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相信應該有不少人都記得在我們之前推出的一期SSD橫評視頻里面，提到了那次測試所用的SN350 960GB版本是用的TLC顆粒。不過由於西數（Western Digital）一直都沒有說明SN 350 SSD是用的什麼快閃記憶體，因此也引來了不少讀者朋友的熱烈討論。不過現在，西數終於更新了他們有關SN 350的文檔，而里面就標示了SN 350 960GB版本的SSD，所使用的就是TLC快閃記憶體。 在這份更新過的文檔中，可以看到SN 350 1TB以及2TB的版本，所使用的確實是QLC快閃記憶體，但是在960GB的這個版本下，則是標示了使用TLC快閃記憶體。不過有趣的是，使用TLC快閃記憶體的SN 350 960GB官方為其標示的TBW為80TBW，比起使用QLC的SN 350 1TB的要稍為低一點。 之前我們在使用SN 350 960GB版本作為測試時，也是發現了這個SSD的緩外速度378MB/s，因而推測SN 350 960GB所使用的並非是QLC快閃記憶體，因為目前也是沒有QLC可以達到這樣的緩外速度。 另外一點有趣的是，最近西數的SN 550藍盤被證實是有更換快閃記憶體的行為，使得新批次SN 550 1TB的緩外平均寫入速度只有390 MB/s左右，與SN 350 960GB的非常接近，這一下子似乎會讓人覺得SN...

全球領先的工業快閃記憶體與記憶體解決方案提供商，宜鼎國際（Innodisk）剛剛宣布了工業級 112 層 3D TLC 固態硬碟新品。除了提供高達 8TB 的存儲容量選項，112 層 SSD 產品線中還涵蓋了 SATA 接口的 39G6-P 和 3TE7 系列，以及 PCIe 3.0 x4 和 PCIe 4.0 x4...

西部數據和鎧俠（原東芝存儲）在1月30日宣布他們的NAND 3D堆疊技術——BiCS，成功開發出了第五代，即BiCS5。這代技術將會用於TLC和QLC的生產，相對於上代BiCS4，在存儲密度上面有明顯增加。 BiCS4是96層堆疊，新的BiCS5將堆疊層數提高到了112層，單純從層數上來看，密度會有16.67％的增長，不過西部數據宣稱他們在新一代3D堆疊式NAND上面採用了包括製程工藝改善在內的各種改進手段，最終使得單元密度有非常大的提升，單晶片的存儲容量能夠提高40％，而鎧俠方面則是稱存儲單元陣列的密度相對於上一代技術有20％的提升。 新一代BiCS技術帶來的不僅僅是存儲密度上的提升，還有性能方面的加強，西部數據稱BiCS5在I/O性能上會比BiCS4高出50％，另外，其讀寫延遲也會降低。在愷俠的路線圖上面，BiCS5對應著PCIe 4.0。 具體到產品上，鎧俠正准備於今年第一季度出樣512Gb的TLC顆粒，大規模量產的時間點則是放在今年下半年。另外，他們還准備了容量為1Tb的TLC顆粒和1.33Tb的QLC顆粒。其他幾家NAND的主要供應商或是正在開發1xx層數級別的堆疊技術，或是已經准備將這些技術用於量產了。但是遠水解不了近渴，目前SSD即將處於供需周期中的供不應求階段，我們已經看到了價格上漲的苗頭，而這些增加供應量的新技術還要等上一段時間才能夠起效。 ...

今天上午，三星官方宣布他們已經開始生產整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND顆粒的250GB SATA SSD。不過用上最新顆粒的SSD目前只向OEM渠道出貨，消費級市場還要過一段時間才能用上。 圖片來自於三星官方 「通過將尖端的3D存儲技術應用於量產，從而能夠及時地推出顯著提高速度和能效的存儲產品系列」，三星電子解決方案產品與開發執行副總裁Kye Hyun Kyung表示，「隨著下一代V-NAND產品有著更快開發周期，我們計劃快速擴展我們的高速大容量512Gb V-NAND解決方案的市場」。 三星官方的堆疊式V-NAND開始量產的時間表 時間表證明，三星從第五代推進到第六代所花費的時間比第四代升級到第五代減少了四個月的時間，他們確實在快速推進高堆疊層數的V-NAND生產。三星表示第六代100+層的V-NAND的寫入速度在450微秒，讀取速度為45微妙，性能比上代提升了10%，功耗節約15%，整體產量會上升20%。繼今天宣布的新款250GB SSD之後，今年下半年三星還計劃提供基於512Gb大小的3-bit V-NAND SSD和eUFS快閃記憶體。 不過消費級市場上，目前用上第五代也就是96層堆疊TLC的三星產品只有970 EVO Plus可以買到，它也是之前的消費級TLC性能領先者。三星自家的產品一直堅持使用自家的主控和顆粒，除了價格稍貴，在產品性能和品質上面一直都屬於行業領先者的地位，而且目前市面上能買的到的少數零售版MLC產品，三星970 Pro就是其中的一員，至少他們沒有放棄繼續向消費級市場出貨MLC產品。 前不久東芝剛宣布向消費級市場推出使用96層TLC顆粒的RD500 & RC500這兩款產品，96層顆粒也慢慢地將會在消費級市場上成為主流，不過隨著QLC的成熟，可能以後TLC也會像當年SLC、MLC顆粒經歷的那樣，慢慢地被取代吧。要等100+層數的TLC進入消費級市場，可能還要等很久。 ...

威剛科技（ADATA Technology）在今天推出了自家的一款M.2接口，SATA協議（6Gb / s）的固態硬碟，ADATA Ultimate SU650。3D TLC NAND顆粒，最高480GB容量，配有SLC緩存。 威剛科技是高性能DRAM模塊，NAND快閃記憶體產品和移動配件的領先製造商，此前在2019台北電腦展上，威剛展出了單條32GB台式機記憶體（UDIMMs），使用美光的16GB記憶體顆粒。 圖源：Anandtech ADATA Ultimate SU650是一款M.2 2280外形，SATA協議的SSD，使用的是3D TLC NAND快閃記憶體，隨機讀/寫速度為550 / 510MB / s，配置有智能SLC緩存，還有低密度奇偶校驗（Low Density Parity Check Code，LDPC）錯誤校正技術，可以自動檢測並修復錯誤，以穩定固態硬碟的性能和確保傳輸數據的完整性，從而延長使用壽命。此外，ADATA Ultimate SU650的平均故障間隔時間（MTBF）為200萬小時。 威剛為購買Ultimate SU650的用戶准備了SSD...

就像從MLC過渡到TLC那時一樣，雖然在性能、壽命等因素方面QLC與TLC無法相提並論，但是在價格走低，相關工藝和技術等方面成熟後，QLC便會像當初TLC那樣成為大勢所趨。美光是最早大規模量產3D QLC快閃記憶體的廠商之一，根據美光的信息，上季度用於固態硬碟的3D QLC快閃記憶體出貨量環比增長了75%。所以QLC也許會成為固態硬碟新的趨勢。 作為目前主要的3D QLC快閃記憶體供應商，美光不僅將這些快閃記憶體用於自家民用級和伺服器NVMe/SATA固態硬碟和microSD存儲卡等產品，並且也向其他固態硬碟生產商供應3D QLC快閃記憶體顆粒。與TLC和MLC相比，3D QLC的價格非常具有競爭力，所以相關產品的價格也非常便宜，例如採用QLC顆粒的英特爾660P 2TB版最近的報價一直在1100元左右，折合每GB價格僅為0.5元到0.6元。這使得他們對然在性能和壽命方面無法與其他產品相比，但是目前也受到了許多客戶的青睞。考慮到這些方面，美光用於固態硬碟的3D QLC快閃記憶體在上季度出貨量增長75%也就不足為奇了。 根據SK海力士此前的分析，TLC快閃記憶體產品目前占據了NAND快閃記憶體市場總量的85%，因此3D QLC需要經歷很長的時間才能在市場占有量方面對TLC造成威脅。當然大家也不需要看到QLC就開始一味的抵制，由於容量夠大並且價格夠便宜（比如之前提到的售價1100元左右就可以買到2TB的英特爾660P），所以QLC固態硬碟用在遊戲盤等方面是個不錯的選擇，並且能夠大幅減少遊戲讀盤時間。 此外，美光表示3D快閃記憶體目前仍然存在供過於求的狀況，隨著96層3D快閃記憶體產能的增加，市場局面會更加嚴峻，因此美光接下來會繼續調整快閃記憶體產能，減產幅度將從一個季度前宣布的5％增加到10％。 ...

從去年開始SSD價格就在持續下跌，即使到了最近，根據報導稱NAND快閃記憶體晶片的價格還在持續下跌。不過廠商的量產及研發腳步並沒有停下來。在今天SK海力士正式宣布了其128層4D NAND快閃記憶體晶片正式開始量產，這也是全球首家開始量產128層NAND晶片的廠商。 圖片來自SK Hynix SK海力士的128層TLC NAND快閃記憶體提供了高達1Tb的容量，在1.2V的電壓下可實現1400Mbps的數據傳輸速率，可以實現高性能低功耗的移動解決方案及企業級SSD。而1Tb的容量可以在更少的晶片數量下實現相同的容量。 相比於96層TLC NAND快閃記憶體，採用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技術以及各種優化使得SK海力士能將工藝步驟減少5%，並且每個晶圓的產量提升40%。 SK海力士稱這是首款批量生產的128層 1Tb TLC 4D NAND快閃記憶體晶片，而這也僅離SK海力士批量生產96層4D NAND快閃記憶體晶片8個月，足以見得其研發實力。新款的3D TLC快閃記憶體晶片提供目前最多的128層堆疊，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一個將1Tb TLC NAND快閃記憶體商業化的廠商。TLC快閃記憶體晶片也占據了目前85%的市場份額，其性能及可靠性也更加優異。 到明年上半年，SK海力士承諾將基於新的1Tb 3D TLC快閃記憶體晶片推出UFS 3.1存儲產品，而到了2020年晚些失火，SK海力士還會推出採用自己控制器的2TB消費級SSD以及用於數據中心的16TB及32TB的伺服器SSD。 而SK海力士的腳步還沒有停下來，已經在開發176層的4D NAND快閃記憶體，繼續增強其產品競爭力。 由於NAND快閃記憶體價格的下跌及供需關系不確定導致了各家廠商都開始加速技術升級，提升其成本結構。更高層數的NAND快閃記憶體也會使SSD容量更大，消費者也能夠購買到更大容量的SSD。 ...

NAND快閃記憶體的價格一跌再跌，2019年第一季度TLC快閃記憶體的晶圓合約價下跌了19~28%，eMMC/UFS類快閃記憶體合約價下跌了15~20%，消費級固態硬碟價格跌了17~31%，企業級固態硬碟跌了26~32%。即使現在SSD的價格已經白菜價，但是也有人在想等它再跌些再買，那麼或許現在該出手了。因為據行業人士預測，預計NAND報價將在Q2至Q3間止跌。 據集邦咨詢旗下的DRAMeXchange報導，6月12日，NAND控制晶片大廠群聯召開股東常會。群聯董事長潘健成於會中表示，與2017年相比，2018年度快閃記憶體(NAND Flash)跌價超過50%，群聯透過穩健營運與彈性布局，營收持平。然而全年度整體控制晶片出貨量成長近20%，SSD控制晶片出貨量年增率更是超過50%，再加上SSD固態硬碟及嵌入式儲存裝置(Embedded)等利基產品出貨量成長超過25%，持續穩定維持毛利率在20%以上，顯示群聯長期策略布局正確，得以因應快閃記憶體市場的快速波動。展望後續，潘健成提到，NAND景氣在今年首季落底，第二季隨系統廠開始回補庫存，產業逐漸看到曙光，報價也會在第二季到第三季間止跌，而下半年需求將顯著好轉。 現在的SSD價格已經來到1元1GB，也差不多該到了SSD價格曲線的最底端，所以如果你最近有擴大存儲的需求的話，現在是時候抄底了。 ...

快閃記憶體價格的暴跌大家應該能夠直接從SSD的價格上感受得到了，現在SSD的價格已經相當的低了，不少人都趁此機會入手了512GB甚至1TB的SSD，然而這跌勢還會持續一段時間。 集邦咨詢旗下的DRAMeXchange做了市場調研，從2018年第四季度開始，智慧型手機以及伺服器OEM市場都因為需求疲軟使得廠商在調節庫存，再加上第一季度是傳統的市場淡季，所有原件的出貨量都有明顯衰減跡象，導致NAND快閃記憶體合約價出現了自2018年以來跌幅最慘的一季。 2019年第一季度TLC快閃記憶體的晶圓合約價下跌了19~28%，這導致了各種快閃記憶體製品的價格也跟隨它一同下跌，eMMC/UFS類快閃記憶體合約價下跌了15~20%，消費級固態硬碟價格跌了17~31%，企業級固態硬碟跌了26~32%，今年第二季度智慧型手機、筆記本電腦和伺服器等的市場需求都會有所回升，但是依然不足以抵消庫存壓力，快閃記憶體的庫存壓力沒消除之前，它的合約價依然會繼續走低。 快閃記憶體合約價的下跌受影響最嚴重當然是晶圓廠商，所有廠商的快閃記憶體營收都在下跌，整體下降了23.8%之多，跌得最慘的是SK海力士，下降了35.5%之多，市場占有額也從2018年Q4的11.2%跌到9.5%，西數快閃記憶體業務的營收也跌了25.9%，三星跌了25%，東芝跌了20.2%，美光和Intel則採取了不同的策略，他們的市場占用率上升了，跌幅明顯沒有別的廠商那麼大。 ...

在今天開幕的三星Tech Day會議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧的3D TLC快閃記憶體以及QLC快閃記憶體，其中TLC快閃記憶體陣容擴大，多款新品性能提升，容量最大可達30.72TB，而QLC快閃記憶體無疑是下一步的重點，除了1Tb核心的還會有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費級的QLC硬碟860 QVO、980 OVO也確定了，不過規格沒公布。 Anandtech網站詳細介紹了三星SSD產品路線圖的變化，首先來看TLC快閃記憶體方面的。 TLC快閃記憶體創新高 目前64層堆棧3D TLC快閃記憶體的970 EVO、PM981將會被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量沒變化，依然是250GB到2TB，主要提升在連續寫入方面，不過PM981a的隨機性能也明顯提升了可以達到970 EVO及970 EVO Plus的水平。 用於數據中心SSD市場的PM983將被PM983a取代，容量翻倍，最高可達16TB，可能只有NF1、U2規格，也沒有使用SLC緩存，這使得寫入速度會比消費級硬碟更低，不過性能依然是有提升的。 PM991將取代NVMe BGA封裝的PM971a硬碟，隨機性能翻倍，連續讀寫速度提升了50%。 企業級SAS產品線中，PM1643將會被PM1643a取代，整體變化不大，主要是隨機寫入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。 最高端的企業級NVMe硬碟升級了新主控及新快閃記憶體，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不過3.5GB/s，新的PM1733硬碟可達8GB/s，最大容量也達到了SAS產品線同級別的30.72TB。此外，PM1733還支持雙口PCIe，為高可靠性用戶帶來了更多的選擇。 QLC快閃記憶體新增512Gb核心顆粒，860 QVO、980 QVO確認 在說具體的QLC產品之前，Anandtch解釋了三星的MLC/TLC/QLC硬碟的命名規則，企業級/OEM產品線中，MLC快閃記憶體用SM開頭，TLC快閃記憶體用PM開頭，QLC快閃記憶體用BM開頭。 在SSD產品中，企業級SAS產品線新增BM1653新品，NVMe產品線新增BM9A3、BM1733產品線，客戶端NVMe新增BM991產品線，不過三星並沒有公布這些QLC硬碟的具體規格。 消費級QLC硬碟中，三星會推出SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO，這些產品在OEM中找不到，因此可以認為是零售市場的新品，不過具體規格還是沒公布，發售計劃也沒有提及。 此外，三星在2019年Q2季度還會推出512Gb核心容量的QLC快閃記憶體，雖然容量比現在的1Tb QLC快閃記憶體小了，但是延遲降低了37%，功耗降低了45%，這還是三星用它跟別家1Tb核心QLC快閃記憶體對比的，如果對比三星自家的1Tb核心QLC快閃記憶體，差距只會更大。 三星第二代Z-SSD 三星面向低延遲SSD市場的Z-SSD系列中還會增加第二代產品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明顯比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及雙口PCIe，因此連續速度可達12GB/s，不過最重要的隨機性能沒有提及。 三星還提到二代Z-SSD會有MLC版本，但Anandtech又說這些產品還是SLC版本。 ...

2018年是QLC快閃記憶體的元年，三星、美光、東芝、西數、英特爾今年都會推出QLC快閃記憶體的硬碟，再加上當前早就是主流的TLC快閃記憶體，讓許多人不滿的TLC、QLC快閃記憶體很快會成為市場上的絕對主力，而SLC硬碟幾乎消失了，MLC快閃記憶體硬碟也越來越少。真要非MLC不買的話，可以考慮下美光9100系列NVMe硬碟，容量1.6TB，正宗的16nm MLC快閃記憶體，不過功耗也是挺高的，30W功耗的SSD用過沒？ PCWatach子站報導了日本商家售賣美光9100系列NVMe硬碟的消息，確切地說這是美光9100系列中的9100 Pro，基於2.5寸U.2接口的產品，另外一個系列是9100 Max，是HHHL規格PCIe插槽的。 美光9100 Pro系列SSD硬碟容量涵蓋800GB、1.6TB及3.2TB，現在售賣的是1.6TB型號，它使用的是16nm MLC快閃記憶體，沒錯，它就是前幾年的2D NAND快閃記憶體，不過性能指標還不錯，讀取速度3.0GB/s，寫入速度2.0GB/s，隨機讀取750K IOPS，隨機寫入300K IOPS，性能放到現在也不落伍，至於可靠性也別擔心，1.6TB版9100 Pro硬碟可達4.8PB TBW，這麼高的數據壽命應該是寫不死了。 不過這貨的功耗不低，美光資料上提到待機功耗7W，特定型號可達20W、25W，最高30W，反正別想著用在筆記本上了，功耗比處理器還高，用在台式機中就無所謂了，也不差那30W的功耗，不過要注意的是散熱。 美光9100 Pro 1.6TB硬碟不含稅價格是11.28萬日元，含稅價格是12.1824日元，折合人民幣7579元。 ...

除了SK Hynix之外，英特爾、美光、西數、東芝以及三星等公司都已經宣布量產QLC快閃記憶體了，美光的QLC硬碟已經開始出貨了，主要針對企業級市場，容量可達7.68TB。在消費級市場上，英特爾之前也提到了QLC快閃記憶體硬碟的存在，容量最高可達20TB，不過真正上市的QLC硬碟顯然不會有這麼大容量，英特爾的QLC硬碟是660P系列，M.2 2280規格，PCIe通道，起步容量就達到了512GB，最高2TB，連續、隨機性能也不錯，不輸現在的3D TLC硬碟。 英特爾的QLC快閃記憶體硬碟原來很早就被曝光了，去年12月底台灣大聯大控股公司在一則新聞中就意外曝光660P硬碟的存在，當時這篇新聞的重點是英特爾的760P M.2硬碟，很多人都沒意識到規格表中的660P硬碟使用了64層堆棧的QLC快閃記憶體。 現在660P硬碟的新聞才被人挖墳出來，使用的是M.2 2280規格，容量有512GB、1TB及2TB三種，活動功耗0.1W，待機功耗0.05W，連續讀寫速度分別是1800MB/s、1100MB/s，隨機讀取、寫入分別是150K、150K IOPS，整體性能跟700P系列差不多——對了，700P系列硬碟也是英特爾沒發布的產品，使用的是64層3D TLC快閃記憶體。 如果英特爾這半年來沒有變動SSD規格，那麼在同樣的64層堆棧下，QLC快閃記憶體的性能跟3D TLC快閃記憶體差不多，只有隨機寫入速度差了100MB/s，還有就是功耗更高了一些，不過0.1W與0.05W之間的差距並不大，即便是筆記本上也不會有什麼體驗差異。 早在英特爾、美光宣布QLC快閃記憶體時，他們就提到了3D QLC快閃記憶體的P/E次數，目前能達到1000次，而3D TLC快閃記憶體是3000次，不過很多3D TLC快閃記憶體其實也沒這麼高，1000-1500次的並不少，因此在可靠性上QLC快閃記憶體也不會是很多人想像中的那樣差。 德國Computerbase網站還統計了660P硬碟的價格，512GB、1TB及2TB分別售價113.9、197.75及391.43歐元，算下來每GB價格約為0.2歐元，在PCIe 3.0 x4硬碟中這個價格是最低的，這也是QLC快閃記憶體最大的意義，就是通過更大的容量密度來降低成本。 對QLC快閃記憶體來說，現在還只是開始，英特爾、美光的QLC還是64層堆棧的，而東芝、西數以及三星都會推出90層以上堆棧的3D QLC快閃記憶體，東芝、西數的BiCS 4技術還能提供1.33Tb的業界最高核心容量，理論上成本更低，容量更大。 ...

最近一段時間來美光、英特爾、東芝、西數先後宣布了QLC快閃記憶體出樣以及96層堆棧3D快閃記憶體上市的消息，作為全球第一大NAND供應商的三星在這方面倒是很低調，但是三星的行動一點也不慢，前幾天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，今年將推出32TB容量的TLC快閃記憶體硬碟，1Tb核心容量的QLC快閃記憶體硬碟今年內也會問世。 三星公司日前在日本東京舉行了「三星SSD論壇2018東京」會議，宣布了該公司在NAND快閃記憶體及SSD上的一些進展，日本PCWatch網站做了詳盡報導，這里我們節選了部分內容報導，主要涉及超大容量32TB硬碟及QLC快閃記憶體的。 首先是三星在NAND快閃記憶體上的一些優勢，2002年首發了1Gb核心的NAND快閃記憶體，2013年首發了128Gb核心的NAND快閃記憶體，現在這是首發了1Tb核心容量的V-NAND快閃記憶體。目前三星的主力是64層堆棧的第四代V-NAND快閃記憶體，前不久三星宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到了90層以上（很多報導中說是96層，不過三星官方說法是90層以上）。 三星將基於最新的3D快閃記憶體推出32TB容量的硬碟，不過這個硬碟看起來像是M.2規格，實際上兩者不太一樣，M.2是22mm寬，80-110mm長，三星用的是NGSFF（NF1）規格，長110mm，寬30.5mm，也就是說比M.2硬碟更寬一些，好處是可以並排放下兩組NAND快閃記憶體，有助於提高SSD容量，32TB硬碟就是這麼來的。 不過它使用的是SAS界面，主打企業級市場，除了容量增大之外，第四代V-NAND快閃記憶體的隨機性能也是前代的2.5倍之多。 三星這個32TB容量的SSD硬碟使用的還是TLC快閃記憶體，三星在QLC快閃記憶體方面也沒有放鬆，已經有1Tb核心容量的QLC快閃記憶體，三星也有32核心堆棧的QLC硬碟了，預計2018年上市。 三星的QLC硬碟是用於企業級市場，目的是取代現在的10K、15K轉HDD硬碟，與他們相比，QLC快閃記憶體硬碟的TCO總成本下降了66%。 除了數據中心、伺服器等市場，三星還會推出客戶端級QLC硬碟，也就是消費級市場也會有QLC快閃記憶體硬碟，三星PPT中提到的是SATA接口，與TLC快閃記憶體的硬碟相比，QLC硬碟一樣可以實現540、520MB/s的讀取、寫入速度，性能上沒差距。 現在除了SK Hynix沒有具體公布他們的96層堆棧快閃記憶體及QLC快閃記憶體進度之外，其他三大陣營的NAND供應商都公布了QLC硬碟的進度了，數據中心市場是QLC硬碟的重點，但目標不是取代TLC硬碟而是取代HDD硬碟，主要是那些關鍵任務所用的10K、15K高性能HDD硬碟。 至於消費級市場，QLC硬碟預計在下半年問世，雖然理論上1Tb核心的QLC快閃記憶體可以輕松做到5TB甚至10TB以上的容量，不過真正上市的話首發容量不會這麼大，畢竟還是要考慮到消費者的承受力，但是照這個趨勢下去，明年有可能普及256-512GB的SSD硬碟了。 ...