Tag: TLC閃存

在已上市的PCIe 4.0固態硬盤中，三星980 PRO的名號震天響，綜合來看仍舊是目前最強的存在之一。 不過，日前在一些歐洲零售商處，三星980悄然現身。 名字少了「PRO」，三星980有不少變化，比如從PCIe 4.0 x4改為走PCIe 3.0 x4通道，主控不再集成DRAM等。當然，閃存顆粒倒是沒有縮水，和980 PRO一樣的136層3D TLC。 圖為980 PRO 三星980的性能自然也發生變化，連續讀取速度最高3500MB/、連續寫入最高3000MB/、4K QD32隨機讀速500K IOPS，4K QD1隨機寫入480K IOPS。 比較奇怪的是，性能對比前輩970 EVO Plus縮水了。 據悉，三星980將提供250GB、500GB和1TB容量，M.2 2280形態，3月30日首銷，預計250GB定價70歐元（約合541元）、500GB定價90歐元、1TB定價150歐元。 當前，三星980 PRO 350GB國行559元，970 EVO Plus國行250GB為399元。 作者：萬南來源：快科技

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之後，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術並不一樣，所以堆棧的層數也不同，鎧俠、西數使用的BiCS技術，堆棧層數並不是最高的，但是存儲密度不錯，這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。 這樣一來，從112層提高到162層使得芯片的面積減少了40%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。 除了產能、成本上的改善，鎧俠的162層閃存還改進了架構，將控制電路放置於存儲陣列下方，不僅減少了核心面積，還提高了性能，工作速度2.4倍提升，延遲減少了10%，IO性能提升了66%，實現了性能、容量雙重提升。 鎧俠並沒有公布162層3D閃存的量產時間，預期是要到2022年了，可能會在鎧俠、西數位於日本四日市的新建工廠量產。 2020年10越低，為了滿足日益增長的5G需求，鎧俠宣布將投資1萬億日元，約合95億美元，在日本四日市再建一座3D閃存工廠，占地面積超過40000平方米，建成後將成為旗下最大的閃存工廠，也是該公司第七座閃存廠。 作者：憲瑞來源：快科技

SSD硬盤的壽命問題讓人很無奈，雖然3年質保時間內寫死的SSD極為罕見，但是廠商推出的低價SSD也在不斷拉低SSD壽命期限， 對短命SSD不放心的話，市場上還有一些超長壽命的SSD可選，創見日前就推出了SSD 530K系列硬盤，雖然還是3D TLC閃存，但是主要針對嵌入式市場，壽命堪比SLC閃存。 SSD 530K系列硬盤為SATA 2.5寸規格，讀取速度最高560MB/，寫入最高490MB/，隨機讀取83K IOPS，隨機寫入88K IOPS，在SATA 6Gbps中已經是頂級水平，但是這個接口是沒法跟PCIe硬盤比的，性能沒什麼期待的。 但是SSD 530K系列硬盤的壽命超級長，TLC閃存用了SLC模式，寫入壽命可達6400TBW，相當於西數SN350硬盤的80倍，一塊就頂80塊用，DWPD高達45.7次，每天全盤擦寫45.7次都夠了，P/E壽命是10萬次，絕對的SLC水準。 如果說槽點，那可能就是容量了，只有64GB、128GB兩種，用於消費級的是沒法看了，最多是裝個系統和軟件，畢竟它本來也是針對嵌入式市場的。 作者：憲瑞來源：快科技

提到QLC、TLCV閃存的硬盤，DIY玩家往往一臉不屑，不過這些硬盤的讀寫性能並不差，三星980 Pro上了TLC也一樣能達到7GB/的極限性能。 之所以這樣，很大一個因素是SSD硬盤支持DRAM緩存，大家都知道DDR記憶體的帶寬遠高於閃存，都是數GB/甚至數十GB/的，可以大幅提升SSD的讀寫速度。 但是另一方面，使用DRAM記憶體做緩存的SSD也面臨着成本增加的問題，通常SSD中70-75%的成本是閃存，記憶體成本占10-15%，主控、PCB等部分占10-20%，記憶體的影響不可忽視。 如今記憶體芯片價格又要開始上漲，而SSD硬盤的成本壓力增大，所以今年無記憶體（DRAM-Less） SSD硬盤開始增多，慧榮、群聯、Marvell三大主控廠最近都推出了無記憶體的PCIe硬盤主控。 雖然沒有了記憶體加速，但得益於PCIe 4.0及HMB（Host Memory Buffer，主機記憶體緩沖器，借用PC記憶體來提升性能）的發展，砍掉記憶體之後性能依然夠看，還是要比SATA III及低端PCIe硬盤要強不少。 沒了記憶體之後，DRAM-Less硬盤的成本降低差不多10%左右，反而推動了PCIe硬盤的普及，今年就會滲透到更多低端筆記本、台式機等領域。 作者：憲瑞來源：快科技

距離860 EVO很長一段時間後，三星今日正式發布870 EVO固態硬盤，入門級2.5寸SATA3陣容再次得到更新。 870 EVO採用了三星最新一代V-NAND閃存（據說是同980 PRO的第六代、128層），3D TLC顆粒，通過優化自研MKX主控、匹配SLC超高速緩存、LPDDR4記憶體等，其連續讀寫速度分別提升到了560MB/和530MB/。隨機讀寫速度則提升到98K IOPS和88K IOPS，隨機讀取速度比860 EVO提高了38%。 容量和耐用性方面，250GB的總寫入字節數為150TBW、500GB為300TBW、1TB為600TBW、2TB為12000TBW、4TB為2400TBW，5年保修，也就是日全盤寫入0.3次左右。 三星給出的官方零售價為250GB 49.99美元（約合323元）、500GB 79.99美元、1TB 139.99美元、2TB 269.99美元和4TB 529.99美元，國行信息尚未公布。 雖然1GB超過1塊錢在當下並不算性價很高，可這畢竟是三星最優質的TLC顆粒，況且你還記得兩年多前860 EVO的首發價嗎？彼時250GB 95美元、4TB甚至1400美元。 作者：萬南來源：快科技

由於成本上的優勢，目前市場上的NAND閃存主流已經變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。 從閃存類型來說，性能最好、可靠性最高的還是SLC閃存，只不過成本太貴了，三星、西數、愷俠、美光等公司其實還有SLC閃存產能，只是用於特殊場合，主要是一些對可靠性要求高但對容量要求不高的工業、嵌入式產品中。 除了閃存原廠，台系的旺宏電子也有自己的SLC閃存，去年研發、量產19nm SLC閃存，並開始出貨給美國客戶，用於機頂盒等產品。 目前SLC閃存市場的價格還比較穩定，銷售有望成長，旺宏董事長吳敏求也看好今年SLC閃存的營收，認為會有相當大的貢獻。 旺宏日前公布了2020年12月營收報告，合並營收33.06億元（新台幣，下同），環比增長9.9%，同比增長24.2%；Q4營收達101.57億元，比第三季的旺季高檔109.57億元僅下滑7.29%，表現仍相較以往不淡。 2020年全年合並營收達398.01億元，創下歷史新高，較2019年增長13.7%。 作者：憲瑞來源：快科技

當市場中「TLC黨「和「MLC黨」還在爭論不休的時候，三星決然的將頂級980PRO SSD改用了TLC閃存，而入門級別的860EVO之後一直沒有新品，倒是接連推出了採用QLC閃存的860QVO、870QVO。 原以為三星入門級SATA SSD會全線轉型到QLC的時候，870EVO又悄悄的出現了。 三星870EVO的上市很低調，甚至可以說是悄無聲息。因為在三星的官網並不能找到這款產品，但是在北美以及歐洲部分的確它卻已經上架銷售了。 870EVO SSD共有 5 個存儲容量，分別為 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB。採用SATA 6Gbps接口，最高連續讀取速度560MB/，最高連續寫入速度530MB/，連續讀寫速度比上一代860EVO高了10MB/。 其實主控大概率會升級為870QVO上所用的三星MKX，閃存應該換成更高堆疊層數的TLC NAND。至於寫入壽命，4TB型號的有2400TBW，與上代相同，質保期同樣也是5年，售價在70到450歐元之間。作者：流雲來源：快科技

2020年閃存繼續降價，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機的選擇。馬上就要到2021年了，業界預計明年QLC閃存會更普及，其性能、可靠性等指標已經追上TLC閃存，堆棧層數也全面邁向100+層。 這麼多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區別，QLC閃存量產上市才2年左右，但是發展很快，因為它的容量、成本優勢最大，消費者不爽的主要是性能差，尤其是緩存外性能不如HDD硬盤，還有就是可靠性差，擔心會掛。 ，這是全球首款144層QLC，核心容量1Tb，並分別針對消費級、企業級市場推出了670P、D7-P5510/D5-P5316等硬盤，最大容量30.72TB。 Intel強調，如今的QLC閃存已經在平均故障間隔時間、平均溫度、質保壽命、不可修復錯誤率(UBER)、數據持久性等質量與可靠性指標上看齊TLC，並且兼容同樣的集成電路設計，大大簡化升級換代。 Intel首發推出144層QLC閃存只是個開始，明年三星、美光、SK海力士、鎧俠、西數等公司也有100+堆棧的新一代閃存，堆棧層數少的是128層級別，美光、SK海力士則是176層。 2020年三星推出了8TB容量的870 QVO硬盤，這是QLC閃存在消費級是廠商的最大容量，2021年隨着新一代QLC閃存的上市，這個容量可以輕松翻倍到16TB，再大方一點做到32TB也沒壓力，只是價格不是一般人能承受的。 作者：憲瑞來源：快科技

雖然已經將閃存業務出售給SK海力士，但是Intel還會繼續發展存儲芯片。日前的存儲峰會上，，包括670P、傲騰H20等，首發了144層TLC、QLC閃存，涵蓋消費級、企業級等多個市場。 對閃存/SD硬盤來說，有個目標就是要超越HDD硬盤，盡管現在大家都知道SSD硬盤性能、延遲性能秒殺HDD硬盤，但在總的TCO成本上，HDD硬盤是少不了的，SSD的問題依然是太貴。 但是未來2年是個關鍵點，Intel NAND產品與解決方案事業部高級副總裁兼總經理Rob Crooke日前表態，SSD硬盤正在縮小與HDD硬盤之間的差距，在2022年就會實現TCO及成本的交叉，也就是說SSD硬盤在成本上低於HDD硬盤。 2年時間就能在最關鍵的問題上超越HDD硬盤，這個預測比之前的樂觀多了，希捷曾經表態SSD在成本上永遠沒法超過HDD硬盤，而Intel認為2年後就可以。 Intel的信心來自新一代閃存，也就是QLC閃存之後的PLC閃存，其內部單元可以存儲5bit數據，容量相比QLC閃存再提升25%。 靠着PLC閃存的超大容量，再加上Intel力推的E1 Ruler（EDSFF）新規格，SSD硬盤未來可以實現1PB的容量，想想都帶感，雖然消費級市場可能永遠用不起。 不過PLC閃存的代價大家也都懂得，雖然Intel沒提，但是QLC閃存的可靠性、壽命及寫入速度都已經備受吐槽，PLC閃存只會更糟糕，就看廠商如何開發新技術緩解弊端了。 作者：憲瑞來源：快科技

得益於容量大、價格低的優勢，如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存，大家擔心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數，通常在1000次左右，而IBM現在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強。 據報道，在最近的一次會議上，IBM閃存產品線CTO、院士Andy Walls介紹了他們在閃存可靠性上的最新進展。 大家都知道QLC閃存擦寫次數有限，為此IBM開發了專門的控制器以監視、分類閃存，這個算法可以區分閃存的健康度，健康度越高的閃存可以存放那些經常變動的數據（意味着經常寫入），而健康度較低的閃存則會存放變化最小的數據。 這種優化算法就可以將QLC閃存的耐用性提升了一倍，不過這還不是唯一的技術，IBM還開發了智能數據存放技術。 在QLC閃存的早期，他們將其定義為SLC，優勢是速度快、性能強，缺點就是容量只有20%的水平，但加上他們的壓縮技術，而且壓縮比達到了3：1，那麼就相當於獲得了現在60%的容量。 只要有足夠的容量，那麼QLC閃存的性能及可靠性也會大幅提升，而這些閃存如果轉換為QLC閃存，那麼就可以克服QLC閃存的一些缺點。 根據他們的測試，如果是TLC閃存，那麼優化過後的閃存壽命可達18000次，QLC閃存也有16000次，這是其他公司做不到的，這樣的可靠性足以支持每天2次的全盤擦寫。 作者：憲瑞來源：快科技

繼美光後，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。 4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。 除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。 SK海力士預計相關產品明年年中上市，目前主控廠商已經在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，後續還會應用到消費級SSD和企業產品上。 另外，SK海力士已經表示，正在開發1Tb（128GB）容量的176層4D閃存。 顯然，今後手機可以在更緊湊的空間內做到大容量ROM空間了。 作者：萬南來源：快科技

在3D閃存技術上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，，進度比三星要快。 根據美光的說法，176層閃存其實是基於兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術，而且176層閃存已經量產並出貨了，已經用於一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發布更多新產品。 在176層閃存技術上，美光這一波操作確實可以，後來者居上了，他們在全球閃存市場份額上是大幅落後於三星、東芝、西數的，尤其是三星一直是領頭羊。 對於這次沒能首發新一代閃存，韓國媒體爆料稱三星是遇到技術問題，原本他們計劃一次性堆棧到190層以上，現在也降低目標到176層。 此外，美光、SK海力士都准備用雙堆棧技術做176層閃存，三星原本希望用單堆棧技術做到200層，發現技術上不可行，導致進度落後了。 報道稱，三星高層雖然拒絕承認技術延誤了，但不得不承認進度確實落後了一截，高官表示技術變化導致他們花費更多時間和投資修改製程，預計明年才能（推出176層）閃存。 三星追趕的時間可能是在明年Q1季度後，預計2021年4月份推出176層或者更低一些的160層閃存。 作者：憲瑞來源：快科技

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之後，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。 美光、Intel合作時，走的是浮動柵極閃存單元架構，獨立後轉向電荷捕獲(charge-trap)閃存單元架構，第一代為128層堆疊，但更多的是過渡性質，用來發現、解決新架構設計的各種問題。 正因如此，美光全新176層堆疊閃存所取代的，其實是96層堆疊。 據了解，美光176層閃存其實是基於兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很可能會加入QLC。 得益於新的閃存架構和堆疊技術，美光將176層的厚度壓縮在了45微米，基本和早期的64層浮動柵極3D NAND差不多。 這樣，即使在一顆芯片內封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5毫米，可以輕松放入智能手機、存儲卡。 傳輸速率提高至1600MT/，而此前96/128層的都是1200MT/，讀寫延遲相比96層改進35％，相比128層改進25％，混合負載性能相比96層改進15％。 美光表示，176層閃存已經量產出貨，並用於一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發布更多新產品，但沒有確認具體產品型號。 作者：上方文Q來源：快科技

在Intel將閃存業務賣給SK海力士之後，全球六大原廠就剩下五家了，韓國三星及SK海力士位列第一、第二。現在日本鎧俠、美國西數也要加碼了，雙方宣布投資1萬億日元新建一座閃存工廠。 鎧俠集團周四宣布，為了滿足日益增長的5G需求，該公司將投資1萬億日元，約合95億美元，在日本四日市再建一座3D閃存工廠，占地面積超過40000平方米，建成後將成為旗下最大的閃存工廠，也是該公司第七座閃存廠。 這項投資是跟合作夥伴美國西數一起進行的，從明年春季開始分兩個階段進行。 今年早些時候，鎧俠、西數位於日本岩手縣的閃存工廠正式投產，目前正在准備規模量產中。 對鎧俠、西數來說，這次投資1萬億日元建廠的理由是滿足5G市場的需求，不過實際原因可能更復雜，尤其是在SK海力士收購Intel閃存業務成為世界第二之後。 在鎧俠、東芝前面，三星、SK海力士在閃存市場上的份額分別是35.9%、19.4%，同時三星技術也是領先的，而在原廠後面，中國的長江村出也量產了3D閃存了，並在快速提升產能，蔚來價格戰會更激烈。 夾在韓國與中國廠商之間，日本、美國公司也要加大投資搶占市場了，此前還有傳聞稱美光要跟西數合並。 - THE END - 轉載請註明出處：快科技 #西部數據#閃存#TLC閃存#鎧俠 責任編輯：憲瑞作者：憲瑞來源：快科技

一度把存儲芯片業務視為六大支柱技術之一的Intel，，讓外界頗感意外，畢竟這幾年都是Intel收購別的芯片業務。 根據協議，SK海力士將收購包括IntelNAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務，以及Intel在中國大連的NAND閃存製造工廠。 在獲取相關許可後，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從Intel收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。 剩下的20億美元要等到2025年完成最終交割時才會支付，屆時SK海力士將從Intel收購其餘相關資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工。 回頭看看，這筆交易似乎是雙贏的局面，SK海力士借着收購Intel閃存一躍成為全球第二大閃存供應商，僅次於三星，超過愷俠、西數公司。 Intel這邊呢，閃存業務雖然很重要，但是一直不能盈利，6月份的季度中倒是首次盈利了，但是長期來看並不樂觀，閃存市場的低價競爭日趨激烈，特別是中國廠商也殺入市場了。 不光兩家公司對收購一事感到高興，就連華爾街分析師都覺得這事太好了，甚至來得太晚了，應該早點就賣掉閃存業務的。 雷蒙德·詹姆斯（Raymond James）分析師奇斯·卡索（Chis Caso）直言不諱表達了這事對Intel的利好，認為甩掉包袱之後，Intel每年的現金流可以增加20億美元，約合133億元。 這筆錢可以用來投資價值更高的業務，比如自動駕駛、AI芯片甚至自己的CPU芯片業務，總之是個大利好。 不過Intel的股價在收購案宣布之後並沒有上漲，昨天還微跌了0.2%。 - THE END - 轉載請註明出處：快科技 #Intel#CPU處理器#閃存#TLC閃存 責任編輯：憲瑞作者：憲瑞來源：快科技

今天SK海力士與Intel聯手搞了個大新聞，，價值約為90億美元/601億元，這事之前一點風聲都沒。 Intel過去兩年一直在強調六大支柱技術，其中存儲芯片就是其中的一環，而Intel的閃存、SSD硬盤也是被發燒友各種推崇，雖然價格更貴，但是品質有保證。 即便如此，這也沒擋住Intel出售NAND閃存業務，90億美元賣掉的價格說起來還真不貴，畢竟陪嫁的大連閃存工廠當年投資就高達55億美元，這筆交易對Intel來說算不上多劃算，顯然是下決心甩掉包袱了。 Intel是否徹底放棄存儲芯片市場？不好說，官方表態傲騰業務保留，但是傲騰業務之前也經歷過波折，Intel已經從與美光合資的IMFT工廠中退出，傲騰工廠也是美光。 此前Intel表示要在美國建立自己的傲騰工廠，最近也沒有什麼新聞了，加上這次劇變，未來前景有很大不確定性。 考慮到閃存業務並沒有給Intel帶來什麼盈利，除了之前價格大張的兩年中之外，Intel這部分業務一直在虧損，賣的越多，虧的也越多，現在賣掉閃存也不失為一個退路。 但是對消費者來說，Intel賣掉閃存部門之後可能會導致一個變動，那就是Intel一直堅持的FG浮柵極閃存技術未來十有八九就沒了。 在3D閃存上，三星、東芝、西數、SK海力士等公司普遍轉向CTP電荷阱或者類似的技術，製造簡單，成本更低，不過可靠性、性能略輸，而Intel、美光之前都在堅持FG浮柵極技術，製造成本較高，但性能、可靠性較好。 在96層閃存之後，美光也變了，也要轉向CTP技術路線了，Intel跟它們有分歧，選擇堅持FG技術， 如今情況又不一樣了，隨着閃存部門出售給SK海力士，Intel堅持的FG技術跟SK海力士的不兼容，未來極有可能是被SK海力士那邊同化，放棄FG技術。 - THE END - 轉載請註明出處：快科技 #Intel#閃存#TLC閃存#QLC閃存 責任編輯：憲瑞作者：憲瑞來源：快科技

三星前不久推出了980 Pro硬盤，這是新一代NVMe旗艦，，但是代表就是閃存從MLC降級到TLC，寫入壽命減半，還不如上代。 具體來說，980 Pro硬盤1TB版的寫入壽命最高也只有600TBW，這個指標在TLC閃存硬盤也不算出色，而MLC閃存的970 Pro 1TB版為1200TBW，比起來直接降低一半。 這讓很多三星粉絲不滿，畢竟980 Pro很快就是最強的消費級SSD硬盤，TBW壽命上拉胯實在不該。 對於這個問題，三星日前在送測980 Pro的資料中有個解釋，針對大家關心的寫入壽命做了解釋。 根據三星的數據，他們評估的結果就是在5年質保期內，99%的玩家實際消耗的寫入壽命不過156TBW，只有600TBW壽命的1/4左右。 換句話說，三星認為不管980 Pro的TBW是1200TBW還是現在的600TBW，實際上都遠遠超過了普通人的使用需求，99%的人在質保到期前都沒超過1/4的壽命。 按照這樣的方式，估計用20年時間才有可能寫完600TBW壽命，這幾乎是不可能的。 即便980 Pro的寫入壽命折半到了600TBW，99.7%的人在五年內使用都無壓力，不用擔心寫入壽命耗盡的問題。 作者：憲瑞來源：快科技

三星的旗艦級9XX Pro系列硬盤一直堅持MLC閃存，這是一大賣點，然而日前發布的980 Pro上這個期待沒了，三星也全面進入TLC閃存時代。 三星推出980 Pro硬盤的報道很早就有了，年初CES展會上官方就確認消息了，這將是三星消費級首款PCIe 4.0硬盤，性能會有很大的提升。 在這點上，980 Pro確實沒錯，它採用了新一代Elpis主控，支持PCIe 4.0，讀取速度可達7000MB/，寫入速度5000MB/，幾乎達到了PCIe 4.0的極限。 隨機性能上，980 Pro系列的隨機寫入可達600K IOPS，隨機讀取可達1000K IOPS，沒記錯的話，這應該是首個消費級SSD硬盤達到100萬IOPS的，非常強大。 強大性能的背後，980 Pro的功耗也付出了代價，最高8.9W，平均也要6.2W，不確定發熱情況如何，但肯定很考驗散熱。 雖然性能堪稱逆天，但是980 Pro硬盤這次不再使用MLC，而是TLC——當然，三星官方一向稱之為3bit MLC。 換用TLC閃存的後果就是TBW壽命直線下滑，1TB版最高也只有600TBW，這個指標在TLC閃存硬盤也不算出色，而MLC閃存的970 Pro 1TB版為1200TBW，比起來直接降低一半。 另外，換用TLC閃存之後，980 Pro的容量並沒有變化，起步依然是250GB，還有500GB及1TB可選，目前還沒有2TB版。 質保依然是5年，不過售價及上市信息還沒公布，理論上TLC閃存會便宜些，但是不應該期待980 Pro會降價。 作者：憲瑞來源：快科技

，SK海力士今天終於正式發布了新款SSD Gold P31，這是全球首款面向消費級市場的128層堆疊NAND閃存產品，也是SK海力士的第一款消費級PCIe SSD。 Gold P31基於SK海力士的所謂4D NAND，本質上還是3D堆疊，依然基於3D CTF(電荷捕獲閃存)，只不過在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。 它在一年前就開始量產了，128層堆疊，號稱堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb(128GB)，集成超過3600億個閃存單元。 不過這一次，Gold P31隻提供了500GB、1TB兩種容量版本，似乎很對不起這種高密度堆疊閃存，或許未來會有更大容量的版本。 其他方面，M.2 2280標準形態，單面設計，無散熱片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，隨機讀寫最高3.5GB/、3.1GB/，持續讀寫最高570K IOPS、600KIOPS。 不過在TLC模式下，持續讀取還是能跑到3.5GB/，但是持續寫入只能做到950MB/、1700MB/，隨機讀取降至500K IOPS，隨機寫入降至220K IOPS、370K IOPS。 讀取延遲980us，寫入延遲45us，負載功耗6.3W，空閒功耗小於0.05W，平均故障間隔時間150萬小時。 寫入壽命未公布。 作者：上方文Q來源：快科技

來自Digitimes的最新報道稱，盡管整體來看，整個三季度的閃存價格預計保持平穩，但TLC（3bit/cell）芯片則面臨越來越大的下行壓力，這主要源自消費需求的放緩。 由於SLC/MLC顆粒造價高、容量密度低，TLC早已成為目前SSD市場的絕對主力。加之QLC墊背以及不再高企的價格，消費者接受度也高了起來。 此次芯片價格的下滑一旦坐實，對於有意願購買SSD的人來說，是不錯的入手機會。 今日還有消息表示，DDR4記憶體也偃旗息鼓，開始進入「暴跌」模式。再往後看的話，Q3甚至Q4季度的需求恐怕都不會高了，特別是北美及歐洲經濟下滑，記憶體需求也會萎縮，市場上的買家預期價格會下降，近期都放緩甚至推遲了購買，美光公司預計全年記憶體出貨量會下降。 另外，分析人士稱，隨着長江存儲、合肥長鑫等企業在存儲芯片領域的發力，今後對沖美日韓原廠調控和價格波動，也將有着正面意義。 優惠商品信息>>作者：萬南來源：快科技

剛剛過去的618促銷中，大家買了SSD硬盤了沒？，不過Q2季度總體還是漲的。至於Q3季度，閃存價格又要陷入一個跌價周期，預計下滑5%以內，Q4季度跌幅還會繼續擴大。 根據集邦科技旗下的半導體研究中DRAMeXchange的最新報告，盡管消費性產品及智能手機受到疫情沖擊導致需求下降，但雲端服務、遠程教學的需求也同步催生，加上部分客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨，Q2季度閃存價格漲了5-10%。 至於Q3季度，市場將轉向保守，一方面智能手機反彈，但依然不如去年，另一方面則是疫情導致的急單需求放緩，，特別是需求較高的企業級SSD硬盤，受服務器廠商調控半成品庫存及數據中心建設延遲的影響很下調需求，商務筆記本的需求也持平了。 根據他們的預測，Q3季度閃存市場的供需將達平衡，價格持平甚至微跌，幅度在0-5%以內。 至於更晚一些的Q4季度，他們的看法依然不樂觀，預計閃存的合約價跌幅將擴大。 猜你喜歡的商品>>作者：憲瑞來源：快科技

SSD硬盤現在已經開始從TLC閃存向着QLC閃存升級，未來很快還會升級到PLC，容量還會增加，但是代價就是寫入壽命越來越低。從行業報告來看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。 我們都知道NAND閃存的一些基本特性，那就是隨着TLC、QLC及PLC的升級，P/E壽命會下降，同時製程工藝升級的話P/E壽命也會下降，雙重疊加之後先進工藝的QLC、PLC壽命就會很難看。 那下降的到底有多嚴重，從行業報告來看，SLC閃存在5xnm工藝下壽命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工藝下會下降到10000、7500、5000次，總體還是耐看的。 MLC閃存在1xnm下壽命會減少到1500次，TLC則會極速下滑到500次，QLC再次下降一個量級到70次，PLC閃存則是直接降至35次，理論上就是35次全盤寫入就不行了。 從這些數據來看，QLC閃存及未來的PLC閃存顯然不夠看，不過也別擔心，上面的數據是2D NAND工藝下的，3D NAND閃存對工藝要求不高，P/E壽命還是可以看的。 特惠商品推薦>>作者：憲瑞來源：快科技

最近618，大家有誰購買了SSD硬盤了沒？各大廠商借着促銷的名義開始降價，1TB M.2硬盤重新回到800元左右。這一波行情不只是因為促銷，SSD市場開啟跌價模式了，480GB報價從41美元跌至40美元。 截至5月底，SSD硬盤市場還很堅挺，，當然也沒有漲。此前SSD廠商還放言價格會一直堅挺到Q3季度，認為市場需求還會保持在高水位，特別是索尼PS5、微軟XSX主機大量使用SSD，帶動一波市場需求，消化庫存。 不過這樣的好事似乎並沒有如願，SSD市場在維持了一個月左右的平穩走勢之後，這一周開始跌價模式了。 據渠道價格，120GB SATA硬盤的報價從13.2美元降至12.5美元，240GB SATA硬盤報價從22美元降至21美元，480GB SATA硬盤的價格則從41美元滑落到40美元，算下來大約是280塊錢，需要注意的是這個價格是上游的報價，實際賣價要比這個價格高。 618特惠活動匯總>>作者：憲瑞來源：快科技

熟悉存儲的朋友可能都知道，近年來3D NAND技術的崛起，使得固態硬盤產品的存儲容量實現翻倍，製造成本降低，大大加速了固態存儲的普及。近日，筆者收到了來自韓國存儲大廠科賦推出的、基於3D TLC NAND技術的CRAS C710 M.2固態硬盤。 科賦C710固態硬盤 通過命名，可以知曉這是科賦旗下CRAS C700 M.2的升級版本，其中最顯著的升級便是容量標稱上了，全新CRAS C710是足量的256GB/512GB/1TB，而C700則是240GB/480GB/960GB非足量版本；當然了作為科賦固態硬盤系列家族的最新產品，CRAS C710除了在容量上有了顯著的升級外，到底還有哪些其他方面的升級？話不多說，我們一起來看。 01 產品解析：慧榮主控、Intel 3D TLC閃存顆粒 作為C700的繼承者，全新C710在外觀設計上依舊是標準的2280設計，支持NVMe 1.3協議標準，設計做工非常簡潔；通體黑色的PCB板，並在背面進行了特殊工藝處理，十分具有質感。 通體黑色PCB板 在更為關鍵的核心組件方面，主控採用了慧榮公司研發的SM2263XT主控，這也是一款應用范圍極廣的經典主控產品，是慧榮第二代NVMe主控，是一款DRAM-less主控，支持4通道，支持PCIE 3.0x4標準，NVMe1.3協議，最大順序讀寫可達2400/1700MB/s，最大隨機4K性能達到250K/140KIOPS，支持LDPC ECC糾錯機制，全區均勻抹除、溫控調頻、智慧SLC Cache等機制。 SM2263XT主控 正是在這些機制的加持下，全新科賦CRAS C710 M.2固態硬盤在使用壽命、數據安全、產品穩定方面都有着上佳的表現。 閃存顆粒上，採用Intel研發的、編號為29F01T2ANCTH2 ，3D TLC閃存顆粒，單顆容量128GB，共計4顆，容量總計512GB。 Intel研發 3D TLC顆粒 慧榮2263XT搭配Intel研發的3D TLC閃存顆粒，將會碰撞出怎樣的火花？接下來進入測試環節。 02 性能測試：讀取2000+MB/s主流表現 在性能測試之前，我們先通過CrystalDiskInfo，了解一下此款固態硬盤的相關參數。 CrystalDiskInfo 在CrystalDiskInfo中，我們可以看到科賦C710的核心參數，支持標準NVMe 1.3協議，支持S.M.A.R.T，同時也能了解到此款產品的讀寫入量和通電情況。 下面，我們將通過CrystalDiskMark、ATTO、Txbench進行連續性能測試，同時通過AS SSD Benchmark進行4K隨機性能測試。 在連續性能測試環節，我們將通過CrystalDiskMark、Txbench和ATTO三款軟件，進行連續性能測試。 CrystalDiskMark是一款來自日本的老牌硬盤性能測試軟件，它能夠在保證了連續讀寫、512KB和4KB數據包隨機讀寫性能，以及隊列深度（Queue Depth）為32的情況下的4K隨機性能等常規測試外，還在隊列設置，性能描述，以及測試數據塊選擇上都進行了優化，更符合當下硬盤的測試需求。 CrystalDiskMark測試 在CrystalDiskMark測試中，科賦C710的最大讀取速度達到2056MB/S，最大寫入速度達到1664MB/S，接近理論最大性能。 在ATTO測試中，我們採用全新4.0版本的ATTO進行測試，AATO的優勢在於，可以通過測試不同維度的數據塊，進行模擬日常的實際工作場景，從而更符合產品的實際功能，測試成績更有參考意義。 ATTO測試 在ATTO測試中，科賦C710...

自從QLC閃存在過去一兩年量產並上市之後，主流玩家的選擇不是TLC就是QLC閃存了，這兩種閃存誰好誰壞也爭了很久了。微星今天也來科普TLC與QLC閃存了，最後他們承諾遊戲本全線使用TLC閃存。 微星表示，閃存顆粒方面來說，固態硬盤顆粒有SLC、MLC、TLC和QLC，目前普遍最多的是TLC和QLC，其中TLC閃存內部結構是存儲3bit數據，QLC閃存存儲4bit數據。 至於兩種閃存的區別，TLC是高速存儲，QLC速度較慢。 此外，TLC閃存容量大，可靠性可靠性更強，而QLC閃存容量更大，可靠性一般。 微星表示，QLC閃存適合短期使用，存儲數據越多性能越差，而TLC適合長期使用，輕松應對電競遊戲。 總的來說，微星認為TLC閃存的SSD相比QLC閃存的SSD，穩定性和可靠性較高，且有壽命長、不掉速的優點。 微星強調，目前他們的遊戲本均搭載TLC閃存的SSD硬盤。 作者：憲瑞來源：快科技

最近一段時間來，閃存的價格已經穩定下來，今年內估計不會大漲但也不會大跌，好在現在的價格也不算貴，該買的早點入手。對閃存廠商來說，QLC閃存逐漸變成主流，下一代就是PLC閃存了，儲存密度可達現有的1.9倍，4TB硬盤小菜一碟。 Intel在閃存方面一直是跟美光合作的，不過去年他們選擇分手了，最後合作的就是96層堆棧的3D閃存，有TLC及QLC兩種規格，其中QLC版容量可達1024Gbit，也就是1Tbit，算下來存儲密度達到了8.9Gbit/mm2，是目前所有3D閃存中最高水平。 再往後是144層3D閃存了，Intel要自己研發，不再跟美光合作了，因為美光會轉向CTP電荷肼技術，而Intel堅持FG浮柵極技術，盡管製造更高復雜，但可靠性、性能更好。 144層閃存肯定是QLC為主，不過之後Intel也會導入PLC，也就是每個cell單元存儲5位電荷，進一步提升存儲密度，但代價就是寫入速度、可靠性繼續降低，這也是沒法的事。 根據計算，從QLC到PLC容量提升25%，從96層到144層可以提升50%，那麼總體算下來PLC閃存的存儲密度提升了87.5%，可見這是多麼大的誘惑，廠商是不可能放棄PLC閃存研發的。 與現在最頂級的QLC閃存相比，PLC閃存將近2倍的容量使得超大容量SSD成為可能，現在常見的也就是1TB、2TB，PLC時代估計就是4TB起步了，最大容量超過100TB也稀鬆平常，畢竟目前TLC硬盤都可以做到32-64TB了。 作者：憲瑞來源：快科技

從2019年下半年開始，記憶體價格因為種種因素止跌回升，一直到現在都在穩中有升。價格一漲，記憶體廠商的好日子就來了，威剛今年Q1季度三個月的利潤就超過了2019年全年。 威剛公司今天發布了2020年Q1季度報告，營收71.85 億新台幣（下同），季增0.85%，年增12.13%，毛利率23.76%，季增15.23 個百分點，年增12.96 個百分點，運營利率12.91%，較上季轉正，年增11.94 個百分點。 威剛在Q1季度獲得稅後淨利潤4.47 億新台幣，從上季度扭虧為盈，年增1.83 倍，每股EPS約合2.06 新台幣。 值得注意的是，威剛Q1季度的利潤就超過2019全年——去年因為記憶體價格下滑，威剛年度淨利不過4.46億新台幣，稅後淨利潤只有1.73%。 當然，威剛的業務不只是記憶體，還有SSD硬盤，不過NAND閃存今年的趨勢同樣是大漲，記憶體及閃存價格、出貨量同時上漲，威剛Q1季度的業績創造了6個季度以來的新高。 至於今後的走勢，疫情導致全球需求下滑，不過記憶體及閃存的價格並沒有隨之下滑，今年內看到記憶體、閃存重新降價的可能不大了。 作者：憲瑞來源：快科技

從去年底到現在，NAND閃存價格止跌回升，連帶着SSD硬盤價格也上漲了不少，現在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價位。什麼時候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。 雖然大家都喜歡SLC、MLC閃存，對TLC不感冒，對最新的QLC閃存甚至厭惡，但是QLC閃存是SSD硬盤提升容量、降低成本的必由之路，除非大家真的不需要2TB甚至4TB的SSD硬盤。 日本PCWatch網站日前分析了NADN閃存的發展趨勢，他們指出QLC閃存會發展出至少四代，第一代是Intel 2018年發布的QLC閃存硬盤660P為代表，64層堆棧。 不過第一代QLC閃存不論性能還是可靠性都有所欠缺，2019年Intel推出的665P硬盤使用的是第二代QLC閃存了，堆棧層96層，同時性能及可靠性大幅提升，1TB版收入壽命從200TBW提升到了300TBW。 第三代QLC閃存是去年底到現在才陸續發布的，堆棧層數達到144層，存儲密度相比96層堆棧增加了1.5倍，他們直接用於SSD硬盤的話，1TB版名義售價會降至9300日元，實際售價在7000日元左右。 第四代QLC閃存堆棧層數會提升到192層，目前還沒發布，但存儲密度是144層堆棧的1.33倍，成本降低到之前的3/4水平，如此一來1TB SSD硬盤的名義價格是7000日元，實際售價約為5000日元，也就是327元人民幣。 總之，根據他們的計算，QLC閃存至少到第四代才能算是比較廉價的，1TB硬盤能做到300元出頭，比HDD硬盤略高一些，1000元差不多就能買到3TB版的SSD了。 可惜這個計算太理想化了，即便第四代QLC閃存成本能降低到那個程度，決定市場售價的也不全是成本，以現在的情況來看，1TB硬盤300元出頭的日子恐怕還要等至少2年。 作者：憲瑞來源：快科技

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來，存儲密度和容量越來越大，但是性能、可靠性、壽命卻是越來越差，為了保證正常使用就不得不加入各種輔助技能。 如今的TLC SSD，大多數都支持Pseudo-SLC緩存加速，也就是將一部分容量模擬成SLC來換取高性能，但問題就是一旦緩存容量用完，瞬間就會被打回原形。 今天，存儲廠商敏博(MEMXPRO)發布了一款非常特殊的PC32 SSD，將整個硬盤的TLC都模擬成了SLC！ 這款硬盤配備的是美光B17A 64層堆疊3D TLC閃存顆粒，原本標稱P/E編程擦寫循環就有10000次，遠超普通TLC，而在全盤SLC模式下更是提高到了40000次，甚至元元超過了MLC和工業級TLC。 當然，TLC每個單元存儲三個比特，SLC則是單個比特，模擬後容量就很小了，最少僅僅80GB，最多也不過320GB，不過敏博表示，有需求的話也可以做更大容量的。 同時為了進一步確保穩定性、延長壽命，PCB都是單面分布主控和閃存顆粒，另一面有特殊的保護性塗層，-40℃到85℃的工業級溫度范圍內均可正常工作。 2.5寸SATA 6Gbps、M.2 2280 PCIe 3.0 x4兩種形態，慧榮SM2262EN主控，最高持續讀寫性能3250MB/s、2980MB/s，而且是全盤容量都可以跑出這個速度。 技術方面還支持AES-256、TCG Opal 2.0安全加密，以及敏博自家的mSMART智能管理工具。 作者：上方文Q來源：快科技

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)發布的數據，2019年Q4季度全球NAND閃存市場營收125.46億美元，環比增長8.5%，位元出貨量增長10%左右，合約價也由跌轉漲。 DRAMeXchange表示，去年Q4季度的市場需求表現優於預期，供應商的庫存也恢復正常，閃存供應商減少了供應，並轉向毛利率較高的閃存出貨。 至於今年Q1季度的表現，由於疫情可能影響智能手機及筆記本等消費電子產品的出貨，閃存位元出貨量預計會衰退或者持平，不過合約價已經上漲了，預計整體營收持平。 在全球NAND廠商中，三星以44.51億美元的營收位列第一，環比增長了11.6%，位元出貨量增加了10%左右，ASP均價也有所上漲。 鎧俠（原東芝存儲）以23.4億美元的營收位列第二，環比增長5.1%，市場份額18.7%。 在當季度中，鎧俠的位元出貨量增長了10%，ASP單價上漲5%左右。 WDC西數位列第三，當季營收18.38億美元，環比增長12.6%，市場份額14.7%。 西數在Q4季度中的位元出貨量增長了24%，但是ASP均價反而跌了8%。 美光位列第四，營收14.22億美元，環比增長了18.1%，是增長最多的，其中位元出貨量增長15%，均價也有所上漲。 Intel公司位列第五，營收12.17億美元，環比下滑了5.7%，主要是當季度位元出貨量下滑了10%，均價則增長了10%，折抵之下下滑了5.7%。 第六位的是SK海力士，當季營收12.07億美元，環比增長5.4%，位元出貨量增長了10%，不過ASP均價基本持平。 這六家NAND廠商去年的重點都是壓縮產能，特別是減少2D NAND閃存的產出，增加高利潤的3D NAND閃存，而且堆棧層數越來越高，今年Q1的重點是轉向100+層堆棧3D NAND閃存。 作者：憲瑞來源：快科技

威剛今天發布了一款定位工業級領域的SSD ISSS333 PLP，特別支持掉電保護，而且相當的皮實、長壽。 這一塊2.5英寸形態產品，7毫米厚度，SATA 6Gbps接口，採用3D TLC閃存顆粒，容量可選64GB、128GB、256GB、512GB、1TB、2TB，性能持續讀寫最高560MB/s、520MB/s。 雖然是TLC閃存，但是它標稱的P/E(編程/擦寫循環)達到了3000次，遠高於普通TLC，可靠性、穩定性、耐用性都基本達到了2D MLC閃存的標準，而且還支持LDPC錯誤校驗，以及威剛獨家的A+SLC技術，利用定製固件、A+分類算法來模擬SLC閃存的性能，並進一步確保數據完整性，平均故障間隔時間200萬小時。 另一個顯著特性就是支持掉電保護(Power Loss Protection)，即使遇到意外斷電也不會變磚，保護數據完整性。 作為工業級產品，其可承受的溫度范圍非常廣，最低-40℃，最高85℃，可在各種惡劣環境下正常工作，而且功耗只有2.3W。 作者：上方文Q來源：快科技

西數公司今天正式宣布了新一代閃存技術BiCS5，這是西數與鎧俠（原來的東芝存儲）聯合開發的，在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧，有TLC及QLC閃存兩種類型，最高核心密度1.33Tb，是目前存儲密度最高的產品。 西數存儲芯片技術和製造高級副總裁Steve Paak博士表示，在進入下一個十年的時候，一種新型的3D閃存對持續滿足不斷增長的數據容量及速率的需求至關重要，而BiCS5的成功研發體現了西數在閃存技術上的領導地位及路線圖的強大執行力。 BiCS5閃存是西數目前最先進、密度最高的3D NAND閃存，通過採用第二代多層存儲孔、改進工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲芯片的橫向存儲密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術有了明顯提升，存儲容量提升40%，IO性能提升了50%，同時優化了成本。 西數BiCS5閃存主要有TLC及QLC閃存兩種類型，初期會以512Gb核心的TLC開始量產，後續會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC閃存，預計2020年下半年開始商業化量產，主要生產工廠是日本三重縣四日市及岩手縣北上市的晶圓廠。 作者：憲瑞來源：快科技

紫光已經推出了多款自己的SSD固態硬盤產品，消費級有SATA S100、M.2 P100等，企業級則有PCIe/U.2 P8260。 今天，紫光悄然在京東商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型號為「P5160」，號稱採用了原廠原片顆粒，容量256GB、512GB，但是主控未知，或許繼續與群聯合作。 這款SSD是標準的M.2 2280形態，單面設計，無需散熱片，採用PCIe 3.0 x4接口並支持NVMe 1.3。 性能方面，256GB的持續讀寫3.2GB/s、1.25GB/s，隨機讀寫200K IOPS、310K IOPS，512GB的則分別提高到3.2GB/s、2.2GB/s、320K IOPS、350K IOPS。 讀寫壽命分別為150TBW、300TBW，五年質保，也就是每天0.3次全盤寫入，標準的TLC閃存，另外平均故障間隔時間150萬小時，等於每天寫入30GB分別可用14年、28年。 功耗平均不超過5.2W，待機為0.02W，支持L.2電源狀態，但未提及安全加密技術。 紫光P5160 512GB售價為569元，這個價格還是很格力的，低於絕大多數一線SSD品牌，而且提供五年包換、只換不修的貼心服務。   作者：上方文Q來源：快科技

除了10倍壽命的JetFlash 910系列U盤之外，創見還發布了新一代寫不死的M.2硬盤，使用的還是東芝BiCS 4 3D TLC閃存，但專有SLC模式使得寫入次數高達10萬次，是普通閃存的30多倍，一樣寫不死的。 創見這款硬盤型號為TSXXGMTS952TX，這麼奇怪的編號一看就知道不是針對消費級市場的，而是工業及嵌入式市場的，追求的就是超強壽命，P/E壽命可達10萬次，這是目前MLC、TLC遠遠做不到的，只有SLC閃存才有可能有這樣的壽命。 不過這款M.2硬盤並不是SLC閃存，還是東芝BiCS 4技術的3D TLC閃存，超強壽命是通過SLC模式實現的，同樣是犧牲容量換壽命的路線。 此外，這款M.2硬盤的性能也很一般，即便配備了自家的高性能FGT DRAM緩存，讀取速度也只有560MB/s，寫入速度420MB/s，隨機讀寫也只有56K、75K IOPS的水平，完全就是SATA模式的M.2硬盤，反正特種市場上對性能並不在意。 創見這款硬盤的容量也不算高，只有64GB、128GB及256GB三種，畢竟犧牲了2/3的容量換可靠性，但TBW壽命分別是3600TBW、7200TBW及14400TBW，也是普通硬盤至少30多倍的水平。 作者：憲瑞來源：快科技

西部數據今天發布了新款企業級SSD UltraStar DCSS540，雖然使用的是TLC NAND閃存，但是壽命和可靠性都是頂級的存在，被外媒贊為「坦克級「。 該硬盤採用2.5寸標準形態，厚度15mm，接口為SAS 12Gbps，第三代96層堆疊3D TLC閃存，容量共有九種，其中800GB、1.6TB、3.2TB、6.4TB的支持每天3次全盤寫入(留有足夠多的冗餘空間)，960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB支持每天1次全盤寫入。 支持7×24不間斷運行，平均故障間隔時間都是250萬小時，提供5年質保。 性能方面，持續讀取1985-2130MB/s，持續寫入1024-2109MB/s，對企業級應用更關鍵的隨機性能更強，隨機讀取237000-470000 IOPS，隨機寫入88133-240000 IOPS。 價格？企業級產品什麼時候公開過價格，但肯定超乎想象的貴。 作者：上方文Q來源：快科技

在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終於有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。 據報道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產能僅有5000片。 最新消息稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在年底前將月產能提高到6萬片。 不過，接受采訪時，長江存儲副總裁、聯合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數據詳情包括下一代更先進產品的研發計劃。 有報道指出，長江存儲預計最早明年初投產128層堆棧3D閃存，可能會採用第二代Xtacking架構。 另外，Cheng Weihua在參加近日舉辦的集成電路論壇時，還提及磁阻記憶體和相變記憶體技術，它們被認為是未來打造非易失性記憶體的核心要義。 圖為晶圓示意圖 作者：萬南來源：快科技

在CES展會期間，東芝發佈了新一代BG4系列M.2硬盤，這是東芝第四代BGA封裝的BG系列硬盤，這一代升級到了96層堆棧的3D TLC閃存，最大容量可達1TB，相比前代BG3系列翻倍。除了容量變大之外，BG4系列M.2硬盤的性能提升了，讀取速度可達2.2GB/s，寫入速度1.7GB/s，低功耗狀態的功耗低至5mW，單芯片封裝的它體積非常小巧，適合各種移動設備。 東芝的BG系列SSD硬盤主打輕薄、小巧，使用的是單芯片封裝，將主控及NAND閃存封裝在一起，所以規格也比較特殊，BG4可以是M.2 1620或者可拆分的M.2 2230規格，厚度還比BG3系列減少0.2毫米。 東芝BG4硬盤的NAND閃存升級到了最新的96層堆棧3D TLC閃存，相比64層堆棧的3D TLC閃存容量更大，所以最大容量提升到了1TB，是之前的兩倍。此外，BG4的主控也從之前的PCIe 3.0 x2通道提升到了PCIe 3.0 x4通道，性能更強，連續讀取速度2.25GB/s，連續寫入1.7GB/s，隨機讀取330K IOPS，隨機寫入190K IOPS。 除了性能跟提升，東芝還優化了BG4硬盤的功耗，讀取功耗減少20%，寫入功耗減少7%，還支持額外的低功耗狀態，功耗可低至5mW。此外，東芝還改進了BG4硬盤的HMB（Host Memory Buffer）技術，加速了讀取訪問范圍，優化了後台閃存管理。 東芝的BG4系列硬盤容量有128GB、256GB、512GB及1TB，目前已經向部分客戶提供樣品，今年晚些時候正式上市。來源：超能網