Tag: TLC快閃記憶體

快科技3月28日消息，在中國快閃記憶體市場峰會上，長江存儲展示了他們的QLC快閃記憶體PE壽命，表現非常不錯。 據悉，採用第三代Xtacking技術的X3-6070 QLC快閃記憶體達到了4000次P/E的擦寫壽命，是上代產品的4倍！ 要知道，常規的MLC快閃記憶體也只能做到3000次左右。 據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC快閃記憶體之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtacking精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。 當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，要看品質和良率。 在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、台式機、一體機等。 它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。 來源：快科技

快科技12月11日消息，美商海盜船推出了MP700 PRO系列PCIe 5.0 SSD，售價1599元起。 據了解，MP700 PRO系列PCIe 5.0 SSD為M.2 2280規格，11700 MB/最高連續讀取速度，9600 MB/最高連續寫入速度。 搭載了群聯電子PS5026-E26主控晶片，搭配了美光232層高3D TLC NAND快閃記憶體，帶有LPDDR4獨立緩存，支持AES 256位加密。 此外，新款硬碟支持Intel Z790及AMD X670平台，並向下兼容PCIe 4.0/3.0標准。 用戶還可以使用美商海盜船SSD Toolbox軟體，在桌面實現高級驅動器控制功能，比如安全擦除和固件升級。 來源：快科技

快科技12月8日消息，美商海盜船推出了新款PCIe 4.0 M.2 SSD，型號為“MP600 MICRO”。 據介紹，新款硬碟採用的是3D TLC NAND快閃記憶體顆粒，順序讀取和順序寫入速度分別為5100 MB/和4300 MB/。 同時，它的4K隨機讀取/寫入分別為600K IOPS和890K IOPS，TBW為600，平均功耗為4.3W。 不僅如此，MP600 MICRO向後兼容PCIe 3.0標准，與其他美商海盜船的SSD一樣，由免費的CORSAIR SSD Toolbox軟體提供支持。 目前，MP600 MICRO是零售市場上較為少見的M.2 2242規格產品，1TB的價格為79.99美元（約合人民幣572元），並且享有五年保修。 來源：快科技

快科技12月7日消息，鎧俠EXCERIA PLUS極至光速G3 NVMe固態硬碟已上架，1TB到手399元，2TB到手779元。 據悉，新款固態採用單面M.2 2280外形設計，適應主流筆記本電腦，台式機。 同時，它採用PCIe 4.0技術，順序讀取速度5000MB/ ，順序寫入速度3900MB/，2TB版本耐久性1200TB。 該產品採用TLC顆粒，無緩存，長80.15mm、寬 22.15mm、高 2.63mm，可以直接插入主板，減少額外排線，從而實現更流暢的系統升級，並適用於多種系統，減少路徑延遲NVMe接口，更快響應。 此外，用戶在電腦上就能查看運行狀態，方便隨時調整和掌控，可視化呈現性能狀態，給予安心遊戲取勝保障。 購買連結：京東(399元) 來源：快科技

快科技12月6日消息，近日，美光宣布推出面向OEM市場的3500 NVMe SSD系列，採用了E25主控和232層TLC顆粒，順序讀寫速度最高可達7000 MB/。 據介紹，美光3500 SSD可以為商業應用、科學計算、尖端遊戲和內容創作等要求苛刻的工作負載提供支持。 美光3500 SSD採用了M.2外形尺寸，提供512GB、1TB和2TB三種容量規格，在具有NVMe 2.0c的PCIe Gen4 x4接口上運行，支持行業標準的512位元組扇區大小。 在具體參數方面，美光3500 SSD的速度相比消費級的英睿達T500速度稍低，順序讀取速度 7000MB/，順序寫入速度7000MB/。 隨機讀取速度為1150k IOPS，隨機寫入速度為1150k IOPS，2TB總寫入量為1200TBW。 安全性方面，其提供了符合TCG/Pyrite2.02標準的非自加密驅動器（non-SED）和符合TCG/Opal2.01標準的自加密驅動器（SED）。 官方表示，對於遊戲玩家，美光3500 SSD可將加載大型遊戲（如《瓦羅蘭特》）的速度提升38%，而且還支持微軟DirectStorage技術，遊戲加載時間可進一步加快。 對於內容創作者而言，美光3500 SSD可以更快地加載和編輯原生4K和8K視頻等文件。 美光並未公布該SSD的具體價格，但已向部分PC OEM廠商發貨，或許很快就將在筆記本電腦上見到。 來源：快科技

快科技12月6日消息，聯想推出了一款 PCIe 5.0規格SL7000 50E固態硬碟，1TB版本定價1499元，2TB版本定價2599元。 據介紹，這款硬碟採用Phison PS5026-E26主控，支持PCle 5.0， NVMe 2.0採用232層3D TLC NAND快閃記憶體，支持DDR4/LPDDR4緩存，遊戲應用上可提供2倍的PCle 4.0硬碟性能。 使用新一代232層3D TLC NAND快閃記憶體，帶來了更好的體驗，該快閃記憶體基於上一代176層NAND中的成熟技術，提供了卓絕的性能。 該硬碟號稱能達到10000 MB/的順序讀寫速度，可為遊戲發燒友以及專業創作者帶來更加流暢的操作體驗。 此外，它採用M.2 2280 PCB設計，廣泛兼容，滿足PS5、筆記本、台式機等設備擴容需求，能有效減少外部排線，輕松實現簡約安裝。 來源：快科技

快科技11月29日消息，海康威視推出了一款名為DK4000系列的SSD，M.2 2230規格，提供1TB和2TB容量，售價分別為459元、999元。 據介紹，新款SSD是海康威視針對緊湊空間環境設計的存儲產品，主要面向Steam Deck或者華碩Ally掌機。 海康威視DK4000系列搭載了無緩存四通道主控，搭配的是高密度3D NAND，為TLC顆粒，接口為PCIe 4.0 x4。 性能方面，其順序讀取和順序寫入速度最高分別為4900 MB/和3300 MB/，最大隨機讀取和最大隨機寫入最高分別為1035K IOPS和1135K IOPS。 此外，這款SSD耐久度最高為3600TBW，MTBF為200萬小時，支持5年質保。 來源：快科技

SSD硬碟最近是各種便宜，1TB容量以下的都不建議選了，2TB價格也能做到500-600塊，追求大容量的話甚至可以考慮4TB容量的，梵想4TB的SSD可以1169元入手。 梵想4TB硬碟在自營旗艦店標價就是1169元，這價格也沒什麼優惠，但本身也是好價，還是自營+京東售後的。 梵想也是近年來崛起的一個SSD品牌，低價SSD中經常能看到他家產品，甚至還上了某多多的百億補貼，口碑還是可以的。 至於SSD本身，這個價格是SATA 3.0接口的，2.5寸規格，7mm厚度，550/480MB/的讀寫速度。 主控沒提，快閃記憶體也只說是TLC快閃記憶體，4TB容量的寫入壽命是2048TBW，這麼大容量下不怕寫死，實在不放心就當作一個數據盤，存放遊戲、電影可以，重要數據多備份一份為好。 在大牌廠商2TB硬碟還要千元左右的情況下，4TB只要1169元，還要什麼自行車。 來源：快科技

FMS 2022快閃記憶體峰會上，長江存儲公布了基於晶棧Xtacking 3.0架構的新一代3D TLC快閃記憶體，編號“X3-9070”。 事實上，長江存儲10月底發布的，就首發採用了這種快閃記憶體。 X3-9070快閃記憶體具備高性能、高品質、高密度的優點，單顆晶片接口速度2400MT/，符合ONFI 5.0標準，比上代提升50％，同時實現了512Gb(64GB)的單Die容量，存儲密度已經達成史上最高，達到世界頂級水平。 新快閃記憶體還採用了創新的6-plane設計，對比傳統的4-plane，系統性能最高可提升50％，功耗可降低25％。 長江存儲晶棧Xtacking架構的原理是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然後在晶片封裝階段將兩者合二為一。 這種設計省時省力，可以實現更高的密度、更快的速度，而且讀寫單元、存儲單元可以採用不同的製程工藝，新一步提升性能、降低功耗。 按照長江存儲的說法，晶棧架構可將產品開發時間縮短至少3個月，並將生產周期縮短20％。 來源：快科技

Intel把快閃記憶體業務賣給SK海力士後，後者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似於美光和英睿達。 日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D快閃記憶體晶片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。 看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，後者還指出，雖然當前出貨的快閃記憶體晶片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。 顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。 提到QLC大家最擔心的就是掉速和使用壽命問題，Solidigm此次的說法強調4K隨機讀寫和延遲比TLC都要優秀。 耐用性方面，30.72TB容量的總寫入量為32PBW，61.44TB的總寫入量能到65PBW。按照5年質保來算，每日可全盤寫入接近0.6次，的確不算差。 當然，這部分產品是企業盤，如果是普通消費級的話，恐怕就要再打個折扣了。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

三星今天（11月7日）宣布開始量產第8代V-NAND快閃記憶體晶片，堆到了236層。 上一代V-NAND其實只有176層，已經用在了旗艦SSD固態盤990 PRO上。 關於第八代V-NAND，有兩點值得一說，一是三星介紹單晶片現在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒（3 bits/cell）。 其實，部分廠商在進入到150+層的階段後，開始大肆製造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅守住了底線。 據悉，第8代V-NAND快閃記憶體晶片採用Toggle DDR5內部接口，傳輸速度2400Mbps，未來用於PCIe 5.0固態盤上，典型速度將能達到12.4GB/。 因為生產效率提升20%，最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是，三星這次並沒有透露商用產品何時首發。 雙11紅包活動推薦： 來源：快科技

隨著QLC快閃記憶體成為主流，PLC快閃記憶體又開始嶄露頭角，以前不受待見的TLC快閃記憶體都成香餑餑了，甚至是使用環境苛刻的工業級市場上也要大量使用TLC快閃記憶體，鎧俠日前推出了新一代BiCS 3D TLC工業級快閃記憶體。 該系列TLC快閃記憶體採用132陣腳BGA封裝，容量從512Gb到4Tb不等，也就是最大512GB容量，可以滿足各種極端環境下的使用，工作溫度范圍在-40度到85度之間，適合對性能要求高還要更耐久的場合。 工業級快閃記憶體通常有很長的使用壽命，不過鎧俠沒有透露這款TLC快閃記憶體的具體壽命指標，但它還支持SLC模式，這種情況下壽命、性能會比TLC更強，只不過容量也會減少。 鎧俠表示該系列3D TLC工業級快閃記憶體已經出樣給客戶，今年Q4季度會量產。 來源：快科技

全球經濟大形勢不好，今年PC及手機等行業需求都在急速下滑，其中存儲晶片今年的壓力更大了，不僅需求不足，同時也因為QLC快閃記憶體成本進一步優化，快閃記憶體廠商接下來要打價格戰，SSD硬碟要一路跌到年底了。 根據集邦科技的調研報告，隨著快閃記憶體廠商不再固守價格跌幅，Q3季度快閃記憶體的價格會加速下滑，之前預期下滑8-13%，現在要擴大到13-18%，也就是額外再跌5個點，而且這個價格跌勢會持續到今年Q4季度。 不同市場的快閃記憶體價格跌幅也不同，消費級SSD硬碟方面，Chromebook及筆記本的需求下滑，Q3季度的訂單已經下調了，更重要的還有快閃記憶體自身的變化，一個是廠商的176層堆棧的快閃記憶體供應量增加，另一個就是QLC快閃記憶體的成本進一步優化，導致廠商有了降價的基礎。 回頭看市場上的情況，QLC硬碟目前已經成為各大SSD品牌的主力，特別是大容量、低價格的型號中，現在只有中高端SSD才會用TLC快閃記憶體，用MLC快閃記憶體的幾乎是鳳毛麟角了。 來源：快科技

SSD用戶提起QLC快閃記憶體總會一副不屑的樣子，甚至有人說狗都不買，然而過不了多久大家可能就要喊著QLC真香了，因為比它還渣的PLC快閃記憶體已經成為快閃記憶體廠商的新寵，畢竟容量還可以再多25%。 SK海力士收購Intel快閃記憶體業務之後成立了合資公司Solidigm，日前在FMS全球快閃記憶體大會上，，採用浮柵極技術，可以兼容目前的QLC生產設備，但是具體規格一概沒提，上市時間也沒說。 PLC快閃記憶體就是5bit/cell快閃記憶體，是QLC快閃記憶體（4bit/cell）的下一代快閃記憶體類型，理論上容量可以增加25%，但PLC的電壓控制需要2的5次方，也就是32種變化，更加復雜，會導致更多的錯誤，更長的擦除時間，表現出來就是可靠性更差、寫入速度更低。 考慮到QLC快閃記憶體的真實寫入速度都沒有100MB/，PLC快閃記憶體的寫入速度恐怕連機械硬碟都不如——當然隨機性能還是秒殺機械硬碟的。 這也是大家對PLC快閃記憶體擔心的關鍵，不過未來3年里大家不用擔心買到PLC快閃記憶體，因為廠商在此之前恐怕無法量產PLC的SSD硬碟，倒不是快閃記憶體跟不上，而是PLC需要新一代的主控晶片，需要具備極強的糾錯能力，現有的ARM Cortex-R8內核主控滿足不了要求，新一代主控要到2023-2024年才能問世，PLC硬碟還得等等。 當然，PLC快閃記憶體還不是終點，快閃記憶體廠商早就在研究再往後的存儲6電位的HLC（hexa level cell）和存儲8電位的OLC（octa level cell），中間還有個7bit/cell的快閃記憶體，但是按照慣例命名會是SLC，跟1bit/cell的SLC會有衝突，因此業界一直沒有通用的命名。 來源：快科技

由於成本更低，近年來快閃記憶體逐漸過渡到了TLC、QLC類型，只不過這些快閃記憶體的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，後者寫入壽命可達5000次甚至1萬次以上，好在鎧俠日前推出了第二代XL-Flash快閃記憶體，這次就增加了MLC，有望大幅提升容量。 鎧俠的XL-Flash快閃記憶體雖然也是基於BiCS NAND快閃記憶體技術，但它的定位不同於常見快閃記憶體，而是跟Intel的傲騰、三星Z-NAND競爭的，定位於存儲類記憶體，性能要比常見快閃記憶體高得多，成本也要高得多。 鎧俠在2020年推出了XL-Flash快閃記憶體，當時主要有SLC類型的，核心容量128Gb，比主流TLC、QLC的512Gb、1Tb容量小得多，但是延遲超低，只有普通快閃記憶體的1/20，性能非常強。 這次推出的第二代XL-Flash快閃記憶體沒有公布詳細的規格，但除了SLC之外多了MLC，因此容量輕松翻倍，核心容量可達256Gb，顯著降低了成本。 第二代XL-Flash快閃記憶體也會用於數據中心、企業伺服器等市場，未來還會有CXL標準的新產品。 根據鎧俠的計劃，第二代XL-Flash快閃記憶體今年11月份出樣，2023年開始量產。 來源：快科技

正舉行的2022快閃記憶體峰會（FMS）上，長江存儲正式發布了基於晶棧（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維快閃記憶體X3-9070。 長江存儲介紹，相比上一代產品，X3-9070可實現2400MT/的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規范，實現了50%的性能提升。 同時，X3-9070也是長江存儲歷史上密度最高的是快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單晶片中實現1Tb容量（128GB）。 最後X3-9070採用創新6-plane設計，相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可降低用戶的總擁有成本。 外界認為，X3-9070晶片應該已經出樣，還需一段時間投入量產。 那麼它的堆疊層數是多少呢？ 多方報導披露，長江存儲這次的第四代3D TLC突破了200+層數，達到232層。我們知道，堆疊層數已經成為存儲大廠比拼技術實力的核心指標，就在上月底，美光剛剛宣布全球首款232層3D快閃記憶體量產。 雖然在堆疊層數上長江存儲已經比肩一線巨頭，可我們也需要正視差距，以美光為例，其單晶片容量能做到2Tb（256GB），且製程工藝更先進還已經量產。SK海力士在本次峰會上，也拿出了堆疊度更高的238層“4D TLC”快閃記憶體。 來源：快科技

群聯公司昨晚宣布推出號稱“全球最先進”PCIe 4.0解決方案X1，這是一個定製化的企業級PCIe 4.0平台，與希捷合作的，使用了企業級TLC快閃記憶體（eTLC）U.3規格，最大容量可達15.36TB，讀取速度可達7.4GB/。 至於為何X1是全球最先進的企業級PCIe 4.0，群聯、希捷似乎也沒什麼解釋，更多地是強調X1 SSD的能效，在使用相同功率的情況下，與現有市場競爭對手相比，X1的數據讀取能效增加了30%以上，是一款突破能效瓶頸，並且提供高服務質量 (Quality of Service; QoS) 的高性價比的企業級PCIe 4.0 SSD解決方案。 從具體的表現來看，X1 SSD由群聯的E20主控及SK海力士的128層eTLC快閃記憶體構成，U.3規格，厚度7mm或者15mm，讀取速度可達7400MB/，寫入速度可達7200MB/，隨機讀取、寫入分辨是175W IOPS、47W IOPS。 功耗方面，待機6.5W，隨機讀取13.5W，隨機寫入就是17.9W功耗了。 X1 SSD不僅是性能強大，主要優點還有超強的寫入壽命，這也分為兩個部分，支持1 DWPD，也就是每天全盤寫入1次的話，容量是1.92TB起步，最高15.36TB。 如果追求更強的寫入壽命3 DWPD，每天全盤寫入3次，那麼容量是1.6TB起步，最高12.8TB，這樣的壽命及容量組合下，企業級應用也不怕寫死，eTLC快閃記憶體做到了容量及壽命的均衡。 來源：快科技

2021年全球首發176層堆棧的3D快閃記憶體之後，美光今天有全球首發了232層堆棧的TLC快閃記憶體，這是全然首個超過200層的快閃記憶體，也是業界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/，寫入速度提升100%。 美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層快閃記憶體是存儲晶片創新的分水嶺，首次證明了3D快閃記憶體有擴展到200層以上的能力。 指標方面，美光表示其232層TLC快閃記憶體引入了業內最快的IO速度，可達2.4GB/，比上代的176層快閃記憶體高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。 美光的232層快閃記憶體還是全球首個六平面TLC快閃記憶體，在TLC快閃記憶體中平面最多，而且每個平面都可以獨立讀取，高IO速度、低延遲及六平面結構相結合使得232層快閃記憶體可以提供一流的數據傳輸能力。 此外，美光的232層快閃記憶體還是首款支持NV-LPDDR4，後者是一種低壓接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上。 其他方面，美光的232層TLC快閃記憶體還是有史以來密度最高的，達到了14.6Gb/mm2，比當前的TLC快閃記憶體高出35-100%，而且232層快閃記憶體使用了11.5x13.5mm封裝，尺寸比前代產品小了28%，是市面上最小面積的高密度快閃記憶體，可以減少對電路板空間的占用。 目前美光的232層快閃記憶體已經在新加披工廠量產，最初會由美光旗下的英睿達品牌推出消費級SSD，後續再公告其他產品。 來源：快科技

對於NAND快閃記憶體，大家都知道SLC、MLC往後的TLC、QLC快閃記憶體存在性能越來越低、錯誤率越來越高的問題，但是容量更大，所以快閃記憶體廠商一直在研發更多的快閃記憶體，鎧俠的研究已經到了7bit/cell級別，需要在零下200度的低溫環境下才能試驗。 對於MLC快閃記憶體，有必要先說一些基礎知識，實際上SLC之後的都應該算作MLC快閃記憶體，快閃記憶體的類型是按照cell單元存儲的電荷位數來判定的，大家所說的MLC實際上是2bit/cell快閃記憶體，TLC是3bit/cell，QLC則是4bit/cell，在下面的是PLC快閃記憶體，5bit/cell。 鎧俠等快閃記憶體巨頭的研究更深入，去年鎧俠就公布過6bit/cell快閃記憶體的研究，也就是HLC快閃記憶體，今年的IMW 2022會議上，鎧俠又公布了7bit/cell快閃記憶體的研究成果。 不過7bit/cell快閃記憶體現在還沒正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC快閃記憶體。 跟之前的6bit/cell快閃記憶體一樣，7bit/cell快閃記憶體也是在77K溫度，也就是液氮環境中做測試的，大約是零下200度，這樣做是為了降低數據讀取時的干擾。 根據鎧俠的研究，在7bit/cell快閃記憶體中，溝道材料從之前的多晶矽換成了單晶矽，電阻更低，漏電流減少了，寫入及讀取操作時的閾值電壓波動可以最小化。 要知道7bit/cell快閃記憶體意味著有128級電壓變化，因此7bit/cell快閃記憶體寫入時控制電壓的難度大幅提升，稍有波動就有可能導致更多的錯誤，這也是快閃記憶體類型越升級，性能及可靠性越差的原因。 鎧俠沒有公布7bit/cell快閃記憶體的具體性能，畢竟現在是零下200度的測試，沒有實際使用的意義，但是大家對7bit/cell快閃記憶體的性能就不要有什麼指望，QLC快閃記憶體的原始速度都跌入100MB/以內了，7bit/cell快閃記憶體還要再渣幾倍，性能就別想了。 以後7bit/cell快閃記憶體的SSD硬碟就算是問世了，估計也只會用於讀取居多的場景，不適合頻繁寫入的需求。 來源：快科技

2022年初的時候快閃記憶體及SSD市場還是哀鴻遍野，因為價格還在下滑，沒想到2月份西數及鎧俠合資的日本工廠出現了快閃記憶體污染事故，損失慘重，當時消息稱西數就損失了6.5EB的快閃記憶體。 鎧俠、西數是全球TOP3的快閃記憶體供應商，份額僅次於三星，其快閃記憶體供應對全球智慧型手機及SSD硬碟市場影響極大，污染事故一傳出，SSD硬碟行業就躁動不安，部分廠商馬上藉此機會宣布漲價15%甚至25%。 當時西數也參與了，西數全球客戶組織執行副總裁傑里·卡格爾已經公告了此事，稱這次的材料污染事故影響了合資快閃記憶體工廠的運營，雖然不影響當前裝運的任何產品，但西數表示短期內成本顯著增加，長期影響還在評估，但他們已經決定立即提高快閃記憶體產品的價格。 如今過去三個月了，西數、鎧俠的快閃記憶體污染事件到底影響有多大？根據西數日前的財報數據，Q3財季的快閃記憶體bit出貨量雖然同比增長9%，但環比下滑了14%，主要就是快閃記憶體污染所致，損失約為2億美元。 西數表示，此前公告的快閃記憶體可用性減少7EB，仍然是准確的數字，而且該部分造成的損失大部分已經在FQ3財季中得到體現。 目前，污染事件已經在晶圓廠得到了解決。 來源：快科技

4月26日，鎧俠發布了新一代的XG8系列SSD硬碟，主要面向高端筆記本、台式機、工作站及遊戲PC等消費級市場，支持PCIe 4.0，升級第五代BiCS快閃記憶體，TLC快閃記憶體，最高4TB容量，但性能沒有公布。 鎧俠的XG6系列還是PCIe 3.0 x4規格的硬碟，XG8系列SSD硬碟升級到了PCIe 4.0，還支持NVMe 1.4標準，快閃記憶體升級到第五代BiCS技術，堆棧層數從上代的96層提升到112層，TLC核心容量就可以達到1Tbit，也就是128GB。 基於此，XG8系列SSD起步容量就有512GB，還有1TB、2TB及最高4TB容量，相比上代翻倍。 不過鎧俠並沒有公布XG8系列SSD硬碟的具體性能，連續讀寫及隨機讀寫性能不知道是多少，考慮到這是鎧俠的高性能硬碟系統，速度應該不會差，PCIe 4.0硬碟讀取上7GB/已經很正常了。 鎧俠表示XG8系列SSD硬碟已經開始給客戶出樣，估計下半年就有產品上市了。 來源：快科技

美光今天宣布，已經試產全新的7450系列SSD。這是全球首個基於176層垂直堆疊NAND快閃記憶體的數據中心SSD，也是迄今最強悍的176層產品。 早在2020年11月，美光就全球首發了176層TLC快閃記憶體，創造堆疊新紀錄，此後陸續基於此發布了多款產品，包括3400/2450系列，旗下品牌英睿達的P5 Plus系列等。 最近，美光又量產了176層QLC快閃記憶體，並發布了2400系列SSD。 以上產品都是面向消費級市場，最新的美光7450系列則針對伺服器、數據中心，使用的是TLC快閃記憶體，平均故障間隔時間200萬小時，五年質保。 它細分為7450 PRO、7450 MAX兩個子系列，並提供多種形態，包括U.3 15/7mm、E1.S 25/15/5.9mm、M.2 2280/22110。 7450 PRO系列面向讀取密集型應用，支持每天1次全盤寫入，容量方面U.3 960GB-15.36TB、E1.S 960GB-7.68TB、M.2 480GB-3.84TB，性能也各有不同，持續讀寫最高6.8GB/、5.3GB/，隨機讀寫最高100萬IOPS、21.5萬IOPS。 7450 MAX錫類面向混合讀寫應用，支持每天3次全盤寫入，容量方面U.3 800GB-12.8TB、E1.s 800-6.4TB、M.2 400-3.2TB(冗餘空間更多)，性能最高持續讀寫也是6.8GB/、5.3GB/，隨機讀寫則是100萬IOPS、41萬IOPS。 技術方面，支持PCIe 4.0、NVMe 1.4、掉電保護、數據路徑保護、128命名空間、TYAA安全標準、SED加密、TCG Opal 2.01、IEEE1667、FIPS 140-3 Level 2等等。 最特別的是，它可以在99.9999% QoS下提供2ms的超低延遲，能夠很好地滿足SQL Server、Oracle、MySQL、RocksDB、Cassandra、Aerospike等應用環境的需求。 價格自然是沒有的。 來源：快科技

在3D快閃記憶體方面，三星之前一直是領先的，不過美光去年率先量產了176層堆棧的快閃記憶體，要想追趕回來，三星最快今年底能量產224層堆棧的快閃記憶體，性能還會提升30%。 三星的3D快閃記憶體V-NAND目前發展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量產，但因為NAND快閃記憶體價格下滑等因素，三星選擇推遲量產，今年Q1季度才會正式量產，導致技術上稍微落後於美光等公司。 不過三星在下一代快閃記憶體上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當於在128層基礎上再堆棧96層。 消息稱，三星的224層快閃記憶體性能也很不錯，數據速度提升了30%，同時生產效率也提高了30%。 此外，三星的224層快閃記憶體技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層快閃記憶體的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰十分嚴峻。 來源：快科技

對於想要抄底買記憶體的大家來說，可以適當的考慮了，因為現貨價格下跌速度已經放緩了。 據《電子時報》報導，11月主流 8Gb和16Gb DDR4晶片現貨價格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅為7%，11月3D TLC NAND快閃記憶體晶片現貨價格跌幅同樣較上月趨緩，SLC和MLC NAND晶片價格已停止下跌。 消息人士指出，為保持價格穩定，上游晶片供應商對明年的產能擴張保持謹慎，使得現貨市場的供應商能夠協商出更好的價格。據消息人士稱，2022年DRAM整體位供應量預計將增加約5%。 同時，出於盈利考慮，晶片供應商正尋求將更多用於低密度商品DRAM記憶體的可用產能轉移至CMOS圖像傳感器的製造，同時啟動DDR6記憶體研發。 該消息人士稱，盡管渠道零售商和分銷商對2022年第一季度的需求前景仍然悲觀，但在2月中旬之後，需求的可見度有可能變得更加清晰。 來源：快科技

固態硬碟越來越便宜的情況下，你的電腦要是沒有一塊SSD，你都不好意思跟人打招呼。但是對於SSD怎麼選，看著SLC/MLC/TLC/QLC可能很多人丈二和尚摸不著頭腦，別急，下面筆者就帶你走上DIY從入門到放棄之路。 心心念念的SSD還得懂一點顆粒知識 先來簡單介紹一下SSD的結構，不管是SATA形式還是M.2形式，甚至PCI-E形式，其主要部件都是主控晶片、緩存晶片（小容量SSD不必備）和存儲顆粒。我們經常提到的SLC/MLC/TLC/QLC說的就是存儲顆粒的不同種類。 不同顆粒的存儲信息不同 SLC：Single-Level Cell（單層存儲單元），每個Cell單元只存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，其特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間。 MLC：Multi-Level Cell（多層存儲單元），原用於對應SLC，本意可以包含2層以上的Cell，但出於習慣和方便區分，一般指代雙層存儲，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000，01，10，11四種變化，但電壓控制復雜一些，寫入性能也隨之降低，P/E壽命在3000-10000次左右。 三星的3D TLC顆粒 TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元），每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更復雜，速度也更慢，P/E壽命在1000-3000次左右。 QLC：Quad-Level Cell（四層存儲單元），同理每個單元存儲4bit信息，電壓從0000到1111有16種變化，寫入性能會進一步降低，P/E壽命也進一步減少至1000次左右。 價格從左到右變低，性能也是從左到右變低（圖片源自鎂光） 單純看字母很難區分誰是誰，那有沒有什麼方法記住他們呢？S代表single（單）很好說，M代表multi-（多）也很簡單，而T和Q則可以用遊戲中的Triple kill（三殺）和Quadro kill（四殺）來記憶，這樣是不是就簡單多了？ 記住這個順序有什麼用呢？從SLC、MLC、TLC和QLC按照順序其寫入性能逐漸降低（但仍然比機械硬碟高），P/E壽命也逐個減少，但是帶來的好處是容量大幅提升，成本大幅降低。 高端SSD會搭載更好的顆粒 一般來說，越高端的SSD使用的顆粒層數越少，可以提供更快的讀寫速度，更長的P/E壽命，當然價格也更貴，總體上還是一分價錢一分貨的。 可能有的玩家認為QLC的1000次P/E壽命太短，且寫入速度不如其他顆粒，QLC顆粒的SSD就不值得買了，實則不然，SSD顆粒的選擇還是和使用場景有關的，同樣也要受限於預算。 不同使用場景的需求也有區別 如果日常辦公和輕度娛樂，更注重於快的開機和反應速度，那麼QLC的固態使用起來不會有什麼問題，合格的QLC仍然是機械硬碟的升級替代產品。 但如果是重度遊戲玩家，或者注重於生產力，那麼TLC甚至MLC才是應該選擇的SSD顆粒。 相對於顆粒的類型，我們也應該關注的是SSD的品牌，另外，產品的質保（包括使用時長質保和寫入容量質保）也應該納入考慮范圍，畢竟顆粒的所有優勢都建立在沒有虛標，也沒有使用黑片或回收顆粒的前提下。 來源：快科技

在快閃記憶體類型上，大家都知道SLC快閃記憶體性能、可靠性是最好的，但是它的成本是最貴的，所以現在主流的是TLC、QLC快閃記憶體了，連MLC快閃記憶體都很罕見了。Cervoz公司日前推出了一種RO-MLC快閃記憶體，可靠性、成本都很有優勢。 Cervoz是一家專業做工業及嵌入式產品的公司，成立於2006年，產品主要是工業級的存儲及快閃記憶體，還有DRAM記憶體等，在全球都有客戶，特別是工業4.0、軍工、國防、車載電子、電信網絡等等。 他們推出的RO-MLC全名為Reliability-Optimized MLC，意為可靠性優化的MLC快閃記憶體，本質也是MLC快閃記憶體，但自己開發了特殊的固件，可以讓它以模擬SLC快閃記憶體的方式運作，所以容量也會減半，但提高了可靠性、耐用性。 根據他們公布的數據，RO-MLC快閃記憶體的P/E壽命可達20000次，雖然與SLC的60000次還有不少距離，但比MLC的3000次好太多了。 性能方面，RO-MLC快閃記憶體的讀取可達520MB/，寫入470MB/，前者比SLC/MLC沒好多少，但寫入性能高於SLC，是MLC快閃記憶體的兩倍。 其他方面，RO-MLC快閃記憶體數據保持能力是MLC的5倍，可靠性是10倍，成本則是SLC快閃記憶體的1/4-1/6。 總之，這種模擬SLC快閃記憶體的RO-MLC當然比不上真正的SLC快閃記憶體，但綜合壽命、性能、成本來說，還是要比MLC好（成本也會更貴，他們不說而已），適合對可靠性要求比較高的領域。 來源：快科技

自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND快閃記憶體有望超過200層，未來還可以做到1000層。 目前全球半導體晶片產能緊張，NAND快閃記憶體本身也是牛市周期，三星准備藉此機會擴大生產規模，現在韓國平澤市的存儲晶片工廠已經是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。 在快閃記憶體技術上，三星的128層V-NAND快閃記憶體已經量產，2021年下半年則會量產第7代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數提升到176層。 在「蓋樓」層數上，三星實際上已經落後於美光，後者在去年底就推出了176層3D快閃記憶體，並且量產了，三星現在要奮起直追了。 超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND快閃記憶體，堆棧層數有望超過200層，不過三星沒公布具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產。 至於未來的層數還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。 來源：快科技

三星公司日前宣布，全球首發ZNS技術的企業級硬碟PM731a系列，容量2TB、4TB，數據壽命號稱延長4倍，但具體的TBW數據沒公布。 PM731a系列硬碟主要特色就是ZNS分區技術，全稱是Zoned Namespace（分區命名空間），它提升SSD硬碟壽命的方式跟以往的技術不同，ZNS可以將SSD的寫入過程進行分組，儲存在SSD內部獨立的空間，這樣很多隨機操作也可以當做順序寫入，減少了SSD的WAF放大係數。 WAF是影響SSD壽命的關鍵指標之一，這是NAND快閃記憶體獨特的寫入原理決定的，WAF越接近1越好（有數據壓縮的時候還可以小於1），但普通SSD使用的時候是大大超過1的，有的能達到3-4甚至更多，意味著你打算在SSD中寫入1GB數據，實際上寫入的數據量是3-4GB，會加速SSD死亡。 三星ZNS硬碟提升使用壽命就是靠ZNS技術接近1的WAF實現的，官方表示壽命能延長4倍，但三星沒有公布具體的TBW數據，畢竟具體延壽要看用戶的使用情況，順序寫入量越多，ZNS的效果就越不明顯。 三星也沒有公布PM731a硬碟的詳細規格，除了2TB、4TB容量之外，其他還有就是雙接口，基於三星128層堆棧的6代V-NAND快閃記憶體，支持NVMe。 至於快閃記憶體類型，三星沒確認是TLC快閃記憶體，但官方稱下一代ZNS硬碟會使用QLC快閃記憶體，那麼PM731a系列應該是TLC沒跑了。 三星ZNS SSD硬碟預計下半年量產，具體時間和價格就沒消息了，等到上市時再來看吧。 來源：快科技

做為最早問世的快閃記憶體類型，SLC快閃記憶體在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間，遠超MLC、TLC、QLC快閃記憶體。 不過SLC快閃記憶體成本也是最高的，而且容量也不如其他的快閃記憶體類型，所以近年來應用市場越來越狹窄，主流市場已經銷聲匿跡，生產廠商也越來越少。 旺宏電子日前透露，該公司研發的19nm SLC快閃記憶體進展順利，良率極佳，新產品新應用已經進入驗證階段。 旺宏表示，他們的SLC快閃記憶體率先實現了在主晶片處理ECC的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。 不過旺宏電子並沒有透露SLC快閃記憶體的具體規格及產品信息。 除了SLC快閃記憶體，旺宏也在研發3D快閃記憶體，48層堆棧的3D快閃記憶體已經完成研發，很快會量產，後續則會沖刺192層3D快閃記憶體。 來源：快科技

在CES展會期間，東芝發布了新一代BG4系列M.2硬碟，這是東芝第四代BGA封裝的BG系列硬碟，這一代升級到了96層堆棧的3D TLC快閃記憶體，最大容量可達1TB，相比前代BG3系列翻倍。除了容量變大之外，BG4系列M.2硬碟的性能提升了，讀取速度可達2.2GB/s，寫入速度1.7GB/s，低功耗狀態的功耗低至5mW，單晶片封裝的它體積非常小巧，適合各種移動設備。 東芝的BG系列SSD硬碟主打輕薄、小巧，使用的是單晶片封裝，將主控及NAND快閃記憶體封裝在一起，所以規格也比較特殊，BG4可以是M.2 1620或者可拆分的M.2 2230規格，厚度還比BG3系列減少0.2毫米。 東芝BG4硬碟的NAND快閃記憶體升級到了最新的96層堆棧3D TLC快閃記憶體，相比64層堆棧的3D TLC快閃記憶體容量更大，所以最大容量提升到了1TB，是之前的兩倍。此外，BG4的主控也從之前的PCIe 3.0 x2通道提升到了PCIe 3.0 x4通道，性能更強，連續讀取速度2.25GB/s，連續寫入1.7GB/s，隨機讀取330K IOPS，隨機寫入190K IOPS。 除了性能跟提升，東芝還優化了BG4硬碟的功耗，讀取功耗減少20%，寫入功耗減少7%，還支持額外的低功耗狀態，功耗可低至5mW。此外，東芝還改進了BG4硬碟的HMB（Host Memory Buffer）技術，加速了讀取訪問范圍，優化了後台快閃記憶體管理。 東芝的BG4系列硬碟容量有128GB、256GB、512GB及1TB，目前已經向部分客戶提供樣品，今年晚些時候正式上市。 ...