可靠性和數據保持能力方面也足以媲美TLC快閃記憶體，比如說平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 可以說，QLC快閃記憶體已經到了真正可以普及的新階段，尤其是長江存儲的QLC，完全可以讓普通消費者乃至企業級客戶都放心長期使用，無論性能還是壽命都無需任何顧慮。 來源：快科技

快科技3月28日消息，在中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了他們的QLC快閃記憶體PE壽命，表現非常不錯。 據悉，採用第三代Xtacking技術的X3-6070 QLC快閃記憶體達到了4000次P/E的擦寫壽命，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtacking精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，要看品質和良率。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 來源：快科技

3月20日，2024年中國快閃記憶體市場峰會(CFMS 2024)在深圳舉辦，匯聚全球存儲巨頭。 江波龍攜旗下品牌FORESEE和雷克沙(Lexar)帶來了多款全新自研的存儲產品，涵蓋QLC eMMC存儲晶片、LPCAMM2內存、CXL內存擴展模塊、NM/microSD/D存儲卡等等，快科技也與江波龍多位高層進行了一番深入交流。 江波龍董事長、總經理蔡華波在演講中，分享了江波龍從“存儲器廠商”向“半導體存儲品牌企業”全面轉型升級的戰略布局，以及如何突破主流經營模式20億美元營收的天花板。 蔡華波表示，江波龍堅持自主研發，已實現較完整的存儲晶片自主設計能力，掌握了SLC/MLC NAND快閃記憶體、主控晶片設計能力，尤其在SLC NAND快閃記憶體晶片已大規模量產。 同時，江波龍已構建起自有的高端封裝測試與製造中心，包括並購的元成蘇州、智憶巴西（Zilia），以及自建的中山數據中心存儲專線等領先的封測與製造基地，涵蓋了晶片設計、軟硬體設計、晶圓加工、封裝測試、生產製造等各個產業鏈環節。 產品層面，江波龍目前主打兩條線，FORESEE是行業類存儲品牌，雷克沙(Lexar)則定位國際高端消費類存儲品牌，覆蓋了存儲晶片、U盤、SSD、存儲卡、內存條等各類產品。 隨著QLC開始逐漸普及，江波龍率先將3D QLC引入了eMMC產品，全球首發了FORESEE QLC eMMC，滿足“降本擴容”的行業需求，尤其適合手機的大容量存儲。 它基於江波龍自研主控WM6000，以及獨特的QLC算法和自研固件，已達到可量產狀態，性能和可靠性媲美TLC eMMC。 接口協議支持eMMC 5.1，順序讀寫速度分別可以達到340MB/、300MB/，首發容量為128GB&256GB&512GB，根據市場需求可快速推出1TB版本。 對於江波龍為何首先在eMMC產品上導入QLC快閃記憶體，江波龍嵌入式存儲事業部產品總監陳永解釋說，QLC作為高密度、大容量、低成本的快閃記憶體介質，滿足了人們對存儲容量更大、成本更低的高要求。早在幾年前，江波龍就開始思考QLC用於eMMC的可行性，並通過眾多客戶交流、深度市場調查，以及與NAND 快閃記憶體原廠的積極溝通，從市場和資源兩方面發現了一定的實踐意義。 經過研發人員深度摸底，江波龍發現，QLC快閃記憶體在帶寬、讀取速度、整體可靠性等核心性能方面，已經有了很大提升，且在SSD領域，QLC正在追趕TLC，部分性能指標已經基本沒有差距。 針對QLC的特性，江波龍研究了固件算法，特別是LDPC糾錯機制，算法已經接近理論極限。 此外，江波龍的自研eMMC主控WM6000，在立項之初便以高要求作為標准，與QLC搭配恰好能發揮最佳性能。 因此，QLC eMMC新品的發布，對於嵌入式存儲產品發展來說具有重大的意義，體現了存儲技術的突破。 此外，江波龍在消費級、數據中心領域均有QLC SSD的產品計劃，目前處於研發預研中，旗下品牌雷克沙的消費級QLC SSD產品則已經上市，包括SATA、PCIe 3.0/4.0的產品，覆蓋全性能段。 江波龍的另一款首發新品是FORESEE LPCAMM2內存，支持LPDDR5、LPDDR5x，單條容量達16/32/64GB。 它擁有遠超傳統SO-DIMM內存形態的高集成度，體積減少了近60%，能效提升了近70%，功耗減少了近50%。 還有更高的128-bit位寬，速率也可以最高做到9600Mbps，大大超過DDR5 SO-DIMM 6400Mbps。 對比板載集成的LPDDR系列，它的模塊化形態不僅可擴展，而且可維護性更高。 江波龍DIMM部高級主任工程師張衛民也深入解讀了LPCAMM2高集成度帶來的眾多顯著優勢： 一是空間利用效率的提升，這對於追求輕薄設計的電子設備來說至關重要，能顯著減少主板空間占用，使設備更加緊湊。 二是性能的提升，高度集成的電路設計有助於提升數據傳輸和處理的速度，減少延遲，從而提高設備的整體性能。 三是能耗的降低，保持高性能的同時還節省能耗，延長續航時間。 四是生產成本的降低，高集成度設計可以減少生產過程中的物料和組件數量，簡化生產流程。 五是可靠性和穩定性的提升，使用螺絲固定，同時減少連接器和接口數量，可以降低接觸不良或松動等導致的故障風險，而且通過優化電路設計和採用先進的封裝技術，可以進一步提高可靠性和穩定性。 江波龍首款採用自研架構設計的FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊也在此次峰會上發布並進行了演示，可滿足AI密集負載對存儲低延遲、高帶寬的苛刻要求，大大降低內存成本，提高利用率。 它形態是EDSFF E3.S，基於DDR5顆粒，已有容量包括64GB、128GB、192GB，正在研發更大的512GB。 傳輸接口走的是最新PCIe 5.0 x8，理論帶寬達32GB/，可與支持CXL規范、E3.S接口的背板和伺服器板無縫連接。 另一種形態則是AIC擴展卡，容量可以做得更大，現場展示的DDR4版本就已經做到了512GB，一個機箱插入8塊就可以達到4TB，非常適合用來做存儲池。 它走的是MCIO接口(未來會走PCIe接口)，系統通道是PCIe 5.0...

快科技3月22日消息，近日的中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了一系列產品和技術解決方案。雖然因為種種原因，太多東西不能說，但依然有驚喜。 比如新一代QLC 3D NAND快閃記憶體，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。 它的IO接口速度達到了2400MT/，相比上代的1600MT/提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。 更不可思議的是可靠性和壽命，P/E編程擦寫循環居然能做到驚人的4000次，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右的P/E，TLC快閃記憶體初期僅為100-150次，成熟後不過1000次左右，企業級增強版也只有3000次。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtackig精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，僅限企業級產品，而且要看良品率，消費級最高可以做到2000次左右。 具體到實際產品中，情況也會有所不同，要看產品定位和設計，要結合寫入放大因素，比如長江存儲自有品牌的首款QLC產品，，估計只有600次左右。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 除了QLC快閃記憶體外，長江存儲還展示了企業級SSD和嵌入式UFS/eMMC等產品。 來源：快科技

快科技3月19日消息，三星宣布，正在打造全新的PB級別SSD存儲方案，也就是PBSSD，容量將達到跨越式的1PB左右，相當於1000TB。 三星並未透露具體如何實現PBSSD，只是說將會利用其開發的FDP(Flexible Data Placement)技術，可以翻譯為彈性數據安置，已經被採納為NVMe技術標准。 它可以強化數據的存儲能力，從而提高性能和可預見性，更好地滿足超大規模工作負載的需求，尤其是配合超強算力的AI GPU。 事實上，三星這一番表態，就是在NVIDIA GTC大會上做出的，後者剛發布了 三星SSD目前做到的最大容量是256TB，在去年八月的快閃記憶體峰會上展示過，使用了QLC快閃記憶體晶片，號稱功耗只有八塊32TB SSD加起來的七分之一。 不知道到了1000TB SSD，三星會使用什麼快閃記憶體，是繼續壓榨QLC，還是下一代更加不靠譜的PLC？ 來源：快科技

快科技1月30日消息，三星宣布，正在開發下一代V9 QLC快閃記憶體技術，一舉堆疊到280層，容量、性能都實現了巨大的飛躍，預計今年內就會正式推出。 三星V9 QLC快閃記憶體的存儲密度達到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的長江存儲232層QLC 20.62Gb提高了多達36％。 其他的QLC方案就更不值一提了：美光232層19.5Gb、SK海力士176層14.4Gb、西數/鎧俠162層13.86Gb。 密度上來之後，SSD容量自然水漲船高，理論上可以將M.2 SSD做成單面8TB、雙面16TB！ 當然具體做多少還得看市場需求了。 三星990 EVO 性能方面，三星V9 QLC的最大傳輸率號稱可達3200MT/，比目前最好的2400MT/又高了一個檔次，甚至可以滿足未來PCIe 6.0方案的需求。 但實際表現如何還有待觀察，畢竟QLC方案都嚴重依賴pSLC緩沖技術，需要將最多25％的容量做成緩存。 雖然很多人依然不待見QLC，但是隨著TLC的潛力被挖掘殆盡，QLC已經成為絕對主流，各家都已經全部轉向，三星也從2022年開始就將幾乎全部精力放在了QLC。 來源：快科技

快科技1月23日消息，，Solidigm去年7月份就發布的企業級SSD D5-P5336終於開啟預售，那是相當的貴。 Solidigm D5-P5336系列提供多種版本，其中15mm U.2形態的容量7.68TB、15.36TB、30.72TB、61.44TB，E1.L形態的容量15.36TB、30.72TB、61.44TB，E3.S形態的，容量最高30.72TB。 它是第一款採用U.2、E1.L形態的QLC SSD，192層堆疊，企業級品質，號稱最大寫入壽命可達65PBW，五年質保期內平均每天可以寫入最多35.6TB，甚至能夠堅持使用長達70年都不會壞。 價格方面，U.2 61.44TB PCNation給出的預售價是3975.16美元(￥28510)，Tech-America則是3692.00美元(￥26480)。 其實對比8TB的產品，單位容量的價格其實還低了一些。 這種產品想用在桌面上也沒問題，部分高端主板自帶U.2接口，沒有的插個PCIe轉接卡就行了。 具體發貨時間都沒有明確，Solidigm的說法是今年晚些時候。 來源：快科技

快科技12月22日消息，近日，光威弈系列性能版PCIe4.0 SSD正式上架電商平台，2TB版本價格為699元，4TB版本價格為1199元。 據介紹，光威弈系列性能版SSD採用基於長江存儲晶棧Xtacking 3.0架構的新一代QLC快閃記憶體顆粒，擁有2400 MT/的單顆晶片接口速度，與上一代相比提高50%。 在速度方面，該系列SSD採用PCIe4.0X4協議，連續讀寫最高速度可達7000MB/，連續寫入最高可達6500MB/。 該系列SSD還採用了標准M.2 2280尺寸，能夠適配主流台式機及筆記本，還支持新一代PS5平台擴容。 該系列SSD有2TB和4TB兩個版本可選，其中2TB版本的總寫入量為1200TB，4TB版本總寫入量為2400TB，均提供5年質保服務。 來源：快科技

快科技12月8日消息，今天，長江存儲旗下致態正式發布了Ti600 4TB大容量版本的SSD，目前已在京東和天貓官方旗艦店開售，價格為1299元。 致態Ti600 4TB容量版本採用了基於長江存儲晶棧Xtacking 3.0架構的QLC原廠顆粒，支持PCIe4.0、NVMe2.0協議，順序讀速達到了7000MB/，順序寫入速度為6000MB/。 而且在晶棧Xtacking 3.0架構的加持下，單顆晶片的接口速度就達到了2400MT/。 同時致態Ti600 4TB容量版本還採用了2280規格、單面PCB設計，能夠兼容Gen4及大部分Gen3系統，滿足各類筆記本、台式機、PS5等設備的加裝與擴容需求。 同時致態Ti600還採用了HBM機制以及SLC Cache智能緩存，加速商務辦公、個人娛樂、3A遊戲等場景。 同時還支持致態Smart Tool管理軟體，可實時掌握固態硬碟工作狀態、健康情況、溫度表現等，還可輕松進行固件升級。 在耐用性上，致態Ti600 4TB版本耐用等級達到了1600TBW，平均無故障連續運行時間為150萬小時，還提供5年質保。 來源：快科技

快科技11月31日消息，三星T5 EVO移動SSD目前已經上架開售，售價999元起。 據悉，T5 EVO整體採用黑色，並配備一個鈦灰色環扣，可以輕松地固定在包或行李上。其金屬機身和橡膠表面可提供額外保護，防止外部沖擊，可抵抗從高達兩米處的跌落。 傳輸速度上，T5 EVO基於USB 3.2 Gen 1，傳輸數據的速度是移動機械硬碟的3.8倍，高達460 MB/的連續讀寫速度，使傳輸大文件變得更加容易。 此外，快閃記憶體換用了176層3D V-NAND，運行在QLC模式，搭配三星自家S4LR069 Metis主控，帶有8GB緩存。 安全方面，為避免出現過熱的情況，T5 EVO採用動態散熱保護技術智能散熱、控熱，因此持續傳輸大量內容時也能實現穩定的低發熱量，保持適宜的溫度。 T5 EVO有2TB、4TB及8TB三種容量配置，售價分別為999元、1799元、3599元，帶有適用於USB接口連接的Type-C數據線，並提供三年質保。 來源：快科技

快科技11月15日消息，三星電子今日推出一款輕型移動固態硬碟T5 EVO，容量可達8TB。 T5 EVO整體採用黑色，並配備一個鈦灰色環扣，從色彩上自帶高級時尚感。與其他灰色主機設備放置時，會顯得非常自然和諧。 同時，T5 EVO採用金屬環設計，可以輕松地固定在包或行李上。其金屬機身和橡膠表面可提供額外保護，防止外部沖擊，包括從高達兩米處的跌落。 傳輸速度上，T5 EVO基於USB 3.2 Gen 1，傳輸數據的速度是移動機械硬碟的3.8倍，高達460 MB/的連續讀寫速度，使傳輸大文件變得更加容易。 此外，快閃記憶體換用了176層3D V-NAND，運行在QLC模式，搭配三星自家S4LR069 Metis主控，帶有8GB緩存 安全方面，T5 EVO採用熱防護技術和硬體數據加密來保障數據安全，可防止硬碟過熱並使其保持合適的工作溫度，符合國際安全標准IEC 62368-1的要求。 T5 EVO有2TB、4TB及8TB三種容量配置，帶有適用於USB接口連接的Type-C數據線，並提供三年質保。 來源：快科技

快科技10月25日消息，知名半導體行業觀察機構TechInsights稱，在一款消費電子產品中發現了世界上最先進的3D NAND存儲晶片，它來自中國頂級的3D NAND製造商長江存儲。 據悉，TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發現了由長江存儲製造的232層QLC 3D NAND晶片，這種新的QLC晶片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產品中最高的比特密度。 本次的發現，超越了同樣在開發232層QLC 3D NAND晶片的美光和英特爾(Solidigm)。 長江存儲232L QLC晶片 致態Ti600 1TB固態硬碟 TechInsights表示，盡管受到制裁後困難重重——包括該公司受限於向蘋果供應基於中國生產的iPhone零部件，以及被列入美國的實體名單， 但長江存儲仍在靜靜地開發最先進的技術。 近期存儲市場的低迷，以及許多內存製造商專注於節省成本的舉措，可能為長江存儲提供了機遇，使其具有領先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。 值得注意的是，三星目前的戰略是專注於V9 3D NAND的TLC和QLC，因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發QLC。 但是，三星在上周舉行的“內存技術日”上，首次公開了面向移動市場的QLC產品——採用176層(V7)技術的512GB UFS 3.1產品。 SK海力士的主要業務是TLC，而不是QLC產品。 越來越多的證據表明，中國正在努力克服貿易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。 此前，TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機構，在拆解完之後，TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價： “這確實是一個令人驚嘆的質量水平，是我們始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我們要祝賀中國，能夠製造出這樣的產品。這意味中國擁有非常強大的能力，而且還在繼續發展技術。” 來源：快科技

雖然大家都不情不願，但一如TLC，QLC終將普及開來，出現在各種SSD產品中。 現在，英睿達發布了一款採用QLC快閃記憶體的移動SSD X9，將取代此前的X8，定位於主流市場，高於入門級的X6而低於專業級的X9 Pro、X10 Pro。 相比於Pro版本，英睿達X9將外殼材質從金屬改成ABS塑料，長寬尺寸仍然是65x50毫米，保留掛繩孔，功能方面去掉了AES-256加密，沒有了LED指示燈，不支持防水防塵，只有2米高防跌落。 快閃記憶體是美光的176層堆疊3D QLC，容量1TB、2TB、4TB，搭檔群聯U17原生快閃記憶體主控，接口是USB 3.2 Gen2，也就是USB 3.1 10Gbps。 性能方面，讀取速度是1050MB/，1TB版本讀取300GB需要5分鍾。 寫入速度未公開，只說150GB、300GB寫入分別需要2.5分鍾、14.2分鍾——顯然前者依賴緩存可達到約1GB/的寫入速度，後者耗盡了緩存平均速度僅為350MB/。 英睿達X9 1/2/4TB的價格分別為90/140/280美元，約合人民幣660/1020/2050元。 來源：快科技

快科技9月8日消息，達墨預熱了許久的1TBTF卡終於來了，現在已經多平台開啟預售，定價389元。 這個價格可以說是標準的價格屠夫了，市面上同等容量的主流品牌都要600元左右，相比之下幾乎腰斬。 當然，低價相應的就會有所縮減，達墨這款1TB採用了QLC顆粒，性能官方此前已經公布出來。 搭配超頻讀卡器可實現136MB/、124MB/的讀寫速度、4K隨機讀取可達1904 IOPS，4K隨機寫入可達966 IOPS。 搭配普通讀卡器，該卡可實現93MB/、89MB/的讀寫速度；4K隨機讀取可達2161 IOPS，4K隨機寫入可達808 IOPS。 不過，對於需求最大的Switch、手機/平板擴容來說完全足夠，另外行車記錄儀、安防攝像頭等設備也完全夠用，並且還支持4K解析度的視頻存儲，放在運動相機上也能使用。 來源：快科技

快科技9月7日消息，達墨官方宣布，將於今天下午6點在京東等平台上架達墨白卡1T TF卡，售價389元。 同時，官方還首次公布了這款產品的規格參數。 首先顆粒確認是QLC，雖然說在性能上是差了點意思，但也正因此才做到389元的價格。 根據電商平台查詢，目前市面上1TB的TF卡普遍要600元左右，即便不在意品質，主流品牌最低的也要500元。 當然了，其實這種大容量TF卡最大的受眾就是Switch玩家，即便是QLC也足夠用了，並且1TB能滿足巨大多數普通玩家需求了。 官方測試顯示，該卡搭配超頻讀卡器可實現136MB/、124MB/的讀寫速度、4K隨機讀取可達1904 IOPS，4K隨機寫入可達966 IOPS。 搭配普通讀卡器，該卡可實現93MB/、89MB/的讀寫速度；4K隨機讀取可達2161 IOPS，4K隨機寫入可達808 IOPS。 超頻讀卡器實測數據： 普通讀卡器實測數據： 來源：快科技

說起SSD，你最關心的是哪方面？容量大小？價格高低？性能快慢？壽命長短？ 相信很多用戶，尤其是懂技術、有追求的用戶，還會非常在意NAND快閃記憶體顆粒的類型： SLC早已幾乎銷聲匿跡，MLC可以說是最理想的但也看不到了，TLC已經都能接受並極大化普及，QLC一直讓很多人質疑其可靠性和壽命，PLC就更別說了……給人一代不如一代的感覺。 事實上，從來沒有差勁的產品和技術，只有合適不合適的產品和技術，就看怎麼去做、用在哪裡了。 最近，SK海力士收購Intel NAND快閃記憶體業務重組而來的Solidigm，再次玩了一把大的，推出了全新的D5-P5336 SSD，不但做到了PCIe SSD產品有史以來的最大容量61.44TB，還把QLC推向了新的高度。 可以說，D5-P5336巧妙地利用了QLC快閃記憶體的特性，充分發揮優勢、規避劣勢，將自己放在了最合適的位置上，真正發揮產品和技術的價值。 PS：存儲公司Nimbus Data有一款200TB SSD，用的是SATA/AS接口，3.5英寸形態，過於龐大。 2021年12月正式組建成立以來，Solidigm已經逐步打造了完整的產品線，從數據中心到消費級都有不同等級的產品，面向不同的工作負載需求而針對性設計、優化，讓用戶可以找到最適合自己的產品。 其中，消費端有主流的P41 Plus、高端的P44 Pro，均支持PCIe 4.0，同時也正在規劃打造PCIe 5.0產品。 數據中心端，2022年4月發布了，是其首款PCIe 4.0 SSD，採用144層TLC快閃記憶體，容量最大15.36TB，可提供超高的性能、耐用性，缺點是成本和價格偏高，適合大型企業和大型數據中心。 2023年5月帶來了，192層QLC快閃記憶體，最大容量翻番到30.72TB，提供相當高的耐用性，而且成本不高，綜合而言已經足以替代TLC，不過在4K隨機寫入性能上有所犧牲。 最新的D5-P5336，定位相對更低一些，更確切地說是以較低的成本，滿足讀取密集型的工作負載需求。 順帶解釋一下Solidigm企業級SSD的命名規則，都是Da-Xbcde的方式。 其中，D代表企業級和數據中心定位(Datacenter)，a代表產品定位(7高性能NVMe/5性價比NVMe/3 SATA)，X代表接口形態(P PCIe/ SATA/D雙接口)，b代表主控代數，c代表壽命等級(越大越長)，d代錶快閃記憶體代數，e代表其他特性(0普通/1低功耗/2高性能/6大容量/8 PCIe x8 AIC)。 所以，D5-P5336就代表高性價比企業級NVMe PCIe SSD，第五代主控，壽命普通，第三代QLC快閃記憶體，大容量。 D5-P5430、D5-5336都使用了QLC快閃記憶體，它們可都是企業級產品，而企業客戶、企業應用環境是最在意長久穩定性的，這足以讓我們重新認識QLC快閃記憶體。 在很多人的認知里，QLC快閃記憶體性能、耐用性、可靠性等指標都不夠理想，但這是相對而言的，如今的QLC，尤其是Solidigm的QLC，完全沒有大家想像的那麼弱。 讀取性能方面，Solidigm QLC並沒有損失，PCIe 4.0 x4帶寬中可以輕松跑到7GB/，和標準的TLC不相上下。 寫入性能方面，QLC確實不如TLC，但也沒有差得離譜，無論4K IU還是16K...

快科技7月22日消息，Solidigm公司近日發布了新一代旗艦企業級SSD D5-P5336，容量起步就有7.68TB，最高更是做到了史無前例的61.44TB，是此前紀錄的整整兩倍，1U機箱就可以達成2PB的存儲空間！ Solidigm D5-P5336提供了多種形態、容量規格，首發出貨的是E1.L，最高容量30.72TB。 今年晚些時候增加U.2並升級E1.L，最高容量升至61.44TB，明年還會擴大到E3.S，最高容量30.72TB。 它採用了QLC快閃記憶體，192層堆疊，企業級品質。 按照Solidigm此前給出的數據，最大寫入壽命可達65PBW，五年質保期內平均每天可以寫入最多35.6TB，甚至能夠堅持使用長達70年都不會壞。 性能方面，目前官方只給出了首發的E1.L 15.36TB，支持PCIe 4.0 x4，順序讀寫最高7GB/、3.1GB/，4K隨機讀取最高1005K IOPS，16KB隨機寫入最高35K IOPS，寫入壽命14.11PBW，平均故障間隔時間200萬小時。 Solidigm表示，相比於全TLC快閃記憶體陣列，D5-P5336可節省17％的TCO成本，機架占地面積減少1.9倍，供電和散熱能耗減少1.25倍，對比全SAS硬碟陣列、混合陣列的優勢更大。 來源：快科技

快科技4月17日訊，對於存儲產品，無論是機械硬碟還是固態硬碟，發展脈絡都非常清晰，那就是千方百計提高存儲密度/容量，並降低單位成本。 從這個角度看，似乎就不難理解快閃記憶體廠商們推進多層堆疊以及QLC/PLC/HLC/OLC等技術的決心。 之前，Solidigm（SK海力士收購Intel快閃記憶體後成立的消費品牌，類似英睿達之於美光）營銷總監Tahmid Rahma指出，最新一代QLC快閃記憶體已經將耐用性提升了5倍，消費者大可比必擔心磨損過快的問題。 且來自多倫多大學對140萬塊企業級SSD的研究發現，99%的存儲系統在退役之時也才寫入理論值的15%而已。 同樣是圍繞在QLC上的爭議，性能也是部分消費者的一塊心病。 對於這一點，Solidigm數據中心產品營銷總監Roger Corell有不同看法，他指出其QLC SSD針對主流和讀取密集型的工作負載做了高效擴展，比TLC SSD讀取性能更好，關鍵這一切是在成本更低、容量更大的情況下實現的。 舉例而言，Solidigm的D5-P5316連續讀速可達7000MB/，採用TLC的鎧俠CD6-R則僅有5500MB/，領先了27%。 來源：快科技

快科技4月15日訊，如今，SLC和MLC顆粒的SSD已經非常少見，在消費級，更多主流產品採用的是TLC和QLC，按照演進，接下來還有PLC、HLC、OLC等。 對於QLC仍存在的一些爭議，Solidigm（SK海力士收購Intel快閃記憶體後成立的消費品牌，類似英睿達之於美光）產品營銷總監Tahmid Rahman有自己的一番看法。 比如被問到QLC快閃記憶體顆粒會磨損較快時，Rahman表示，一代又一代的改進後，如今的第四代PCIe 4.0 QLC快閃記憶體SSD的耐用性，已經是早期的5倍了。 他還援引統計數據表示，大約85%的數據中心SSD，每天全盤寫入次數（DWPD）都在1次甚至以下。大規模的樣本顯示，99%的存儲系統即便在退役時，也僅僅寫入了理論值的15%。 Rahman指出，對比TLC SSD，QLC的使用使得總擁有成本降低20%，對於用戶來說，是更高效的選擇。 來源：快科技

在絕對速度和絕對容量上，SSD早已甩開機械硬碟N個身位。 而就在本月於深圳舉辦的中國快閃記憶體市場峰會期間，三星表示，3D NAND的物理縮放技術、邏輯縮放技術和封裝技術正在發生變化，預計未來十年單顆SSD容量可高達1PB（1PB=1024TB）。 同時，三星還在研究通過更智能的QLC用法，推動QLC技術成為主流。 據悉，目前在3D快閃記憶體堆疊方面，三星已經做到236層，鎧俠212層，美光232層，SK海力士更是做到238層。 外界認為，本世紀30年代時，千層堆疊和PLC快閃記憶體（Penta Level Cell – 5 bits/cell）可能會成為PB級SSD的主流之選。 來源：快科技

現在的快閃記憶體有SLC、MLC、TLC及QLC之分，SLC當然性能、可靠性最好，但是成本太貴，只有個別領域還有在用，MLC快閃記憶體都是稀罕物了，主流的是TLC及QLC，其中QLC更便宜，容量大。 有了這樣的優勢，QLC快閃記憶體不僅在消費級SSD遍地開花，現在也大量使用在企業級市場，存儲系統供應商NetApp日前就推出了經濟型全快閃記憶體陣列AFF C系列，全面使用QLC快閃記憶體，最高容量做到了106PB（1PB=1000TB）。 AFF C系列有三個型號，高端的C800系列採用4U機架，最多24個節點，總計可以容納1726個SSD硬碟，容量106PB，還有32個10Gbe網絡接口，20個100Gbe網絡接口，16個25Gbe網絡接口，功耗1463W。 其他的還有C400，容量最高71PB，C250則是35PB容量。 這樣的容量可以說是夢幻級別了，只可惜絕大多數個人用戶沒可能用得起。 來源：快科技

SK海力士收購Intel NAND快閃記憶體業務重新組建的Solidigm公司非常活躍，最近披露了其近期NAND、SSD規劃路線圖，預計2023年上半年陸續落地。 雖然是企業級的，距離我們很遠，但技術上依然令人相當振奮。 Solidigm下一步規劃的是第四代PCIe QLC SSD，192層堆疊，按照應用場景分為兩個系列： 一是Essential Endurance，更適合4K、8K的小文件讀寫，形態規格E1.S、E3.S、U.2，容量3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB，最大寫入壽命約32PBW。 二是Value Endurance，主要面向16K及更大的文件，形態規格把短小的E1.S換成長長的E1.L，同時繼續提供E3.S、U.2。 容量更大，可以說分別翻倍到7.68TB、15.36GB、30.72TB、61.44TB，最大寫入壽命也翻番到約65PBW。 按照五年質保期限計算，平均每天可以寫入最多35.6TB。 Solidigm甚至宣傳，這種QLC SSD如果持續寫入視頻，可以堅持使用長達70年！ 事實上，有數據顯示，99％的用戶都只用掉了SSD壽命的15％，QLC快閃記憶體的PE編程擦寫循環沒有任何風險，所以完全不必過慮。 另外，Solidigm還對比了兩種快閃記憶體的寫入壽命：15.36TB TLC可以最多寫入約28PB，30.72TB QLC則可以做到約23PB，等於說QLC是憑借自己的大容量優勢追上TLC。 性能方面，Solidigm宣稱自己的192層QLC 4K隨機寫入性能可以超過113K IOPS，相比競品QLC高出多達6倍，相比競品TLC也領先24％。 4K隨機寫入延遲僅為0.563ms，對比競品QLC、TLC分別領先84％、20％。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

SK海力士收購Intel快閃記憶體業務後，新組建了名為Solidigm的消費級/企業級品牌，目前已經推出多款產品。 日前在Tech Field Day 2022技術峰會預覽下一代192層3D快閃記憶體晶片時，Solidigm明確指出，這是QLC顆粒（4bits/cell）。 面對部分消費者對QLC不耐用的質疑，Solidigm額外做了說明。 他們表示，目前全球出貨的數據中心SSD中，85%的DWPD數值都在1以下，也就是每日最多最多全盤寫入一次。 與此同時，99%的機器在服役周期內，寫入量只有極限值的15%。 Solidigm強調，QLC的PE（可循環擦寫次數）不構成任何風險，用戶別擔憂。 據悉，Solidigm的192層QLC顆粒，可以將數據中心SSD做到61.44TB的巨大容量，超越當下任何機械硬碟。與會人員還透露，30TB的QLC顆粒，持續70年循環進行視頻內容的擦寫，都不會壞！ 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

三星今天（11月7日）宣布開始量產第8代V-NAND快閃記憶體晶片，堆到了236層。 上一代V-NAND其實只有176層，已經用在了旗艦SSD固態盤990 PRO上。 關於第八代V-NAND，有兩點值得一說，一是三星介紹單晶片現在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒（3 bits/cell）。 其實，部分廠商在進入到150+層的階段後，開始大肆製造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅守住了底線。 據悉，第8代V-NAND快閃記憶體晶片採用Toggle DDR5內部接口，傳輸速度2400Mbps，未來用於PCIe 5.0固態盤上，典型速度將能達到12.4GB/。 因為生產效率提升20%，最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是，三星這次並沒有透露商用產品何時首發。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

一、前言：Solidigm的第一款消費級SSD產品 可能很多同學對於Solidigm這個品牌非常陌生，其實它的前身是英特爾的非易失性存儲事業部。 SK海力士以90億美元收購了Intel相關業務之後，為了保持這個部門的獨立性，重新成立了新品牌 Solidigm來進行運營。 P41 Plus則是這家“新“公司的第一款消費級產品。 我們收到的Solidigm P41 Plus 1TB採用了常見的M.2 2280尺寸，實際上它還有M.2 2230和M.2 2242這兩種更短的形態。特別是M.2 2230，能夠完美兼容Steam Deck掌機。 P41 Plus採用了來自慧榮的SM2269XT主控，支持PCIe 4.0技術，四通道 1600MT/最高讀取速度超過4100MB/，寫入3225MB/，性能優於PCIe 3.0 NVMe。另外由於主控支持 DRAM-less技術，可以使用記憶體充當SSD的DRAM緩存，在一定程度上節約了物料成本。 耐久性方面，Solidigm P41 Plus 採用了自家的144層QLC顆粒 ，有3個容量版本 ，512GB版最大寫入量為200TBW，1TB版為400TBW，2TB版為800TBW，另外還有質保五年，相當於支持每天 0.22次全盤寫入。 在推出P41 PLUS的同時，Solidigm還提供了Solidigm Synergy軟體，這款軟體包含全新的“主機託管緩存”，讓QLC擁有SLC的使用感受。 來源：快科技

還有人沒買SSD硬碟嗎？等等黨這一波又要贏了，由於QLC快閃記憶體普及，再加上NAND快閃記憶體價格持續下滑，接下來SSD硬碟還有得跌，特別是512GB容量的SSD。 據TrendForce集邦咨詢最新報告，目前NAND快閃記憶體是供過於求，而且買方重點是去庫存，減少了采購量，導致NAND廠商開出破盤價，Q3季度快閃記憶體晶片價格跌了30-35%，預計Q4季度價格還要跌15-20%。 這也會導致部分快閃記憶體晶片廠商在今年底前陷入虧損的困境，而且在虧損的壓力下，不得不採取減產等方式來減少損失。 對PC玩家來說，面向客戶端市場的SSD硬碟現在也是去庫存為主，而且176快閃記憶體及QLC快閃記憶體開始放量，SSD硬碟價格極具彈性，特別是512GB SSD硬碟已經成為供應重心. 供應端普遍鎖定512GB容量採取綁量或連續兩季合並議價的策略，加劇該容量價格競爭，預估第四季PC用的SSD價格將擴大至15~20%。 很顯然，今年的雙11期間，SSD硬碟恐怕要殺出白菜價了。 來源：快科技

全球經濟大形勢不好，今年PC及手機等行業需求都在急速下滑，其中存儲晶片今年的壓力更大了，不僅需求不足，同時也因為QLC快閃記憶體成本進一步優化，快閃記憶體廠商接下來要打價格戰，SSD硬碟要一路跌到年底了。 根據集邦科技的調研報告，隨著快閃記憶體廠商不再固守價格跌幅，Q3季度快閃記憶體的價格會加速下滑，之前預期下滑8-13%，現在要擴大到13-18%，也就是額外再跌5個點，而且這個價格跌勢會持續到今年Q4季度。 不同市場的快閃記憶體價格跌幅也不同，消費級SSD硬碟方面，Chromebook及筆記本的需求下滑，Q3季度的訂單已經下調了，更重要的還有快閃記憶體自身的變化，一個是廠商的176層堆棧的快閃記憶體供應量增加，另一個就是QLC快閃記憶體的成本進一步優化，導致廠商有了降價的基礎。 回頭看市場上的情況，QLC硬碟目前已經成為各大SSD品牌的主力，特別是大容量、低價格的型號中，現在只有中高端SSD才會用TLC快閃記憶體，用MLC快閃記憶體的幾乎是鳳毛麟角了。 來源：快科技

由於成本更低，近年來快閃記憶體逐漸過渡到了TLC、QLC類型，只不過這些快閃記憶體的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，後者寫入壽命可達5000次甚至1萬次以上，好在鎧俠日前推出了第二代XL-Flash快閃記憶體，這次就增加了MLC，有望大幅提升容量。 鎧俠的XL-Flash快閃記憶體雖然也是基於BiCS NAND快閃記憶體技術，但它的定位不同於常見快閃記憶體，而是跟Intel的傲騰、三星Z-NAND競爭的，定位於存儲類記憶體，性能要比常見快閃記憶體高得多，成本也要高得多。 鎧俠在2020年推出了XL-Flash快閃記憶體，當時主要有SLC類型的，核心容量128Gb，比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多，但是延遲超低，只有普通快閃記憶體的1/20，性能非常強。 這次推出的第二代XL-Flash快閃記憶體沒有公布詳細的規格，但除了SLC之外多了MLC，因此容量輕松翻倍，核心容量可達256Gb，顯著降低了成本。 第二代XL-Flash快閃記憶體也會用於數據中心、企業伺服器等市場，未來還會有CXL標準的新產品。 根據鎧俠的計劃，第二代XL-Flash快閃記憶體今年11月份出樣，2023年開始量產。 來源：快科技

TrendForce集邦咨詢表示，由於需求未見好轉，NAND Flash產出及製程轉進持續，下半年市場供過於求加劇，包含筆記本、電視與智慧型手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風險。 因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。 TrendForce集邦咨詢預估，由於供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。 按照供應鏈的說法，雖然仍有訂單的支撐，但與去年的水平相比，固態硬碟的需求已經下降，當時在家工作是常態，更多的人在購買電腦硬體。 在固態硬碟需求降溫的背後還有其他熟悉的因素：全球經濟低迷和通貨膨脹率上升正在影響人們願意花多少錢。這導致企業，尤其是中國的智慧型手機製造商減少了備貨。因此，NAND快閃記憶體市場上出現了供過於求的情況。 全球企業級固態硬碟的采購能力將按季度增長10%，部分原因是超大規模數據中心的訂單，這意味著這些固態硬碟的價格預計將保持平穩。 銷量下降和供應過剩意味著TLC和QLC NAND晶圓的價格繼續下降。它們在第二季度下降了8-13%，相信在第三季度會下降15%-20%。 來源：快科技

由於SSD硬碟容量不斷增大，NAND快閃記憶體也從之前的SLC、MLC逐漸轉向TLC、QLC，特別是QLC近年來是低端SSD繞不過去的選擇，它為人詬病的一個地方就是性能太慢，現在西數及鎧俠也新一代BiCS6快閃記憶體上優化了QLC性能，提升了5倍。 QLC快閃記憶體不被大家喜歡主要是兩個原因，一個是可靠性較差，另一個就是寫入性能很弱雞，這都是QLC快閃記憶體的特性決定的，畢竟cell單元內要控制4bit數據，編程寫入的時候比其他快閃記憶體要復雜很多，所以錯誤率高，速度慢。 大家也見過QLC快閃記憶體的硬碟性能，雖然廠商給出的寫入速度超過1GB/甚至2GB/，但那都是靠著SLC緩存及全盤緩存、DRAM緩存之類的技術提升的，QLC原始寫入速度非常低，緩存外性能比HDD硬碟都要差，超過100MB/的幾乎沒有。 西數及鎧俠目前的主力快閃記憶體BiCS5這一代中沒有QLC快閃記憶體類型，下一代的BiCS6快閃記憶體中會重新推出QLC快閃記憶體，並進行了大量性能優化，不僅核心面積低於其他廠商，而且編程速度（也就是寫入速度）提升到了60MB/。 這是什麼概念？雖然看起來還不高，但是上上代的BiCS4快閃記憶體中QLC編程速度只有9.7MB/，當前QLC快閃記憶體中編程速度最快的還是Intel的144層QLC快閃記憶體，速度40MB/，其他廠商的多在30MB/以內。 簡單來說，西數、鎧俠的BiCS6快閃記憶體中QLC速度比之前提升了5倍，比友商最快的QLC也提升了50%的性能，足以大幅改善QLC快閃記憶體SSD硬碟的寫入性能，具體要等成品再來看。 來源：快科技

2022年初的時候快閃記憶體及SSD市場還是哀鴻遍野，因為價格還在下滑，沒想到2月份西數及鎧俠合資的日本工廠出現了快閃記憶體污染事故，損失慘重，當時消息稱西數就損失了6.5EB的快閃記憶體。 鎧俠、西數是全球TOP3的快閃記憶體供應商，份額僅次於三星，其快閃記憶體供應對全球智慧型手機及SSD硬碟市場影響極大，污染事故一傳出，SSD硬碟行業就躁動不安，部分廠商馬上藉此機會宣布漲價15%甚至25%。 當時西數也參與了，西數全球客戶組織執行副總裁傑里·卡格爾已經公告了此事，稱這次的材料污染事故影響了合資快閃記憶體工廠的運營，雖然不影響當前裝運的任何產品，但西數表示短期內成本顯著增加，長期影響還在評估，但他們已經決定立即提高快閃記憶體產品的價格。 如今過去三個月了，西數、鎧俠的快閃記憶體污染事件到底影響有多大？根據西數日前的財報數據，Q3財季的快閃記憶體bit出貨量雖然同比增長9%，但環比下滑了14%，主要就是快閃記憶體污染所致，損失約為2億美元。 西數表示，此前公告的快閃記憶體可用性減少7EB，仍然是准確的數字，而且該部分造成的損失大部分已經在FQ3財季中得到體現。 目前，污染事件已經在晶圓廠得到了解決。 來源：快科技

在當前的SSD硬碟中，TLC、QLC快閃記憶體的占比越來越多，QLC在一些低端型號中尤其受歡迎，然而大家對它的性能及可靠性一直不放心，現在Intel的660p QLC硬碟的原始性能被公開，緩存外只有60MB/，也就是U盤的水平。 Intel的SSD業務去年底已經被SK海力士公司收購完了，新設立的美國子公司將運營此次收購的英特爾SSD業務。該新公司的名稱定為「Solidigm」。 Solidigm公司高管日前接受了日本PCWatch網站的采訪，透露了接手Intel SSD之後的一些動向，這些暫且不提，他們確認Intel之前已有的SSD產品會繼續開售，並承擔質保。 更重要的是，采訪中他們透露了Intel的QLC快閃記憶體的硬碟的性能，大家知道Intel之前推出過660p、665p、670p等幾款QLC硬碟，前者是64層堆棧的3D QLC快閃記憶體，665p是96層3D QLC，670p則是144層3D QLC快閃記憶體。 以660p為例，紙面上的性能還是很強的，512GB的連續讀寫分別1500MB/和1000MB/、隨機速寫是90K和220K IOPS。1TB/2TB的連續讀寫均提升到1800MB/，隨機讀寫最高220K IOPS。 然而這些性能是基於SLC緩存模式下的，660p的512GB版有60GB靜態緩存，70GB動態緩存，但是用完緩存之後，原始的QLC寫入性能就很難看了，其中660p最低只有60MB/。 60MB/是什麼水平？這性能連HDD機械硬碟都打不過，現在隨便找個U盤的性能都不止於此了。 好消息是，隨著QLC快閃記憶體的不斷升級，原始性能也在改進，到了670p上，512GB的原始速度也有115MB/，1TB的可達220MB./，2TB版可達400MB/，性能已經很好看了。 來源：快科技

一、前言：群聯PS5013-E13-31主控 + 美光原廠96層3D QLC NAND 說到快閃記憶體，很多同學現在談QLC色變！但其實，QLC SSD也有自己的優點，比如可以做到超大容量、價格便宜、讀取速度非常快。 也就是說，如果你沒有非常苛刻的寫入要求，買一款品質有保障的QLC SSD用於日常工作或者是遊戲盤，也不是不可以。 近日，我們快科技收到了英睿達P2 1TB SSD，這就是一款QLC SSD，採用的是來自於美光原廠的96層3D QLC NAND顆粒。 本次照例也會進行900GB的數據寫入測試，以便大家對這款產品有更深入的了解。 英睿達P2 1TB SSD用的是群聯PS5013-E13-31主控，支持4CHx4CE，快閃記憶體接口速度800MT/，最高順序讀寫速度可達2400MB/、2100MB/，4K隨機讀取230K IOPS、4K隨機寫入400K IOPS。 另外這款主控內置SRAM嵌入緩存，支持HMB緩沖技術，可以直接將系統記憶體作為動態緩存使用，不再需要單獨的DRAM緩存。 在可靠性方面，英睿達P2 1TB SSD擁有300TBW的寫入壽命，與主流500GB TLC SSD相當，另外英睿達還提供了5年質保。 二、圖賞：簡約的M.2設計 四顆晶片達成1TB 以下是產品圖賞。 簡單明了的包裝盒。 SSD正面有一張標貼，上面標注了SSD的各種信息。 反面是空的。 群聯PS5013-E13-31主控，定位入門級市場，支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.3、4CHx4CE。 美光原廠96層3D...

在3D快閃記憶體方面，三星之前一直是領先的，不過美光去年率先量產了176層堆棧的快閃記憶體，要想追趕回來，三星最快今年底能量產224層堆棧的快閃記憶體，性能還會提升30%。 三星的3D快閃記憶體V-NAND目前發展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量產，但因為NAND快閃記憶體價格下滑等因素，三星選擇推遲量產，今年Q1季度才會正式量產，導致技術上稍微落後於美光等公司。 不過三星在下一代快閃記憶體上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當於在128層基礎上再堆棧96層。 消息稱，三星的224層快閃記憶體性能也很不錯，數據速度提升了30%，同時生產效率也提高了30%。 此外，三星的224層快閃記憶體技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層快閃記憶體的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰十分嚴峻。 來源：快科技

如今智慧型手機的快閃記憶體容量起步128GB了，大容量的超過512GB甚至1TB，傳聞iPhone 14系列還會上2TB，但代價就是廠商不可避免使用QLC快閃記憶體，鎧俠今天就宣布推出512GB的UFS 3.1快閃記憶體，QLC規格的。 這並不是首款QLC規格UFS快閃記憶體，不過512GB容量倒是目前最大的，鎧俠這款UFS 3.1快閃記憶體使用的是該公司密度最高的1Tbit QLC快閃記憶體，BiCS技術，單顆Die容量就是128GB了，512GB容量只需要4顆Die即可，可以減少空間占用。 鎧俠並沒有透露這款UFS 3.1 QLC快閃記憶體的具體規格，讀寫速度、隨機性能、可靠性等指標未知，只明確了是針對高解析度圖像、5G、4K+視頻等應用而生的。 鎧俠表示UFS 3.1 QLC快閃記憶體已經出樣給OEM客戶，但是他們沒有公布客戶姓名，估計下半年的智慧型手機，包括iPhone及安卓手機都有可能用上QLC快閃記憶體了。 來源：快科技

隨著快閃記憶體的發展，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，這讓消費者很不爽，因為QLC快閃記憶體不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有緩存加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬碟。 QLC快閃記憶體性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現在的QLC快閃記憶體真實寫入速度也就100MB/，三星的870 QVO硬碟之前有人實測過，拷貝文件的速度也就160MB/，這個速度甚至還不如一些HDD機械盤快。 三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC快閃記憶體的性能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。 根據三星所說，新一代QLC快閃記憶體性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC快閃記憶體的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/。 不考慮緩存加速，320MB/的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。 來源：快科技

2018年，三星發布了首款搭載QLC顆粒的固態硬碟860 QVO，定位入門級硬碟領域，發布之後消費者對QLC固態硬碟的評價褒貶不一。 經過一年的沉澱，三星發布了860 QVO的升級版本——870 QVO，1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量，新QVO系列可以說得到了口碑和性價比的雙豐收。 不過對於一些用戶而言，他們認為固態硬碟使用QLC顆粒就是一種「退步」。 那麼QVO系列的推出，究竟是固態硬碟發展史的進步，還是開了一次「倒車」呢？這里不著急先下結論，我們一步步來進行分析。 說在前面：QLC固態的使命，不是為了替代TLC 首先我們再來回顧一下NAND快閃記憶體存儲的基本原理：存儲單元通過施加不同變化的電壓實現信息存儲。 其實SLC/MLC/TLC/QLC顆粒的區別，就是按存儲單元可存放的數據量進行區分，TLC顆粒的一個cell單元可以存儲3bit信息，容量相比MLC顆粒增加1/3，擦寫壽命也降至1000-3000次。 而QLC顆粒的一個cell單元可以存儲4bit信息，容量相比TLC顆粒再次增加1/3，但是寫入性能、擦寫壽命同樣會相應減少。 目前，TLC顆粒占據著固態硬碟顆粒市場的大頭，縱觀固態硬碟從SLC顆粒到TLC顆粒的發展歷程，我們很容易就能得出「QLC固態硬碟即將替代TLC硬碟」的結論。 實際上，QLC固態的使命，並不是為了替代TLC固態，而是為了替代HDD硬碟。 大容量存儲時代，QLC未來可期 在QLC固態剛推出的時候，許多存儲廠商都將首發目標對准了企業級市場，而不是消費級，原因在於，NAND廠商把QLC顆粒的硬碟定位於大容量數據盤，用於取代企業級HDD硬碟的地位。 一旦QLC快閃記憶體顆粒大規模量產，除了在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多外，可以達到10-100TB的大容量。 在連續讀取性能上雖然不會領先HDD太多，但是隨機讀寫能力也可以遠超機械硬碟，這是固態硬碟的運行原理所決定的。 同時相比待機功耗，QLC硬碟更是低上不少，因此在企業級大規模數據陣列的應用上，QLC固態硬碟可以說完勝HDD硬碟。 那麼QLC快閃記憶體是如何將容量大幅提升的呢？除了上面所提到的每個cell單元的存儲數據量上升之外，3D-NAND技術也是其中不可或缺的一環，它的原理是通過在同一個晶片上垂直堆疊多層存儲單元，通過堆棧更高的層數，實現更大的存儲密度。 三星在3D-NAND快閃記憶體技術方面已經實現大規模成熟量產，此前首發的860 QVO就已經實現單顆粒1TB容量，如今發售新一代870 QVO甚至達到了最高8TB的存儲容量。 隨著成本的降低，未來QLC固態硬碟將會進入TB起步的大容量時代，是真正可能取代HDD硬碟的選擇。 對於普通用戶，最理想的使用場景就是使用一塊TLC的NVMe硬碟作為系統盤，大容量的QLC固態硬碟作為從盤（數據盤），這樣QLC快閃記憶體的優勢就能夠最大化的發揮了。 3D-NAND：提升QLC可靠性的良方 部分用戶不看好QLC固態硬碟的普遍原因就在於QLC快閃記憶體的壽命。前面也提及到，由於先天技術原理的原因，QLC顆粒的性能和可靠性確實會有所降低。但是要知道，現在是屬於3D-NAND堆棧技術的時代。 以往2D-NAND快閃記憶體想要追求容量提升，就需要依靠製程工藝，提高電晶體密度，就像一個房間里，所有人都變小了，才能裝得下更多人。 因此那段時間NAND快閃記憶體的製程工藝一路飆升，從50nm不斷升級最終發展到10nm工藝製程，不過人太多也會「喘不過氣」，隨著2D-NAND快閃記憶體工藝的提升，由於快閃記憶體的特性，其可靠性會隨之降低。 但是有了3D-NAND堆棧，情況就變得不一樣了，以三星870 QVO為例子，其採用的都是堆棧90層以上V-NAND快閃記憶體顆粒，不僅容量變得更大，可靠性也隨著堆棧層數的上升而提高。 因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW，這意味著即便一天讀寫1TB的數據，也可以用上接近8年。 即便主流消費者選擇的870 QVO 1TB版本，寫入壽命為360TBW，一般每天日常讀寫40G左右，同樣也能用上十幾二十年，所以關於壽命的問題。 目前主流的QLC固態壽命，已經可以滿足大部分用戶的需求。 新一代QVO的性能到底如何？ 在新一代870 QVO上市的時候，PConline也對其進行了評測，新一代QVO系列的顆粒和主控都有進行升級，並且增加了8TB的超大容量選擇。 讀寫性能方面，雖然QLC快閃記憶體的連續讀寫性能比HDD硬碟沒強上多少，但是可以通過智能TurboWrite技術，硬碟在數據傳輸過程中會創建一個固定空間的高性能SLC寫緩沖區，大幅提高寫入速度。 像三星870 QVO 4TB版本就擁有78G的動態SLC緩存空間，基本可以滿足日常的使用需求，可能有些大家會擔心寫入放大的情況，實際上動態SLC緩存並不會對同一區塊進行反復擦寫，而是會智能選取，所以這是一項性能與壽命兼顧的技術。 總結：QLC固態的誕生，順應了時代潮流 隨著時代發展和5G網絡的普及，未來我們對於大容量存儲的需求勢必進一步加大，而QLC固態硬碟的誕生正是順應了這股時代潮流，大容量、高隨機讀寫的特點無論在消費級還是企業級領域必然會有更廣闊的發揮空間。 反之，現在HDD硬碟為了實現大容量，開始採用SMR（疊瓦式磁記錄）技術，在擦寫可靠性方面的優勢已經不再，未來HDD硬碟被QLC硬碟所取代，可能只是時間問題了。 來源：快科技

固態硬碟越來越便宜的情況下，你的電腦要是沒有一塊SSD，你都不好意思跟人打招呼。但是對於SSD怎麼選，看著SLC/MLC/TLC/QLC可能很多人丈二和尚摸不著頭腦，別急，下面筆者就帶你走上DIY從入門到放棄之路。 心心念念的SSD還得懂一點顆粒知識 先來簡單介紹一下SSD的結構，不管是SATA形式還是M.2形式，甚至PCI-E形式，其主要部件都是主控晶片、緩存晶片（小容量SSD不必備）和存儲顆粒。我們經常提到的SLC/MLC/TLC/QLC說的就是存儲顆粒的不同種類。 不同顆粒的存儲信息不同 SLC：Single-Level Cell（單層存儲單元），每個Cell單元只存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，其特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間。 MLC：Multi-Level Cell（多層存儲單元），原用於對應SLC，本意可以包含2層以上的Cell，但出於習慣和方便區分，一般指代雙層存儲，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000，01，10，11四種變化，但電壓控制復雜一些，寫入性能也隨之降低，P/E壽命在3000-10000次左右。 三星的3D TLC顆粒 TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元），每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更復雜，速度也更慢，P/E壽命在1000-3000次左右。 QLC：Quad-Level Cell（四層存儲單元），同理每個單元存儲4bit信息，電壓從0000到1111有16種變化，寫入性能會進一步降低，P/E壽命也進一步減少至1000次左右。 價格從左到右變低，性能也是從左到右變低（圖片源自鎂光） 單純看字母很難區分誰是誰，那有沒有什麼方法記住他們呢？S代表single（單）很好說，M代表multi-（多）也很簡單，而T和Q則可以用遊戲中的Triple kill（三殺）和Quadro kill（四殺）來記憶，這樣是不是就簡單多了？ 記住這個順序有什麼用呢？從SLC、MLC、TLC和QLC按照順序其寫入性能逐漸降低（但仍然比機械硬碟高），P/E壽命也逐個減少，但是帶來的好處是容量大幅提升，成本大幅降低。 高端SSD會搭載更好的顆粒 一般來說，越高端的SSD使用的顆粒層數越少，可以提供更快的讀寫速度，更長的P/E壽命，當然價格也更貴，總體上還是一分價錢一分貨的。 可能有的玩家認為QLC的1000次P/E壽命太短，且寫入速度不如其他顆粒，QLC顆粒的SSD就不值得買了，實則不然，SSD顆粒的選擇還是和使用場景有關的，同樣也要受限於預算。 不同使用場景的需求也有區別 如果日常辦公和輕度娛樂，更注重於快的開機和反應速度，那麼QLC的固態使用起來不會有什麼問題，合格的QLC仍然是機械硬碟的升級替代產品。 但如果是重度遊戲玩家，或者注重於生產力，那麼TLC甚至MLC才是應該選擇的SSD顆粒。 相對於顆粒的類型，我們也應該關注的是SSD的品牌，另外，產品的質保（包括使用時長質保和寫入容量質保）也應該納入考慮范圍，畢竟顆粒的所有優勢都建立在沒有虛標，也沒有使用黑片或回收顆粒的前提下。 來源：快科技

在快閃記憶體類型上，大家都知道SLC快閃記憶體性能、可靠性是最好的，但是它的成本是最貴的，所以現在主流的是TLC、QLC快閃記憶體了，連MLC快閃記憶體都很罕見了。Cervoz公司日前推出了一種RO-MLC快閃記憶體，可靠性、成本都很有優勢。 Cervoz是一家專業做工業及嵌入式產品的公司，成立於2006年，產品主要是工業級的存儲及快閃記憶體，還有DRAM記憶體等，在全球都有客戶，特別是工業4.0、軍工、國防、車載電子、電信網絡等等。 他們推出的RO-MLC全名為Reliability-Optimized MLC，意為可靠性優化的MLC快閃記憶體，本質也是MLC快閃記憶體，但自己開發了特殊的固件，可以讓它以模擬SLC快閃記憶體的方式運作，所以容量也會減半，但提高了可靠性、耐用性。 根據他們公布的數據，RO-MLC快閃記憶體的P/E壽命可達20000次，雖然與SLC的60000次還有不少距離，但比MLC的3000次好太多了。 性能方面，RO-MLC快閃記憶體的讀取可達520MB/，寫入470MB/，前者比SLC/MLC沒好多少，但寫入性能高於SLC，是MLC快閃記憶體的兩倍。 其他方面，RO-MLC快閃記憶體數據保持能力是MLC的5倍，可靠性是10倍，成本則是SLC快閃記憶體的1/4-1/6。 總之，這種模擬SLC快閃記憶體的RO-MLC當然比不上真正的SLC快閃記憶體，但綜合壽命、性能、成本來說，還是要比MLC好（成本也會更貴，他們不說而已），適合對可靠性要求比較高的領域。 來源：快科技

NAND快閃記憶體已經從SLC、MLC發展到現在的TLC、QLC快閃記憶體為主的局面，由於技術原理不同，TLC、QLC的性能、壽命及可靠性都是在下滑的，未來還會有PLC快閃記憶體，不過它可能是最不受歡迎的快閃記憶體了。 由於PLC快閃記憶體能夠存儲5個電位，容量比QLC快閃記憶體還要再高出25%，所以幾大快閃記憶體廠商都在積極研發PLC快閃記憶體，但是P/E壽命估計會下降到百位數水平，比如500次以內。 從消費者角度來看，大家並不喜歡PLC快閃記憶體，好消息是業界對PLC快閃記憶體的問世時間也變得保守了，西數預計從QLC到PLC快閃記憶體的過程會變慢，至少2025年之前沒戲，也就是說還要再等4年。 西數認為，PLC快閃記憶體硬碟上市很重要一點還得依賴下一代的SSD主控晶片，由於PLC需要更強的糾錯能力，那主控晶片性能也要更強大，現在使用的ARM Cortex-R8內核跟不上了。 ，支持了64位指令集，最多支持8核心，還支持完整的Linux運行，DRAM緩存容量提升到1TB。 然而R82內核的新一代SSD主控要到2023年到2024年才能問世，而且首發主要用於高性能伺服器、數據中心市場，不會很快就搭配PLC快閃記憶體，所以PLC硬碟還得等。 對玩家來說，PLC玩幾年上市倒不是壞事了，一方面廠商可以繼續優化PLC快閃記憶體及主控的能力，另一方面大家也不用這麼急著就為PLC快閃記憶體糾結了。 來源：快科技