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長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070，隨後大量應用於各大品牌的SSD上。之後長江存儲又擴大了新架構的應用范圍，推出了128層3D TLC NAND快閃記憶體和232層3D QLC NAND快閃記憶體產品，這些晶片更便宜、更容易製造。 據TomsHardware報導，已經有文件顯示，長江存儲正在准備下一代晶棧4.0（Xtacking 4.0）架構，至少會用於兩款產品，分別是名為X4-9070的232層3D TLC NAND快閃記憶體，以及名為X4-9060的128層3D TLC NAND快閃記憶體。 暫時還不清楚新架構會有什麼不同，一般情況下，長江存儲每發布一個新架構，就會提高數據傳輸速度和存儲密度。不過晶棧4.0架構是以某種方式解決現有晶棧3.0架構技術上的局限性，包括增加平面的數量以提高並行性，優化位線/字線以改善延遲。此外，也不排除長江存儲利用新架構進一步提高產能。 晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，還帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，技術研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC NAND快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。 據Tech Insights報導，長江存儲的X3-9070已經量產了，除了用於致態TiPlus7100系列SSD，還被用在海康威視的CC700 2TB SSD上，這是首個進入零售市場的200+層3D NAND快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等廠商。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 作為存儲大廠，今年美光、SK海力士和三星先後推出了200+層的3D NAND快閃記憶體解決方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出業界首款232層的3D TLCNAND快閃記憶體，稱准備在2022年末開始生產，其採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND快閃記憶體，並已經向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體的樣品。三星在上個月宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3DNAND快閃記憶體晶片，達到了236層。 ...

長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第四代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。相比上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度。據稱，其堆疊層數已突破200層。 據長江存儲介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規范，相比上一代產品提高了50%的性能；得益於晶棧3.0架構，X3-9070成為了長江存儲有史以來存儲密度最高的快閃記憶體顆粒，能夠在更小的單顆晶片中實現1Tb（128GB）的存儲容量；採用6-plane設計，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。 長江存儲執行副總裁陳軼表示： 「X3-9070快閃記憶體顆粒是長江存儲近年來在三維快閃記憶體領域的匠心之作，它擁有出色的性能表現和極高的存儲密度，能夠快速高效地應用於主流商用場景之中。面對蓬勃發展的5G、雲計算、物聯網、自動駕駛、人工智慧等新技術帶來的全新需求和挑戰，長江存儲將始終以晶棧®為基點，不斷開發更多高品質快閃記憶體產品，協同上下游存儲合作夥伴，用晶棧®為存儲產業賦能，踐行『成為存儲技術的領先者，全球半導體產業的核心價值貢獻者』的使命和責任。」 目前晶棧架構已經歷了1.0到3.0的疊代發展，並基於相關技術打造了多款產品，提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，並帶來了用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC和UFS等存儲產品。同時長江存儲在三維異構集成領域也積累了豐富的經驗，研發上逐漸趕上業界巨頭。 ...

長江存儲的發展速度之迅速是大家有目共睹的，先是推出了自家的NAND快閃記憶體，隨後又推出了自有SSD品牌致態，作為一家後發的快閃記憶體製造廠，長江存儲正在加快步伐追趕其他競爭對手，目前世界各NAND快閃記憶體大廠基本有自家的SSD主控方案，包括三星、海力士、西數還有原Intel快閃記憶體部門現Solidgm，鎧俠的主控基本都是群聯的，但鎧俠本身就是群聯的股東，現在長江存儲也在著手開發自家的SSD主控了。 致態TiPro7000 在PCI-SIG認證資料庫中出現了兩款長江存儲的SSD主控，其中PE310在去年12月就出現了，現在5月11日又多了一款名為PE320的主控，這兩款主控均支持PCI-E 4.0 x4，數據傳輸率16GT/s，從型號上來看，這兩款很可能是高低搭配，一個面向高端市場，一款明顯主流市場，兩者的NAND快閃記憶體通道可能不一樣。 長江存儲的Xtacking架構快閃記憶體的一大優勢就是快閃記憶體接口速度比其他競品要快，該技術允許在兩個不同的晶圓上製作3D NAND存儲陣列和NAND邏輯電路，然後再把它們堆疊在一起，Xtacking架構快閃記憶體可以實現3GT/s的接口速度，而目前其他競爭對手的3D NAND接口速度大概未1.6~2.0GT/s。 所以長江存儲打造自家的SSD主控估計是想讓自家的快閃記憶體能發揮出他們原本的實力，其他廠商製造自己的主控也多少有出於這方面的考慮，畢竟第三方的主控要考慮各家快閃記憶體的兼容性，並不一定能發揮出快閃記憶體的所有實力。 ...

在存儲市場，採用長江存儲生產的NAND顆粒的產品早已為數不少。今天，長江存儲正式推出了自有的SSD品牌致鈦，這意味著對於消費者而言，長江存儲將從幕後走向台前。 官方解釋稱，致是格物「致」知，是精誠所「致」，更是寧靜「致」遠。鈦，指的是Titanium，原子序數22，這是一種稀有金屬，重量輕，強度高，寓意是定義快閃記憶體科技新「鈦」度。 在今年早些時候，長江存儲宣布他們128層堆疊的3D快閃記憶體研發成功，有X2-6070這款擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲晶片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060。 在2018年的快閃記憶體峰會上長江存儲正式推出了Xtacking架構3D快閃記憶體，當時還是32層堆疊的，去年則對外公布他們已經可以量產64層堆疊的快閃記憶體，而現在已經進步到了業界最先進的128層堆疊，僅僅用了三年的時間。 在長江存儲128層堆疊產品中，Xtacking架構已經全面升級至2.0，進一步釋放3D快閃記憶體的潛能，X2-6070是128層堆疊的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060則是是128層堆疊的512Gb 3D TLC，都是基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，它們均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。 ...

在FMS國際快閃記憶體會議上，長江存儲公開了新型3D NAND快閃記憶體結構Xtacking，該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來將近DDR4記憶體水平的I/O接口速度，同時具有業界領先的存儲密度。 Xtacking可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲單元則在另一片晶圓上被獨立加工，也就是說長江存儲打算在用不同的工藝在兩塊晶圓上生產NAND的陣列電路與NAND的邏輯電路，這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。 在傳統3D NAND中，外圍電路會占據晶片面積的20~30%，這樣降低了晶片的存儲密度，堆疊層數的增加。到128層或者更高時，外圍電路可能會占到晶片整體面積的50%以上，長江存儲的Xtacking技術將外圍電路和存儲單元安置在不同的晶圓不同的層上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。 此外Xtacking技術可以充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了可能。 長江存儲CEO楊士寧博士表示Xtacking技術有望把快閃記憶體的I/O速度到3.0Gbps，與DDR4的I/O速度相當，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不過1.4Gbps，實際上大多數都只能達到1Gbps甚至更低，Xtacking技術對NAND行業來說是顛覆性的。 長江存儲已經把Xtacking技術應用到第二代3D NAND產品的開發上，預計2019年可以進入量產階段。 ...