Tag: Toggle DDR 4.0

2018年各大NAND廠商都已經大規模量產了64層堆棧的3D NAND快閃記憶體，以TLC快閃記憶體為主，下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層級別。三星今天宣布量產第五代V-NAND快閃記憶體，業界首發Toggle DDR 4.0接口，速率達到了1.4Gbps，堆棧層數超過90層。此外，三星還准備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND快閃記憶體。 三星的V-NAND是3D NAND快閃記憶體中的一種，目前主力生產的是第四代V-NAND，堆棧層數64層，現在量產的是第五代V-NAND快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支持Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的V-NAND快閃記憶體提升了40%。 第五代V-NAND快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取信號的響應時間也縮短到了50us。 三星的第五代V-NAND快閃記憶體內部堆棧了超過90層CTF Cell單元，是目前堆棧層數最高的，這些存儲單元通過微通道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以存儲三位數據（這是TLC快閃記憶體）。 此外，第五代V-NAND快閃記憶體在製造工藝上也做了優化，製造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數據處理的效率。 除了第五代V-NAND快閃記憶體之外，三星還在擴展V-NAND快閃記憶體，准備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體及QLC類型的快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。 三星目前正在加大第五代V-NAND快閃記憶體的量產，以便滿足高密度存儲領域——超算、企業伺服器及移動市場的需求。 ...